半導体基板、半導体装置、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法
【課題】 半導体層の結晶品質を良好に保ちつつ、互いに異なる膜厚を有する半導体層を絶縁層上に形成する。
【解決手段】 厚膜半導体領域R2の第1単結晶半導体層12a、12bをエッチング除去するとともに、薄膜半導体領域R3の第1単結晶半導体層12c、12dをエッチング除去し、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13aおよび薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13cが消失するまで、半導体基板11、第2単結晶半導体層13a〜13dおよび支持体16の熱酸化を行うことにより、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13bおよび薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13d下に絶縁層を形成する。
【解決手段】 厚膜半導体領域R2の第1単結晶半導体層12a、12bをエッチング除去するとともに、薄膜半導体領域R3の第1単結晶半導体層12c、12dをエッチング除去し、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13aおよび薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13cが消失するまで、半導体基板11、第2単結晶半導体層13a〜13dおよび支持体16の熱酸化を行うことにより、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13bおよび薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13d下に絶縁層を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は半導体基板、半導体装置、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法に関し、特に、SOI(Silicon On Insulator)基板上に形成された電界効果トランジスタに適用して好適なものである。
【背景技術】
【0002】
SOI基板上に形成された電界効果トランジスタは、素子分離の容易性、ラッチアップフリー、ソース/ドレイン接合容量が小さいなどの点から、その有用性が注目されている。
また、例えば、特許文献1には、高耐圧電界効果トランジスタをSOI基板上に形成する方法が開示されている。また、特許文献2には、サブミクロン程度に微細化された電界効果トランジスタをSOI基板上に形成する方法が開示されている。
【0003】
ここで、用途の異なる半導体素子では、最適なSOI層の膜厚が異なっている。すなわち、高い電圧負荷がかかる高耐圧電界効果トランジスタでは、PN接合耐圧を確保するため、SOI層を厚膜化する必要があり、SOI層の膜厚はμmオーダーとなる。例えば、100V程度のドレイン耐圧を持つ高耐圧電界効果トランジスタでは、SOI層の膜厚は数μm程度だけ必要となる。
【0004】
一方、サブミクロン程度に微細化された電界効果トランジスタでは、短チャネル効果によるパンチスルーリークや閾値低下を抑制するため、BOX層を薄膜化する必要があり、BOX層の膜厚は数百オングストロームオーダーとなる。例えば、実行チャネル長が0.1μm以下になると、SOI層の膜厚を50nm以下に設定する必要がある。
一方、ユピキタス社会の到来に伴って、情報携帯機器の小型化、低消費電力化、多機能化、大容量化を一層促進するために、様々の耐圧を持つデバイスやデジタルとアナログのデバイスを1チップ上に混載することが可能なSOC(System On Chip)技術が注目されている。
【0005】
また、特許文献3には、SOI基板上でSOCを実現できるようにするため、半導体基板の主面から異なる深さに絶縁膜を埋め込むことで、用途の異なる半導体素子をその用途に適した厚みを有する活性層内に形成する方法が開示されている。
【特許文献1】特開平7−225410号公報
【特許文献2】特開2003−158091号公報
【特許文献3】特開2002−299591号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、特許文献1、2に開示された方法では、BOX層の膜厚はSOI基板で一定に保たれる。このため、用途の異なる半導体素子をSOI基板上に形成するには、用途ごとに半導体素子を別々のSOI基板上に作り分ける必要があり、SOCを実現する上での障害になるという問題があった。
また、特許文献3に開示された方法では、半導体基板の主面から異なる深さに絶縁膜を埋め込むために、異なるエネルギーで酸素イオンをシリコン基板に注入することが行われる。このため、シリコン基板に物理的損傷が発生し、SOI層の結晶性や純度が劣化することから、SOI層に半導体素子を形成すると、PN接合リークなどに起因して特性の劣化を引き起こすという問題があった。
【0007】
さらに、特許文献3に開示された方法では、BOX層と素子分離層との間にマスクずれが発生すると、BOX層の欠落や重複が発生する。このため、半導体素子の素子分離間隔が大きくなったり、素子分離領域近傍の素子の特性劣化が発生し、半導体素子の集積度が低下したり、半導体素子の信頼性が劣化したりするという問題があった。
そこで、本発明の目的は、半導体層の結晶品質を良好に保ちつつ、互いに異なる膜厚を有する半導体層を絶縁層上に形成することが可能な半導体基板、半導体装置、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体基板によれば、半導体基材と、前記半導体基材上の少なくとも一部の領域に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された膜厚が互いに異なる単結晶半導体層とを備えることを特徴とする。
これにより、単結晶半導体層に与える物理的損傷を抑制しつつ、半導体素子の用途に適するように単結晶半導体層の膜厚を設定することができる。このため、それぞれ最適な膜厚を有する単結晶半導体層上に用途の異なる半導体素子を形成することが可能となるとともに、単結晶半導体層の結晶性や純度の劣化を抑制することを可能として、高いモビリティーを確保しつつ、接合リークを低減することができる。
【0009】
この結果、短チャネル効果を抑制することを可能としつつ、電界効果トランジスタの高速化および微細化を図ることが可能となるとともに、PN接合耐圧を確保することを可能としつつ、高耐圧電界効果トランジスタを同一のSOI基板上に形成することが可能となる。このため、システム・オン・チップを同一のSOI基板上で実現することが可能となり、半導体装置の小型化、低消費電力化、多機能化および大容量化を促進することができる。
【0010】
また、本発明の一態様に係る半導体基板によれば、半導体基材と、前記半導体基材上の第1領域に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成された第1単結晶半導体層と、前記半導体基材上の第2領域に形成され、エッチング時の選択比が異なる半導体層が交互に積層された積層構造と、前記積層構造上に形成された第2絶縁層と、前記第2絶縁層上に形成された第2単結晶半導体層とを備えることを特徴とする。
【0011】
これにより、半導体層が交互に積層された積層構造上に形成された第2絶縁層上に第2単結晶半導体層を配置することが可能となるとともに、半導体基材上に直接形成された第1絶縁層上に第1単結晶半導体層を配置することが可能となる。このため、半導体基材上において、第1絶縁層と第2絶縁層とが配置される高さを異ならせることが可能となり、第1単結晶半導体層と第2単結晶半導体層との間で平坦化を図ることを可能としつつ、第1単結晶半導体層と第2単結晶半導体層との膜厚を互いに異ならせることができる。
【0012】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、半導体基板と、前記半導体基板上の一部の領域に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された単結晶半導体層と、前記半導体基板と前記単結晶半導体層とに形成された互いに用途の異なる半導体素子とを備えることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、半導体基板と、前記半導体基板上の少なくとも一部の領域に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された膜厚が互いに異なる単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層に形成された互いに用途の異なる半導体素子とを備えることを特徴とする。
【0013】
これにより、半導体素子を用途ごとに別々のSOI基板上に作り分けることなく、それぞれ最適な膜厚を有する単結晶半導体層上に用途の異なる半導体素子を形成することを可能となり、システム・オン・チップの高性能化を図ることができる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、半導体基板と、前記半導体基板上の一部の領域に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された膜厚が互いに異なる単結晶半導体層と、前記半導体基板と、前記膜厚が互いに異なる単結晶半導体層とに形成されたそれぞれ用途の異なる半導体素子とを備えることを特徴とする。
【0014】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記単結晶半導体層を水平方向に素子分離する素子分離領域をさらに備え、前記膜厚が互いに異なる単結晶半導体層は前記素子分離領域間に自己整合的に配置されていることを特徴とする。
これにより、単結晶半導体層の欠落や重複を防止することを可能としつつ、半導体素子の用途ごとに単結晶半導体層の膜厚を異ならせることが可能となる。このため、互いに用途の異なる半導体素子を同一のSOI基板上に形成することを可能としつつ、半導体素子の高集積化および高信頼性化を図ることができる。
【0015】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記半導体基板には保護回路またはトレンチメモリーセルが配置され、前記膜厚が互いに異なる単結晶半導体層のうち、膜厚の薄い方の単結晶半導体層には、完全空乏型電界効果トランジスタが配置され、膜厚の厚い方の単結晶半導体層には、部分空乏型電界効果トランジスタまたはバイポートランジスタが配置されていることを特徴とする。
【0016】
これにより、高速・低パワー半導体素子では、実行チャネル長が0.1μm以下の時、単結晶半導体層の膜厚を50nm以下にすることが可能となり、短チャネル効果が抑制されるとともに、高性能化かつ高信頼性化された微細トランジスタを提供することができる。また、高い電圧負荷がかかるトランジスタでは、単結晶半導体層の膜厚を厚膜化することが可能となり、高い接合耐圧や大電流容量を確保することを可能として、高性能化かつ高信頼性化された高耐圧・大電流トランジスタを提供することができる。
【0017】
