【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に第１の膜１０２を形成する工程と、前記第１の膜１０２上にマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜１０２上にマスク１０３を形成する工程と、前記マスク１０３を用いて前記第１の膜１０２をパターニングして前記基板１０１上に塗れ性の低い領域１０４と塗れ性の高い領域１０５を形成する工程と、前記マスク１０３を除去する工程と、前記塗れ性の低い領域１０４に挟まれた前記塗れ性の高い領域１０５に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液１０６を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 高価で精密な露光装置及びエッチング装置を用いることなく、性能の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】 酸化シリコン膜１２上に形成した微細孔１３の中に単結晶シリコンからなる微粒子２０を少なくとも１つ配置し、この上にアモルファスシリコン膜２１を形成する。その後、アモルファスシリコン膜２１の上方からレーザ光を照射し、シリコン微粒子を核として結晶成長させることにより、大きな粒径を有する略単結晶状態のシリコン膜１４を形成する。そして、この略単結晶状態のシリコン膜１４の少なくとも一部にチャネル領域が収まるようにＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体層のシリコン層を薄くしたＳＯＩ構造の半導体装置においても、有効に機能するＥＳＤ保護素子を形成する手段を提供する。
【解決手段】半導体装置が、下から順にバルク層と絶縁層と半導体層とを積層して、これらの各層に第１の領域と、第１の領域に隣接する第２の領域と、第２の領域に隣接する第３の領域とを設定すると共に各領域を重ね合わせた積層基板と、この積層基板の第１の領域の半導体層と絶縁層およびバルク層の上部を除去した除去部と、除去部に隣接する第２の領域のバルク層の上部を除去した空洞部と、除去部のバルク層に形成されたＥＳＤ保護素子と、半導体層の第２の領域に少なくとも一部が形成されるようにした半導体素子とを有する。 （もっと読む）

【課題】 表面が平坦かつ均一な膜厚のゲート絶縁膜等を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】 液体材料を複数回塗布することによってゲート絶縁膜を形成する。具体的には、パターンサイズの異なる半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂが形成された基板１１上にゲート絶縁膜を形成するための液体材料を塗布し、これを焼成することによって第１ゲート絶縁膜２２０を形成する。第１ゲート絶縁膜２２０を形成することによって半導体膜表面と基板表面との間に生じた段差を小さくした後、この第１ゲート絶縁膜２２０の上に更に液体材料を塗布し、焼成することによって第２ゲート絶縁膜２３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜形成用の液体材料の使用量を最小限に抑えることが可能な技術を提供する。
【解決手段】
基板１１０の上に複数の半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂを形成した後、液滴吐出法を用いて各半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂと重なる領域に、局所的にゲート絶縁膜形成用の液体材料を配置する。このように配置した液体材料を例えば１００℃〜２００℃程度の温度で乾燥し、さらに３５０℃〜４００℃の温度で６０分程度焼成することで、各半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂと重なる領域に局所的に形成されたゲート絶縁膜３２０Ａ、３２０Ｂを得る。 （もっと読む）

【課題】 表示性能の高いフレキシブル画像表示素子を提供する。
【解決手段】 プラスチック基板上に、電極層、電界効果型トランジスタ、表示層およびフィルム積層体を有し、前記電界効果型トランジスタは、ゲート絶縁膜と有機化合物を主成分とする半導体活性層とを有し、前記表示層は、電界に応じて光学特性が変化し、前記フィルム積層体は、少なくとも、前記プラスチック基板の表面または前記プラスチック基板の表面に設けられた機能層の表面に設けられており、かつ、少なくとも一層の無機物を主成分とするバリア層と少なくとも一層の有機層とが交互に積層している、画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型のＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜を成膜し、該非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜上にドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型のＴＦＴを形成して半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】パネル上の配線不良を安定して検査することが可能であり、しかも、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の表示画素によって構成された有効表示部を備えた表示装置であって、有効表示部に配置された配線Ｘｎ、２１、及び、３１と、これらの配線に接続された検査用配線５１、５２、及び、５３と、各配線と各検査用配線との間に配置されたスイッチ素子６１、６２、及び、６３のオン・オフを制御するためのスイッチ信号が供給されるスイッチ信号線５５と、を備え、このスイッチ信号線５５は、ループ状に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

