【課題】本発明は、しきい値電圧のばらつきが大きいトランジスタのしきい値電圧を調整してしきい値電圧のばらつきを低減することを可能にする。
【解決手段】基板１１と絶縁層１２とシリコン層１３が積層されてなるＳＯＩ基板１０の該シリコン層１３の表面側にトランジスタ２０を形成する工程と、ＳＯＩ基板１０上に、トランジスタ２０を被覆する第１絶縁膜３０と、トランジスタ２０に電気的に接続される配線部４０とを形成する工程と、配線部４０を通じてトランジスタ２０のしきい値電圧を測定する工程と、第１絶縁膜３０表面に第２絶縁膜を介して支持基板を形成する工程と、ＳＯＩ基板１０の裏面側の基板１１と絶縁層１２の少なくとも一部を除去する工程と、測定されたしきい値電圧に基づいてトランジスタ２０のしきい値電圧を調整する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体装置において、薄膜トランジスタの半導体層を、金属元素が添加された酸化物半導体層とする。金属元素として鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、モリブデン、タングステン、ニオブ、及びタンタルの少なくとも一種類以上の金属元素を用いる。また、酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】 両極特性電界効果型トランジスタ及び半導体集積回路装置に関し、作製時ではなく使用時に極性を制御することにより、ＦＥＴに種々の機能を持たせる。
【解決手段】 基板上に設けたチャネル領域上に前記チャネル領域のキャリア濃度を制御するゲート電極を設けるとともに、前記ゲート電極から見たトランジスタの極性を変更する電圧印加手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より導電率が高く、膜厚が薄い半導体層を形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させ、且つオフ電流の増大を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】オフリーク電流を低減させた薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。
【解決手段】表示部が形成される基板上に薄膜トランジスタが形成されている表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を被って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上面に、平面的に観て前記ゲート電極からはみ出すことなく、前記ゲート電極に重畳して形成された島状の半導体層と、前記半導体層を被って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された一対のスルーホールのそれぞれを通して前記半導体層と電気的に接続された一対の電極とを備え、
前記半導体層は、結晶性半導体層と非晶質半導体層の順次積層体からなり、前記電極のそれぞれは、不純物がドープされた半導体層と金属層の順次積層体からなっている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生を抑制しつつ、製造方法の簡素化を図る。
【課題を解決するための手段】薄膜トランジスタは、基板（１０）上に、第１の方向に延在する凸状の段差（１２ａ）を表面に有する下地膜（１２）と、下地膜上に第１の方向に交差する第２の方向に沿って長手状に形成され、凸状の段差に対応した段差を表面に有し、凸状の段差に重なる領域において、チャネル幅方向に沿った幅寸法が局所的に狭く形成された半導体層（３０ａ）と、半導体層にゲート絶縁膜（１３）を介して対向配置されたゲート電極（３０ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】微細化された３次元的なデバイスを実現し得る、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】開示される、本発明の一実施形態による、半導体装置の製造方法によれば、ライン・アンド・スペース状の第２の層１２を、第２の層１２が延在する方向と交わる方向に延びるライン・アンド・スペース状の第８の層２５をマスクとしてエッチングすることにより、二次元的に配列される第２の層１２を得、これにより下地層をエッチングすることにより、二次元的に配列されるピラーを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 マルチゲートＭＩＳＦＥＴからなる高移動度のｎＦＥＴ及びｐＦＥＴの双方の移動度を向上させる相補型半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１０上にｎチャネルＭＩＳトランジスタとｐチャネルＭＩＳトランジスタが形成された相補型半導体装置であって、ｎチャネルＭＩＳトランジスタ及びｐチャネルＭＩＳトランジスタが、基板１０の主面に平行な面内に引っ張り歪みを有する第一の半導体層と圧縮歪みを有する第二の半導体層とが交互に積層され、基板１０の主面に対して突出した積層構造と、積層構造の対向する両側面を覆うように形成されたゲート絶縁膜８０と、ゲート絶縁膜８０を介して前記積層構造を覆って形成されたゲート電極３０と、ゲート絶縁膜８０とゲート電極３０をはさんで対向し、積層構造の両端に形成されたソース／ドレイン領域２０と、を有することを特徴とする相補型半導体装置。 （もっと読む）

半導体デバイス構造体が、エネルギー障壁がトランジスタ・チャネルの下方に存在するトランジスタを有する。このエネルギー障壁は、トランジスタ・チャネルからバルク基板内へ蓄積された電荷がリークすることを抑える。エネルギー障壁を有する半導体デバイスを作製する方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】オン電流を維持したままオフ電流を下げることができ、かつ、安価で優れた表示品位を得ることができるＴＦＴを提供する。
【解決手段】本発明のＴＦＴ１１は、絶縁基板１上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁層１３、半導体層１４が、絶縁基板１側からこの順に積層されたボトムゲート型のＴＦＴである。半導体層１４は微結晶シリコンを含み、ＴＦＴ１１を絶縁基板１の法線方向から視たときに、ゲート電極１２を挟んで対向するソース電極１６およびドレイン電極１７におけるゲート電極１２側の各端面１６ａ・１７ａとゲート電極１２の端面１２ａ・１２ｂとがそれぞれ面一である。 （もっと読む）

