【課題】水分や酸素の透過による劣化を抑えることが可能な半導体装置、例えば、プラスチック基板上に形成された有機発光素子を有する発光装置、プラスチック基板を用いた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板または石英基板上に形成した素子（ＴＦＴや、有機化合物を含む発光素子や、液晶を有する素子や、メモリー素子や、薄膜ダイオードや、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子や、シリコン抵抗素子など）を含む被剥離層１２を基板から剥離した後、熱伝導性の高いプラスチック基板１０に転写する。 （もっと読む）

【課題】金属粒子を核として結晶成長を行い形成するシリコン・ワイヤは、金属汚染の課題がある。
【解決手段】リソグラフィーとエッチングという通常のシリコン・プロセスを用いて、ＳＯI基板に対し、リソグラフィーを用いた加工とフッ酸によるウェット・エッチングを行うことで、シリコン・ブリッジを形成する。その後、高温で熱酸化膜を形成し、良質なゲート絶縁膜を形成することが望ましい。また、引き続き、同軸上のゲート電極まで形成することが望ましい。然る後に、シリコン・ブリッジの橋の部分のシリコンをレジスト膜中に埋めた後に、橋げた上部のシリコンを除去する。然る後に、レジスト膜中に埋めたシリコン・ワイヤを回収することで、フッ酸溶液中にシリコン・ワイヤを分散させることなく、シリコン・ワイヤを回収し、シリコン・ワイヤ４をチャネル部として用いたトランジスタを形成する。 （もっと読む）

本発明は剥離工程を簡略化し、且つ大型基板に対する剥離・転写を均一に行う方法を提供する。本発明は剥離工程における第１の接着剤の剥離と、第２の接着剤の硬化と、を同時に行って、作製工程を簡略化することを特徴とする。また本発明は、半導体素子の電極まで形成された被剥離層を所定の基板に転写するタイミングを工夫することを特徴とする。特に大型基板に複数の半導体素子を形成した状態で剥離を行う場合、圧力差を利用して基板を吸着して剥離を行うことを特徴とする。
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【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の機能を有する半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜集積回路と、センサ又はアンテナを有する第１の基板と、アンテナを有する第２の基板を有し、センサ又はアンテナを有する第１の基板とアンテナを有する第２の基板とは、薄膜集積回路を挟持している半導体装置である。複数のアンテナを有し、且つ通信する周波数帯が異なる場合、複数の周波数帯を受信することが可能であるため、リーダライタの選択幅が広がる。また、センサとアンテナを有する場合、センサで検知した情報を信号化し、アンテナを介して該信号をリーダライタに出力することが可能である。このため、従来の無線チップ等の半導体装置より、高付加価値を有する。 （もっと読む）

【課題】 転写技術を利用して高密度実装及び薄型化が可能な薄膜装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 転写元基板（１００）上に、所定のエネルギ付与によって剥離する第１剥離層（１０２）を介して薄膜装置を含む被転写層（１１０）を形成する工程、被転写層を仮転写基板（１１６）に接合する工程、エネルギを付与して第１剥離層（１０２）に界面剥離及び／又は層内剥離を生じさせることにより転写元基板（１００）を被転写層（１１０）から剥離する工程により、仮転写基板（１１６）に被転写層（１１０）が接合された積層構造を一対形成し、転写先基板（１２０）の両面に、一対の積層構造の被転写層（１１０）をそれぞれ接着する工程、及び被転写層の各々から仮転写基板（１１６）を分離する工程を備えることにより、転写先基板（１２０）の両面に各被転写層（１１０）を転写する。 （もっと読む）