また、本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法によれば、第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層が前記第1半導体層上に積層された第1積層構造を半導体基材上に形成する工程と、第3半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第4半導体層が前記第3半導体層上に積層された第2積層構造を前記第1積層構造上の一部の領域に形成する工程と、前記第1半導体層から前記第4半導体層を貫通して前記半導体基材を露出させる第1溝を形成する工程と、前記半導体基材上で前記第2および第4半導体層を支持する支持体を前記第1溝内の前記第1半導体層から前記第4半導体層の側壁に形成する工程と、前記第1半導体層の少なくとも一部を前記第2半導体層から露出させる第2溝を、前記第1溝で区分けされた第1領域に形成する工程と、前記第3半導体層の少なくとも一部を前記第4半導体層から露出させる第3溝を、前記第1溝で区分けされた第2領域に形成する工程と、前記第2溝および第3溝を介して前記第1および第3半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第2および第4半導体層下に空洞部を形成する工程と、前記空洞部を介して前記第2および第4半導体層の熱酸化を行うことにより、前記第2および第4半導体層下に配置された絶縁層を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【0018】
これにより、第1溝内に形成された支持体を介して、第2および第4半導体層を半導体基材上で支持することが可能となるとともに、第2および第4半導体層からそれぞれ露出する第1および第3半導体層の高さを第1領域と第2領域とで異ならせることを可能としつつ、第2溝および第3溝を介して、第1および第3半導体層にエッチングガスまたはエッチング液を接触させることが可能となる。このため、第2および第4半導体層を半導体基材上で安定して支持することを可能としつつ、第2および第4半導体層下にそれぞれ配置された第1および第3半導体層を除去することが可能となるとともに、第2および第4半導体層下でそれぞれ除去される第1および第3半導体層の高さを第1領域と第2領域とで異ならせることが可能となる。この結果、第1および第3半導体層を除去した後に熱酸化にて形成される絶縁層の高さを第1領域と第2領域とで異ならせることが可能となり、第1領域と第2領域との間における半導体層の膜厚を互いに異ならせることができる。
【0019】
また、本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法によれば、前記第2半導体層、前記第4半導体層および前記支持体は単結晶Si、前記第1半導体層および前記第3半導体層は単結晶SiGeであることを特徴とする。
これにより、第1から第4半導体層および支持体の格子整合をとることを可能としつつ、第2半導体層、第4半導体層および支持体よりも第1半導体層および第3半導体層のエッチング時の選択比を大きくすることが可能となる。このため、結晶品質の良い第2および第4半導体層を第1および第3半導体層上にそれぞれ形成することが可能となるとともに、支持体を第1溝内に安定して形成することが可能となり、第2および第4半導体層の品質を損なうことなく、膜厚が互いに異なる単結晶半導体層を同一の半導体基板に形成することができる。
【0020】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層が前記第1半導体層上に積層された第1積層構造を半導体基板上に形成する工程と、第3半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第4半導体層が前記第3半導体層上に積層された第2積層構造を前記第1積層構造上の一部の領域に形成する工程と、前記第1半導体層から前記第4半導体層を貫通して前記半導体基板を露出させる第1溝を形成する工程と、前記半導体基板上で前記第2および第4半導体層を支持する支持体を前記第1溝内の前記第1半導体層から前記第4半導体層の側壁に形成する工程と、前記第1半導体層の少なくとも一部を前記第2半導体層から露出させる第2溝を、前記第1溝で区分けされた第1領域に形成する工程と、前記第3半導体層の少なくとも一部を前記第4半導体層から露出させる第3溝を、前記第1溝で区分けされた第2領域に形成する工程と、前記第2溝および第3溝を介して前記第1および第3半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第2および第4半導体層下に空洞部を形成する工程と、前記空洞部を介して前記第2および第4半導体層の熱酸化を行うことにより、前記第2および第4半導体層下に配置された絶縁層を形成する工程と、互いに用途の異なる半導体素子を前記第2および第4半導体層にそれぞれ形成する工程とを備えることを特徴とする。
【0021】
これにより、第2および第4半導体層の品質を損なうことなく、第2および第4半導体層下に配置された絶縁層の高さを異ならせることが可能となるとともに、膜厚が互いに異なる第2および第4半導体層を素子分離領域間に自己整合的に配置することができる。このため、第2および第4半導体層の欠落や重複を防止することを可能としつつ、半導体素子の用途ごとに第2および第4半導体層の膜厚をそれぞれ異ならせることが可能となるとともに、互いに用途の異なる半導体素子を第2および第4半導体層上にそれぞれ形成することが可能となり、システム・オン・チップの小型化、低消費電力化、多機能化、大容量化および高信頼性化を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0022】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。
図1〜図26は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図である。
図1および図2において、第1単結晶半導体層12a、12bおよび第2単結晶半導体層13a、13bを半導体基板11上に交互にエピタキシャル成長し積層する。なお、半導体基板11、第1単結晶半導体層12a、12bおよび第2単結晶半導体層13a、13bの材質としては、例えば、Si、Ge、SiGe、GaAs、InP、GaP、GaN、SiCなどを用いることができる。
【0023】
ここで、第1単結晶半導体層12a、12bは、半導体基板11および第2単結晶半導体層13a、13bよりもエッチング時の選択比が大きな材質を用いることができる。特に、半導体基板11がSiの場合、第1単結晶半導体層12a、12bとしてSiGe、第2単結晶半導体層13a、13bとしてSiを用いることが好ましい。これにより、第1単結晶半導体層12a、12bと第2単結晶半導体層13a、13bとの間の格子整合をとることを可能としつつ、第1単結晶半導体層12a、12bと第2単結晶半導体層13a、13bとの間の選択比を確保することができる。
【0024】
なお、半導体基板11には、無BOX層領域R1、厚膜半導体領域R2および薄膜半導体領域R3を設けることができる。そして、無BOX層領域R1には、保護ダイオードまたはバイポートランジスタを形成し、厚膜半導体領域R2には、部分空乏型電界効果トランジスタを形成し、薄膜半導体領域R3には、完全空乏型電界効果トランジスタを形成することができる。
【0025】
そして、CVDなどの方法により、第2単結晶半導体層13b上の全面に酸化膜10を堆積する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、酸化膜10をパターニングすることにより薄膜半導体領域R3の酸化膜10を除去し、薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13bを露出させる。
そして、酸化膜10をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、第1単結晶半導体層12c、第2単結晶半導体層13cおよび第1単結晶半導体層12dを、薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13b上に選択的に形成する。
【0026】
次に、図3および図4に示すように、第2単結晶半導体層13b上の酸化膜10を除去した後、第2単結晶半導体層13bおよび第1単結晶半導体層12d上にエピタキシャル成長を行うことにより、第2単結晶半導体層13dを第2単結晶半導体層13bおよび第1単結晶半導体層12d上に形成する。
なお、第1単結晶半導体層12c、12dおよび第2単結晶半導体層13c、13dの材質としては、例えば、Si、Ge、SiGe、GaAs、InP、GaP、GaN、SiCなどを用いることができる。ここで、第1単結晶半導体層12c、12dは、第2単結晶半導体層13c、13dよりもエッチング時の選択比が大きな材質を用いることができる。特に、第2単結晶半導体層13c、13dがSiの場合、第1単結晶半導体層12c、12dとしてSiGeを用いることが好ましい。
【0027】
また、上述した実施形態では、第1単結晶半導体層12c、第2単結晶半導体層13cおよび第1単結晶半導体層12dを薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13b上に選択的に形成するために、酸化膜10をマスクとしたエピタキシャル成長を用いる方法について説明したが、第1単結晶半導体層12c、第2単結晶半導体層13cおよび第1単結晶半導体層12dを第2単結晶半導体層13b上の全面に形成し、無BOX層領域R1および厚膜半導体領域R2の第1単結晶半導体層12c、第2単結晶半導体層13cおよび第1単結晶半導体層12dを選択的に除去するようにしてもよい。
【0028】
次に、図5および図6に示すように、第2単結晶半導体層13dの熱酸化により第2単結晶半導体層13dの表面に犠牲酸化膜14を形成する。そして、CVDなどの方法により、犠牲酸化膜14上の全面に酸化防止膜15を形成する。なお、酸化防止膜15としては、例えば、シリコン窒化膜を用いることができる。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、酸化防止膜15、犠牲酸化膜14、第1単結晶半導体層12a〜12dおよび第2単結晶半導体層13a〜13dをパターニングすることにより、半導体基板11を露出させる溝M1を所定の方向に沿って形成する。
【0029】
なお、半導体基板11を露出させる場合、半導体基板11の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、半導体基板11をオーバーエッチングして半導体基板11に凹部を形成するようにしてもよい。また、溝M1の配置位置は、無BOX層領域R1、厚膜半導体領域R2および薄膜半導体領域R3を互いに分離させる素子分離領域の一部に対応させることができる。また、無BOX層領域R1、厚膜半導体領域R2および薄膜半導体領域R3を互いに分離させるとともに、無BOX層領域R1内がさらに細かく分断されるように、溝M1の配置するようにしてもよい。
【0030】
次に、図7および図8に示すように、第1単結晶半導体層12a〜12dおよび第2単結晶半導体層13a〜13dの側壁に成膜され、第2単結晶半導体層13a〜13dを半導体基板11上で支持する支持体16を溝M1内に形成する。なお、第1単結晶半導体層12a〜12dおよび第2単結晶半導体層13a〜13dの側壁に成膜された支持体16を形成する場合、半導体のエピタキシャル成長を用いることができる。ここで、半導体のエピタキシャル成長を用いることにより、第1単結晶半導体層12a〜12dおよび第2単結晶半導体層13a〜13dの側壁ならびに半導体基板11の表面に支持体16を選択的に形成することができる。なお、支持体16の材質としては、例えば、Si、Ge、SiGe、SiC、SiSn、PbS、GaAs、InP、GaP、GaNまたはZnSeなどから選択することができる。特に、半導体基板11および第2単結晶半導体層13a〜13dがSi、第1単結晶半導体層12a〜12dがSiGeの場合、支持体16の材質としてSiを用いることが好ましい。
【0031】