電源端子（３１）に接続された第１端子と制御端子と第２端子とを含んだ駆動制御素子（３０）と、第２端子と電源端子（３４）との間に接続された有機ＥＬ素子（２０）と、制御端子に接続されたキャパシタ（３８）と、映像信号入力端子３５と第２端子とを信号書き込み期間において接続状態とするとともに発光期間において非接続状態とする切り替えを走査信号に応じて行う第１スイッチ（３７）と、制御端子と第２端子とを信号書き込み期間において接続状態とするとともに第１スイッチ（３７）が非接続状態となるより前に非接続状態とする切り替えを走査信号に応じて行う第２スイッチ（３２）とを含んだアクティブマトリクス型有機ＥＬディスプレイ（１）が提供される。
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【課題】 抵抗が低く、画素電極または半導体層との接触性が優れた配線を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、液晶表示装置または有機発光表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配線に関し、モリブデン（Ｍｏ）にニオビウム（Ｎｂ）、バナジウム（Ｖ）またはチタニウム（Ｔｉ）を所定量含むモリブデン合金層とアルミニウム層の積層構造を形成することによって、既存の純粋モリブデン（Ｍｏ）を使用した場合に比べて、モリブデン合金層とアルミニウム層の相対的なエッチング速度の差が減少し、エッチング工程時におけるアンダーカット、オーバーハング及びマウスバイトなどが発生しない。更に、半導体層または画素電極との接触特性も改善されたことを特徴とする低抵抗性及び耐薬品性を同時に有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 素子を破損、損傷させることなく、素子と配線基板との導通を確実に得ることができる配線基板と半導体素子の接続方法を提供する。
【解決手段】 配線基板１０上に半導体素子であるＴＦＴ１３が実装されてなる配線基板１０と半導体素子の接続方法であって、ＴＦＴ１３の外側に位置する配線基板１０上の配線端子１４と、ＴＦＴ１３の表面側の素子端子６１の双方からＮｉめっきを成長させる成長工程と、Ｎｉめっき上に導電材としてＡｕめっきを析出させて積層させる積層工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 発光装置において、発光素子に電流を供給するＴＦＴのしきい値が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラが、発光装置の画質向上の足かせとなっていた。
【解決手段】 発光素子を制御する第１のトランジスタと、第１の電極が前記第１のトランジスタのゲートに接続され、前記第１のトランジスタのしきい値電圧に応じた電圧を保持する容量素子と、前記第１のトランジスタのゲートに対する電圧の供給を制御する第２のトランジスタと、配線から前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方に対する電圧の供給を制御する第３のトランジスタと、前記容量素子の第２の電極に対する電圧の供給を制御する第４のトランジスタと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイの保持容量の容量値とそのムラを抽出することができる試験装置を提供する。
【解決手段】上記課題を、第１の構造材料によって構成されたゲート、ならびに第２の構造材料によって構成されたソースおよびドレインを有する駆動トランジスタと、前記第１の構造材料により構成された第１電極および前記第２の構造材料により構成された第２電極を有する保持容量とを備えた画素をマトリクス状に配置した自己発光型素子駆動用のＴＦＴアレイ基板の試験方法であって、前記保持容量に第１の電圧を印加する第１のステップと、前記第１のステップ後に、前記保持容量に第２の電圧を印加する第２のステップと、前記第２の電圧を印加した後に、前記画素に流れる電荷量を測定する第３のステップと、前記電荷量、および前記第１の電圧と前記第２の電圧との電位差から、前記保持容量の容量値を算出する第４のステップを備えた試験方法等により、解決する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ（静電気放電）等のサージに対する耐性をより安定して高く確保することのできる構造を有し、大量生産した場合にもより高い信頼性をもって製造することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板内の素子領域の内部に配置されるソース層の電流電圧特性の最大電圧値Ｖ_max１と、同素子領域の最も外側に配置されるドレイン層に隣接するソース層の電流電圧特性の最大電圧値Ｖ_max２とが、「Ｖ_max１＜Ｖ_max２」なる関係式を満足するような構造とする。さらに、半導体層１４の表面の、素子領域の最も外側に配置されるドレイン層Ｎ２２と素子領域の内部に配置されるドレイン層Ｎ１２との間に段差をつけて、ドレイン層Ｎ２２の下方における半導体層１４の深さ方向の幅ｄ２を、ドレイン層Ｎ１２の下方における半導体層１４の深さ方向の幅ｄ１よりも大きな幅に設定する。 （もっと読む）