【課題】 パネルの光コンポーネント源から放射される輝度を改善する設計手法を提供する。
【解決手段】 発光ユニットと駆動ユニットを含むパネルの設計手法であって、前記発光ユニットは、第一と第二光コンポーネント源を構成する第一と第二光コンポーネントをそれぞれ含み、前記第一及び前記第二光コンポーネントは、前記第一及び前記第二光コンポーネント源からそれぞれ放射され、前記第一光コンポーネントの色は、前記第二光コンポーネントの色と異なり、前記設計手法は、前記第一及び前記第二カラーコンポーネント間の特性の特定関係を定義するステップ、及び前記特定関係に基づいて駆動ユニットを設計するステップを含む設計手法。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造を容易にすることを課題とする。また、コストを低減した半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、剥離層を除去した後に、基板と下地絶縁層が密着した領域を設けることで、下地絶縁層の上方に設けられた薄膜集積回路の飛散を防止することができる。従って、薄膜集積回路を含む半導体装置の製造を容易にすることができる。また、本発明は、シリコン基板以外の基板を用いて半導体装置を製造するため、大量の半導体装置を一度に形成することが可能となり、コストを低減した半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 大面積のガラス基板上に薄膜からなる集積回路を形成した後、基板から剥離を行い、接触、好ましくは非接触でデータの受信または送信が可能な微小なデバイスを大量に効率よく作製する方法を提供することを課題とする。特に薄膜からなる集積回路は、非常に薄いため、搬送時に飛んでしまう恐れがあり、取り扱いが難しかった。
【解決手段】
本発明は、分離層に対して少なくとも異なる２種類の方法を用いてダメージ（レーザ光照射によるダメージ、エッチングによるダメージ、または物理的手段によるダメージ）を複数回与えることにより、基板から被剥離層を効率よく剥離する。また、剥離後のデバイスに反りを持たせることによって、個々のデバイスの取り扱いを容易とする。 （もっと読む）

方法およびディスプレイは、ＺｎＯチャネルを備えた画素トランジスタを制御するＺｎＯチャネルを備えた行および列ドライバを利用し、次いで、アレイのＯＬＥＤをアドレス指定して、ディスプレイ画面の画像を生成する。ＺｎＯの行および列ドライバとＯＬＥＤとを備えるディスプレイバックプレーンが、アパーチャマスキングまたはフォトリソグラフィとアパーチャマスキングとの組み合わせを利用することにより構成されてもよい。これによって、ＺｎＯの行および列ドライバとＺｎＯ系画素トランジスタとのモノリシック集積が達成される。
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【課題】 材料の無駄を軽減しつつ、１回転写であって薄膜装置への配線工程を簡略化可能な薄膜装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 転写元基板（１００）上に、所定のエネルギ付与によって剥離する特性を有し、かつ、導電性を呈する剥離層（１０２）を形成する工程、剥離層上に薄膜装置を含む被転写層（１１０）を形成する工程、被転写層の一方の面に接着層（１２０）を介して転写先基板（１２２）を接合する工程、剥離層（１０２）にエネルギを付与して転写元基板（１００）と剥離層（１０２）との間に剥離を生じさせ、剥離層とともに被転写層を転写先基板（１２２）に転写する工程、及び転写先基板に転写されて露出した剥離層（１０２）をパターニングして、薄膜装置と電気的に接続された配線層（１０２ａ〜ｄ）を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素用ＴＦＴ、駆動回路用高耐圧ＴＦＴに適した特性の異なるＴＦＴを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０上の結晶粒径の比較的大きな第１、第２の島状多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）層と、結晶粒径の比較的小さな第３の島状ｐ−Ｓｉ層と、第１のｐ−Ｓｉ層上の第１の厚さを有する第１のゲート絶縁膜と、第２、第３のｐ−Ｓｉ層上の第１の厚さ以上の第２、第３の厚さを有する第２、第３のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、チャネル領域の外側に高濃度にｎ型不純物を添加して形成された高濃度ｎ型ソース／ドレイン領域と、第２、第３のｐ−Ｓｉ層のチャネル領域と高濃度ｎ型ソース／ドレイン領域の間に形成された第２、第３の低濃度ｎ型ソース／ドレイン領域と、を有し、第３の低濃度ｎ型ソース／ドレイン領域の不純物添加量は、第２の低濃度ｎ型ソース／ドレイン領域の不純物添加量より高い。 （もっと読む）

