【課題】低コストの圧力センサーを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサー１は、基板１０とこの基板１０上に設けられた有機トランジスタ１００とを備えている。有機トランジスタ１００は、有機半導体層４０と、有機半導体層４０に接触して設けられたソース領域３０及びドレイン領域６０と、有機半導体層４０内に設けられ、かつソース領域３０とドレイン領域６０との間のチャネルとなるチャネル領域４５と、チャネル領域４５に電界を印加可能なゲート電極５０と、チャネル領域４５とゲート電極５０との間に設けられたゲート絶縁膜２０と、を有している。有機トランジスタ１００は、チャネル領域４５及び／又はゲート絶縁膜２０を感圧部とし、感圧部で感圧した際に特性変化を生じることで感圧素子として機能する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でソース領域及びドレイン領域に悪影響を与えることなくチャネル形成領域の薄膜化が可能な半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の作製方法において、凸部を有する絶縁性基板の表面に凸部の高さより小さい厚さを有する半導体膜を形成し、この半導体膜をレジストをマスクにして島状にエッチングした後、レジストをエッチングして凸部上面を覆う半導体膜の部分を露出し、この露出された半導体膜の部分をエッチングにより薄膜化する際、凸部の両側に隣接する部分を覆う半導体膜がレジストに覆われたままとする。 （もっと読む）

【課題】大型の半導体装置で、高速に動作する半導体装置を提供することを目的する。
【解決手段】単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファスシリコン（またはマイクロクリスタルシリコン）の半導体層を有するボトムゲート型のトランジスタとを同一基板に形成する。そして、各々のトランジスタが有するゲート電極を同じレイヤーで形成し、ソース及びドレイン電極も同じレイヤーで形成する。このようにして、製造工程を削減する。つまり、ボトムゲート型のトランジスタの製造工程に、少しだけ工程を追加するだけで、２つのタイプのトランジスタを製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の作製時に発生する金属汚染の影響を抑える。
【解決手段】半導体基板に水素イオンを照射し損傷領域を形成した後、ベース基板と半導体基板を接合させる。加熱処理を行って、半導体基板を劈開させＳＯＩ基板を作製する。ＳＯＩ基板の半導体層上に、Ａｒなど第１８族元素を含んだ半導体でなるゲッタリングサイト層を形成する。加熱処理を行って、半導体層中の金属元素をゲッタリングサイト層にゲッタリングさせる。エッチングにより、ゲッタリングサイト層を除去することで、半導体層の薄膜化を行う。 （もっと読む）

【課題】工程の簡略化を図り、又は特性不良を抑制する半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に第１の導電膜と第２の導電膜を形成し、第１の導電膜上と第２の導電膜上に第１の絶縁膜を形成し、第１の導電膜上に第１の絶縁膜を介して電荷蓄積層を選択的に形成し、第１の絶縁膜上と電荷蓄積層上に第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上に、第１の導電膜と重なる第１の半導体膜と、第２の導電膜と重なる第２の半導体膜と、第１の導電膜及び第２の導電膜と重ならない第３の半導体膜を形成し、第１の半導体膜、第２の半導体膜及び第３の半導体膜上に第３の絶縁膜を形成し、第３の半導体膜の上方に第３の絶縁膜を介して第３の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】接続孔内から無電解めっき層が剥がれて抜け落ちるのを防止できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体層３２上に形成された第１の絶縁層３３，２０３と、前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の絶縁層の上面から途中まで異方性エッチングにより形成された第１の接続孔２０３ｃと、前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の接続孔に繋げられ、前記第１の接続孔下の前記第１の絶縁層が等方性エッチングにより形成され、前記半導体層上に位置する第２の接続孔２０３ｇと、前記第１の接続孔内の側面及び前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層２０３ｄと、前記第２の接続孔の底面の前記半導体層から成長され、前記第２の接続孔内及び前記第１の接続孔内に埋め込まれた無電解めっき層２０４ａと、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数箇所に転置される半導体膜どうしの間隔が抑えられる、半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ボンド基板からベース基板への半導体膜の転置を複数回に渡って行う。そして、先に転置される半導体膜と後に転置される半導体膜とを隣接させる場合、後の転置は、端部が部分的に除去されたボンド基板を用いて行う。後の転置に用いられるボンド基板は、端部が除去された領域の、ボンド基板に対して垂直方向における幅が、先に転置される半導体膜の膜厚より大きいものとする。 （もっと読む）

