【課題】画素の積層構造の単純化を図りつつ、トランジスタのオン電流を増加させる。
【解決手段】電気光学装置は、半導体層１ａよりも上層側に配置され、チャネル領域１ａ’に重なると共に走査線１１ａに電気的に接続された第１ゲート電極３ａと、半導体層１ａよりも下層側に配置され、チャネル領域１ａ’に重なると共に走査線１１ａに電気的に接続された第２ゲート電極３ｂとを有するＴＦＴ３０と、第２ゲート電極３ｂと同層に配置されるデータ線６ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面に、均一な高品質シリコン酸化膜を、基板温度２００−５００度の低温で形成すること。および、シリコン酸化膜を用いた半導体装置を提供し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さ３０％以内に抑え、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】シリコン酸化膜中にＫｒを含有することを特徴とする。シリコン酸化膜中にＫｒを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン／シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにもかかわらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を３０％以内にする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の製造方法において、短絡用配線の下地となる絶縁膜に対して不要なエッチングを殆ど施すことなく、短絡用配線を切断する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に第１の絶縁膜（１２）を形成する工程と、第１の絶縁膜上に、複数の信号線（３ａ）を相互に短絡させる短絡用配線（６１０）を形成する工程と、短絡用配線を覆うように第２の絶縁膜（４１）を形成する工程と、第２の絶縁膜における短絡用配線のうち切断すべき部分（Ｃ）が形成された領域内に切断用孔（８１０）を開孔する工程と、切断すべき部分に対して切断用孔を介してエッチングを施すことにより切断すべき部分を切断する工程とを含む。更に、短絡用配線を形成する工程は、短絡用配線を、切断すべき部分の配線幅（Ｗ１）が切断用孔の径（Ｗ２）よりも大きくなるように、形成する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置を構成する基板上に直接不揮発性メモリを形成することができ、しかも良好に動作する高信頼性のものを得る、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ１１０ａ，１１０ｂを構成する半導体層を形成するとともに、画素部及び駆動回路の少なくとも一方のスイッチング素子を構成する半導体層を形成する。半導体層を覆って第１の絶縁膜３５とフローティングゲート電極３６とを順に形成し、フローティングゲート電極３６を覆って第２の絶縁膜３７を形成する。第２の絶縁膜３７上にゲート電極３８を形成する。ゲート電極３８及びフローティングゲート電極３６をマスクにして絶縁膜１８をエッチングした後、第３の絶縁膜４０を形成する。そして、第３の絶縁膜４０を介し、フローティングゲート電極３６上にコントロールゲート電極６０を形成し、電気光学装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学装置において、積層構造や製造プロセスの単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、データ線及び走査線と、データ線より下層側に配置された薄膜トランジスタとを備える。更に、データ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、誘電体膜の上層側に積層された層間絶縁膜とを備える。蓄積容量は、層間絶縁膜に開けられた開口から露出した誘電体膜上に、固定電位側電極が積層された積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】例えば、ＴＦＴ等の半導体素子と導電膜との接続抵抗を低減する。
【解決手段】図１２（ｆ）に示すように、第１低抵抗層を７５０乃至８５０°の温度下で３０秒乃至１２０秒間熱処理することによって、第２低抵抗層１１１を形成する。第２低抵抗層１１１は、第１低抵抗層１１１ａの格子構造が熱エネルギーによって転位してなるＣ５４等の転位層であり、第１低抵抗層１１１ａより電気抵抗が低い。続いて、第２低抵抗層１１１の表面、コンタクトホール６８１の内壁面及び第２層間絶縁膜４２の表面に上述した三層膜８２を形成する。これにより、アルミニウム層８２ａを含む三層膜８２は、第２低抵抗層１１１を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続される。したがって、第２低抵抗層１１１を形成することなく、直接高濃度ソース領域１ｄに三層膜８２を接続する場合に比べて、三層膜８２及び高濃度ソース領域１ｄの接続抵抗を低減できる。 （もっと読む）

【課題】例えば、ＳＯＱ基板を用いてＴＦＴ等の半導体素子を形成することによってデジタル駆動方式の利点を生かし、高品位の画像を表示する。
【解決手段】液晶装置１によれば、１フレームを分割する複数のサブフレーム毎にＨｉｇｈおよびＬｏｗの一方の電位を有するデジタル信号である画像信号Ｓｎの電位Ｖｓｉｇに応じて、理想波形に近い波形を有する駆動電圧Ｖｉを各画素部の液晶に印加できる。したがって、画像信号に応じた駆動電圧で液晶を駆動でき、画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子における光リーク電流の影響を低減し、画像信号に含まれる階調データに応じて高品位で画像を表示できる。このようなデジタル駆動方式は、単結晶シリコン基板を用いて高速駆動が可能な半導体素子によって可能になる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、光による誤動作を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、透明基板（１０）と、この透明基板上に設けられた複数の反射型の画素電極（９ａ）と、透明基板上における画素電極よりも下層側に且つ画素電極と重なるように夫々設けられており、画素電極と電気的に接続された複数のトランジスタ（３０）とを備える。更に、透明基板における画素電極が設けられた面とは反対側の面に設けられており、光を吸収する光吸収体（５００）を備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴの下側からの光に対する遮光性能とＴＦＴのスイッチング特性とを改善する。
【解決手段】一対の第１及び第２基板（１、２）間に挟持された液晶（５０）と、第１基板にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備えた液晶表示パネル（１００ｂ）において、ＴＦＴに対向する位置において第１基板とＴＦＴとの間に高融点金属からなる遮光層（３ｂ）を設け、この遮光層に重ねて多結晶シリコン層（４ｂ）を設ける。 （もっと読む）