【課題】細い線状のパターンを、精度よく安定して形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に液滴吐出法を用いて機能液Ｌを吐出して所定のパターンを形成する方法であって、上記基板上に、上記機能液Ｌの飛翔径より大きな幅を有する第１領域３４Ａと当該第１領域３４Ａよりも狭い幅を有する第２領域３４Ｂとが配置されるようにバンクＢを形成する工程と、上記第２領域３４Ｂに、上記機能液Ｌに含まれる溶媒Ｌａを吐出する工程と、上記第１領域３４Ａに上記機能液Ｌを吐出して上記第２領域３４Ｂに上記機能液Ｌを流れ込ませる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 フローティングボディを有するＭＯＳ型トランジスタを用いた回路において生じる履歴効果による動作不良を抑制し、電気的特性に優れた装置を提供する。また、これらＭＯＳ型トランジスタを構成要素として含むセンスアンプ回路、ラッチ回路の感度を向上させる。
【解決手段】 第１の期間(有効期間)にＭＯＳ型トランジスタの電気的特性を利用して、第１の回路以外の回路で必要とされる信号を出力し、前記第１の期間を除いた第２の期間（休止期間）に、ＭＯＳ型トランジスタのゲート−ソース間にこのＭＯＳ型トランジスタのしきい値以上のステップ波形電圧を与える。 （もっと読む）

【課題】 パターン形成時に、微細パターンと他のパターンとの各々の高さを同じくすることにより、上記パターン上を含む領域を平坦にするバンク構造体、パターン形成方法、及び電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】 機能液により形成するパターンに対応した凹部が設けられた隔壁構造体であって、第１パターンに対応して隔壁３４に設けられた第１凹部５５と、第１パターンに接続され、かつ、第１パターンよりも幅が狭い第２パターンに対応して隔壁３４に設けられた第２凹部５６と、を含み、第２凹部５６の底面の高さが、第１凹部５５の底面の高さよりも高く設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】効果的に駆動ＴＦＴのしきい値電圧の変動を補償する。
【解決手段】選択ＴＦＴ２０および制御ＴＦＴ３０をオフ、短絡ＴＦＴ２８およびリセット制御ＴＦＴ２６をオンして、駆動ＴＦＴ２４のゲート電圧をリセットする。次に。制御ＴＦＴ２４をオフのまま、選択ＴＦＴ２０をオンするとともに、短絡ＴＦＴ２８およびリセット制御ＴＦＴ２６をオフし、駆動ＴＦＴ２４のゲートにデータ信号を印加する。その後、選択ＴＦＴ２０がオンの期間において制御ＴＦＴ３０をオンし、その後選択ＴＦＴ２０をオフすることで制御ＴＦＴ３０がオンしたときに、駆動ＴＦＴ２４のゲート電圧が下がることを防止する。 （もっと読む）

【課題】
結晶化と同時に触媒元素のゲッタリングを可能にし、熱処理行程を減少させることをことを課題とする。
【解決手段】
基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質半導体膜、１５族から選ばれた元素を含む半導体膜を形成する。非晶質半導体膜及び１５族から選ばれた元素を含む半導体膜を、島状非晶質半導体膜及び島状半導体膜からなる島状領域に形成し、島状領域上にソース電極又はドレイン電極を形成する。ソース電極又はドレイン電極をマスクとして、ソース電極又はドレイン電極に覆われていない島状半導体膜の除去、及び島状非晶質半導体膜の膜厚を減少させ、また一部を露出させる。島状非晶質半導体膜の露出した領域に、結晶化を助長する触媒元素を導入し、加熱により島状非晶質半導体膜の結晶化及び触媒元素のゲッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜状素子を回路構成に応じて効率よく、かつ精度よく、基板に転写して高性能の薄膜回路デバイスを実現する方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１面に光照射によって粘着力が低下する粘着層２と遮光性の薄膜状素子３とが設けられたキャリア基板２０に対して、薄膜状素子３側から光を照射して薄膜状素子３で遮光された領域を除く粘着層２の粘着力を低下させた感光済粘着性層２ｄとする第１の光照射工程と、薄膜状素子３が転写される被転写基板５とキャリア基板２０とを密着させて薄膜状素子３と被転写基板５とを接着剤層６により接着する接着工程と、透光性基板１側から光を照射して薄膜状素子３と透光性基板１との間の粘着層２の粘着力を低下させた感光済粘着性層２ｄとする第２の光照射工程と、粘着層２、薄膜状素子３および硬化済接着剤層６ａを透光性基板１とともに被転写基板５から分離する工程とを有する方法からなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）