【課題】トランジスタへの光の入射を阻止し、光リークの発生を防止する。
【解決手段】複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応してスイッチング用のトラン
ジスタが構成された電気光学装置であって、基板上に形成されて前記トランジスタを構成
する半導体層と、前記半導体層とは異なる層に設けられた１層以上のメタル層と、前記１
層以上のメタル層のうち前記半導体層に最も近接した第１のメタル層の前記半導体層に対
向する面に設けられ、平面的には少なくとも前記半導体層中のチャネル領域を覆うように
形成された反射防止膜と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少ない面積で十分な容量の保持容量を形成可能にする。
【解決手段】複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して画素が構成され、前記複
数のデータ線に夫々接続された保持容量を有する電気光学装置であって、前記保持容量は
、基板上に形成されて前記データ線に電気的に接続された下部電極と、前記下部電極上に
第１の容量絶縁膜を介して形成され所定の固定電位点に接続される固定電極と、前記固定
電極上に第２の容量絶縁膜を介して形成され前記下部電極と電気的に接続された上部電極
と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルにおいて、ＴＦＴの下側に遮光層を設ける構成を利用して、効率良く画素部を平坦化する。
【解決手段】液晶パネル（１００）は、一対の基板間に挟持された液晶層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１０）にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）とを備える。遮光層（３）は、ＴＦＴ（３０）及び容量線（３ｂ）を下側からみて重なるように配置する。遮光層（１１ａ）が形成されている領域においては遮光層上に、且つ遮光層が形成されていない領域においてはＴＦＴアレイ基板上に設けられた第１層間絶縁層（１２、１３）は、ＴＦＴ、容量線等に対向する部分が対向基板の側から見て凹状に窪んで形成されている。 （もっと読む）

【課題】 抵抗が低減されたｆｉｎＦＥＴ及びその製造方法を提供する
【解決手段】 （１）基板を準備するステップと、（２）基板上にｆｉｎＦＥＴの少なくとも１つのソース／ドレイン拡散領域を形成するステップとを含む、ｆｉｎＦＥＴの製造方法を提供する。各々のソース／ドレイン拡散領域は、（ａ）非シリサイド化シリコンの内部領域と、（ｂ）非シリサイド化シリコン領域の上面及び側壁の上に形成されたシリサイドとを含む。 （もっと読む）

【課題】優れたトランジスタ特性を得ると共に、リークの発生を低減する。
【解決手段】基板上に、半導体層を形成する工程Ｓ１と、前記半導体層上に絶縁膜及び電
極を形成する工程Ｓ７と、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を形成するために
前記半導体層に不純物を注入する工程Ｓ６，Ｓ９，Ｓ１１と、前記半導体層を第１の温度
でアニールする第１のアニール工程Ｓ１２と、前記第１のアニール工程後に、前記半導体
層及び電極上に層間絶縁膜を形成する工程Ｓ１３と、前記層間絶縁膜上から前記第１の温
度よりも高い第２の温度で前記半導体層をアニールする第２のアニール工程Ｓ１４と、を
具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作特性が向上した半導体装置の製造方法及びそれによって製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上にNMOSトランジスタを形成し、NMOSトランジスタ上に第1層間絶縁膜を形成し、第1層間絶縁膜を脱水素化することを含む半導体装置の製造方法。脱水素化することは、第1層間絶縁膜のストレスを変化させうる。特に、第1層間絶縁膜は脱水素化の後、200MPa以上の引張ストレスを有しうる。脱水素化された層間絶縁膜を含む半導体装置も提供される。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置において、表示領域ではポリシリコンからなる半導体層を形成すると共に周辺領域では平坦な単結晶シリコン膜からなる半導体層を形成する。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、表示領域に配列された複数の画素部と、表示領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、複数の画素部を駆動するための、第１単結晶シリコン膜からなるＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造をなす第１半導体層及び該第１半導体層上にエピタキシャル成長により形成された第２単結晶シリコン膜からなる第２半導体層を有する半導体素子を含む駆動回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】 画像表示領域及び周辺領域の段差を低減する。
【解決手段】 層間絶縁膜２４３ａの全面を所定の時間だけＣＭＰ処理し、膜厚ｄ２を有する層間絶縁膜２４３ｂを形成する。ここで、画像表示領域２１０ａ及び周辺領域２１１ａの夫々に配置された素子２０１及び２０９の密度に応じて生じるグローバルな段差を低減するように、例えばＣＭＰ処理を行う処理時間を設定しておく。その後、ＣＭＰ処理された層間絶縁膜２４３ｂの表面をエッチングすることにより、層間絶縁膜２４３ｂの膜厚を調整する。 （もっと読む）

