【課題】 ＳＯＩ基板上に、高精度なアナログＩＣが形成された半導体装置を安価に提供する こと。
【解決手段】 ＳＯＩ基板上に形成した半導体集積回路において、ブリーダー抵抗は単結晶シ リコンデバイス形成層で形成し、ブリーダー抵抗の上部には、薄い酸化膜を介して上部抵抗値 固定用電極を設けてそれぞれの下部に位置するブリーダー抵抗と同一の電位に固定し、基板部 分には不純物拡散領域を設けて、それぞれの上部に位置するブリーダー抵抗と同一の電位に固 定するようにした。さらに１つの電位固定用のコンタクトホールに埋め込まれた導電体により 、上部抵抗値固定用電極とブリーダー抵抗と不純物拡散領域の３つを一括して電気的に接続し た半導体装置とした。
これにより高精度で安価なアナログＩＣを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ基板上に、完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタと、高耐圧型ＭＯＳトランジスタとを混載した高精度なアナログＩＣが形成された半導体装置を安価に提供すること。
【解決手段】 ブリーダ抵抗はＳＯＩ基板上の単結晶シリコンデバイス形成層で形成し、それぞれのブリーダ抵抗の上面には、高速ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜及びゲート電極により抵抗値固定用電極を形成し、下部に位置するブリーダ抵抗と同電位になるようにした。
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【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置の作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】 本発明の配線基板の作製方法の一は、被処理物を有する第１の領域を形成し、一部の被処理物表面を改質して、第１の領域と境界線を有する第２の領域を形成し、境界線を越えて第１の領域の一部、及び第２の領域に連続的に導電性材料を含む組成物を吐出し、組成物を固化して導電層を形成し、境界線を越えて第１の領域の一部に形成された導電層を除去する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ回路において、例えば基板が収縮してしまっても、チャネルドープの打ち分け位置（境界位置）を特定できるようにした、薄膜トランジスタ回路基板と、この薄膜トランジスタ回路基板の検査方法、及び電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】 基板上にＮ型トランジスタ８Ｎを形成するＮチャネル領域９Ｎと、Ｐ型トランジスタを形成するＰチャネル領域８Ｐとが形成され、Ｎチャネル領域９ＮとＰチャネル領域９Ｐとの少なくとも一方の半導体層にチャネルドープがなされた薄膜トランジスタ回路基板である。Ｎチャネル領域９ＮとＰチャネル領域９Ｐとの境界部に、Ｎチャネル領域９Ｎ又はＰチャネル領域９Ｐの部分的な抵抗を測定するための検査要素の集合体である検査要素グループ２０が、少なくともＮチャネル領域９ＮとＰチャネル領域９Ｐとの境界線１０の両側に位置するようにして設けられている。 （もっと読む）

【課題】 半導体層の結晶品質を良好に保ちつつ、互いに異なる膜厚を有する半導体層を絶縁層上に形成する。
【解決手段】 厚膜半導体領域Ｒ２の第１単結晶半導体層１２ａ、１２ｂをエッチング除去するとともに、薄膜半導体領域Ｒ３の第１単結晶半導体層１２ｃ、１２ｄをエッチング除去し、厚膜半導体領域Ｒ２の第２単結晶半導体層１３ａおよび薄膜半導体領域Ｒ３の第２単結晶半導体層１３ｃが消失するまで、半導体基板１１、第２単結晶半導体層１３ａ〜１３ｄおよび支持体１６の熱酸化を行うことにより、厚膜半導体領域Ｒ２の第２単結晶半導体層１３ｂおよび薄膜半導体領域Ｒ３の第２単結晶半導体層１３ｄ下に絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ用途に有用な有機ＴＦＴ材料を分子設計し、得られた有機ＴＦＴ材料を用いて、キャリア移動度が高く、且つ高耐久性を併せ持つ有機ＴＦＴを提供することであり、更には該有機ＴＦＴを用いた電界効果トランジスタ、該有機ＴＦＴまたは該電界効果トランジスタを有するスイッチング素子を提供することである。
【解決手段】 ４位及び５位に置換基を有するチオフェン環を両末端に有し、それぞれがその２位で複素芳香環を含む共役系をもって結合する化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ材料。 （もっと読む）

【課題】 薄膜集積回路の飛散を防止する。
【解決手段】 本発明の薄膜集積回路の作製方法では、基板の一表面に剥離層を選択的に形成する。そうすると、剥離層が設けられた第１の領域と、剥離層が設けられていない第２の領域が形成される。次に、剥離層の上方に、薄膜集積回路を形成する。続いて、剥離層を露出させる開口部を形成し、開口部にエッチング剤を導入し、剥離層を除去する。そうすると、剥離層が設けられた領域では空間が生じるが、剥離層が設けられていない領域では空間が生じない。このように、剥離層を除去した後に、空間が生じない領域を設けることにより、剥離層を除去した後の薄膜集積回路の飛散を防止する。 （もっと読む）

