【課題】 基板と自発光素子との層間に誘電体多層膜を形成した場合でも、高い信頼性を確保することのできる発光装置、発光装置の製造方法、および電子機器を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１では、ゲート電極１５の上層側に第１層間絶縁膜５０が形成され、ソース・ドレイン電極２０、４０は各々、第１層間絶縁膜６０のコンタクトホール５１、５２を介してソース・ドレイン領域１２、１３に電気的に接続されている。ソース・ドレイン電極２０、４０の上層側には第２層間絶縁膜６０が形成され、ＩＴＯ層４１は、第２層間絶縁膜６０のコンタクトホール６１を介してソース・ドレイン電極４０に電気的に接続している。第１層間絶縁膜５０および第２層間絶縁膜６０は、膜内にアルキル基を含む有機ポリシラザン変性膜で構成され、その誘電率は３．５未満である。 （もっと読む）

【課題】不良の発生を低減することができる印刷パターンを用いた処理方法及び印刷パターンの製造装置、特に、液晶パネルの製造方法及び製造装置の提供。
【解決手段】印刷法を用いて、被エッチング膜２の上にレジスト３などの印刷パターンを形成した後、該印刷パターンをマスクとしてエッチングなどの処理を行う前に、プラズマアッシングなどのドライエッチングや現像処理などのウェットエッチングを用いてレジストを厚さ方向に薄化する薄化処理（図１（ｂ））を実施する。これにより、レジスト形成領域以外の不要な部分にレジストが付着した場合でも、付着したレジスト４を除去するか若しくはサイズを小さくし、付着したレジスト４下部に被エッチング膜２を残さないか若しくは非常に小さくし、配線のショート、パターン残りによる点欠陥等の不良の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、結晶化状態に影響を受けずに均一な画質を有する薄膜トランジスタ表示板を提供することにある。
【解決手段】
本発明による薄膜トランジスタ表示板は、基板、基板上に形成されている複数のゲート線、ゲート線と交差する複数のデータ線、ゲート線及びデータ線と各々連結されている複数の薄膜トランジスタ、そして薄膜トランジスタと各々連結されている複数の画素電極を含み、複数の薄膜トランジスタは、多様な漏洩電流値を有して、基板全体に不規則に分布している。 （もっと読む）