これにより、支持体16と第1単結晶半導体層12a〜12dとの間の格子整合をとることを可能としつつ、支持体16と第1単結晶半導体層12a〜12dとの間の選択比を確保することができる。また、支持体16の材質として、Siなどの半導体を用いることにより、第1単結晶半導体層12a〜12dが除去された場合においても、半導体による3次元的な立体構造を維持することが可能となる。このため、化学的耐性や機械的ストレス耐性を向上させることが可能となり、再現性の良い安定した素子分離プロセスを実現することができる。なお、支持体16の材質としては、半導体の他、シリコン酸化膜などの絶縁体を用いるようにしてもよい。
【0032】
次に、図9および図10に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて酸化防止膜15、犠牲酸化膜14、第1単結晶半導体層12a、12bおよび第2単結晶半導体層13a、13b、13dをパターニングすることにより、半導体基板11を露出させる溝M2を溝M1と直交する方向に沿って厚膜半導体領域R2に形成する。なお、半導体基板11を露出させる場合、半導体基板11の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、半導体基板11をオーバーエッチングして半導体基板11に凹部を形成するようにしてもよい。また、溝M2の配置位置は、単結晶半導体層13dの素子分離領域に対応させることができる。
【0033】
次に、図11および図12に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて酸化防止膜15、犠牲酸化膜14、第1単結晶半導体層12c、12dおよび第2単結晶半導体層13c、13dをパターニングすることにより、第2単結晶半導体層13bを露出させる溝M3を溝M1と直交する方向に沿って薄膜半導体領域R3に形成する。なお、第2単結晶半導体層13bを露出させる場合、第2単結晶半導体層13bの表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、第2単結晶半導体層13bをオーバーエッチングして第2単結晶半導体層13bに凹部を形成するようにしてもよい。また、溝M3の配置位置は、単結晶半導体層13dの素子分離領域に対応させることができる。
【0034】
また、第2単結晶半導体層13bの表面を露出させる代わりに、第1単結晶半導体層12cの表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、第1単結晶半導体層12cをオーバーエッチングして第1単結晶半導体層12cの途中までエッチングするようにしてもよい。ここで、第1単結晶半導体層12cのエッチングを途中で止めることにより、溝M3内の第2単結晶半導体層13bの表面が露出されることを防止することができる。このため、第1単結晶半導体層12c、12dをエッチング除去する際に、溝M3内の第2単結晶半導体層13bがエッチング液またはエッチングガスに晒される時間を減らすことが可能となり、溝M3内の第2単結晶半導体層13bのオーバーエッチングを抑制することができる。
【0035】
次に、図13および図14に示すように、溝M2を介してエッチングガスまたはエッチング液を第1単結晶半導体層12a、12bに接触させるとともに、溝M3を介してエッチングガスまたはエッチング液を第1単結晶半導体層12c、12dに接触させることにより、厚膜半導体領域R2の第1単結晶半導体層12a、12bをエッチング除去するとともに、薄膜半導体領域R3の第1単結晶半導体層12c、12dをエッチング除去する。そして、厚膜半導体領域R2では、半導体基板11と第2単結晶半導体層13aとの間ならびに第2単結晶半導体層13a、13b間に空洞部17を形成するとともに、薄膜半導体領域R3では、第2単結晶半導体層13b〜13dの間に空洞部17を形成する。
【0036】
ここで、溝M1内に支持体16を設けることにより、第1単結晶半導体層12a〜12dが除去された場合においても、第2単結晶半導体層13a〜13dを半導体基板11上で支持することが可能となるとともに、溝M1とは別に溝M2、M3を設けることにより、第2単結晶半導体層13a〜13d下にそれぞれ配置された第1単結晶半導体層12a〜12dにエッチングガスまたはエッチング液を接触させることが可能となる。このため、第2単結晶半導体層13a〜13dの結晶品質を損なうことなく、半導体基板11と第2単結晶半導体層13aとの間ならびに第2単結晶半導体層13a〜13dの間に空洞部17を形成することができる。
【0037】
また、薄膜半導体領域R3では、第1単結晶半導体層12b上に第2単結晶半導体層13bが残るように溝M3の深さを設定することにより、薄膜半導体領域R3の第1単結晶半導体層12a、12bを残したまま、厚膜半導体領域R2の第1単結晶半導体層12a、12bを除去することができる。このため、厚膜半導体領域R2では、第1単結晶半導体層12a、12b間の第2単結晶半導体層13aを熱酸化することが可能となるとともに、薄膜半導体領域R3では、第1単結晶半導体層12a、12b間の第2単結晶半導体層13aが熱酸化されることを防止しつつ、第2単結晶半導体層13aよりも上層に配置された第2単結晶半導体層13cを熱酸化することが可能となる。この結果、第2単結晶半導体層13a〜13dの熱酸化にて形成される絶縁層18の高さを厚膜半導体領域R2と薄膜半導体領域R3とで異ならせることが可能となり、厚膜半導体領域R2と薄膜半導体領域R3とで第2単結晶半導体層の膜厚を異ならせることができる。
【0038】
なお、半導体基板11、第2単結晶半導体層13a〜13dおよび支持体16がSi、第1単結晶半導体層12a〜12dがSiGeの場合、第1単結晶半導体層12a〜12bのエッチング液としてフッ硝酸を用いることが好ましい。これにより、SiとSiGeの選択比として1:1000〜10000程度を得ることができ、半導体基板11、第2単結晶半導体層13a〜13dおよび支持体16のオーバーエッチングを抑制しつつ、第1単結晶半導体層12a〜12dを除去することが可能となる。
【0039】
次に、図15および図16に示すように、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13aおよび薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13cが消失するまで、半導体基板11、第2単結晶半導体層13a〜13dおよび支持体16の熱酸化を行うことにより、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13b下および薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13d下に絶縁層18を形成する。ここで、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13aを消失させることにより、厚膜半導体領域R2では、第2単結晶半導体層13bと半導体基板11との間を絶縁層18で埋め尽くすことが可能となる。また、薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13cを消失させることにより、薄膜半導体領域R3では、第2単結晶半導体層13b、13d間を絶縁層18で埋め尽くすことが可能となる。
【0040】
このため、第2単結晶半導体層13b、13dの結晶品質を維持しつつ、厚膜半導体領域R2と薄膜半導体領域R3とで絶縁層18が配置される高さを異ならせることができ、厚膜半導体領域R2では、第2単結晶半導体層13b、13dを絶縁層18上に配置することが可能となるとともに、薄膜半導体領域R3では、第2単結晶半導体層13dを絶縁層18上に配置することが可能となる。この結果、半導体素子の用途に適するように第2単結晶半導体層の膜厚を設定することを可能としつつ、互いに用途の異なる半導体素子を同一の半導体基板11上に形成することができる。
【0041】
また、エピタキシャル成長時の第2単結晶半導体層13a〜13dの膜厚および第2単結晶半導体層13a〜13dの熱酸化時に形成された絶縁層18の膜厚によって、素子分離後の第2単結晶半導体層13b、13dの膜厚を規定することができる。このため、第2単結晶半導体層13b、13dの膜厚を精度よく制御することができ、第2単結晶半導体層13b、13dの膜厚のバラツキを低減させることを可能としつつ、厚膜半導体領域R2と薄膜半導体領域R3とで絶縁層18が配置される高さを異ならせることができる。また、第2単結晶半導体層13d上に酸化防止膜15を設けることで、第2単結晶半導体層13dの表面が熱酸化されることを防止しつつ、第2単結晶半導体層13bまたは第2単結晶半導体層13d下に絶縁層18を形成することが可能となる。
【0042】
また、空洞部17が埋め込まれるようにして絶縁層18を形成することにより、第2単結晶半導体層13b、13dを素子分離領域間に自己整合的に配置することが可能となる。このため、厚膜半導体領域R2および薄膜半導体領域R3において、第2単結晶半導体層13b、13dが欠落したり重複したりすることを防止しつつ、半導体素子の用途ごとに第2単結晶半導体層の膜厚を異ならせることが可能となり、半導体素子の高集積化および高信頼性化を図ることができる。
【0043】
ここで、第1単結晶半導体層12a〜12bの膜厚を同一にして、第2単結晶半導体層13aの膜厚を第1単結晶半導体層12a〜12bの膜厚の70%程度に設定することにより、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13b下の絶縁層18の膜厚を、第1単結晶半導体層12a、第2単結晶半導体層13aおよび第1単結晶半導体層12bの全体の膜厚とほぼ等しくすることができる。このため、絶縁層18にかかるストレスを抑制しつつ、厚膜半導体領域R2の空洞部17を絶縁層18で完全に塞ぐことが可能となり、熱抵抗の増大を抑制しつつ、絶縁層18上の第2単結晶半導体層13cの結晶性の劣化を抑制することが可能となる。また、第2単結晶半導体層13aの膜厚を第1単結晶半導体層12a〜12bの膜厚の70%未満に設定すれば、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13b下は絶縁層18と空洞で形成され、熱伝導的には抵抗が大きくなるものの、絶縁層18上の第2単結晶半導体層13cの結晶性の劣化を抑制することが可能となる。
【0044】
一方、第2単結晶半導体層13aの膜厚を第1単結晶半導体層12cの膜厚の70%をおおきく超える値に設定すれば、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13b下の絶縁層18の膜厚を、第1単結晶半導体層12a、第2単結晶半導体層13aおよび第1単結晶半導体層12bの全体の膜厚よりも大きくすることができる。このため、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13b、13dを持ち上げることが可能となり、厚膜半導体領域R2と薄膜半導体領域R3との間の平坦性を向上させることができる。
【0045】
なお、絶縁層18を形成した後、高温アニールを行う。これにより、絶縁層18をリフローさせることが可能となり、絶縁層18のストレスを緩和させることが可能となるとともに、界面準位を減らすことができる。
次に、図17および図18に示すように、CVDなどの方法により、絶縁層18が側壁に形成された溝M1〜M3内が埋め込まれるようにして、酸化防止膜15上に絶縁層19を堆積する。なお、絶縁層19としては、例えば、SiO2またはSi3N4などを用いることができる。
【0046】
次に、図19および図20に示すように、CMP(化学的機械的研磨)などの方法を用いて絶縁層19を平坦化することにより、酸化防止膜15の表面を露出させるとともに、絶縁層19を溝M1〜M3内に埋め込む。
