【課題】 無線通信によりデータの交信が可能なＩＤタグにおいて、ＩＤタグのサイズやＩＣチップのサイズを縮小し、チップ内の限られた面積の有効活用、消費電流の低減、通信距離の低下を防止すること課題とする。
【解決手段】集積回路と、共振容量部と、保持容量部とを備えたＩＣチップと、前記ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるようにアンテナを設け、前記アンテナと前記絶縁膜と前記集積回路を形成する配線または半導体膜とからなる積層構造を設け、当該積層構造によって、共振容量部および保持容量部の一方または両方の容量素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する液晶表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 基板との密着性と導電性に優れ、簡易に形成された電極を有する、電極の高解像化が実現された薄層トランジスタ、及び、該薄層トランジスタを備えてなる電気的特性に優れたアクティブマトリックス型表示装置及び駆動用ＬＳＩチップのドライバ入出力配線の導電性が改良され、高解像度で配線が形成されてなる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を表面に結合させてなる基板上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させてパターン状にエネルギーを付与し、該基板上にパターン状のグラフトポリマーを生成した後、該グラフトポリマー生成領域に導電性材料を付与してなる導電層をゲート電極１１０とし、該ゲート電極１１０上に、ゲート絶縁膜１１４、半導体膜１１８、ソース電極１２０、ドレイン電極１２２を順次備えてなる薄層トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を増やすことなく、容量素子の誘電体膜の膜厚をＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚よりも薄くすることのできる薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、この電気光学装置、およびこの電子機器を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板１０に蓄積容量７０を構成する際、レジストマスク４０１の開口４０１ａから半導体膜１ａの延設部分１ｆに不純物を導入するとともに、このレジスマスク４０１の開口４０１ａから誘電体膜２ｃの表面をエッチングする。このため、製造工程を増やすことなく、蓄積容量７０の誘電体膜２ｃの膜厚をＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２ａの膜厚よりも薄くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 センサ素子において、今後のさらなる高出力化及び小型化を進められるように、複数の素子を限られた面積に形成し、素子が占める面積を縮小して集積することを課題とする。また、センサ素子の歩留まりを向上させるプロセスを提供することも課題としている。
【解決手段】 本発明は、絶縁表面を有する基板上にアモルファスシリコン膜を用いたセンサ素子と、薄膜トランジスタからなる出力増幅回路とを集積する。また、センサ素子の光電変換層のパターニングの際に、露出されている配線を保護するための金属層を光電変換層と薄膜トランジスタと接続する配線との間に設ける。 （もっと読む）

【課題】 パターン形成時に、微細パターンと他のパターンとの各々の高さを同じくすることにより、上記パターン上を含む領域を平坦にするバンク構造体、パターン形成方法、及び電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】 機能液により形成するパターンに対応した凹部が設けられた隔壁構造体であって、第１パターンに対応して隔壁３４に設けられた第１凹部５５と、第１パターンに接続され、かつ、第１パターンよりも幅が狭い第２パターンに対応して隔壁３４に設けられた第２凹部５６と、を含み、第２凹部５６の底面の高さが、第１凹部５５の底面の高さよりも高く設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
線状レーザの走査回数を減少させ、レーザアニールにかかる時間を短縮させ、半導体装置の作製工程、作製時間、作製にかかるコストを短縮させることを課題とする。
【解決手段】
本発明では、線状レーザビームの照射面に重なり合うように高温の気体を局所的に噴き付ける。線状レーザビームは、レーザ発振器から射出したレーザビームをレンズに入射することにより得られる。高温の気体は、気体圧縮ポンプで圧縮された気体をノズル型ヒータにより加熱することによって得られる。加熱された気体は、線状レーザビームの照射面に重ね合わせるように噴出する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の構成分子の配向を密にできる高性能な有機電界効果半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】有機電界効果半導体装置１は、基体上２に形成された第１電極３及び第２電極５と、これらの電極間に形成された有機半導体層７と、この有機半導体層７に絶縁膜８を介して電界を印加する第３電極９とを備え、基体２は外部刺激により伸縮する材質からなり、この基体２の収縮状態で有機半導体層７の有機半導体分子４が密に、望ましくは接触し合って配向されている。これにより、第１電極及び第2電極間のキャリア移動度を大きくすることができ、オン電流値及びオン・オフ比の特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 設計の自由度の大きい、構造が簡単で、コスト安で、制御が簡単で、波長依存性がない電気機械式光シャッター素子を、高精度・高品質・低価格で製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】 透過型光変調素子の製造方法において、まず、Ｓｉ（シリコン）基板上に駆動回路を形成し、次に、その上に透過型光変調部の成膜をしてパターニングを行い、その後、前記駆動回路と前記透過型光変調部を前記Ｓｉ基板から透明基板上に転写するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所望の形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。