【課題】不純物による半導体層の汚染を防ぎ、支持基板と半導体層との接合強度を高めることができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に第１のハロゲンを含む酸化膜を形成し、第２のハロゲンのイオンを照射することによって半導体基板中に分離層を形成すると共に第２のハロゲンを半導体基板に含ませ、水素を含む絶縁膜を挟んで半導体基板と支持基板とを重ね合わせた状態で加熱処理を行って、分離層で半導体基板の一部を分離させることにより、支持基板上に第２のハロゲンを含む半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】１枚のマザーガラス基板と複数枚の半導体基板を用いて、半導体基板よりも大きな面積を有する表示部を作製し、表示部を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】矩形の半導体基板を複数枚用意し、１枚のマザーガラス基板と貼り合わせて接着を行う。貼り合わせの際に複数枚の半導体基板間の境界線で間隔または重畳部分が生じてもそれらの間隔または重畳部分に単結晶半導体層が重ならない画素構成とする。第１の発光素子を含む第１の単位セルは、２個のＴＦＴが配置され、第２の発光素子を含む第２の単位セルは４個のＴＦＴが配置され、第３の発光素子を含む第３の単位セルにはＴＦＴが配置されない。第３の単位セルと第４の単位セルの間に境界線が位置する。 （もっと読む）

低温多結晶シリコン装置、および優れた性能を有する低温多結晶シリコン装置を製造するための技術。架橋粒子構造（ＢＧ）と称される、ドープされたｐｏｌｙ−Ｓｉ線を用いて、固有の、または、軽くドープされたチャンネルを、複数の各領域に分離する。ドープされた線を含む全活性チャンネルを覆う１つのゲートは、電流フローを制御するためにまだ用いられている。活性層としてＢＧｐｏｌｙ−Ｓｉを用い、電流が粒子の平行線に垂直に流れるようにＴＦＴを設計することを確実にすることによって、粒子境界の影響を低減することができる。ＢＧｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの信頼性、均一性、および電気的性能は、従来の低温ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴと比べて著しく向上している。
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【課題】十分なデータ保持特性を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１４に形成され、順に連接した第１乃至第３領域１５、１６、１７を有する半導体層１８と、第２領域１６にゲート絶縁膜１９を介して形成されたゲート電極２０と、ゲート電極２０をゲート長方向に挟むように第１および第３領域１５、１７内にそれぞれ形成され、キャリア濃度が第２領域１６より高く、且つ半導体層１８と同じ導電型のソースおよびドレインとを備えたセルトランジスタ１１と、一端が第１領域１５のソースに接続され、他端が共通配線２２に接続されたキャパシタ２１と、を具備する。ゲート電極２０に電源電圧を印加したときに、ゲート絶縁膜１９下の第２領域１６に形成されるＭＯＳキャパシタの空乏層の幅Ｗを、Ｗ＝√（２εφ／ｑＮａ）としたとき、ゲート長Ｌｇと直交する方向の第２領域１６の厚さＴｓｉが、空乏層の幅Ｗより小さい。 （もっと読む）

【課題】作製コストを低減しつつ、高速動作が可能な回路を設けた半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面から所定の深さにイオンドーピング層を形成し、単結晶半導体基板上に第１の絶縁層を形成し、絶縁性基板上の一部に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に非単結晶半導体層を形成し、第１の絶縁層を介して、単結晶半導体基板を絶縁性基板の第２の絶縁層が形成されていない領域に接合させ、単結晶半導体基板を、イオンドーピング層において分離させることにより、絶縁性基板上に単結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンで構成された薄膜トランジスタなどの半導体素子において結晶粒界の欠陥や結晶シリコン中に含まれる触媒金属や不純物の影響を受けない半導体薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第１の結晶シリコン層１０２が形成され、第１の結晶シリコン層１０２の上に第２の結晶シリコン層１０３が形成される半導体薄膜において、第２の結晶シリコン層１０３は、第１の結晶シリコン層１０２の結晶性を継承するようにエピタキシャル成長によって形成され、第２の結晶シリコン層１０３には、第１の結晶シリコン層１０２よりも、不純物の量が少なく、水素又はハロゲン元素が多く含まれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ光照射による処理で高品質なシリサイド膜を形成し、絶縁基板に形成された電気的特性のばらつきの小さい電界効果型トランジスタの微細化と高性能化を実現する。
【解決手段】絶縁基板上に形成された一対の不純物領域及びチャネル形成領域を有する島状の半導体膜において、一対の不純物領域上に第１の金属膜を形成し、ゲート絶縁膜を介してチャネル形成領域上に位置するゲート電極上に反射膜として機能する第２の金属膜を形成する。第１の金属膜にレーザ光を照射して、第２の金属膜が形成された領域においてレーザ光を反射させ、且つ、一対の不純物領域において選択的に島状の半導体膜と第１の金属膜とを反応させる。 （もっと読む）