【課題】 互いに異なる膜厚を有する絶縁層上に半導体層を形成する。
【解決手段】 第２単結晶半導体層１３ａ、１３ｂ間の第１単結晶半導体層１２ａ、１２ｂを除去することにより、第２単結晶半導体層１３ａ、１３ｂ間に空洞部１７を形成した後、厚膜化ＢＯＸ層領域Ｒ２の第２単結晶半導体層１３ａが消失するまで、半導体基板１１、第２単結晶半導体層１３ａ、１３ｂおよび支持体１６の熱酸化を行うことにより、第２単結晶半導体層１３ｂ下に絶縁層１８を形成し、厚膜化ＢＯＸ層領域Ｒ２と薄膜化ＢＯＸ層領域Ｒ３とで第２単結晶半導体層１３ｂ下の絶縁層１８の膜厚を異ならせる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート容量が小さく、短チャネル効果が抑制された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を作製する。またゲート配線の配線抵抗を減少させ、回路面積の減少とＴＦＴの高速駆動を可能にする。
【解決手段】 ゲート電極を二層にし、下層の幅を上層よりも小さくすることにより、ゲート電極と半導体膜からなる活性層の重なる面積が小さくなる。これによりゲート容量を減少させ、短チャネル効果を抑制することができるので、ＴＦＴを高速駆動させることが可能である。また、ゲート電極と配線を一体形成せず別々に形成することによって、ＴＦＴによって構成される回路面積も縮小でき、高速化に寄与できる。 （もっと読む）

【課題】 塗布対象物との密着性が、従来よりも改善された導電性インキ組成物を提供する。また、金属の粒成長を抑制し、表面平滑性に優れた膜を形成することができる導電性インキ組成物を提供する。
【解決手段】 少なくとも貴金属を含む合金からなる金属微粒子の表面を、少なくとも二種の有機化合物からなる保護コロイドで被覆されてなる固形物を有機溶媒に分散させて導電性インキ組成物とする。上記保護コロイドには、例えば、（Ａ）アミン類と、（Ｂ）カルボン酸とを含む原料から得られる保護コロイドを使用する。上記導電性インキ組成物を塗布、焼成することで、粒成長が抑制され、表面平滑性に優れ、塗布対象物との密着性が従来よりも改善された金属膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 完全空乏型ＳＯＩデバイス構造を有するパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置において、ＥＳＤ保護素子がＥＳＤ破壊強度を充分に確保しつつ内部素子のＥＳＤ保護を可能とする構造を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体薄膜層上に形成される完全空乏型ＳＯＩＣＭＯＳのＮＭＯＳのゲート電極の導電型がＮ型であるのに対し、ＥＳＤ入出力保護素子となるＮＭＯＳ保護トランジスタを半導体支持基板上に形成し、ゲート電極の導電型をＰ型とすることで、ＥＳＤ破壊強度を充分に確保し、かつＥＳＤノイズに弱い完全空乏型ＳＯＩＣＭＯＳデバイスの入出力保護、特に出力保護を可能にする構造とした。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射時の振動の発生を抑制し、一様なエネルギープロファイルを持つレーザビームを一方向に移動させることにより、信頼性のよい半導体装置を短時間で量産する。
【解決手段】 円柱状の回転体の表面に、回転体の曲率に沿って基板を回転体表面に吸着させ、回転体を回転させ、基板上に成膜された半導体膜を一度にレーザ照射する。また、回転体の回転軸方向に移動機構を設け、回転体が１回転したときに照射位置をずらすようにする。または回転体を回転させながら回転軸方向に移動させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】最終製品の歩留まりを向上させるための改善された製造システム、及びそれに適した検査装置を提供すること。
【解決手段】レシピにより管理されるディスプレイ装置の製造システムは、半導体材料の薄膜形成及び画素の駆動回路の形成を行うパネル基板製造手段（工程５０）と、製造されたパネル基板を検査する検査手段（工程２０）と、検査を経たパネル基板上に有機ＥＬ又は液晶材料を含む表示媒体を実装する実装手段（工程３０）とを含む。検査手段の有する検査装置は、検査時に画素の各々の駆動回路における駆動電圧の閾値を決定し、当該閾値は、パネル基板製造手段における基板製造パラメータ決定の基準とされる。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で大面積基板に微細な形状を有する配線を形成する方法、及びそれにより形成された配線基板を提供する。また、少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】金属粒子と有機樹脂とで形成される組成物１０２をインクジェット法で基板１０１上に描画し、それにレーザ光１０３を照射し、金属粒子の一部を焼成して、配線、電極等に代表される導電層１０５を基板上に形成することを特徴とする。また、上記焼成された導電層を配線又は電極として有する半導体装置を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型化せずともチャネル抵抗を低くし、より効率よく電流が流れる薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】ＥＬディスプレイパネルにおいては、画素の有機ＥＬ素子２０の周囲には薄膜トランジスタ２３が設けられている。薄膜トランジスタ２３は、ゲート２３ｇと、ゲート２３ｇ上に形成されたゲート絶縁膜３１と、ゲート絶縁膜３１上に形成された半導体膜２３ｃと、半導体膜２３ｃの中央部上に形成されたチャネル保護膜２３ｐと、チャネル保護膜２３ｐに一部重なるように半導体膜２３ｃの両端部上に形成された不純物半導体膜２３ａ，２３ｂと、不純物半導体膜２３ａ上に形成されたドレイン２３ｄと、不純物半導体膜２３ｂ上に形成されたソース２３ｓと、から構成されている。第三トランジスタ２３は、ドレイン重なり長さＤがソース重なり長さＳよりも大きくなるよう設けられている。 （もっと読む）