【課題】リーダ／ライタから送られてくる電磁波の減少を防ぎ、また磁界の変化に伴う素子形成層の発熱を防止することが可能である半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に設けられた素子形成層と、素子形成層に接続されたアンテナとを有し、素子形成層は少なくとも電源配線および接地配線等の配線とを有しており、当該電源配線および接地配線等の配線を非環状で設ける。なお、素子形成層とアンテナとは少なくとも一部が重なるように設けてもよい。また、アンテナは、素子形成層の上方に設けてもよいし下方に設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬ層にリーク電流が流れることを防止することが可能な有機エレクトロルミネセンス表示装置を提供する。
【解決手段】 透明基板２を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置であって、透明基板上に形成された、有機半導体層１２とこれに接するソース６及びドレイン８とを有する薄膜有機トランジスタ４と、このトランジスタと配列されると共にソースまたはドレインに接続された第１の電極１４と、トランジスタ及び第１の電極の全体を覆う有機エレクトロルミネセンス層と、有機エレクトロルミネセンス層上に形成された第２の電極１８とを備え、ソース及びドレインのそれぞれを、仕事関数の異なる少なくとも２種類の金属薄膜６Ａ，６Ｂ，８Ａ，８Ｂを有する積層構造にし、有機エレクトロルミネセンス層に接する金属薄膜の仕事関数を、有機半導体層に接する金属薄膜の仕事関数よりも低くする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ表示板の製造工程を簡素化し、薄膜トランジスタの不良率を減らす。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する段階、ゲート線上に第１絶縁膜を形成する段階、第１絶縁膜上に半導体層を形成する段階、半導体層上にデータ線及びドレーン電極を形成する段階、データ線及びドレーン電極上に第２絶縁膜を蒸着する段階、第２絶縁膜上に感光膜を形成する段階、感光膜をマスクとして第２絶縁膜と第１絶縁膜をエッチングすることによってドレーン電極の少なくとも一部と基板の少なくとも一部を露出する段階、露出されたドレーン電極の一部を除去する段階、導電膜を蒸着する段階、そして感光膜を除去してドレーン電極と連結される画素電極を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 表示装置の輝点欠陥を、確実に黒点化することで、欠陥を修復する。
【解決手段】 走査線１と、該走査線と交差する映像信号線４と、ゲート電極２上及び前記ゲート電極以外の前記走査線上に絶縁膜を介して形成された半導体膜３及び半導体膜からなる修復用パターン１０と、前記映像信号線に接続され、前記半導体膜上に形成されたソース電極５と、前記半導体膜上に前記ソース電極と対向して形成されたドレイン電極６と、前記ドレイン電極と接続された画素電極９と、前記ドレイン電極に接続され、前記画素電極における前記走査線に近接する縁部を覆うべく形成された延在部７とを備えた表示装置において、前記修復用パターンは前記延在部に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備えた平板表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、ゲート電極と絶縁され、ソース及びドレイン電極と電気的に連結された半導体層と、ゲート電極をソース及びドレイン電極または半導体層と絶縁する絶縁層と、を備え、半導体層と絶縁層との間に介在されて、半導体層を通じて流れる電子または正孔が絶縁層にトラップされることを防止するためのキャリアブロッキング層を備えることを特徴とする。本発明の薄膜トランジスタは、半導体層と絶縁層との間にキャリアブロッキング層が介在された構造を有しており、半導体層に注入された電子または正孔が絶縁層でトラップされることを防止することによって、ヒステリシス挙動問題点を解決できる。これにより、電荷移動特性のような電気的特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】イメージングシステム用薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】環状薄膜トランジスタ６０は、半導体材料の層６６の上側に配置された環状ソース電極６２と、半導体材料の層の上側でかつ環状ソース電極の内側に配置されたドレーン電極６４と、ドレーン電極と環状ソース電極との間に配置された活性チャネル７６とを含み、活性チャネルの表面は、露出した半導体材料を含む。さらに、蛇行形薄膜トランジスタ７８は、半導体材料の層８２の上側に配置された蛇行形ソース電極８０と、半導体材料の層の上側に配置されかつ蛇行形ソース電極によって形成された凹所の実質的に内部に配置され、該凹所に実質的に合致するように構成されたドレーン電極８４と、ドレーン電極と蛇行形ソース電極との間に配置された活性チャネル９８とを含み、活性チャネルはほぼ一定の長さを有し、また活性チャネルの表面は露出した半導体材料を含む。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】粗面を有する層を形成し、粗面上に導電性材料を含む組成物に対するぬれ性の低い領域と、組成物に対するぬれ性の高い領域を形成し、ぬれ性の高い領域に前記組成物を用いて導電層を形成する。ぬれ性が大きく異なる領域（ぬれ性に大きく差を有する領域）を形成できるので、液状の導電性材料又は絶縁性材料が、被形成領域のみに正確に付着する。よって、所望のパターンに正確に導電層、絶縁層を形成することができる （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の製造方法を簡略化する。
【解決手段】 表示装置に用いられるＴＦＴ基板であって、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、前記表示装置の画素を制御する画素電極と、前記透明基板上に設けられ、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、を備え、前記薄膜トランジスタは、少なくとも、Ａｌゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体層と、第２の半導体層と、Ａｌソース・ドレイン電極と、を含み、前記画素電極は、前記Ａｌゲート電極及び／又は前記Ａｌソース・ドレイン電極と直接接合し、当該画素電極が、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とするＴＦＴ基板である。バリヤーメタルを設けていないので、製造工程を簡略化することができる。 （もっと読む）

【課題】 シンチレータによって発生するクロストークを抑制し解像度を向上させることを可能とした放射線検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 画素を構成するフォトダイオード６上部領域の平坦化層３の表面状態の平坦性を高くするとともに、隣接画素との境界領域上部の平坦化層３の表面状態の平坦性を低下させることで、平坦化層３上部に結晶成長させるシンチレータ４の結晶性がフォトダイオード６上部領域と比較して画素境界領域上部が低下し、これによって隣接画素に入射する光量を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッドマルチビット不揮発性メモリ素子を提供する。
【解決手段】第１方式でデータを保存できる第１ストレージノードを備えている第１メモリ部と、第１メモリ部とは異なる第２方式でデータを保存できる第２ストレージノードを備えている第２メモリ部とを備える不揮発性メモリ素子である。第１メモリ部及び第２メモリ部は、ソース及びドレインを共有して２ビット以上のマルチビット動作が可能である。 （もっと読む）

