【課題】 動作時のオン抵抗を充分に小さくすることが可能な高耐圧のＦＥＴ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型ＧａＮチャネル層１６がその上下をｎ型ＧａＮソース層１８及びｎ型ＧａＮドレイン層１４によって挟まれた積層構造をメサ形状に加工してその側面に傾斜面を形成し、この傾斜面におけるｐ型ＧａＮチャネル層１６の傾斜した側面上にＳｉＯ_２ ゲート絶縁膜２４を介してゲート電極４０Ｇａ、４０Ｇｂを設けている。即ち、ｐ型ＧａＮチャネル層１６の傾斜した側面をチャネル領域としている。このため、そのチャネル長をｐ型ＧａＮチャネル層１６の厚さによって制御することが可能となり、容易かつ高精度に短チャネル長化を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】極めて簡単な構成にも拘わらず、オフ電流の低減を図った薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。
【解決手段】基板上に薄膜トランジスタを備える表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート信号線に接続されるゲート電極と、絶縁膜を介して前記ゲート電極を跨いで形成される半導体層と、
ドレイン信号線と接続されて前記半導体層上に形成されるドレイン電極と、
前記ドレイン電極と対向して前記半導体層上に形成されるソース電極とから構成され、
平面的に観た場合、前記ドレイン電極のソース電極と対向する辺が前記ゲート電極と重なることなく形成され、前記ソース電極のドレイン電極と対向する辺が前記ゲート電極と重なることなく形成されている。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧が小さい有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板、有機半導体層、ゲート絶縁膜、及び導電体を備えた有機薄膜トランジスタであって、有機半導体層の表面が、有機半導体層の表面に露出している最長部の長さが１００ｎｍ以上である有機半導体結晶を、有機半導体層の表面積に対して１０％以上含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】有機半導体デバイスを構成する有機半導体材料の劣化を防止することができ、基板上の各構成要素に適した封止レベルを実現することができる有機半導体デバイスとその製造方法および電気光学装置を提供する。
【解決手段】基板２の駆動素子形成面３側には、有機トランジスタ４のゲート電極７、ソース電極８、ドレイン電極９および半導体層１２が形成され、基板２の駆動素子形成面３の裏側の画素形成面５には、画素電極６が形成され、ドレイン電極９と画素電極６は基板２を貫通するコンタクトホール１０を介して接続され、駆動素子形成面３には、有機トランジスタ４を覆う封止層１４が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱温度が低い基板を用いた場合でも結晶半導体層を備えた半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の一部に溝を形成し、凸部を有する半導体基板を形成し、当該凸部を覆うように接合層を形成する。また、接合層を形成する前において、凸部となる半導体基板に加速されたイオンを照射して、脆弱層を形成する。接合層及び支持基板を接合させた後、半導体基板を分離する熱処理を行うことで支持基板上に半導体層を設ける。当該半導体層を選択的にエッチングして、半導体素子を形成し半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】携帯電話等の小型化が要求される電子機器内においては、ディスプレイに接続されたフレキシブルケーブルにより機器内部の部品実装が制約を受けるという課題がある。
【解決手段】画像データや制御信号等を、非接触伝送路を介して受信する方式を採用し、信号を受信し増幅する受信回路をディスプレイ装置と同一の絶縁性基板上に形成する。このために、絶縁基板上において所定の方向に結晶化された半導体薄膜に形成された薄膜トランジスタと、絶縁基板上に形成された導電性薄膜を用いて形成された、誘導性結合回路を形成するためのインダクタとを有し、薄膜トランジスタを流れるキャリアの移動方向が、半導体薄膜の前記結晶化の方向と並行な方向であり、インダクタと薄膜トランジスタとが直接的にまたは間接的に電気的に結合するように集積されている半導体装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ不良を防止できるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の所定の深さの領域に脆化層を形成し、半導体基板上に絶縁層を形成し、半導体基板の外縁を脆化層よりも深い領域まで絶縁層側から選択的にエッチングし、半導体基板と、絶縁表面を有する基板と、を、絶縁層を挟んで重ね合わせて接合する。半導体基板を加熱して、絶縁表面を有する基板上に半導体層を残して、半導体基板を脆化層で分離する。 （もっと読む）

