【課題】 例えば、ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極と半導体層とのコンタクト抵抗を低減しつつ、オフ電流の発生を抑制する。
【解決手段】 レジスト膜３０９に形成された開口部３１０を介してソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´の夫々に不純物をドープする。ここで、ソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´のうち開口部３１０に臨む領域、即ち最終的にソース電極及びドレイン電極が半導体層３０２の表面と接触する領域である接続領域３１１ａ及び３１１ｂに開口部３１０を介して選択的に不純物がドープされる。そして、レジスト膜３０９及び窒化膜３０８を除去した後、接続領域３１１ａ及び３１１ｂ、ゲート絶縁膜３０４、ゲート電極膜３０６を覆うように絶縁膜３１２を形成する。この状態で、半導体層３０２をアニール処理し、半導体層３０２におけるソース領域３０２ｂ´、ドレイン領域３０２ｃ´、接続領域３１１ａ及び３１１ｂ、並びにＬＤＤ領域３０３ａ及び３０３ｂを活性化する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、耐光性を高め、明るく高品位の画像表示を行えるようにする。
【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、これに接続された走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）とを備える。更に、画素電極に接続されており蓄積容量（７０）を構成する中継層（７１）と、これに誘電体膜（７５）を介して対向配置されており蓄積容量を構成する固定電位側容量電極を含む容量線（３００）とを備える。中継層及び容量線は夫々、金属を含んでなり、遮光膜としても機能する。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置の駆動回路において、ＴＦＴの半導体層と配線との電気的接続に係る抵抗を小さくし、更には当該駆動回路の動作不良を防止して消費電流を小さくする。
【解決手段】 駆動回路は、相補型トランジスタを構成するｎチャネル型の第１ＴＦＴ及びｐチャネル型の第２ＴＦＴと、第１ＴＦＴの半導体層と層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホールを介して電気的に接続されるか、又は第２ＴＦＴの半導体層と層間絶縁膜に開孔された第２コンタクトホールを介して電気的に接続される配線と、配線と第１ＴＦＴの半導体層との電気的接続に係る第１抵抗と、配線と第２ＴＦＴの半導体層との電気的接続に係る第２抵抗とを相互に近付けるように、第１又は第２ＴＦＴの半導体層より下層側に、第１又は第２コンタクトホールと重畳的に形成された導電性のシート層とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高品質な画像表示を行うと共に、自由度が大きく且つ安定した電気光学装置を製造する。
【解決手段】 複数の走査線を夫々短絡させて形成する工程と、該走査線に電気的に接続される駆動素子を形成する工程と、データ線又は画素電極と、走査線及び駆動素子とを層間絶縁する第１層間絶縁膜を形成する工程と、第１層間絶縁膜に、データ線又は画素電極と、駆動素子とを電気的に接続するためのコンタクトホールを開孔する工程と、データ線を形成する工程と、画素電極を形成する工程と、コンタクトホールを開孔する工程と別に行われ、第１層間絶縁膜に切断用孔を開孔することで走査線の短絡部分を切断する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳＦＥＴ内の歪みを最適化するための構造体及び方法を提供すること。
【解決手段】 ＭＯＳＦＥＴ内の歪みを最適化し、より具体的には、１つの種類（Ｐ又はＮ）のＭＯＳＦＥＴ内の歪みを最大にし、かつ、別の種類（Ｎ又はＰ）のＭＯＳＦＥＴ内の歪みを最小にし緩和する、ＰＭＯＳＦＥＴ及びＮＭＯＳＦＥＴの両方を含む歪みＭＯＳＦＥＴの半導体構造体、及び歪みＭＯＳＦＥＴを製造する方法が開示される。元の完全な厚さを有する歪み誘起ＣＡ窒化物コーティングが、ＰＭＯＳＦＥＴ及びＮＭＯＳＦＥＴの両方の上に形成され、この歪み誘起コーティングは、１つの種類の半導体デバイス内に最適化された十分な歪みをもたらし、別の種類の半導体デバイスの性能を劣化させる。歪み誘起ＣＡ窒化物コーティングは、別の種類の半導体デバイスの上で減少した厚さまでエッチングされ、減少した厚さの歪み誘起コーティングは、他方のＭＯＳＦＥＴ内でより少ない歪みを緩和し、他方のＭＯＳＦＥＴ内により少ない歪みをもたらす。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果によるリーク電流の低減に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板上に形成された電界効果トランジスタの作成過程において、エクステンション領域を形成するために不純物を導入するとともに、単結晶格子を崩してアモルファス化させる。または、不純物および原子量の大きい元素を導入することによって、単結晶格子を崩してアモルファス化させる。そして、パルス幅が１ｆｓ以上１０ｐｓ以下、かつ波長が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下のレーザビームを照射することにより、アモルファス化した部分のみを選択的に活性化させ、エクステンション領域を２０ｎｍ以下の厚さで形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＲＴＡによるアニール法は、微細化に限界がある。ＲＴＡによるアニール法は、加熱時間が数秒で、半導体基板全体が高温に加熱されるために不純物が半導体基板の深部へ拡散する恐れがあるため、今後のさらなる微細化に対応することが困難である。
