【課題】透明基板との高い密着性、低い電気抵抗率、および優れたウェットエッチング性を示すＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】透明基板と直接接触する表示デバイス用Ｃｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は、下記（１）および（２）の要件を満足する酸素含有合金膜であることを特徴とする表示デバイス用のＣｕ合金膜である。
（１）前記Ｃｕ合金膜は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、およびＣａよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．１０原子％以上１０原子％以下含有する。
（２）前記Ｃｕ合金膜は、酸素含有量が異なる下地層と上層を有し、
前記下地層は前記透明基板と接触しており、前記下地層の酸素含有量が前記上層の酸素含有量よりも多い。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きく、均一な結晶性半導体膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に接して結晶性半導体膜を形成する第１の工程と、前記第１の工程よりも核生成頻度が低い条件により結晶性半導体膜を成長させる第２の工程と、により結晶性半導体膜を作製する。第２の工程は、第１の工程よりも半導体材料ガスの流量比が小さい条件で行う。これにより、結晶粒径が大きく、均一性の高い結晶性半導体膜を得ることができ、結晶性半導体膜の下地膜に対するプラズマダメージを従来よりも低減することができる。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性の良好な有機半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】低分子有機半導体化合物前駆体及び高分子有機半導体化合物を含む塗布液を調整する塗布液調整工程と、前記塗布液を支持体表面に塗布する塗布工程と、前記支持体表面に塗布された前記塗布液を加熱する加熱工程と、を有する、有機半導体膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極形成時の活性層へのダメージを抑制するとともに、製造工程の簡略化を図ることが可能な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電層５０をエッチングによってパターニングすることにより、活性層１８に接触するソース電極２０及びドレイン電極２２を形成するとともに、ソース電極２０とドレイン電極２２を除いた部分にソース電極２０及びドレイン電極２２よりも厚みが薄い導電層を第１保護薄膜５６として残存させる工程と、第１保護薄膜５６を半導体又は絶縁体に化学変化させて第２保護薄膜２４を得る工程と、を含む薄膜トランジスタの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層にダメージを与えず、デバイス特性を低下させることのない保護膜を形成した有機半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体素子１は、基板２を有し、基板２の上面にはゲート電極３が設けられている。ゲート電極３の上面及び基板２の上面にはゲート絶縁層４が設けられている。ゲート絶縁層４の上面には、ソース電極７とドレイン電極８が離間して設けられている。ソース電極７とドレイン電極８に挟まれるゲート絶縁層４の上面には有機半導体層６が設けられている。有機半導体層６、ソース電極７、ドレイン電極８及びゲート絶縁層４の上面には下側からフッ素樹脂層１１、水溶性樹脂層１２、ガラスコーティング層１３の３層構造の保護膜１０が設けられている。保護膜１０の上面には画素電極２１が形成されており、この画素電極２１は、コンタクトホール３１により、ソース電極７と導通している。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高く、オン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極と、該ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、該半導体層上に不純物半導体層を介して設けられたソース電極及びドレイン電極と、少なくとも前記半導体層を覆って設けられた保護層と、を有し、前記半導体層は、前記ゲート絶縁層に接する結晶性半導体層と、前記結晶性半導体層よりもキャリア移動度が小さく前記不純物半導体層に接するバッファ層と、を有し、前記ゲート絶縁層と前記保護層は、前記半導体層のダングリングボンドを終端可能な成分を含む絶縁膜により形成した薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】 抑制された高次無線周波数高調波を有する無線周波数デバイス及び無線周波数回路の製造を可能にする、半導体オン・インシュレータ基板及び関連した半導体構造体、並びに、半導体オン・インシュレータ基板及び関連した半導体構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体オン・インシュレータ基板及び関連した半導体構造体、並びに、半導体オン・インシュレータ基板及び関連した半導体構造体を製造するための方法が、半導体オン・インシュレータ基板内のベース半導体基板と埋込み誘電体層との界面の下方の位置において、ベース半導体基板内に配置及び形成された高次無線周波数高調波抑制領域をもたらす。高次無線周波数高調波抑制領域は、これに限定するものではないが、希ガス原子などのイオン注入原子を含むことができ、これに限定するものではないが、半導体構造体内の表面半導体層内及びその上に配置及び形成された無線周波数相補型金属酸化膜半導体デバイス（又は代替的には受動デバイス）などの無線周波数デバイスに電力供給するとき、抑制された高次無線周波数高調波をもたらす。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物半導体から構成された活性層における、少なくとも電界効果型トランジスタとして構成されたときにソース電極及びドレイン電極の界面に連続する領域の浸食の抑制された電界効果型トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタ１０の製造方法によれば、第1の導電層形成工程において非晶質酸化物半導体層１７上に第１の導電層２０を形成した後に、パターン形成工程及び加工工程においてレジストパターン３０を形成して該レジストパターン３０による非保護領域をエッチングすることによって、第１の導電層２０と共に非晶質酸化物半導体層１７を加工して活性層１８上に第１の導電層２０の積層された状態とした後に、第１の導電層２０からレジストパターン３０を剥離する。 （もっと読む）