次に、図21〜図24に示すように、第2単結晶半導体層13d上の酸化防止膜15および犠牲酸化膜14を除去することにより、第2単結晶半導体層13dの表面を露出させる。
【0047】
次に、図25および図26に示すように、無BOX層領域R1において、第2単結晶半導体層13dにイオン注入を選択的に行うことにより不純物拡散層22cを形成し、無BOX層領域R1に保護ダイオードを形成する。
また、厚膜半導体領域R2および薄膜半導体領域R3において、第2単結晶半導体層13dの表面の熱酸化を行い、薄膜半導体領域R3において、第2単結晶半導体層13dの前記熱酸化膜を選択的に除去後、再び、厚膜半導体領域R2および薄膜半導体領域R3において、第2単結晶半導体層13dの表面の熱酸化を行うことにより、第2単結晶半導体層13d上に厚いゲート絶縁膜20a、薄いゲート絶縁膜20bをそれぞれ形成する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、多結晶シリコン膜のパターニングを行うことにより、第2単結晶半導体層13d上にゲート電極21a、21bを形成する。そして、ゲート電極21a、21bをマスクとして、不純物のイオン注入を第2単結晶半導体層13dに行うことにより、ゲート電極21a、21bの側方にそれぞれ配置されたソース/ドレイン層22a、22bを第2単結晶半導体層13dに形成する。不純物のイオン注入において、薄膜半導体領域R3の半導体膜厚より深い位置にも入り込む加速エネルギーを設定すれば、一回の注入により不純物総量が多くと深い接合深さを持つソース/ドレイン22aと浅い接合深さを持つソース/ドレイン22bを同時に形成できる。
【0048】
これにより、薄膜半導体領域R3では、高速・低パワー半導体素子の実行チャネル長が0.1μm以下の時、第2単結晶半導体層13dの膜厚を50nm以下にすることが可能となり、短チャネル効果が抑制された完全空乏型SOIトランジスタを形成することができる。
また、厚膜半導体領域R2では、第2単結晶半導体層13dと絶縁層18との間に第2単結晶半導体層13bを設けることが可能となり、第2単結晶半導体層の膜厚を増加させることができる。このため、高い接合耐圧や大電流容量を確保することを可能としつつ、部分空乏型SOIトランジスタを形成することができる。
【0049】
さらに、無BOX層領域R1では、BOX層を省略することができ、半導体素子の性能および信頼性を維持することを可能としつつ、大きな電流が流れる半導体素子を形成することができる。なお、無BOX層領域R1には、保護ダイオードの他、バイポーラトランジスタ、トレンチメモリーセル等を形成することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【0050】
【図1】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図2】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図3】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図4】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図5】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図6】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図7】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図8】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図9】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図10】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図11】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図12】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図13】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図14】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図15】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図16】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図17】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図18】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図19】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図20】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図21】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図22】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図23】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図24】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図25】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図26】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【0051】
R1 無BOX層領域、R2 厚膜半導体領域、R3 薄膜半導体領域、10 酸化膜、11 半導体基板、12a〜12d 第1単結晶半導体層、13a〜13d 第2単結晶半導体層、14 犠牲酸化膜、15 酸化防止膜、M1、M2、M3 素子分離用溝、16 支持体、17 空洞部、18 酸化膜、19 埋め込み絶縁層、20a、20b ゲート絶縁膜、21a、21b ゲート電極、22a、22b ソース/ドレイン層、22c 不純物拡散層
【技術分野】
【0001】
本発明は半導体基板、半導体装置、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法に関し、特に、SOI(Silicon On Insulator)基板上に形成された電界効果トランジスタに適用して好適なものである。
【背景技術】
【0002】
SOI基板上に形成された電界効果トランジスタは、素子分離の容易性、ラッチアップフリー、ソース/ドレイン接合容量が小さいなどの点から、その有用性が注目されている。
また、例えば、特許文献1には、高耐圧電界効果トランジスタをSOI基板上に形成する方法が開示されている。また、特許文献2には、サブミクロン程度に微細化された電界効果トランジスタをSOI基板上に形成する方法が開示されている。
【0003】
ここで、用途の異なる半導体素子では、最適なSOI層の膜厚が異なっている。すなわち、高い電圧負荷がかかる高耐圧電界効果トランジスタでは、PN接合耐圧を確保するため、SOI層を厚膜化する必要があり、SOI層の膜厚はμmオーダーとなる。例えば、100V程度のドレイン耐圧を持つ高耐圧電界効果トランジスタでは、SOI層の膜厚は数μm程度だけ必要となる。
【0004】
一方、サブミクロン程度に微細化された電界効果トランジスタでは、短チャネル効果によるパンチスルーリークや閾値低下を抑制するため、BOX層を薄膜化する必要があり、BOX層の膜厚は数百オングストロームオーダーとなる。例えば、実行チャネル長が0.1μm以下になると、SOI層の膜厚を50nm以下に設定する必要がある。
一方、ユピキタス社会の到来に伴って、情報携帯機器の小型化、低消費電力化、多機能化、大容量化を一層促進するために、様々の耐圧を持つデバイスやデジタルとアナログのデバイスを1チップ上に混載することが可能なSOC(System On Chip)技術が注目されている。
【0005】
また、特許文献3には、SOI基板上でSOCを実現できるようにするため、半導体基板の主面から異なる深さに絶縁膜を埋め込むことで、用途の異なる半導体素子をその用途に適した厚みを有する活性層内に形成する方法が開示されている。
【特許文献1】特開平7−225410号公報
【特許文献2】特開2003−158091号公報
【特許文献3】特開2002−299591号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、特許文献1、2に開示された方法では、BOX層の膜厚はSOI基板で一定に保たれる。このため、用途の異なる半導体素子をSOI基板上に形成するには、用途ごとに半導体素子を別々のSOI基板上に作り分ける必要があり、SOCを実現する上での障害になるという問題があった。
また、特許文献3に開示された方法では、半導体基板の主面から異なる深さに絶縁膜を埋め込むために、異なるエネルギーで酸素イオンをシリコン基板に注入することが行われる。このため、シリコン基板に物理的損傷が発生し、SOI層の結晶性や純度が劣化することから、SOI層に半導体素子を形成すると、PN接合リークなどに起因して特性の劣化を引き起こすという問題があった。
【0007】
さらに、特許文献3に開示された方法では、BOX層と素子分離層との間にマスクずれが発生すると、BOX層の欠落や重複が発生する。このため、半導体素子の素子分離間隔が大きくなったり、素子分離領域近傍の素子の特性劣化が発生し、半導体素子の集積度が低下したり、半導体素子の信頼性が劣化したりするという問題があった。
そこで、本発明の目的は、半導体層の結晶品質を良好に保ちつつ、互いに異なる膜厚を有する半導体層を絶縁層上に形成することが可能な半導体基板、半導体装置、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体基板によれば、半導体基材と、前記半導体基材上の少なくとも一部の領域に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された膜厚が互いに異なる単結晶半導体層とを備えることを特徴とする。
これにより、単結晶半導体層に与える物理的損傷を抑制しつつ、半導体素子の用途に適するように単結晶半導体層の膜厚を設定することができる。このため、それぞれ最適な膜厚を有する単結晶半導体層上に用途の異なる半導体素子を形成することが可能となるとともに、単結晶半導体層の結晶性や純度の劣化を抑制することを可能として、高いモビリティーを確保しつつ、接合リークを低減することができる。
【0009】
この結果、短チャネル効果を抑制することを可能としつつ、電界効果トランジスタの高速化および微細化を図ることが可能となるとともに、PN接合耐圧を確保することを可能としつつ、高耐圧電界効果トランジスタを同一のSOI基板上に形成することが可能となる。このため、システム・オン・チップを同一のSOI基板上で実現することが可能となり、半導体装置の小型化、低消費電力化、多機能化および大容量化を促進することができる。
【0010】
また、本発明の一態様に係る半導体基板によれば、半導体基材と、前記半導体基材上の第1領域に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に形成された第1単結晶半導体層と、前記半導体基材上の第2領域に形成され、エッチング時の選択比が異なる半導体層が交互に積層された積層構造と、前記積層構造上に形成された第2絶縁層と、前記第2絶縁層上に形成された第2単結晶半導体層とを備えることを特徴とする。