【課題】製造工程が増加せず製品コストの高騰を抑制すると共に、製造工程中に蓄積された電荷による静電気破壊から配線膜を保護する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０上の画素領域の周辺に設けられている周辺領域に、信号線膜２００と、この信号線膜２００の上層であって信号線膜２００に対して交差する方向に配設されている配線膜２０１と、この信号線膜２００と配線膜２０１との間に絶縁膜４１'，４２'を介して介装されると共に平面視において少なくとも信号線膜２００と配線膜２０１との交差する領域に配設されているシールド膜２０３とを備え、このシールド膜２０３が、画素領域において形成される蓄積容量７０の下部電極７１と同一の層であって、この下部電極７１をパターンニングする際に同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、光吸収層の照射領域及び絶縁層の照射領域を除去し光吸収層及び絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

ピクセル回路およびピクセル回路を作成する方法、撮像装置および光変換装置を含む処理システム、光変換装置から電荷を受け取り、蓄積するためのフローティング拡散領域、ならびにピクセルの動作に使用するための透明トランジスタであって、透明トランジスタは少なくとも部分的に光変換デバイスを覆い、それによって、光変換デバイスは透明トラジスタを通して通過する光を受け取る。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】マスク層を形成する際、形成したいパターンの外側（パターンの輪郭、端部に相当する）に液状のマスク層形成材料を含む組成物を付着させ、枠状の第１のマスク層を形成する。枠状の第１のマスク層の内側の空間を充填するように、液状の第２のマスク層形成材料を含む組成物を付着させ第２のマスク層を形成する。第１のマスク層及び第２のマスク層は接して形成され、第２のマスク層の周囲を囲むように第１のマスク層が形成されるので、第１のマスク層及び第２のマスク層は連続した一つのマスク層として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素スイッチング用のＴＦＴの性能を向上させると共に遮光性を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、データ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極に接続されており、チャネル領域（１ａ´）とソース領域（１ｄ）との間に形成された第１のＬＤＤ領域（１ｂ）と、チャネル領域とドレイン領域（１ｅ）との間に形成された第２のＬＤＤ領域（１ｃ）とを有する半導体層（１ａ）、及びチャネル領域に重なるゲート電極（３ａ）を有するトランジスタ（３０）とを備える。更に、ゲート電極と、絶縁膜（４１ａ）を介して互いに異なる層に配置されており、第１及び第２のＬＤＤ領域と少なくとも部分的に重なるように形成されると共にゲート電極と電気的に接続された第１遮光部（１１ａ）を備える。 （もっと読む）

【課題】ＷＳｉ膜の内部応力に起因する絶縁層、導電層及び半導体層のクラックの発生を防止することが可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学装置用の基板であるＴＦＴアレイ基板１０上に、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）からなる下側遮光膜をスパッタリング法により成膜する電気光学装置の製造方法において、ＷＳｉ膜の平均成膜速度が前記スパッタリング法の放電維持限界における平均成膜速度以上、３５Å／ｓ以下となるようにＷＳｉ膜を成膜する。このような条件でＷＳｉ膜を成膜する事により、熱処理により結晶化した後のＷＳｉ膜の内部応力を抑制することができ、ＷＳｉ膜の内部応力に起因する絶縁層、導電層及び半導体層のクラックの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】新たなフォトマスクを必要とすることなく配線とソース・ドレイン領域との接触抵抗を低減させることが可能な電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び電気光学装置用基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１００ａは、ＴＦＴ基板１０ａ及び対向基板２０ａを有する。ＴＦＴ基板１０ａには、ＴＦＴ素子３０、データ線６ａが形成されている。ＴＦＴ素子３０の高濃度ソース領域１ｄのうちデータ線６ａと接する部位には、チタンシリサイドの層が形成されている。同様に、容量電極３００のうちシールド層用中継層６ａ１と接する部位、及び中継電極７１９のうち第２中継電極６ａ２と接する部位にも、チタンシリサイドの層が形成されている。これにより、接触抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】高性能のトップゲート型ＴＦＴを印刷方式で製造することを可能にする薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体薄膜層２を形成するステップと、その上に、ＴＦＴのチャネル領域を画成するギャップ５が形成されたドープトガラスパターン４を印刷するステップと、チャネル領域の上又は上方に、ゲート誘電体膜及びこの上のゲート伝導体３を有するゲート電極を形成するステップと、ドープトガラスパターンから半導体薄膜層にドーパントを拡散させるステップとを含む自己整合トップゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びそのような薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子の発光輝度の面内分布をより均一にすることができる有機ＥＬ装置を提供すること。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ装置は、少なくとも一方面に導電性を有する基板(10)と、上記基板の一方面上に形成される絶縁膜(50)と、各々、ソースが上記基板と接続されたｐチャネル型のトランジスタ(58,62,64,66)を含み、上記絶縁膜上に形成される複数の駆動回路と、上記駆動回路の各々に対応して上記基板上に形成され、一方端子が上記トランジスタのドレインと接続され、他方端子が共通グランドと接続される複数の有機エレクトロルミネッセンス素子(82,88,90)と、を含む。また、導電性を有する基板の画素が形成される領域の外周部に電源供給用のパッドを設ける。 （もっと読む）

【課題】支持基板上に高速駆動を可能とする高性能なスイッチング素子を形成できる、電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板２００の一方の面に貼着膜２１０を形成し、貼着膜２１０が形成された側を支持基板１０Ａに貼り合わせる。単結晶シリコン基板２００を弗酸とオゾン水との混合液を用いてエッチングしパターニングすることにより単結晶シリコン基板２００からなる半導体層を形成する。そして、半導体層を用いることでスイッチング素子を形成する。 （もっと読む）