また、バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部を酸化して酸化物層を形成した後、該酸化物層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に所望の形状を有する半導体領域を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜から触媒元素を除いた後、トップゲート型プラナー構造の薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、表示装置の構成物を選択的に形成する液滴吐出法を用いることで、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】非晶質領域で構成されたチャネル部におけるキャリア移動度が高く、しかも結晶化領域で構成されたソース・ドレインの活性化効率が高い、非晶質−結晶質混成の薄膜トランジスタを、プラスチック基板を用いることが可能な低温プロセスで得ることが可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に非晶質の半導体薄膜５を形成し、半導体薄膜５上にゲート絶縁膜７を介してゲート電極９をパターン形成する。ゲート電極９をマスクにして半導体薄膜５に不純物を導入する。ゲート電極９をマスクにして半導体薄膜５に対して所定速度で照射位置を移動させながら半導体薄膜５にレーザ光Ｌｈを連続照射することにより、半導体薄膜５を結晶化すると共に半導体薄膜５中において水素ガスを膨張させることなくレーザ光Ｌｈの照射部から余剰水素を除去する。 （もっと読む）

【課題】 段差のある部位に電極又は配線等を形成する工程を含む薄膜トランジスタの製造方法において、該段差部位に簡便且つ確実に積層膜或いは連結膜を形成することが可能な方法を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、半導体層８４上であって当該半導体層８４の略中央部に位置する第１バンク部３１ｂと、半導体層８４の周縁であって、該半導体層８４を取り囲む形にて形成される薄膜部３２と該薄膜部３２を取り囲む形にて形成される厚膜部３３とを有する第２バンク部３１ａと、を含むバンクを形成する工程と、薄膜部３２と第１バンク部３１ｂとに取り囲まれた領域内に、導電材料を含む第１機能液６０を、半導体層８４を覆う形にて配置する工程と、該第１機能液を乾燥させて第１導電膜を得る工程とを含み、その後、薄膜部３２を除去して、該除去領域に第２導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
有機TFTの有機半導体層は、水、光または酸素等の影響で劣化しやすいことを鑑み、本発明は、作製工程を簡略化するとともに、信頼性の高い有機ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、マスクを用いたエッチングにより有機材料を含む半導体層を形成し、マスクを除去せず半導体層上に残した状態で有機ＴＦＴを完成させる。そして、残存するマスクを使って、水、光または酸素等による劣化から半導体層を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板上に薄膜からなる集積回路を形成し、基板から剥離する際、集積回路に亀裂（クラックとも呼ぶ）が生じることがあった。
【解決手段】 本発明は、エッチングの進行方向を一方向に固定し、エッチングの進行に合わせて被剥離層の反りを一方向にすることで亀裂の発生を抑えるというものである。例えば、基板上に設けた剥離層をパターニングして、下地絶縁層を形成し、基板と下地絶縁層とが接する部分で固定させれば、基板と下地絶縁層とが接する部分はエッチングされないことを利用してエッチングの進行を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 発光素子の寿命を延ばし、ショート個所を焼ききるために、一定期間ごとに発光素子に逆方向の発光素子駆動電圧を印加することが可能な表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 発光素子に順方向の電圧または電流を与える期間と逆方向の電圧または電流を与える期間とを有し、ショートした個所を焼ききる。交流駆動は表示装置を電子機器へ実装する前にのみおこない、実装後はおこなわない。このようにすることによって、電子機器での部品点数、部品コストを低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レーザビームが照射された領域全体に占める微結晶が形成される領域の割合を減らし、半導体膜に対して良好にレーザ照射を行うことができるレーザ照射装置を提供すること、およびレーザ照射方法を提供すること。
【解決手段】レーザ発振器１０１から出射したレーザ光１０４をスリット１０２を通過させることによって強度の弱い部分を遮断した後にミラー１０３で偏向させ、このレーザ光を凸型シリンドリカルレンズ１０５，１０６または凸型球面レンズを用いて任意の大きさにビームの整形をした後に照射面に照射する。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜トランジスタ及びこれを備えた平板表示装置を提供する。
【解決手段】 基板の一面上に形成されるソース／ドレイン電極及び有機半導体層と、ソース／ドレイン電極及び有機半導体層と絶縁されるゲート電極と、ソース／ドレイン電極と前記ゲート電極との間に一層以上のゲート絶縁層と、を備え、ソース／ドレイン電極と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さは、有機半導体層のチャンネル領域とゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さ以上とした。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、湿式法を用いて容易に作製できる電子デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の電子デバイスの一は、第１の層と第２の層とを有する。第１の層は、共役二重結合を含む化合物を含む。ここで、第１の化合物の分子量は１００〜１０００であることが好ましい。第２の層は、前記第１の化合物が二分子、付加反応により環を形成することによって生成された第２の化合物を含む。ここで、電子デバイスとしては、発光素子、トランジスタ等の素子が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無線チップのコストを下げることを課題とする。また、無線チップの大量生産を可能として、無線チップのコストを下げることを課題とする。さらに、小型・軽量な無線チップを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板や石英基板から剥離された薄膜集積回路が第１の基体と第２の基体に設けられた無線チップを提供する。本発明の無線チップは、シリコン基板からなる無線チップと比較して、小型、薄型、軽量を実現する。本発明の無線チップが含む薄膜集積回路は、少なくとも、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造のＮ型の薄膜トランジスタと、シングルドレイン構造のＰ型の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）