【課題】段差形状部を含む領域に立体的に容量素子を形成した場合において、容量素子を構成する対向した電極間において短絡が生じることのない電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１層間絶縁４１に形成されたコンタクトホール８３の側面部に、上側に凸な曲面部を有し、かつ前記曲面部の表面が、上端部において、第１層間絶縁膜の表面と連続する形状を有するサイドウォール２００を形成し、該サイドウォール２００の表面上及びコンタクトホール８３の底面を含む領域上において容量素子７０を形成する構成とした。 （もっと読む）

【課題】移動度の向上したＭＯＳトランジスタを提供する。
【解決手段】半導体装置に伸張性のチャネル領域を形成する工程を包含する。一形態において、製造の中間段階において半導体装置のアモルファス部分を覆う応力層を歪ませる工程を包含する。上記半導体装置はマスクされており、応力層の一部における歪みは緩和される。製造途中の半導体装置のアモルファス部分を再結晶化することによって、応力層からの歪みを基板に伝達する。歪みの少なくとも一部は、装置の製造工程の間、基板に残存する。その結果、完成した装置の性能を向上させることができる。他の形態において、伸張性の応力層は、上記装置の第１部分を覆うよう形成され、圧縮性の応力層は、上記装置の第２部分を覆うよう形成される。伸張性の応力層は、ＰＭＯＳ装置において圧縮性のチャネルを形成し、圧縮性の応力層は、ＮＭＯＳ装置において伸張性のチャネルを形成する。 （もっと読む）

【課題】 保持容量７０が形成された後にＴＦＴ３０の水素化処理を行うことによって、ＴＦＴ３０の素子特性の低下を抑制する。
【解決手段】 保持容量７０は、ＴＦＴ３０に施す水素化処理を阻害しないようにＴＦＴ３０を避けるように形成されている。より具体的には、上部容量電極３００は、各画素部に設けられた複数の保持容量７０間で共用されるように走査線３ａに沿って延在された上部容量電極３００がＴＦＴ３０上で切り欠かれた切り欠き部３０１を有している。加えて、下部容量電極７１もＴＦＴ３０が備える半導体層上に重ならないように画素部で互いに分離されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタにおけるキャリア移動度を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板上に配されたｎチャネルトランジスタ１１８と、半導体基板上に配されたｐチャネルトランジスタ１１６と、ｎチャネルトランジスタ１１８とｐチャネルトランジスタ１１６とに隣接する圧電ライナ１１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】埋め込みゲートトランジスタの短チャネル効果の低減とゲートとの重なり増加とが両立できる半導体装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置２０２は、基板１０２上に、第１領域１０４、第２領域１０６、及び分離領域１０８に形成された凹部１１８と、上記凹部１１８を均一な厚さで裏打ちする誘電体層１２０とを備えた半導体装置。この製造方法は、基板１０２における第１領域１０４と第２領域１０６との間に分離領域１０８を形成する工程と、基板表面に凹部１１８を形成する工程と、酸化物１２０で凹部１１８を均一に覆う工程とを含む。さらに、凹部１１８底面下に配されたチャンネル領域１２４をドープする工程と、凹部１１８にゲート電極材料１２６を堆積する工程とソース／ドレイン領域を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板のＴ_G以上の熱処理が必要な各膜においても、ガラス基板に成膜した場合と同等の膜特性を有するプラスチック基板の液晶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一対の基板のうち少なくとも一方が樹脂からなる基板間に液晶層が挟持されてなる液晶装置の製造方法であって、形成用基板に分離層を形成する工程と、分離層上に少なくとも導電膜および配向膜を有する被剥離物を形成する工程と、分離層に照射光を照射して、分離層において剥離を生ぜしめ、被剥離物を形成用基板から離脱させる工程と、被剥離物を基板に貼着する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】反射型表示装置の製造工程を大幅に簡略化する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上方に配置された絶縁層及び画素電極を有し、前記画素電極は、前記薄膜トランジスタに電気的に接続され、表面に凹凸を有し、かつ、反射電極としての機能を有し、前記薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、低濃度不純物領域、ソース領域及びドレイン領域が形成された結晶性珪素膜と、当該結晶性珪素膜の上方にゲイト絶縁膜を介して設けられたゲイト電極を有し、前記絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素または有機性樹脂から選ばれた材料を積層した構造でなり、前記絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料又は顔料の少なくともいずれか一を含む遮光膜とする。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタを積層することを可能としつつ、電界効果型トランジスタが配置される半導体層を絶縁体上に安価に形成する。
【解決手段】絶縁層４を介して積層された半導体層３、５にＶ_DD配線およびＶ_SS配線をそれぞれ形成するとともに、１対のトランスファーゲートをそれぞれ形成し、さらにＣＭＯＳインバータＩＶ１、ＩＶ２をそれぞれ構成するＰチャンネル電界効果型トランジスタおよびＮチャンネル電界効果型トランジスタを配置することにより、ＳＲＡＭを構成する。 （もっと読む）