【0011】
これにより、半導体層が交互に積層された積層構造上に形成された第2絶縁層上に第2単結晶半導体層を配置することが可能となるとともに、半導体基材上に直接形成された第1絶縁層上に第1単結晶半導体層を配置することが可能となる。このため、半導体基材上において、第1絶縁層と第2絶縁層とが配置される高さを異ならせることが可能となり、第1単結晶半導体層と第2単結晶半導体層との間で平坦化を図ることを可能としつつ、第1単結晶半導体層と第2単結晶半導体層との膜厚を互いに異ならせることができる。
【0012】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、半導体基板と、前記半導体基板上の一部の領域に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された単結晶半導体層と、前記半導体基板と前記単結晶半導体層とに形成された互いに用途の異なる半導体素子とを備えることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、半導体基板と、前記半導体基板上の少なくとも一部の領域に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された膜厚が互いに異なる単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層に形成された互いに用途の異なる半導体素子とを備えることを特徴とする。
【0013】
これにより、半導体素子を用途ごとに別々のSOI基板上に作り分けることなく、それぞれ最適な膜厚を有する単結晶半導体層上に用途の異なる半導体素子を形成することを可能となり、システム・オン・チップの高性能化を図ることができる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、半導体基板と、前記半導体基板上の一部の領域に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された膜厚が互いに異なる単結晶半導体層と、前記半導体基板と、前記膜厚が互いに異なる単結晶半導体層とに形成されたそれぞれ用途の異なる半導体素子とを備えることを特徴とする。
【0014】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記単結晶半導体層を水平方向に素子分離する素子分離領域をさらに備え、前記膜厚が互いに異なる単結晶半導体層は前記素子分離領域間に自己整合的に配置されていることを特徴とする。
これにより、単結晶半導体層の欠落や重複を防止することを可能としつつ、半導体素子の用途ごとに単結晶半導体層の膜厚を異ならせることが可能となる。このため、互いに用途の異なる半導体素子を同一のSOI基板上に形成することを可能としつつ、半導体素子の高集積化および高信頼性化を図ることができる。
【0015】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記半導体基板には保護回路またはトレンチメモリーセルが配置され、前記膜厚が互いに異なる単結晶半導体層のうち、膜厚の薄い方の単結晶半導体層には、完全空乏型電界効果トランジスタが配置され、膜厚の厚い方の単結晶半導体層には、部分空乏型電界効果トランジスタまたはバイポートランジスタが配置されていることを特徴とする。
【0016】
これにより、高速・低パワー半導体素子では、実行チャネル長が0.1μm以下の時、単結晶半導体層の膜厚を50nm以下にすることが可能となり、短チャネル効果が抑制されるとともに、高性能化かつ高信頼性化された微細トランジスタを提供することができる。また、高い電圧負荷がかかるトランジスタでは、単結晶半導体層の膜厚を厚膜化することが可能となり、高い接合耐圧や大電流容量を確保することを可能として、高性能化かつ高信頼性化された高耐圧・大電流トランジスタを提供することができる。
【0017】
また、本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法によれば、第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層が前記第1半導体層上に積層された第1積層構造を半導体基材上に形成する工程と、第3半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第4半導体層が前記第3半導体層上に積層された第2積層構造を前記第1積層構造上の一部の領域に形成する工程と、前記第1半導体層から前記第4半導体層を貫通して前記半導体基材を露出させる第1溝を形成する工程と、前記半導体基材上で前記第2および第4半導体層を支持する支持体を前記第1溝内の前記第1半導体層から前記第4半導体層の側壁に形成する工程と、前記第1半導体層の少なくとも一部を前記第2半導体層から露出させる第2溝を、前記第1溝で区分けされた第1領域に形成する工程と、前記第3半導体層の少なくとも一部を前記第4半導体層から露出させる第3溝を、前記第1溝で区分けされた第2領域に形成する工程と、前記第2溝および第3溝を介して前記第1および第3半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第2および第4半導体層下に空洞部を形成する工程と、前記空洞部を介して前記第2および第4半導体層の熱酸化を行うことにより、前記第2および第4半導体層下に配置された絶縁層を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【0018】
これにより、第1溝内に形成された支持体を介して、第2および第4半導体層を半導体基材上で支持することが可能となるとともに、第2および第4半導体層からそれぞれ露出する第1および第3半導体層の高さを第1領域と第2領域とで異ならせることを可能としつつ、第2溝および第3溝を介して、第1および第3半導体層にエッチングガスまたはエッチング液を接触させることが可能となる。このため、第2および第4半導体層を半導体基材上で安定して支持することを可能としつつ、第2および第4半導体層下にそれぞれ配置された第1および第3半導体層を除去することが可能となるとともに、第2および第4半導体層下でそれぞれ除去される第1および第3半導体層の高さを第1領域と第2領域とで異ならせることが可能となる。この結果、第1および第3半導体層を除去した後に熱酸化にて形成される絶縁層の高さを第1領域と第2領域とで異ならせることが可能となり、第1領域と第2領域との間における半導体層の膜厚を互いに異ならせることができる。
【0019】
また、本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法によれば、前記第2半導体層、前記第4半導体層および前記支持体は単結晶Si、前記第1半導体層および前記第3半導体層は単結晶SiGeであることを特徴とする。
これにより、第1から第4半導体層および支持体の格子整合をとることを可能としつつ、第2半導体層、第4半導体層および支持体よりも第1半導体層および第3半導体層のエッチング時の選択比を大きくすることが可能となる。このため、結晶品質の良い第2および第4半導体層を第1および第3半導体層上にそれぞれ形成することが可能となるとともに、支持体を第1溝内に安定して形成することが可能となり、第2および第4半導体層の品質を損なうことなく、膜厚が互いに異なる単結晶半導体層を同一の半導体基板に形成することができる。
【0020】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層が前記第1半導体層上に積層された第1積層構造を半導体基板上に形成する工程と、第3半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第4半導体層が前記第3半導体層上に積層された第2積層構造を前記第1積層構造上の一部の領域に形成する工程と、前記第1半導体層から前記第4半導体層を貫通して前記半導体基板を露出させる第1溝を形成する工程と、前記半導体基板上で前記第2および第4半導体層を支持する支持体を前記第1溝内の前記第1半導体層から前記第4半導体層の側壁に形成する工程と、前記第1半導体層の少なくとも一部を前記第2半導体層から露出させる第2溝を、前記第1溝で区分けされた第1領域に形成する工程と、前記第3半導体層の少なくとも一部を前記第4半導体層から露出させる第3溝を、前記第1溝で区分けされた第2領域に形成する工程と、前記第2溝および第3溝を介して前記第1および第3半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第2および第4半導体層下に空洞部を形成する工程と、前記空洞部を介して前記第2および第4半導体層の熱酸化を行うことにより、前記第2および第4半導体層下に配置された絶縁層を形成する工程と、互いに用途の異なる半導体素子を前記第2および第4半導体層にそれぞれ形成する工程とを備えることを特徴とする。
【0021】
これにより、第2および第4半導体層の品質を損なうことなく、第2および第4半導体層下に配置された絶縁層の高さを異ならせることが可能となるとともに、膜厚が互いに異なる第2および第4半導体層を素子分離領域間に自己整合的に配置することができる。このため、第2および第4半導体層の欠落や重複を防止することを可能としつつ、半導体素子の用途ごとに第2および第4半導体層の膜厚をそれぞれ異ならせることが可能となるとともに、互いに用途の異なる半導体素子を第2および第4半導体層上にそれぞれ形成することが可能となり、システム・オン・チップの小型化、低消費電力化、多機能化、大容量化および高信頼性化を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0022】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。
図1〜図26は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図である。
図1および図2において、第1単結晶半導体層12a、12bおよび第2単結晶半導体層13a、13bを半導体基板11上に交互にエピタキシャル成長し積層する。なお、半導体基板11、第1単結晶半導体層12a、12bおよび第2単結晶半導体層13a、13bの材質としては、例えば、Si、Ge、SiGe、GaAs、InP、GaP、GaN、SiCなどを用いることができる。
【0023】
ここで、第1単結晶半導体層12a、12bは、半導体基板11および第2単結晶半導体層13a、13bよりもエッチング時の選択比が大きな材質を用いることができる。特に、半導体基板11がSiの場合、第1単結晶半導体層12a、12bとしてSiGe、第2単結晶半導体層13a、13bとしてSiを用いることが好ましい。これにより、第1単結晶半導体層12a、12bと第2単結晶半導体層13a、13bとの間の格子整合をとることを可能としつつ、第1単結晶半導体層12a、12bと第2単結晶半導体層13a、13bとの間の選択比を確保することができる。
【0024】
なお、半導体基板11には、無BOX層領域R1、厚膜半導体領域R2および薄膜半導体領域R3を設けることができる。そして、無BOX層領域R1には、保護ダイオードまたはバイポートランジスタを形成し、厚膜半導体領域R2には、部分空乏型電界効果トランジスタを形成し、薄膜半導体領域R3には、完全空乏型電界効果トランジスタを形成することができる。
【0025】
そして、CVDなどの方法により、第2単結晶半導体層13b上の全面に酸化膜10を堆積する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、酸化膜10をパターニングすることにより薄膜半導体領域R3の酸化膜10を除去し、薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13bを露出させる。