【課題】塗布プロセス（印刷やＩＪ）により製造が可能であって、電磁波照射による異常放電がなく、生産効率及び生産安定性が高く、かつキャリア移動度及びｏｎ／ｏｆｆ比が向上した電子デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、電極を有し、少なくとも１部に熱変換材料または熱変換材料を含むエリアと、前記熱変換材料または熱変換材料を含むエリアに隣接もしくは近接して電磁波吸収能を持つ物質または電磁波吸収能を持つ物質を含むエリアを配置し、電磁波を照射して、該電磁波吸収能を持つ物質が発生する熱により、熱変換材料を機能材料に変換する電子デバイスの製造方法において、前記電極の辺が形成する角が全て９０°より大きく１８０°より小さい、または、曲面であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】柱状半導体層が微細化されて高集積化されても、コンタクト抵抗の増加を抑制する構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板（半導体基板１）と、半導体基板１上に設けられた、半導体柱状部（柱状半導体層３）と、の天面に接するように設けられた、柱状半導体層３と同径以下のコンタクト柱状部（コンタクト層７）と、この天面に設けられた凹部をと備えるものである。 （もっと読む）

【課題】結晶核形成を促進する触媒物質をα−Ｓｉに点状に付着させるための結晶核マスクを形成する場合に、単結晶シリコン基板を用いて、結晶面に沿って突起状の構造を形成し、その先端に触媒物質を付着させる工程を用いて製造した場合、直径３０ｃｍ程度が限度の単結晶シリコン基板以上の面積を有する、α−Ｓｉ層に、この転写用基板を用いて押圧転写することは困難であるという課題がある。
【解決手段】ガラス基板１０上のα−Ｓｉ層にエキシマレーザー光を照射して、規則的配列を備える突起部１３を配置し、突起部１３を覆うように触媒金属層を配置して結晶核マスク１を構成する。ガラス基板１０は対角１ｍ以上の基板が容易に入手できることから、大型（対角１ｍ程度）の被転写基板２１に対しても結晶核形成を促進する触媒物質をα−Ｓｉに点状に付着させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく結晶性の高い単結晶シリコン層が絶縁膜上に形成されてなる半導体装置の製造方法及び半導体装置を得るという課題があった。
【解決手段】基板１の一面１ａに絶縁膜２を形成する工程と、絶縁膜２を開口して基板１を露出させる穴２ｃを形成する工程と、穴２ｃの内壁面を覆うように結晶成長補助膜３を形成する工程と、穴２ｃを充填するとともに、絶縁膜２の前記基板と反対側の面２ａを覆うように非結晶シリコン層を形成する工程と、前記非結晶シリコン層を、レーザーアニール法により単結晶シリコン層５とする工程と、を有する半導体装置１０１の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイの駆動素子に活用できるような良好な特性を有する酸化物半導体TFTを、安価なガラス上や、軽くフレキシブル性を有するPET等の樹脂基板上に、再現性・歩留まり良く製造すること。
【解決手段】酸化物半導体４にパルス光を照射することにより、ガラス基板２１上、PET等の樹脂基板１上に良質な酸化物半導体膜４を形成することを可能とし、良好な特性を有する薄膜デバイスを再現性・歩留まり良く製造することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】連続発振レーザビーム、あるいは擬似連続発振レーザビームによりレーザアニーリングされることによって多結晶化された半導体膜において、結晶異方性が存在したとしても、その結晶異方性によるトランジスタの特性差を抑制することができるとともに、実用上の設計およびプロセス制約を緩和することのできる表示装置用基板を提供する。
【解決手段】上記第１のトランジスタ５は、上記半導体膜５ａにおける、結晶の長軸方向Ｄ２と、ソース領域からドレイン領域に向かう方向である半導体チャネル長方向Ｄ１とのなす角が、上記第２のトランジスタ６における上記なす角より大きく、上記第１のトランジスタ５に設けられた絶縁膜における絶縁膜容量の和Ｃａは、上記第２のトランジスタ６に設けられた絶縁膜における絶縁膜容量の和Ｃａより大きい。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れたＳＯＩ基板及びその作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板に加速された水素イオンを照射することにより、単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、単結晶半導体基板を加熱し、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成し、半導体層の表面にレーザー光を照射して半導体層の少なくとも表層部を溶融させる際に窒素、酸素、又は炭素の少なくともいずれか一を半導体層に固溶する。 （もっと読む）

【課題】大きな結晶粒径の結晶粒径で、且つ、３次元的に結晶方位を制御された結晶粒で構成された半導体薄膜を製造し、この半導体薄膜を用いた半導体薄膜によって、優れたキャリア移動度を得る。
【解決手段】半導体薄膜の製造方法は、基板上に非晶質膜を形成する非晶質膜形成工程と、前記非晶質膜形成工程で形成した非晶質膜の少なくとも一部を結晶化させて、膜面に平行な特定の結晶面を持つ第１の多結晶膜を形成する第１結晶化工程と、前記第１結晶化工程で形成した第１の多結晶膜に１方向からイオン注入を行うことにより、３次元的に方位制御された所定の結晶方位を有する結晶粒を残す一方、それ以外の結晶粒を非晶質化させるイオン注入工程と、前記イオン注入工程で残った３次元的に方位制御された所定の結晶方位を有する結晶粒をシ−ドとして非晶質領域を結晶化させることにより第２の多結晶膜を形成する第２結晶化工程と、を備える。 （もっと読む）