【課題】閾値のばらつきが低減された絶縁ゲート電界効果型トランジスタをより簡易な工程で製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０の第１の不純物領域２６ａを貫通し、前記支持基板６に到達する第１コンタクト層３６と、該絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０の第２不純物領域２９ｂに到達する第２コンタクト層３８と、を形成すること、を含み、前記第１コンタクト層３６および前記第２コンタクト層３８の形成は、前記層間絶縁層３０の上方に、第１開口５２と該第１開口５２と比して小さい第２開口５４とを有するマスク層５０を形成すること、前記マスク層５０をマスクとして第１のエッチングと、該第１のエッチングとは条件が異なる第２のエッチングとを行うこと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳトランジスタ製造における半導体層の膜減りを抑制し、低抵抗なソース領域およびドレイン領域を有する半導体装置を形成するための半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、
絶縁体８上に設けられた半導体層１０を準備すること、
前記半導体層１０の上方にゲート絶縁層２２を形成すること、
前記ゲート絶縁層２２の上方にゲート電極２４を形成すること、
前記ゲート電極２４を覆うように前記半導体層１０の上方に第１第１絶縁層２６ａを形成すること、
前記第１第１絶縁層２６ａに異方性のエッチングを施すことで、ゲート電極２４の側面の一部にサイドウォール絶縁層２６を形成するとともに前記半導体層１０の上方を覆う保護絶縁層３２を形成すること、
前記半導体層１０の不純物を導入することで、ソース領域またはドレイン領域となる不純物領域２８を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】 液晶等の電気光学装置において、積層構造や製造プロセスの単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】 電気光学装置は、データ線及び走査線と、データ線より下層側に配置された薄膜トランジスタとを備える。更に、データ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、誘電体膜の上層側に積層された層間絶縁膜とを備える。蓄積容量は、層間絶縁膜に開けられた開口から露出した誘電体膜上に、固定電位側電極が積層された積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜化された半導体層を貫通することなく、良好な形状のコンタクトホールを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層８の上に設けられた半導体層１０に絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０を形成すること、前記絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０を覆う層間絶縁層３０に、前記絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０のソース領域またはドレイン領域となる不純物領域２８と接続されるコンタクト層３８を形成すること、を含み、前記層間絶縁層３０はエッチング速度の異なる積層膜３２，３４で形成し、所定のパターンのマスク層５０を用いて第１エッチングを行い、前記不純物領域２８の表面が露出しないような凹部３６ａを形成した後、該不純物領域２８の表面が露出するまで等方性エッチングである第２エッチングを行うことでコンタクトホール３６を形成すること、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）