【課題】有機ＴＦＴの有機半導体層は、水、光または酸素等の影響で劣化しやすいことを鑑み、本発明は、作製工程を簡略化するとともに、信頼性の高い有機ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、マスクを用いたエッチングにより有機材料を含む半導体層を形成し、マスクを除去せず半導体層上に残した状態で有機ＴＦＴを完成させる。そして、残存するマスクを使って、水、光または酸素等による劣化から半導体層を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物を含むチャネル層を有し、信頼性のある薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物を含むチャネル層を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関し、絶縁基板、絶縁基板上に形成され、酸化物を含むチャネル層、チャネル層上に形成されているゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極、ゲート電極上に形成されている層間絶縁膜、層間絶縁膜上に形成され、第１導電層と第２導電層を含んでソース電極を有するデータ線、層間絶縁膜上に形成され、第１導電層と第２導電層を含むドレイン電極、ドレイン電極の第１導電層から延長された画素電極、データ線及びドレイン電極上に形成されている保護膜、並びに保護膜上に形成されている間隔材を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層を利用した薄膜トランジスタ、その製造方法及び有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層と、チャネル領域から離隔された位置の半導体層内には半導体層の表面から一定深さまで結晶化誘導金属と他の金属または金属の金属シリサイドが存在し、半導体層のチャネル領域の長さ及び幅と漏れ電流値間にはＩｏｆｆ／Ｗ（Ｌ）＝３．４×１０^−１５Ｌ^２＋２．４×１０^−１２Ｌ＋ｃ（Ｉｏｆｆは半導体層の漏れ電流値（Ａ）、Ｗはチャネル領域の幅（ｍｍ）、Ｌはチャネル領域の長さ（μｍ）、及びｃは定数であり、ｃは２．５×１０^−１３ないし６．８×１０^−１３である。）を満足することを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備する有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】十分なデータ保持特性を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１４に形成され、順に連接した第１乃至第３領域１５、１６、１７を有する半導体層１８と、第２領域１６にゲート絶縁膜１９を介して形成されたゲート電極２０と、ゲート電極２０をゲート長方向に挟むように第１および第３領域１５、１７内にそれぞれ形成され、キャリア濃度が第２領域１６より高く、且つ半導体層１８と同じ導電型のソースおよびドレインとを備えたセルトランジスタ１１と、一端が第１領域１５のソースに接続され、他端が共通配線２２に接続されたキャパシタ２１と、を具備する。ゲート電極２０に電源電圧を印加したときに、ゲート絶縁膜１９下の第２領域１６に形成されるＭＯＳキャパシタの空乏層の幅Ｗを、Ｗ＝√（２εφ／ｑＮａ）としたとき、ゲート長Ｌｇと直交する方向の第２領域１６の厚さＴｓｉが、空乏層の幅Ｗより小さい。 （もっと読む）

【課題】作製コストを低減しつつ、高速動作が可能な回路を設けた半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面から所定の深さにイオンドーピング層を形成し、単結晶半導体基板上に第１の絶縁層を形成し、絶縁性基板上の一部に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に非単結晶半導体層を形成し、第１の絶縁層を介して、単結晶半導体基板を絶縁性基板の第２の絶縁層が形成されていない領域に接合させ、単結晶半導体基板を、イオンドーピング層において分離させることにより、絶縁性基板上に単結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】オフリーク電流を低減することができる、III族窒化物半導体を用いた窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５が、順に積層された窒化物半導体積層構造部２を備えている。窒化物半導体積層構造部２には、ドレイントレンチ６およびゲートトレンチ７が形成されている。ドレイントレンチ６の壁面８および底面の全域を覆い、ｎ型ＧａＮ層５の頂面においてソース電極１８に至る領域には、表面絶縁膜９が形成されている。表面絶縁膜９は、ＳｉＮからなる下層膜１０とＳｉＯ_２からなる上層膜１１とが積層された積層膜で形成されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光照射による処理で高品質なシリサイド膜を形成し、絶縁基板に形成された電気的特性のばらつきの小さい電界効果型トランジスタの微細化と高性能化を実現する。
【解決手段】絶縁基板上に形成された一対の不純物領域及びチャネル形成領域を有する島状の半導体膜において、一対の不純物領域上に第１の金属膜を形成し、ゲート絶縁膜を介してチャネル形成領域上に位置するゲート電極上に反射膜として機能する第２の金属膜を形成する。第１の金属膜にレーザ光を照射して、第２の金属膜が形成された領域においてレーザ光を反射させ、且つ、一対の不純物領域において選択的に島状の半導体膜と第１の金属膜とを反応させる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを微細化する。この時、微細化されたコンタクトホールであっても、半導体装置における電極のコンタクトを確実なものとする。