【課題】 低コスト化が図れ、キャリア移動度および電流のＯＮ/ＯＦＦ比が改善された信頼性の高い薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の主面および第２の主面が平坦であり、かつ、均一な厚みを有する絶縁基板３と、絶縁基板３の第１の主面上に形成されたゲート電極４と、絶縁基板３の第２の主面上に形成され、有機半導体、カーボンナノチューブ、あるいは、カーボンナノチューブを少なくとも含む有機分散材料により構成されるチャネル層２と、チャネル層２上でゲート電極４の両側に位置するように形成されたソース電極１およびドレイン電極５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 SOI基板内の埋め込み酸化膜を薄膜化しても、デバイス特性が劣化することがなく、バイポーラトランジスタも形成可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 SOI基板３内の埋め込み酸化膜２の上面には、FBC４、NFET５およびPFET６が互いに分離して形成されている。FBC４の下方に位置するｐ支持基板１内には、埋め込み酸化膜２に接してｎウェル拡散領域７が形成されている。NFET５の下方に位置するｐ支持基板１内には、ｐウェル拡散領域８が形成されている。PFET６の下方に位置するｐ支持基板１内には、ｎウェル拡散領域９が形成されている。NFET５とPFET６の形成箇所に合わせて、埋め込み酸化膜２の下面側にそれぞれｐウェル拡散領域８とｎウェル拡散領域９を形成して、各ウェル拡散領域にそれぞれ所定の電圧を印加するため、NFET５とPFET６にバックチャネルが形成されなくなり、デバイス特性がよくなる。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタ等の能動素子が安定に動作し、大画面化と長期にわたって安定した表示動作とを可能にする。
【解決手段】 陰極（２２２）と陽極（２３）とに狭持され、基板（２）の上方に配置された電気光学素子と、電気光学素子を駆動する能動素子（２４）と、陰極（２２２）及び陽極（２３）のうち少なくとも一方と基板（２）との間に配置された誘電率が所定の値以下の絶縁材料からなる絶縁膜（２８３、２８４）とから電気光学装置（１）を構成する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで生産効率がよい薄膜集積回路の剥離方法および当該剥離方法を用いたＩＣチップの作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】 基板上に金属を含んだ膜からなる剥離層を形成し、その剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、複数の薄膜集積回路上にそれぞれ樹脂膜を形成し、剥離層にフッ化ハロゲンを含む気体または液体を導入して、剥離層を除去して、基板と薄膜集積回路とのを剥離を行う。また、剥離した薄膜集積回路を、ラミネート等により封止することによってＩＣチップを形成する。 （もっと読む）

【課題】 発光表示装置の輝度のばらつきを防止し、漏洩電流の流れを減らして画像の質を高めた発光表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る画素は、発光素子と、発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスターと、データ信号を駆動トランジスターに選択的に伝達する第１スイッチングトランジスターと、初期化信号を選択的に伝達する第２スイッチングトランジスターと、伝達された初期化信号を選択的に伝達し、駆動トランジスターをダイオード連結させる第３スイッチングトランジスターと、第３スイッチングトランジスターから初期化信号の伝達を受けて初期化信号に対応する第１電圧を保存した後、駆動トランジスターのゲート電極からデータ信号の伝達を受けてデータ信号に対応する第２電圧を保存するストレージキャパシターと、選択的に画素電源を駆動トランジスターに伝達して駆動電流を発光素子に流れるようにする遮断部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 薄膜集積回路の封止の際の製造効率の悪化を防止し、損傷や破壊を防止することを課題とする。また、基板からの薄膜集積回路の剥離および剥離した薄膜集積回路の封止を効果的に行い、製品の歩留まりを向上させることを課題とする。
【解決手段】 薄膜集積回路が複数設けられた基板を搬送する搬送手段と、薄膜集積回路の一方の面を第１のシート材に接着させて、基板から薄膜集積回路を剥離する第１の剥離手段と、薄膜集積回路の他方の面を第２のシート材に接着させて、第１のシート材から薄膜集積回路を剥離する第２の剥離手段と、薄膜集積回路を第２のシート材と第３のシート材で挟み込み、薄膜集積回路を封止するラミネート手段とを有するラミネート装置を提供する。 （もっと読む）