【課題】 フィン型ＦＥＴデバイス及びこれの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスは、基板を準備しそして基板上に半導体含有層を形成することにより形成される。次いで、複数個の開口を有するマスクが、半導体含有層上に形成され、ここでマスクの複数個の開口のうち互いに隣接する開口は、最小構造寸法だけ離されている。その後、半導体含有層の第１部分にドーパントを導入するために、角度付けしたイオン注入が行われ、ここでドーパントがほぼ存在しない残りの部分がマスクの下側に存在する。サブリソグラフィック寸法のパターンを形成するために、半導体含有層のうちドーパントを含む第１部分がこの半導体層のうちドーパントをほぼ含まない残りの部分に対して選択的に除去され、そしてサブリソグラフィック寸法のフィン構造を生じるために、パターンが基板に転写される。 （もっと読む）

【課題】有機半導体膜などの有機膜における不純物を低減することが可能な製造技術を提供すること。
【解決手段】基板(10)上の所定位置に有機膜(16)を形成する第１工程と、前記有機膜を所定の洗浄溶液によって洗浄する第２工程と、前記有機膜に付着した前記洗浄溶液を除去する第３工程と、を含む有機膜の製造方法である。「有機膜」とは、例えば有機半導体膜又は有機絶縁膜である。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物半導体の形成におけるプロセス温度の低温化を達成することにより、樹脂基板を用いた薄膜トランジスタの製造を可能とする。
【解決手段】金属酸化物半導体前駆体の溶液または分散液を、基板上に塗布することにより得られた金属酸化物半導体前駆体膜を変換することにより、金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、金属酸化物半導体前駆体塗布時の基板表面の２種の表面エネルギー成分γｈとγｄについて、１０≦γｈ≦８０（ｍＮ／ｍ）、２≦γｄ≦４０（ｍＮ／ｍ）であることを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネルに用いられる酸化物材料に工夫を加え、上記ヒステリシスの低減を図ることを目的とする。
【解決手段】電界効果型トランジスタのチャネル層に用いるＧａとＩｎとＺｎ、ＳｎとＩｎとＺｎ、ＩｎとＺｎとＧａとＭｇ、ＩｎとＳｎ、ＩｎとＧａ、又はＩｎとＺｎを含むアモルファス酸化物膜の製造方法であって、基板を成膜装置内に配置する工程と、水素ガスと酸素ガスとを前記成膜装置内に各々０．００１Ｐａ以上０．０１Ｐａ以下、０．００８Ｐａ以上０．５Ｐａ以下の分圧で導入しながら、スパッタリング成膜法により前記基板上にアモルファス酸化物膜を成膜する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａはチエノチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ｘ_１〜Ｘ_８は独立に、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アリール基、あるいは置換エチニル基を表し、Ｘ_１〜Ｘ_３の組み合わせ及び／又はＸ_５〜Ｘ_７の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して置換又は未置換のベンゼン環、あるいは置換又は未置換のチオフェン環を形成していてもよく、Ｚ_１およびＺ_２は独立に、Ｏ、Ｓ、あるいはＮ−Ｒ（ＲはＨ、アルキル基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表す）を表す］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】大量生産可能の電気化学トランジスタを提供する。
【解決手段】電気化学トランジスタ装置は、ソース接点１と、ドレイン接点２と、少なくとも１つのゲート電極４と、ソース、ドレイン接点間に配置されており、それらと直接的に電気接触している電気化学的にアクティブな要素であるトランジスタ・チャネル３を含み、そのレドックス状態の変化を通じてその導電率を電気化学的に変える能力を有する有機材料からなる材料で作られている電気化学的にアクティブな要素と、電気化学的にアクティブな要素および前記少なくとも１つのゲート電極の間に介在し、それらと直接的に電気接触している凝固電解液５とを含み、電気化学的にアクティブな要素、前記ゲート電極間の電子流が阻止されるようになっている。この装置において、ソース接点およびドレイン接点間の電子の流れは、前記ゲート電極に印加された電圧によって制御可能である。 （もっと読む）

【課題】ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する酸化物半導体からなる薄膜が、高いＴＦＴ特性を有することが可能な薄膜トランジスタ、多結晶酸化物半導体薄膜の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】第１工程として、基板１２上に、ＩＧＺＯ系の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとした気相成膜法を用いて、ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する非晶質酸化物半導体からなる薄膜１０Ａを成膜する。第２工程として、非晶質酸化物半導体からなる薄膜１０Ａを、電気炉へ投入し、その表面粗さＲａ値を１．５ｎｍ以下として維持しつつ多結晶化する温度領域６６０℃〜８４０℃で焼成する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、環Ａ_１および環Ａ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のチエノチオフェン環を表し、環Ｂ_１および環Ｂ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換の１位と８位で縮環したナフタレン環、置換または未置換の３位と４位で縮環したペリレン環、置換または未置換の１位と１０位で縮環したピレン環、あるいは置換または未置換の３位と４位で縮環したフルオランテン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_１〜Ｘ_４の組み合わせおよび／またはＸ_５〜Ｘ_８の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよく、Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ独立して、水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜、特に、前駆体から熱変換され形成される酸化物半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造方法において、半導体特性の向上およびその安定性が向上した生産効率の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基体３１０上に、ゲート電極３０２、ゲート絶縁膜３０３、酸化物半導体薄膜３０６を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜３０３が大気圧プラズマ法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）