そして、酸化膜10をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、第1単結晶半導体層12c、第2単結晶半導体層13cおよび第1単結晶半導体層12dを、薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13b上に選択的に形成する。
【0026】
次に、図3および図4に示すように、第2単結晶半導体層13b上の酸化膜10を除去した後、第2単結晶半導体層13bおよび第1単結晶半導体層12d上にエピタキシャル成長を行うことにより、第2単結晶半導体層13dを第2単結晶半導体層13bおよび第1単結晶半導体層12d上に形成する。
なお、第1単結晶半導体層12c、12dおよび第2単結晶半導体層13c、13dの材質としては、例えば、Si、Ge、SiGe、GaAs、InP、GaP、GaN、SiCなどを用いることができる。ここで、第1単結晶半導体層12c、12dは、第2単結晶半導体層13c、13dよりもエッチング時の選択比が大きな材質を用いることができる。特に、第2単結晶半導体層13c、13dがSiの場合、第1単結晶半導体層12c、12dとしてSiGeを用いることが好ましい。
【0027】
また、上述した実施形態では、第1単結晶半導体層12c、第2単結晶半導体層13cおよび第1単結晶半導体層12dを薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13b上に選択的に形成するために、酸化膜10をマスクとしたエピタキシャル成長を用いる方法について説明したが、第1単結晶半導体層12c、第2単結晶半導体層13cおよび第1単結晶半導体層12dを第2単結晶半導体層13b上の全面に形成し、無BOX層領域R1および厚膜半導体領域R2の第1単結晶半導体層12c、第2単結晶半導体層13cおよび第1単結晶半導体層12dを選択的に除去するようにしてもよい。
【0028】
次に、図5および図6に示すように、第2単結晶半導体層13dの熱酸化により第2単結晶半導体層13dの表面に犠牲酸化膜14を形成する。そして、CVDなどの方法により、犠牲酸化膜14上の全面に酸化防止膜15を形成する。なお、酸化防止膜15としては、例えば、シリコン窒化膜を用いることができる。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、酸化防止膜15、犠牲酸化膜14、第1単結晶半導体層12a〜12dおよび第2単結晶半導体層13a〜13dをパターニングすることにより、半導体基板11を露出させる溝M1を所定の方向に沿って形成する。
【0029】
なお、半導体基板11を露出させる場合、半導体基板11の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、半導体基板11をオーバーエッチングして半導体基板11に凹部を形成するようにしてもよい。また、溝M1の配置位置は、無BOX層領域R1、厚膜半導体領域R2および薄膜半導体領域R3を互いに分離させる素子分離領域の一部に対応させることができる。また、無BOX層領域R1、厚膜半導体領域R2および薄膜半導体領域R3を互いに分離させるとともに、無BOX層領域R1内がさらに細かく分断されるように、溝M1の配置するようにしてもよい。
【0030】
次に、図7および図8に示すように、第1単結晶半導体層12a〜12dおよび第2単結晶半導体層13a〜13dの側壁に成膜され、第2単結晶半導体層13a〜13dを半導体基板11上で支持する支持体16を溝M1内に形成する。なお、第1単結晶半導体層12a〜12dおよび第2単結晶半導体層13a〜13dの側壁に成膜された支持体16を形成する場合、半導体のエピタキシャル成長を用いることができる。ここで、半導体のエピタキシャル成長を用いることにより、第1単結晶半導体層12a〜12dおよび第2単結晶半導体層13a〜13dの側壁ならびに半導体基板11の表面に支持体16を選択的に形成することができる。なお、支持体16の材質としては、例えば、Si、Ge、SiGe、SiC、SiSn、PbS、GaAs、InP、GaP、GaNまたはZnSeなどから選択することができる。特に、半導体基板11および第2単結晶半導体層13a〜13dがSi、第1単結晶半導体層12a〜12dがSiGeの場合、支持体16の材質としてSiを用いることが好ましい。
【0031】
これにより、支持体16と第1単結晶半導体層12a〜12dとの間の格子整合をとることを可能としつつ、支持体16と第1単結晶半導体層12a〜12dとの間の選択比を確保することができる。また、支持体16の材質として、Siなどの半導体を用いることにより、第1単結晶半導体層12a〜12dが除去された場合においても、半導体による3次元的な立体構造を維持することが可能となる。このため、化学的耐性や機械的ストレス耐性を向上させることが可能となり、再現性の良い安定した素子分離プロセスを実現することができる。なお、支持体16の材質としては、半導体の他、シリコン酸化膜などの絶縁体を用いるようにしてもよい。
【0032】
次に、図9および図10に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて酸化防止膜15、犠牲酸化膜14、第1単結晶半導体層12a、12bおよび第2単結晶半導体層13a、13b、13dをパターニングすることにより、半導体基板11を露出させる溝M2を溝M1と直交する方向に沿って厚膜半導体領域R2に形成する。なお、半導体基板11を露出させる場合、半導体基板11の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、半導体基板11をオーバーエッチングして半導体基板11に凹部を形成するようにしてもよい。また、溝M2の配置位置は、単結晶半導体層13dの素子分離領域に対応させることができる。
【0033】
次に、図11および図12に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて酸化防止膜15、犠牲酸化膜14、第1単結晶半導体層12c、12dおよび第2単結晶半導体層13c、13dをパターニングすることにより、第2単結晶半導体層13bを露出させる溝M3を溝M1と直交する方向に沿って薄膜半導体領域R3に形成する。なお、第2単結晶半導体層13bを露出させる場合、第2単結晶半導体層13bの表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、第2単結晶半導体層13bをオーバーエッチングして第2単結晶半導体層13bに凹部を形成するようにしてもよい。また、溝M3の配置位置は、単結晶半導体層13dの素子分離領域に対応させることができる。
【0034】
また、第2単結晶半導体層13bの表面を露出させる代わりに、第1単結晶半導体層12cの表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、第1単結晶半導体層12cをオーバーエッチングして第1単結晶半導体層12cの途中までエッチングするようにしてもよい。ここで、第1単結晶半導体層12cのエッチングを途中で止めることにより、溝M3内の第2単結晶半導体層13bの表面が露出されることを防止することができる。このため、第1単結晶半導体層12c、12dをエッチング除去する際に、溝M3内の第2単結晶半導体層13bがエッチング液またはエッチングガスに晒される時間を減らすことが可能となり、溝M3内の第2単結晶半導体層13bのオーバーエッチングを抑制することができる。
【0035】
次に、図13および図14に示すように、溝M2を介してエッチングガスまたはエッチング液を第1単結晶半導体層12a、12bに接触させるとともに、溝M3を介してエッチングガスまたはエッチング液を第1単結晶半導体層12c、12dに接触させることにより、厚膜半導体領域R2の第1単結晶半導体層12a、12bをエッチング除去するとともに、薄膜半導体領域R3の第1単結晶半導体層12c、12dをエッチング除去する。そして、厚膜半導体領域R2では、半導体基板11と第2単結晶半導体層13aとの間ならびに第2単結晶半導体層13a、13b間に空洞部17を形成するとともに、薄膜半導体領域R3では、第2単結晶半導体層13b〜13dの間に空洞部17を形成する。
【0036】
ここで、溝M1内に支持体16を設けることにより、第1単結晶半導体層12a〜12dが除去された場合においても、第2単結晶半導体層13a〜13dを半導体基板11上で支持することが可能となるとともに、溝M1とは別に溝M2、M3を設けることにより、第2単結晶半導体層13a〜13d下にそれぞれ配置された第1単結晶半導体層12a〜12dにエッチングガスまたはエッチング液を接触させることが可能となる。このため、第2単結晶半導体層13a〜13dの結晶品質を損なうことなく、半導体基板11と第2単結晶半導体層13aとの間ならびに第2単結晶半導体層13a〜13dの間に空洞部17を形成することができる。
【0037】
また、薄膜半導体領域R3では、第1単結晶半導体層12b上に第2単結晶半導体層13bが残るように溝M3の深さを設定することにより、薄膜半導体領域R3の第1単結晶半導体層12a、12bを残したまま、厚膜半導体領域R2の第1単結晶半導体層12a、12bを除去することができる。このため、厚膜半導体領域R2では、第1単結晶半導体層12a、12b間の第2単結晶半導体層13aを熱酸化することが可能となるとともに、薄膜半導体領域R3では、第1単結晶半導体層12a、12b間の第2単結晶半導体層13aが熱酸化されることを防止しつつ、第2単結晶半導体層13aよりも上層に配置された第2単結晶半導体層13cを熱酸化することが可能となる。この結果、第2単結晶半導体層13a〜13dの熱酸化にて形成される絶縁層18の高さを厚膜半導体領域R2と薄膜半導体領域R3とで異ならせることが可能となり、厚膜半導体領域R2と薄膜半導体領域R3とで第2単結晶半導体層の膜厚を異ならせることができる。
【0038】
なお、半導体基板11、第2単結晶半導体層13a〜13dおよび支持体16がSi、第1単結晶半導体層12a〜12dがSiGeの場合、第1単結晶半導体層12a〜12bのエッチング液としてフッ硝酸を用いることが好ましい。これにより、SiとSiGeの選択比として1:1000〜10000程度を得ることができ、半導体基板11、第2単結晶半導体層13a〜13dおよび支持体16のオーバーエッチングを抑制しつつ、第1単結晶半導体層12a〜12dを除去することが可能となる。
【0039】
次に、図15および図16に示すように、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13aおよび薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13cが消失するまで、半導体基板11、第2単結晶半導体層13a〜13dおよび支持体16の熱酸化を行うことにより、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13b下および薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13d下に絶縁層18を形成する。ここで、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13aを消失させることにより、厚膜半導体領域R2では、第2単結晶半導体層13bと半導体基板11との間を絶縁層18で埋め尽くすことが可能となる。また、薄膜半導体領域R3の第2単結晶半導体層13cを消失させることにより、薄膜半導体領域R3では、第2単結晶半導体層13b、13d間を絶縁層18で埋め尽くすことが可能となる。
【0040】