【課題】大面積の単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、基板としてガラス基板を用いて、低コスト化、高生産化を達成できるＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。さらに、そのようなＳＯＩ基板を用いて高スループットで生産性よく半導体装置を作製することにより、大型な半導体装置や、低価格な半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】支持基板であるガラス基板上に複数の単結晶半導体層を一定の間隔を有して隣接して設けた後、ガラス基板を熱処理する。この熱処理によりガラス基板は収縮し、それに伴い隣接する単結晶半導体層同士が接する。複数の単結晶半導体層同士を接させた状態でエネルギービーム照射を行い、複数の単結晶半導体層を一体化し、連続的な単結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅ原子を含有するチャネル領域を具備するようなマルチゲート構造の電界効果トランジスタに関して、新規な電界効果トランジスタを提案すること。
【解決手段】Ｓｉ原子を含有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、Ｓｉ原子とＧｅ原子とを含有する突起構造と、前記突起構造内に形成されており、Ｇｅ原子を含有するチャネル領域と、前記チャネル領域の下部に埋め込まれている絶縁膜と、前記突起構造内に形成されており、前記突起構造を通じて前記半導体基板とつながっているソース・ドレイン領域と、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記チャネル領域上に前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを具備する電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ動作の半導体素子で、高耐圧と大電流の両立を図ったノーマリオフ型のIII族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】MOSFET２００は、基板２０１上に形成されたp型GaN層の半導体層２０３と、チャネル領域２０３ａ上にゲート酸化膜２０５を介して形成されたゲート電極２０８と、ソース電極２０６及びドレイン電極２０７とを備える。チャネル領域２０３ａの両側にコンタクト領域２１０,２１１が形成され、ゲート電極２０８とドレイン電極２０７の間にリサーフ領域２１２が形成されている。コンタクト領域２１０,２１１は、半導体層２０３にn型不純物をイオン注入法により注入して形成したn+型GaN層である。リサーフ領域２１２のシートキャリア濃度を1×10¹² cm^-2以上5×10¹³ cm^-2以下の範囲内に設定し、かつ、そのシート抵抗を100 Ω/sq.以上10 kΩ/sq.以下の範囲内に設定して高耐圧と大電流の両立を図る。 （もっと読む）

【課題】微細加工技術に依拠するのみでなく、半導体集積回路の高性能化を図ることを目的とする。また、半導体集積回路の低消費電力化を図ることを目的とする。
【解決手段】第１導電型のＭＩＳＦＥＴと第２導電型のＭＩＳＦＥＴとで単結晶半導体層の結晶方位又は結晶軸が異なる半導体装置を提供する。結晶方位又は結晶軸は、それぞれのＭＩＳＦＥＴにおいてチャネル長方向に走行するキャリアの移動度が高くなるように配設される。このような構成とすることで、ＭＩＳＦＥＴのチャネルを流れるキャリアにとって移動度が高くなり、半導体集積回路の動作の高速化を図ることができる。また、低電圧で駆動することが可能となり、低消費電力化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】製品の生産に使用可能な量産性の優れた方法でかつ安価なコストにより、半導体薄膜の結晶粒径の拡大を可能とすることを目的とする。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に導電性薄膜１０３を形成し、導電性薄膜１０３をパターニングしてから半導体薄膜１０４を形成し、レーザ光を照射して半導体薄膜１０４を溶融し固化して再結晶化する半導体薄膜の製造方法において、導電性薄膜１０３は面方向に突端部を有するようにパターニングされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱温度が低い基板を用いた場合でも結晶半導体層を備えた半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の一部に溝を形成し、凸部を有する半導体基板を形成し、当該凸部を覆うように接合層を形成する。また、接合層を形成する前において、凸部となる半導体基板に加速されたイオンを照射して、脆弱層を形成する。接合層及び支持基板を接合させた後、半導体基板を分離する熱処理を行うことで支持基板上に半導体層を設ける。当該半導体層を選択的にエッチングして、半導体素子を形成し半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】携帯電話等の小型化が要求される電子機器内においては、ディスプレイに接続されたフレキシブルケーブルにより機器内部の部品実装が制約を受けるという課題がある。
【解決手段】画像データや制御信号等を、非接触伝送路を介して受信する方式を採用し、信号を受信し増幅する受信回路をディスプレイ装置と同一の絶縁性基板上に形成する。このために、絶縁基板上において所定の方向に結晶化された半導体薄膜に形成された薄膜トランジスタと、絶縁基板上に形成された導電性薄膜を用いて形成された、誘導性結合回路を形成するためのインダクタとを有し、薄膜トランジスタを流れるキャリアの移動方向が、半導体薄膜の前記結晶化の方向と並行な方向であり、インダクタと薄膜トランジスタとが直接的にまたは間接的に電気的に結合するように集積されている半導体装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ不良を防止できるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の所定の深さの領域に脆化層を形成し、半導体基板上に絶縁層を形成し、半導体基板の外縁を脆化層よりも深い領域まで絶縁層側から選択的にエッチングし、半導体基板と、絶縁表面を有する基板と、を、絶縁層を挟んで重ね合わせて接合する。半導体基板を加熱して、絶縁表面を有する基板上に半導体層を残して、半導体基板を脆化層で分離する。 （もっと読む）