【解決手段】レーザ光を非線形光学素子に通すことなく基本波のままとし、高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を不純物拡散層に照射してレーザアニールを行って不純物を電気的に活性化させることを特徴とする。本発明により、シリコン基板表面の薄い層を局所的に溶かして活性化することができる。また、一度のレーザ走査で活性化される領域の幅を拡大することができるため、格段に生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来に比して製造コストを大幅に削減することが可能な相補型トランジスタの製造技術を提供する。
【解決手段】 半導体膜１４、ゲート絶縁膜１６、ゲート電極１８が形成されたＰＭＯＳ領域、ＮＭＯＳ領域にＰ型の不純物溶液ＰＬ、Ｎ型の不純物塗布液ＮＬを局所的に塗布する（図２（ｈ）参照）。その後、第１の熱処理、第２の熱処理を施すことにより、ＰＳＧ膜１００と接触する半導体膜にＰ型不純物を拡散させてＰＭＯＳトランジスタのソース領域１４ＰＳ、チャネル領域１４ＰＣ、ドレイン領域１４ＰＤを形成する一方、ＢＳＧ膜２００と接触する半導体膜にＮ型不純物を拡散させてＮＭＯＳトランジスタのソース領域１４ＮＳ、チャネル領域１４ＮＣ、ドレイン領域１４ＮＤを形成する（図２（ｊ）参照）。 （もっと読む）

高誘電率ゲート誘電体を有するＮＭＯＳ及びＰＭＯＳトランジスタを含む相補型金属酸化物半導体集積回路が半導体基板上に形成される。ゲート誘電体上に金属障壁層が形成される。金属障壁層上に仕事関数設定金属層が形成され、仕事関数設定金属層上にキャップ金属層が形成される。
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【課題】電気光学装置において、画素電極及びデータ線間に生じる容量カップリングの影響を極力排除するとともに、ＴＦＴの長期寿命化を図り、更には、積層構造を構成する各要素間の電気的接続を良好に実現することによって、より高品質な画像を表示する。
【解決手段】基板上に、データ線（６a）、走査線（３a）、画素電極（９a）及びＴＦＴ（３０）が積層構造の一部をなして備えられている。この基板上には更に、ＴＦＴ及び画素電極に電気的に接続された蓄積容量（７０）と、データ線及び画素電極間に配置されたシールド層（４００）と、前記画素電極の下地として配置された層間絶縁膜（４３）とが、前記積層構造の一部をなして備えられている。このうちシールド層は略三角形の部分が設けられ、前記略三角形の部分も含めて窒化膜を含む。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置において、他の不具合を発生させずに光リーク電流の発生を抑制し、高品位な表示を可能とする。
【解決手段】 基板上に、チャネル領域を有する半導体層を含んで構成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタにより駆動される表示用電極と、半導体層の上層側及び下層側の少なくとも一方に積層された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の半導体層側とは反対側に積層された、チャネル領域を遮光するための遮光膜とを備えている。層間絶縁膜における半導体層とは反対側の表面には、チャネル領域のうち少なくともチャネル領域の縁部を遮光可能な領域において、半導体層に向かって局所的に窪んだ凹部が形成されている。遮光膜は、少なくとも凹部内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置において、プリチャージ回路、サンプリング回路等が有するＴＦＴの下側からの戻り光等に対する遮光性能を高め、優れたスイッチング特性により高品質の画像表示を行う。
【解決手段】 液晶装置（２００）は、一対の基板間に挟持された液晶層（５０）と、基板にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備える。このＴＦＴや、プリチャージ回路（２０１）及びサンプリング回路（３０１）のＴＦＴの下側には、遮光層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置において、比較的簡単な構成を用いて、画素部のＴＦＴのチャネル領域やチャネル隣接領域における入射光や戻り光に対する遮光性能を高める。
【解決手段】 電気光学装置は、一対の基板間に挟持された電気光学物質層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１０）にマトリクス状に設けられた画素電極（９ａ）とを備える。ＴＦＴ（３０）の下側には、第１遮光膜（１１ａ）が設けられている。データ線（６ａ）は、遮光性の材料からなり、ＴＦＴのチャネル領域（１ａ’）及びチャネル隣接領域（１ａ”）を対向基板（２０）の側から見て夫々覆う主配線部と、この主配線部の縁から層間絶縁膜に形成された溝に向けて伸びておりチャネル隣接領域を側方から囲む側方遮光部（６ｂ）とを有する。 （もっと読む）