【解決手段】珪化膜と樹脂材料膜とからなる多層の層間絶縁膜を形成する。その後、コンタクトホールを形成する。このとき、珪化膜に設けられるコンタクトホールの大きさを樹脂材料膜に設けられるコンタクトホールの大きさよりも小さくする。このような構成は、パターンが複雑化してもコンタクトのとりやすいものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】動作速度および信号差を維持したまま、セルサイズを縮小しかつ電極間の短絡を防止することができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、第１の方向に延在する半導体層３１と、半導体層内に設けられたソース層Ｓ、ドレイン層Ｄ、および、ボディＢと、第１の方向に延在するビット線ＢＬと、ボディの第１の側面ＳＦ１に第１のゲート絶縁膜ＧＤ１を介して設けられた第１のゲート電極ＧＥ１と、第１の方向へ延在し、第１のゲート電極の底部に接続され、第１のゲート電極と同一材料で一体形成された第１のゲート線ＧＬ１と、第１の側面の反対側にあるボディの第２の側面ＳＦ２に設けられ第２のゲート絶縁膜ＧＤ２を介して設けられた第２のゲート電極ＧＥ２と、第１の方向に対して交差する第２の方向へ延在し、第２のゲート電極の上部に接続され、第２のゲート電極と同一材料で一体形成された第２のゲート線ＷＬとを備える。 （もっと読む）

【課題】 多結晶半導体を用いたボトムゲート型のＴＦＴ素子の抵抗性リーク電流を小さくする。
【解決手段】 絶縁基板の表面に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極がこの順番で積層されており、かつ、前記半導体層が多結晶半導体でなる能動層と、前記能動層と前記ソース電極との間、および前記能動層と前記ドレイン電極との間のそれぞれに介在するコンタクト層からなるＴＦＴ素子を有し、前記ソース電極および前記ドレイン電極は、それぞれ、前記能動層の前記ゲート絶縁膜との界面の裏面に対向する第１の面と、前記能動層のエッチング端面に対向する第２の面とを有する半導体装置であって、前記コンタクト層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極の前記第１の面と前記能動層との間と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の前記第２の面と前記能動層との間とのすべての領域に介在している半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型ＦＥＴ及びｐ型ＦＥＴのドレイン電流の増加（電流駆動能力の向上）を図る。
【解決手段】 半導体基板に形成されたｎ型及びｐ型ＦＥＴを有する半導体装置の製造であって、前記ｐ型ＦＥＴのゲート電極と前記半導体基板の素子分離領域との間の半導体領域を絶縁膜で覆った状態で、前記ｎ型及びｐ型ＦＥＴ上にこれらのゲート電極を覆うようにして、前記ｎ型ＦＥＴのチャネル形成領域に引っ張り応力を発生させる第１の絶縁膜を形成する（ａ）工程と、エッチング処理を施して、前記ｐ型ＦＥＴ上の前記第１の絶縁膜を選択的に除去する（ｂ）工程と、前記ｎ型及びｐ型ＦＥＴ上にこれらのゲート電極を覆うようにして、前記ｐ型ＦＥＴのチャネル形成領域に圧縮応力を発生させる第２の絶縁膜を形成する（ｃ）工程と、前記ｎ型ＦＥＴ上の前記第２の絶縁膜を選択的に除去する（ｄ）工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】露光量を厳密に制御せずとも、フォトレジストの層厚精度を高く維持することのできるレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】露光装置からの露光光を遮断する遮光領域６１と、露光光を完全に透過させる透過領域６２と、露光光を部分的に透過させる半透過領域６３とを有するハーフトーンマスク６０を通して、露光光の吸収係数が高いフォトレジストＰ１に露光光を照射し、現像処理する。露光光はフォトレジストＰ１で吸収されるため、ハーフトーンマスク６０を通過した露光光は多結晶半導体層１２まで届かず、多結晶半導体層１２近傍では未露光の状態で残る。そのため、現像条件が過剰となった場合は、未露光部分の現像速度は遅く、過小となった場合は既露光部分の現像速度は速いため、現像条件のばらつきに対してレジストパターンの層厚は安定する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示デバイスの大型化にも対応すべく、Ａｌ合金膜と透明画素電極との間の接触抵抗を低減できるエッチング条件を特定し、応答速度の速い表示デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＡｌ合金膜を形成する工程と、Ａｌ合金膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、Ａｌ合金膜に接触するように透明導電膜を形成する工程とを含む表示デバイスの製造方法において、コンタクトホールを形成する工程は、少なくとも六フッ化硫黄ガス、酸素ガス、及び希ガスを含む雰囲気中で行われるドライエッチング工程を含むとともに、０．４≦（酸素ガスの流量）／［（六フッ化硫黄ガスの流量）＋（酸素ガスの流量）］≦０．９の条件を満足させる。 （もっと読む）