加速領域、光放射および吸収レイヤー、および任意のエネルギーろ過領域から成る活性レイヤーを持ったサブ１００ｎｍＣＭＯＳを含む、ＣＭＯＳをモノリシックに集積した光素子を開示する。光放射または吸収はバルクシリコン、バルク・ゲルマニウム、厚膜ＳＯＩ、薄膜ＳＯＩ、薄膜ＧＯＩなどの、基板の既定のＣＭＯＳ活性領域上に置かれたフィルムに対する印加電圧によって制御される。
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【課題】表示装置の画素用ＴＦＴ、駆動回路用高速動作ＴＦＴに適した特性の異なるＴＦＴを有す半導体装置の提供。
【解決手段】 前記絶縁性基板２１上方に配置され、アモルファスシリコン層を出発材料とし、エキシマレーザ照射で多結晶化した第１の多結晶シリコン層２４ｂと、ＣＷレーザ照射で多結晶化した第２の多結晶シリコン層２４ｃと、第１の島状多結晶シリコン層２４ｂ上に形成され、第１および第２の絶縁層２５，２７を含む積層の第１のゲート絶縁膜と、第２の島状多結晶シリコン層２４ｃの少なくとも一部の上に形成され、前記第１および第２の絶縁層２５、２７のいずれか一方を含んで形成された第２のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成された第１及び第２のゲート電極２８、２６と、を有し、第１及び第２のチャネル領域は、異なる不純物ドーピング濃度を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明はプラスチック若しくはプラスチックフィルム基板のように熱的に脆弱な基板に、多結晶半導体を用いて高機能集積回路を形成した半導体装置であって、さらに無線で電力又は信号の送受信を行う半導体装置、及びその通信システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、ストレス・ピール・オフ法等の剥離方法を用い、熱的に脆弱なプラスチック基板へ、高機能集積回路を固定した半導体装置、具体的にはプロセッサであって、無線通信、例えばアンテナ又は受光素子により電力又は信号の送受信を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＬＣＤや有機ＥＬ表示装置は表示部全体の輝度が均一であることが望ましいが、特に有機ＥＬ表示装置は、画素毎の輝度ムラが大きく問題である。また有機ＥＬ素子は輝度半減期があり、長寿命化も課題であった。
【解決手段】 画素毎にフォトセンサを配置し、有機ＥＬ素子の発光量に応じて画素毎に輝度を調整する。輝度の調整は発光量の小さい画素に合わせて輝度の大きい画素の電流量を小さくすることにより実現する。これにより低消費電力化を図り輝度ムラを補正できる。また受光回路で構成されるフォトセンサを画素毎に配置することにより、輝度ムラの補正を行い、更に、輝度半減期における輝度補正が可能となり、長寿命化が図れる。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、工程、装置を複雑化することなく、要求される特性を有する薄膜トランジスタを作製することを目的とする。また、薄膜トランジスタの特性を精密に自由に制御することで、高い信頼性や優れた電気特性を有する半導体装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層で覆われている半導体層のソース領域側かドレイン領域側の一方に、低濃度不純物領域を作製する。低濃度不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして、半導体層表面に対し、斜めにドーピングすることによって形成される。よって、薄膜トランジスタの微細な特性の制御を行うことができる。 （もっと読む）