【課題】大面積基板に半導体基板を接合、分離することで大面積基板上に半導体領域を形成して製造される半導体装置において、半導体基板の使用効率の向上、および接合境界における不良素子の発生の抑制を課題とする。
【解決手段】半導体基板を正六角形またはこれに準じる形に形成し、大面積基板に半導体基板を接合、分離する。さらに、接合された半導体の境界が、フォトリソグラフィ等によるパターニングの際に、エッチングによって除去される領域に位置するようなレイアウトとする。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の向上した半導体装置を製造することが可能な半導体装置製造用基板を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面上にシリコンと酸素とを組成に含む絶縁膜及びシリコンと窒素とを組成に含む絶縁膜を順に積層形成し、単結晶半導体基板に分離層を形成し、シリコンと酸素とを組成に含む絶縁膜にハロゲンイオンを照射して該シリコンと酸素とを組成に含む絶縁膜にハロゲンを含ませた後、シリコンと窒素とを組成に含む絶縁膜上に絶縁膜を形成する。半導体基板及び支持基板を、半導体基板側から順に積層されたシリコンと酸素とを組成に含む絶縁膜、シリコンと窒素とを組成に含む絶縁膜、及び絶縁膜を間に挟んで重ね合わせて接合し、分離層を境として半導体基板の一部を分離させる。 （もっと読む）

【課題】下部ゲート電極に影響を受けることなく半導体膜を結晶化できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の作製方法は、基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に絶縁膜１０７を形成し、絶縁膜１０７上に下部ゲート絶縁膜１０３を形成し、下部ゲート絶縁膜１０３上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜を結晶化することにより下部ゲート絶縁膜１０３上に結晶質半導体膜を形成し、前記結晶質半導体膜上に上部ゲート絶縁膜１０５を形成し、上部ゲート絶縁膜１０５上に上部ゲート電極１０６ａ，１０６ｂを形成し、前記剥離層を絶縁膜１０７から剥離し、絶縁膜１０７を加工することにより下部ゲート絶縁膜１０３を露出させ、前記露出した下部ゲート絶縁膜１０３に接する下部ゲート電極１１５ａ、１１５ｂを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像ムラがなく、良好な画像が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体層は、第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と第１の配線とを電気的に接続するための第１のコンタクト領域と、前記第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方、並びに第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方と第２の配線とを電気的に接続するための第２のコンタクト領域と、前記第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と前記第１の配線とを電気的に接続するための第３のコンタクト領域とを有し、前記第１乃至第３のコンタクト領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅よりも、前記第１の半導体層と前記第１（第２）のＮチャネル型ＴＦＴのゲート電極とが重なる領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅の方が狭い。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の材料または膜厚にとらわれることなく、半導体膜のキャリアが移動する領域に圧縮応力を加えることができる半導体素子を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの活性層として用いる半導体膜とベース基板の間に空洞を有する。また、半導体膜のうち空洞と重なる領域が、ベース基板側に近づくように歪んでいる。そして上記トランジスタは、半導体膜の空洞と重なる領域上に、順に積層されたゲート絶縁膜と電極とを有する。よって上記トランジスタは、半導体膜の歪んでいる領域にチャネル形成領域を有している。また上記トランジスタは、チャネル形成領域に加え、ソースまたはドレインが半導体膜の歪んでいる領域に形成されていても良い。 （もっと読む）