このため、第2単結晶半導体層13b、13dの結晶品質を維持しつつ、厚膜半導体領域R2と薄膜半導体領域R3とで絶縁層18が配置される高さを異ならせることができ、厚膜半導体領域R2では、第2単結晶半導体層13b、13dを絶縁層18上に配置することが可能となるとともに、薄膜半導体領域R3では、第2単結晶半導体層13dを絶縁層18上に配置することが可能となる。この結果、半導体素子の用途に適するように第2単結晶半導体層の膜厚を設定することを可能としつつ、互いに用途の異なる半導体素子を同一の半導体基板11上に形成することができる。
【0041】
また、エピタキシャル成長時の第2単結晶半導体層13a〜13dの膜厚および第2単結晶半導体層13a〜13dの熱酸化時に形成された絶縁層18の膜厚によって、素子分離後の第2単結晶半導体層13b、13dの膜厚を規定することができる。このため、第2単結晶半導体層13b、13dの膜厚を精度よく制御することができ、第2単結晶半導体層13b、13dの膜厚のバラツキを低減させることを可能としつつ、厚膜半導体領域R2と薄膜半導体領域R3とで絶縁層18が配置される高さを異ならせることができる。また、第2単結晶半導体層13d上に酸化防止膜15を設けることで、第2単結晶半導体層13dの表面が熱酸化されることを防止しつつ、第2単結晶半導体層13bまたは第2単結晶半導体層13d下に絶縁層18を形成することが可能となる。
【0042】
また、空洞部17が埋め込まれるようにして絶縁層18を形成することにより、第2単結晶半導体層13b、13dを素子分離領域間に自己整合的に配置することが可能となる。このため、厚膜半導体領域R2および薄膜半導体領域R3において、第2単結晶半導体層13b、13dが欠落したり重複したりすることを防止しつつ、半導体素子の用途ごとに第2単結晶半導体層の膜厚を異ならせることが可能となり、半導体素子の高集積化および高信頼性化を図ることができる。
【0043】
ここで、第1単結晶半導体層12a〜12bの膜厚を同一にして、第2単結晶半導体層13aの膜厚を第1単結晶半導体層12a〜12bの膜厚の70%程度に設定することにより、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13b下の絶縁層18の膜厚を、第1単結晶半導体層12a、第2単結晶半導体層13aおよび第1単結晶半導体層12bの全体の膜厚とほぼ等しくすることができる。このため、絶縁層18にかかるストレスを抑制しつつ、厚膜半導体領域R2の空洞部17を絶縁層18で完全に塞ぐことが可能となり、熱抵抗の増大を抑制しつつ、絶縁層18上の第2単結晶半導体層13cの結晶性の劣化を抑制することが可能となる。また、第2単結晶半導体層13aの膜厚を第1単結晶半導体層12a〜12bの膜厚の70%未満に設定すれば、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13b下は絶縁層18と空洞で形成され、熱伝導的には抵抗が大きくなるものの、絶縁層18上の第2単結晶半導体層13cの結晶性の劣化を抑制することが可能となる。
【0044】
一方、第2単結晶半導体層13aの膜厚を第1単結晶半導体層12cの膜厚の70%をおおきく超える値に設定すれば、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13b下の絶縁層18の膜厚を、第1単結晶半導体層12a、第2単結晶半導体層13aおよび第1単結晶半導体層12bの全体の膜厚よりも大きくすることができる。このため、厚膜半導体領域R2の第2単結晶半導体層13b、13dを持ち上げることが可能となり、厚膜半導体領域R2と薄膜半導体領域R3との間の平坦性を向上させることができる。
【0045】
なお、絶縁層18を形成した後、高温アニールを行う。これにより、絶縁層18をリフローさせることが可能となり、絶縁層18のストレスを緩和させることが可能となるとともに、界面準位を減らすことができる。
次に、図17および図18に示すように、CVDなどの方法により、絶縁層18が側壁に形成された溝M1〜M3内が埋め込まれるようにして、酸化防止膜15上に絶縁層19を堆積する。なお、絶縁層19としては、例えば、SiO2またはSi3N4などを用いることができる。
【0046】
次に、図19および図20に示すように、CMP(化学的機械的研磨)などの方法を用いて絶縁層19を平坦化することにより、酸化防止膜15の表面を露出させるとともに、絶縁層19を溝M1〜M3内に埋め込む。
次に、図21〜図24に示すように、第2単結晶半導体層13d上の酸化防止膜15および犠牲酸化膜14を除去することにより、第2単結晶半導体層13dの表面を露出させる。
【0047】
次に、図25および図26に示すように、無BOX層領域R1において、第2単結晶半導体層13dにイオン注入を選択的に行うことにより不純物拡散層22cを形成し、無BOX層領域R1に保護ダイオードを形成する。
また、厚膜半導体領域R2および薄膜半導体領域R3において、第2単結晶半導体層13dの表面の熱酸化を行い、薄膜半導体領域R3において、第2単結晶半導体層13dの前記熱酸化膜を選択的に除去後、再び、厚膜半導体領域R2および薄膜半導体領域R3において、第2単結晶半導体層13dの表面の熱酸化を行うことにより、第2単結晶半導体層13d上に厚いゲート絶縁膜20a、薄いゲート絶縁膜20bをそれぞれ形成する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、多結晶シリコン膜のパターニングを行うことにより、第2単結晶半導体層13d上にゲート電極21a、21bを形成する。そして、ゲート電極21a、21bをマスクとして、不純物のイオン注入を第2単結晶半導体層13dに行うことにより、ゲート電極21a、21bの側方にそれぞれ配置されたソース/ドレイン層22a、22bを第2単結晶半導体層13dに形成する。不純物のイオン注入において、薄膜半導体領域R3の半導体膜厚より深い位置にも入り込む加速エネルギーを設定すれば、一回の注入により不純物総量が多くと深い接合深さを持つソース/ドレイン22aと浅い接合深さを持つソース/ドレイン22bを同時に形成できる。
【0048】
これにより、薄膜半導体領域R3では、高速・低パワー半導体素子の実行チャネル長が0.1μm以下の時、第2単結晶半導体層13dの膜厚を50nm以下にすることが可能となり、短チャネル効果が抑制された完全空乏型SOIトランジスタを形成することができる。
また、厚膜半導体領域R2では、第2単結晶半導体層13dと絶縁層18との間に第2単結晶半導体層13bを設けることが可能となり、第2単結晶半導体層の膜厚を増加させることができる。このため、高い接合耐圧や大電流容量を確保することを可能としつつ、部分空乏型SOIトランジスタを形成することができる。
【0049】
さらに、無BOX層領域R1では、BOX層を省略することができ、半導体素子の性能および信頼性を維持することを可能としつつ、大きな電流が流れる半導体素子を形成することができる。なお、無BOX層領域R1には、保護ダイオードの他、バイポーラトランジスタ、トレンチメモリーセル等を形成することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【0050】
【図1】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図2】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図3】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図4】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図5】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図6】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図7】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図8】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図9】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図10】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図11】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図12】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図13】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図14】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図15】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図16】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図17】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図18】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図19】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図20】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図21】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図22】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図23】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図24】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図25】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図および断面図。
【図26】一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【0051】
R1 無BOX層領域、R2 厚膜半導体領域、R3 薄膜半導体領域、10 酸化膜、11 半導体基板、12a〜12d 第1単結晶半導体層、13a〜13d 第2単結晶半導体層、14 犠牲酸化膜、15 酸化防止膜、M1、M2、M3 素子分離用溝、16 支持体、17 空洞部、18 酸化膜、19 埋め込み絶縁層、20a、20b ゲート絶縁膜、21a、21b ゲート電極、22a、22b ソース/ドレイン層、22c 不純物拡散層
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体基材と、
前記半導体基材上の少なくとも一部の領域に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された膜厚が互いに異なる単結晶半導体層とを備えることを特徴とする半導体基板。
【請求項2】
半導体基材と、
前記半導体基材上の第1領域に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に形成された第1単結晶半導体層と、
前記半導体基材上の第2領域に形成され、エッチング時の選択比が異なる半導体層が交互に積層された積層構造と、
前記積層構造上に形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に形成された第2単結晶半導体層とを備えることを特徴とする半導体基板。
【請求項3】
半導体基板と、