【課題】大粒径に結晶化を可能にする光吸収性キャップ膜の形成方法、半導体膜の結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の１態様による光吸収性キャップ膜の形成方法は、レーザー結晶化のための蓄熱効果を有する酸素欠損を含む光吸収性酸化シリコン膜からなる光吸収性キャップ膜の形成方法であって、二酸化シリコンターゲットを用い、酸素分圧雰囲気中で反応性スパッタリングを行って半導体膜の上方に前記酸素欠損を含む光吸収性酸化シリコン膜を形成する工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層を利用した薄膜トランジスタ、その製造方法及び有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層と、チャネル領域から離隔された位置の半導体層内には半導体層の表面から一定深さまで結晶化誘導金属と他の金属または金属の金属シリサイドが存在し、半導体層のチャネル領域の長さ及び幅と漏れ電流値間にはＩｏｆｆ／Ｗ（Ｌ）＝３．４×１０^−１５Ｌ^２＋２．４×１０^−１２Ｌ＋ｃ（Ｉｏｆｆは半導体層の漏れ電流値（Ａ）、Ｗはチャネル領域の幅（ｍｍ）、Ｌはチャネル領域の長さ（μｍ）、及びｃは定数であり、ｃは２．５×１０^−１３ないし６．８×１０^−１３である。）を満足することを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備する有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】改良されたフィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスと、その製造方法とを提供する。
【解決手段】１つの側面において、電界効果トランジスタ・デバイスを製造する方法は次のステップを含む。その上にシリコン層を有する基板が準備される。そのシリコン層においてフィン・リソグラフィー・ハードマスクがパターニングされる。フィン・リソグラフィー・ハードマスクの中央部分の上にダミー・ゲート構造が置かれる。ダミー・ゲート構造の周りにフィラー層が堆積させられる。フィン・リソグラフィー・ハードマスクの中央部分の上を中心として、フィラー層にトレンチを形成するためにダミー・ゲート構造が除去され、それはデバイスのフィン領域をデバイスのソース領域およびドレイン領域から区別する。フィン領域内のフィン・リソグラフィー・ハードマスクは、シリコン層に複数のフィンをエッチングするために使用される。フィンの上にゲート・スタックを形成するためにトレンチはゲート材料で満たされる。デバイスのソース領域およびドレイン領域を形成するためにフィラー層が除去され、ソース領域およびドレイン領域は無傷であってゲート・スタックと自己整合させられている。 （もっと読む）

【課題】、高精度の帯状結晶に改質して高い電界効果移動度のＴＦＴを作りこんだパネルを備えた画像表示装置の実現。
【解決手段】基板１０１上のa‐Ｓｉ膜あるいは微結晶シリコン膜１０４を帯状結晶シリコン膜（ＳＥＬＡＸ結晶シリコン膜）１０５に改質するための結晶化レーザの幅方向（短軸方向）形状を、４本の連続発振レーザを光学系で結合して左右対称のガウシアン形状から非対称に傾きを持ったプロファイルとする。このレーザの照射で再結晶化したＳＥＬＡＸ結晶シリコン膜上に、そのチャネル方向をＳＥＬＡＸ結晶シリコン膜の帯状結晶１０５の長手方向にソース‐ドレインを配置したＴＦＴを作製する。チャネルを移動するソース・ドレイン間電流が横断する粒界が少なくなり、画像表示の高速化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示デバイスの大型化にも対応すべく、Ａｌ合金膜と透明画素電極との間の接触抵抗を低減できるエッチング条件を特定し、応答速度の速い表示デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＡｌ合金膜を形成する工程と、Ａｌ合金膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、Ａｌ合金膜に接触するように透明導電膜を形成する工程とを含む表示デバイスの製造方法において、コンタクトホールを形成する工程は、少なくとも六フッ化硫黄ガス、酸素ガス、及び希ガスを含む雰囲気中で行われるドライエッチング工程を含むとともに、０．４≦（酸素ガスの流量）／［（六フッ化硫黄ガスの流量）＋（酸素ガスの流量）］≦０．９の条件を満足させる。 （もっと読む）