【目的】アクティブマトリックス型横電界方式カラー液晶表示装置で視野角特性が良好で製造コストの安い、表示ムラの少ない高品質大画面画像を実現する。
【構成】少なくとも一方が透明な一対の基板と前記基板間にはさまれた液晶組成物層と、前記基板のいずれか一方の基板の向き合った表面にマトリックス状に配置された複数の走査線と映像信号配線、および共通電極と対をなす画素電極と前記画素電極、前記走査線および前記映像信号配線に接続された薄膜トランジスタ素子を備えた横電界方式液晶表示装置において、共通電極と走査線を連結している静電気対策用保護トランジスタ素子の接続部分と、共通電極と映像信号配線を連結している静電気対策用保護トランジスタ素子の接続部分が、ハーフトーン露光技術を用いて薄膜トランジスタ素子の薄膜半導体層の素子分離時に同時に形成されるプロセスを用いて作られたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有効走査期間において最初に選択する行の画素で低階調域内の各階調を高い再現性で表示できるようにする。
【解決手段】本発明の表示装置は、マトリクス状に配列した画素ＰＸと、画素ＰＸが形成する列に対応して配列した映像信号線ＤＬとを具備し、各画素ＰＸは、発光素子ＬＥＤと、ソースが電源端子ＮＤ１に接続されたトランジスタＤＲと、トランジスタＤＲのゲートに接続された電極を含んだキャパシタＣと、トランジスタＤＲのドレインと電源端子ＮＤ２との間で発光素子ＬＥＤと直列に接続されたスイッチＳＷａと、トランジスタＤＲのドレインとゲートと映像信号線ＤＬとの接続をそれらが互いに接続された状態とそれらが互いから切断された状態との間で切り替えるスイッチ群ＳＷｂ，ＳＷｃとを備え、画素ＰＸが形成する画素行は、トランジスタＤＲの閾値電圧がより深い複数の行と、駆動トランジスタＤＲの閾値電圧がより浅い複数の行とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｓ値が小さくオン電流の低下が抑えられた応答性のよい半導体装置を作製する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域の膜厚がチャネル形成領域の膜厚よりも厚い半導体層を形成する。このような半導体層を用いた半導体装置の作製方法としては、基板上に第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に第１の絶縁層と導電層とを形成し、導電層の側面に第２の絶縁層を形成し、第１の絶縁層と導電層と第２の絶縁層の上に第２の半導体層を形成し、部分的に設けたレジストをマスクとして第２の半導体層をエッチングし、第１の半導体層と第２の半導体層とを加熱処理することにより、凹凸形状を有する半導体層を形成する。 （もっと読む）

本発明は、流体流に含まれる少なくとも１つの物質を検出する装置に関しており、この装置は、測定センサとしての少なくとも１つの電界効果トランジスタ（３）と、基準素子として機能する少なくとも１つの電界効果トランジスタ（１）とを含んでおり、上記の電界効果トランジスタ（１，３）はそれぞれ少なくとも１つのソース電極（Ｓ）と、ドレイン電極（Ｄ）と、ゲート電極（Ｇ）とを有している。測定センサとして機能する電界効果トランジスタ（３）のゲート電極（Ｇ）は、少なくとも１つの検出すべき物質を感知し、基準素子として機能する電界効果トランジスタ（１）のゲート電極（Ｇ）は、少なくとも１つの検出すべき物質に対して実質的に感知しない。上記の複数の電界効果トランジスタ（１，３）のうちの１つの電界効果トランジスタのソース電極（Ｓ）と、複数の電界効果トランジスタ（１，３）のうちの別の１つの電界効果トランジスタのドレイン電極（Ｄ）とが互いに接続されかつ１つの信号線路（５）に接続されている。
さらに本発明は、上記の装置を使用して、流体流に含まれる少なくとも１つの物質を検出する方法に関しており、上記の信号線路（５）に０Ｖの電位が加えて、この信号線路（５）に流れる電流を測定する。
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【課題】島状に設けられた半導体層の端部に起因する不良を防止し、信頼性の向上した半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、島状の半導体層を形成し、第１の変質処理を行い、前記島状の半導体層の表面に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜を除去し、前記第１の絶縁膜が除去された前記島状の半導体層に第２の変質処理を行い、該島状の半導体層の表面に第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜上に導電層を形成し、前記第１の変質処理と前記第２の変質処理により、前記島状の半導体層の上端部を丸めることを行う。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板に転写方式でTFTを形成する方法において、プロセス温度を下げる必要がなく、現行のラインを使用できるとともに、コストを抑えることができる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、支持基板の上層に樹脂フィルム(a)を形成する工程と、樹脂フィルム(a)の上層に半導体素子を形成する工程と、半導体素子を形成した樹脂フィルム(a)から支持基板を剥離する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、樹脂フィルム(a)は、膜厚が1μm以上30μm以下であり、波長400nm以上800nm以下の可視光の透過率が80％以上であり、3％重量減少温度が300℃以上であり、融点が280℃以上である、前記半導体装置の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 活性層の電気的特性の低下を防止でき、しかも良好なパターン形状を有するようにパターニングされた活性層を形成することができる有機半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の有機半導体素子の製造方法は、支持フィルム及び活性層が積層された積層体と、活性層を形成させる素子基板とを、積層体の活性層と素子基板とが接するように貼り合わせる工程と、支持フィルムにおける活性層に対して反対側の面上に、所定のパターン形状を有するマスクを形成する工程と、マスクが形成されていない領域の積層体を除去することにより、活性層をパターニングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、を備えるトランジスタを有し、酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われている。 （もっと読む）