【課題】半導体膜の品質に面内ばらつきが生じることを抑制できる半導体膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】半導体膜の結晶化方法は、基板５１０上に形成された半導体膜５０６に、第１のレーザ光５０３を基板５１０の底面５１０ａに対して傾斜した状態で照射しつつ、第１のレーザ光５０３とは異なる発振器から発振された第２のレーザ光５０４を、基板５１０の底面５１０ａに対して第１のレーザ光５０３とは反対の方向に傾斜した状態で照射することにより、半導体膜５０６の一部を溶融させ、かつ第１及び第２のレーザ光５０３、５０４の照射位置を、該第１又は第２のレーザ光５０３、５０４が傾斜している方向に略沿って走査して、半導体膜５０６の溶融している部分を移動させることにより、半導体膜５０６を結晶化するものである。 （もっと読む）

【課題】ドレイン・チャネル間の寄生容量の増加及びＤＩＢＬ効果によるサブスレッシュホールドリーク電流の増加を抑えつつ、高い駆動電流及び伝達コンダクタンス、サブスレッシュホールド特性の改善及び浮遊ボディ電位効果の抑制を実現することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴ１は、支持基板１１ａに形成された高濃度拡散領域１７ｃと、高濃度拡散領域１７ｃよりも深い支持基板１１ａ中に形成された高濃度拡散領域１７ｄと、高濃度拡散領域１７ｃ上に形成されたゲート電極１４と、高濃度拡散領域１７ｄ上のＳＯＩ層１１ｃに形成されたドレイン領域１５ｄと、ゲート電極１４下を挟んでドレイン領域１５ｄと反対側のＳＯＩ層１１ｃ中に形成されたソース領域１５ｓとを有する。 （もっと読む）

【課題】トレンチゲート用のトレンチ周辺に発生する結晶欠陥を低減することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】トレンチゲート構造の縦型ＭＯＳトランジスタ５０を含む半導体装置１００の製造方法であって、チャネルが構成されるＮウェル２１に対応する注入領域に、少なくとも不純物を、注入領域が完全に非晶質状態となる臨界注入量以上にイオン注入して、完全に非晶質化された非晶質領域２０を形成する。そして、非晶質領域２０を熱処理することで、結晶化させつつ不純物を拡散させて、所望の不純物濃度及びプロファイルを有するＮウェル２１を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】アクティブ・マトリクス・エレクトロルミネッセント・ディスプレイにおいて、ＥＬセルの切り替え電子回路は低電圧のＭＯＳトランジスタおよび高電圧のＭＯＳトランジスタを含み、後者のＭＯＳトランジスタのブレイクダウン電圧を向上する高電圧トランジスタを提供する。
【解決手段】高電圧のトランジスタ１１２は、ドレイン領域２３４およびソース領域２３２との間にドリフト領域２０２を有しており、ゲート電極２１８は絶縁層２１２によって前記ドリフト領域から分離されると共に、前記絶縁層によって前記ドリフト領域に平行なゲート電極２１８であって、前記ゲート電極は前記ドリフト領域を部分的に覆い、前記ドリフト領域に近接すると共に、前記ドリフト領域から離れて間隔を置いて配置され、前記ドリフト領域内に実質的に一様な電界を生じさせるための容量分割回路網２２４と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、位置規則性ポリマー、特に、高い位置規則性度を有する頭−尾（ＨＴ）ポリ（３−置換）チオフェンの製造方法、この方法によって製造される新規なポリマー、この新規なポリマーを電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、エレクトロルミネッセンス、光起電性及びセンサーデバイスを含めて、光学的、電気光学的又は電子的デバイスにおける半導体又は電荷輸送材料としての使用、及び新規なポリマーを含むＦＥＴ及び他の半導体部品又は材料に関する。 （もっと読む）

【課題】外壁に付着した制御物質の除去が可能であり、安定した電気的特性を維持できる内包体等を提供する。
【解決手段】単層カーボンナノチューブと、該単層カーボンナノチューブのチューブ内に含まれた制御物質（フラーレンを除く）およびフラーレンを有し、前記制御物質は、前記単層カーボンナノチューブの電気特性を制御可能な物質であり、前記フラーレンは、前記制御物質よりも、前記単層カーボンナノチューブの開口部により近い側にそれぞれ設けられている、内包体。 （もっと読む）

【課題】 大粒径に結晶化でき、良好な電気的特性を実現する結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、被結晶化基板、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る非単結晶半導体膜にレーザ光を照射して結晶化する結晶化方法は、前記レーザ光が、複数の断面逆三角形状ピークパターンを有する光強度分布のレーザ光のレーザ光であり、前記非単結晶半導体膜は、フッ素含有非単結晶半導体膜であることを特徴とする。さらに前記フッ素含有非単結晶半導体膜の膜中フッ素濃度は、好ましくは、１０^１８ｃｍ^−３乃至１０^２０ｃｍ^−３である。前記フッ素含有非単結晶半導体膜上には、好ましくはキャップ膜が形成されている。この方法により結晶化された膜は、大粒径の結晶粒を有し、良好な電気的特性を実現するものである。 （もっと読む）

本発明は、導電性または半導性ナノワイヤのアレイを製造する方法に関する。この方法は一般に、基板上に階段状原子テラスの微斜面を形成し、ドーパント材料の部分層を堆積させて、原子テラスの幅より狭い幅を有するナノストライプを形成し、好ましくはナノストライプおよび露出テラス面をオーバー層で被覆して多層構造体を形成し、場合によりこの多層構造体をアニールし、ドーパントナノストライプの原子を基板およびオーバー層のいずれか又は両方の内部へ拡散させてナノワイヤを形成する工程を含む。この方法は、規則的トポグラフィーパターンを備えた他の基板にも適用できる。本発明は、これらのナノワイヤを用いて作製した各種エレクトロニクスデバイスにも関する。
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プラスチック基板上にアモルファスSi層を形成し、前記アモルファスSi層をレーザ照射により結晶化して得られる結晶性Si層形成基板の製造方法において、前記レーザの発振波長の光に対する前記プラスチック基板の透過率が30〜100％であることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 基板への接着性が良好で、且つ、良好に駆動可能な有機薄膜トランジスタ、該有機薄膜トランジスタを設けた有機薄膜トランジスタシート及びこれらの製造方法の提供。
【解決手段】 支持体と金属箔とをラミネートする接着層を支持体上に有し、前記支持体と前記金属箔とが前記接着層によりラミネートされ、前記支持体上にラミネートされた前記金属箔表面が研磨されたものであることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】特殊な技術を要せず、簡単な製造方法でキャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層に重量平均分子量２０００以上のπ共役系ポリマー及び分子量２０００以下のπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）