【課題】短い光路長で線状のビームスポットを形成でき、または長辺方向の長さが長い線状のビームスポットを形成でき、さらにその線方向の両端における集光位置のずれを解消できるレーザ照射装置を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを、長辺方向と短辺方向とを有する線状のビームスポットに成形する光学系を有するレーザ照射装置において、前記光学系は、前記第一の短辺方向集光用シリンドリカルレンズと前記第二の短辺方向集光用シリンドリカルレンズとの間に長辺方向集光用シリンドリカルレンズが配置され、前記長辺方向集光用シリンドリカルレンズで均一面の位置のずれを発生させ、前記均一面から前記第二の短辺方向集光用シリンドリカルレンズまでの距離が画角によらず一定となるようにすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平坦性の向上により、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減する。
【解決手段】基板上に非晶質構造の半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜上に結晶化を促進する金属元素を添加する工程と、加熱処理を行って、前記半導体膜を結晶構造の半導体膜とする工程と、前記結晶構造の半導体膜に第１のレーザー光を照射する工程と、前記結晶構造の半導体膜に第２のレーザー光を照射する工程とを有する。レーザー光を照射する工程を２回設けることにより、結晶構造の半導体膜の平坦化を向上させることができる。その結果、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性であって、作製が簡単であり、追記が可能な記憶装置および半導体装置を安価で提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に設けられた、第１のトランジスタと第２のトランジスタとを含む素子形成層と、素子形成層上に設けられた記憶素子と、記憶素子の上方に設けられたセンサ部とを有し、記憶素子は、第１の導電層と有機化合物層と第２の導電層との積層構造を有し、第１の導電層と第１のトランジスタとが電気的に接続され、センサ部と第２のトランジスタが電気的に接続されるように設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明では、基板上に設けられた薄膜トランジスタ等を有する素子形成層を当該基板から剥離することにより半導体装置を作製する方法であって、低コストで信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に金属膜を形成し、金属膜にプラズマ処理を行うことによって金属膜の表面に金属酸化膜を形成し、金属酸化膜上に素子形成層を形成し、素子形成層を覆って絶縁膜を形成し、絶縁膜および素子形成層に開口部を形成し、開口部にエッチング剤を導入して金属膜および金属酸化膜を除去し、基板から素子形成層を剥離することを特徴としている。剥離は金属膜および金属酸化膜の一部を除去し、その後物理的手段を用いることによって剥離することも可能である。 （もっと読む）

本発明では液滴吐出装置から吐出された液滴が基板に着弾した後の位置制御を改善することが可能なパターンの作製方法を提供する。また着弾後の液滴位置精度を改善することが可能な液滴吐出装置を提供する。更には、本発明の液滴吐出装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
本発明は、吐出部から吐出された液滴、又は液滴を着弾する基板にレーザ光を照射して、液滴の着弾位置を制御することを特徴とする。本発明によりフォトリソグラフィー工程を用いることなくパターンを形成することが可能である。
（もっと読む）

【課題】不揮発性であって、作製工程が簡単であり、追記が可能な記憶回路およびアンテナを有する半導体装置及びその作製方法の提供を課題とし、さらに不本意な無線チップの情報の書き換え防止や、無線チップ自体の偽造防止を図り、無線チップのセキュリティの確保を課題とする。
【解決手段】無線通信信号により情報確認が可能なＩＣタグであり、且つ、ＩＣタグのメモリ（書き換え不可能なメモリ）の情報確認が光学読み取り装置でも可能とすることを特徴とする。本発明のＩＣタグのメモリには情報確認が光学読み取り装置で可能な識別面を有している。 （もっと読む）

【課題】 効率良く導電パターンを交差して形成し、低コスト化を図ることが可能な配線基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 同一基板上に、交差する複数の導電パターンを形成する工程を含む配線基板の製造方法であって、複数の導電パターンのうち一方の導電パターン１３と、該一方の導電パターン１３から離間するとともに、一方の導電パターン１３を挟むように配置された複数の他方の導電パターン１１とを形成する工程と、少なくとも他方の導電パターン１１に挟まれた部分の一方の導電パターン１３を絶縁材料により被覆する工程と、複数の他方の導電パターン１１間を絶縁材料により被覆された箇所の上方で無電解めっきにより電気的に接続する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）