前記半導体基板上の一部の領域に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された単結晶半導体層と、
前記半導体基板と前記単結晶半導体層とに形成された互いに用途の異なる半導体素子とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
半導体基板と、
前記半導体基板上の少なくとも一部の領域に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された膜厚が互いに異なる単結晶半導体層と、
前記単結晶半導体層に形成された互いに用途の異なる半導体素子とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項5】
半導体基板と、
前記半導体基板上の一部の領域に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された膜厚が互いに異なる単結晶半導体層と、
前記半導体基板と、前記膜厚が互いに異なる単結晶半導体層とに形成されたそれぞれ用途の異なる半導体素子とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項6】
前記単結晶半導体層を水平方向に素子分離する素子分離領域をさらに備え、
前記膜厚が互いに異なる単結晶半導体層は前記素子分離領域間に自己整合的に配置されていることを特徴とする請求項4または5記載の半導体装置。
【請求項7】
前記半導体基板には保護回路またはトレンチメモリーセルが配置され、前記膜厚が互いに異なる単結晶半導体層のうち、膜厚の薄い方の単結晶半導体層には、完全空乏型電界効果トランジスタが配置され、膜厚の厚い方の単結晶半導体層には、部分空乏型電界効果トランジスタまたはバイポートランジスタが配置されていることを特徴とする請求項5または6記載の半導体装置。
【請求項8】
第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層が前記第1半導体層上に積層された第1積層構造を半導体基材上に形成する工程と、
第3半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第4半導体層が前記第3半導体層上に積層された第2積層構造を前記第1積層構造上の一部の領域に形成する工程と、
前記第1半導体層から前記第4半導体層を貫通して前記半導体基材を露出させる第1溝を形成する工程と、
前記半導体基材上で前記第2および第4半導体層を支持する支持体を前記第1溝内の前記第1半導体層から前記第4半導体層の側壁に形成する工程と、
前記第1半導体層の少なくとも一部を前記第2半導体層から露出させる第2溝を、前記第1溝で区分けされた第1領域に形成する工程と、
前記第3半導体層の少なくとも一部を前記第4半導体層から露出させる第3溝を、前記第1溝で区分けされた第2領域に形成する工程と、
前記第2溝および第3溝を介して前記第1および第3半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第2および第4半導体層下に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部を介して前記第2および第4半導体層の熱酸化を行うことにより、前記第2および第4半導体層下に配置された絶縁層を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項9】
前記第2半導体層、前記第4半導体層および前記支持体は単結晶Si、前記第1半導体層および前記第3半導体層は単結晶SiGeであることを特徴とする請求項8記載の半導体基板の製造方法。
【請求項10】
第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層が前記第1半導体層上に積層された第1積層構造を半導体基板上に形成する工程と、
第3半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第4半導体層が前記第3半導体層上に積層された第2積層構造を前記第1積層構造上の一部の領域に形成する工程と、
前記第1半導体層から前記第4半導体層を貫通して前記半導体基板を露出させる第1溝を形成する工程と、
前記半導体基板上で前記第2および第4半導体層を支持する支持体を前記第1溝内の前記第1半導体層から前記第4半導体層の側壁に形成する工程と、
前記第1半導体層の少なくとも一部を前記第2半導体層から露出させる第2溝を、前記第1溝で区分けされた第1領域に形成する工程と、
前記第3半導体層の少なくとも一部を前記第4半導体層から露出させる第3溝を、前記第1溝で区分けされた第2領域に形成する工程と、
前記第2溝および第3溝を介して前記第1および第3半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第2および第4半導体層下に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部を介して前記第2および第4半導体層の熱酸化を行うことにより、前記第2および第4半導体層下に配置された絶縁層を形成する工程と、
互いに用途の異なる半導体素子を前記第2および第4半導体層にそれぞれ形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項1】
半導体基材と、
前記半導体基材上の少なくとも一部の領域に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された膜厚が互いに異なる単結晶半導体層とを備えることを特徴とする半導体基板。
【請求項2】
半導体基材と、
前記半導体基材上の第1領域に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に形成された第1単結晶半導体層と、
前記半導体基材上の第2領域に形成され、エッチング時の選択比が異なる半導体層が交互に積層された積層構造と、
前記積層構造上に形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に形成された第2単結晶半導体層とを備えることを特徴とする半導体基板。
【請求項3】
半導体基板と、
前記半導体基板上の一部の領域に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された単結晶半導体層と、
前記半導体基板と前記単結晶半導体層とに形成された互いに用途の異なる半導体素子とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
半導体基板と、
前記半導体基板上の少なくとも一部の領域に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された膜厚が互いに異なる単結晶半導体層と、
前記単結晶半導体層に形成された互いに用途の異なる半導体素子とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項5】
半導体基板と、
前記半導体基板上の一部の領域に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置され、エピタキシャル成長にて成膜された膜厚が互いに異なる単結晶半導体層と、
前記半導体基板と、前記膜厚が互いに異なる単結晶半導体層とに形成されたそれぞれ用途の異なる半導体素子とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項6】
前記単結晶半導体層を水平方向に素子分離する素子分離領域をさらに備え、
前記膜厚が互いに異なる単結晶半導体層は前記素子分離領域間に自己整合的に配置されていることを特徴とする請求項4または5記載の半導体装置。
【請求項7】
前記半導体基板には保護回路またはトレンチメモリーセルが配置され、前記膜厚が互いに異なる単結晶半導体層のうち、膜厚の薄い方の単結晶半導体層には、完全空乏型電界効果トランジスタが配置され、膜厚の厚い方の単結晶半導体層には、部分空乏型電界効果トランジスタまたはバイポートランジスタが配置されていることを特徴とする請求項5または6記載の半導体装置。
【請求項8】
第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層が前記第1半導体層上に積層された第1積層構造を半導体基材上に形成する工程と、
第3半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第4半導体層が前記第3半導体層上に積層された第2積層構造を前記第1積層構造上の一部の領域に形成する工程と、
前記第1半導体層から前記第4半導体層を貫通して前記半導体基材を露出させる第1溝を形成する工程と、
前記半導体基材上で前記第2および第4半導体層を支持する支持体を前記第1溝内の前記第1半導体層から前記第4半導体層の側壁に形成する工程と、
前記第1半導体層の少なくとも一部を前記第2半導体層から露出させる第2溝を、前記第1溝で区分けされた第1領域に形成する工程と、
前記第3半導体層の少なくとも一部を前記第4半導体層から露出させる第3溝を、前記第1溝で区分けされた第2領域に形成する工程と、
前記第2溝および第3溝を介して前記第1および第3半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第2および第4半導体層下に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部を介して前記第2および第4半導体層の熱酸化を行うことにより、前記第2および第4半導体層下に配置された絶縁層を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項9】
前記第2半導体層、前記第4半導体層および前記支持体は単結晶Si、前記第1半導体層および前記第3半導体層は単結晶SiGeであることを特徴とする請求項8記載の半導体基板の製造方法。
【請求項10】
第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層が前記第1半導体層上に積層された第1積層構造を半導体基板上に形成する工程と、
第3半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第4半導体層が前記第3半導体層上に積層された第2積層構造を前記第1積層構造上の一部の領域に形成する工程と、
前記第1半導体層から前記第4半導体層を貫通して前記半導体基板を露出させる第1溝を形成する工程と、
前記半導体基板上で前記第2および第4半導体層を支持する支持体を前記第1溝内の前記第1半導体層から前記第4半導体層の側壁に形成する工程と、
前記第1半導体層の少なくとも一部を前記第2半導体層から露出させる第2溝を、前記第1溝で区分けされた第1領域に形成する工程と、
前記第3半導体層の少なくとも一部を前記第4半導体層から露出させる第3溝を、前記第1溝で区分けされた第2領域に形成する工程と、
前記第2溝および第3溝を介して前記第1および第3半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第2および第4半導体層下に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部を介して前記第2および第4半導体層の熱酸化を行うことにより、前記第2および第4半導体層下に配置された絶縁層を形成する工程と、
互いに用途の異なる半導体素子を前記第2および第4半導体層にそれぞれ形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【公開番号】特開2006−41331(P2006−41331A)
【公開日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−221413(P2004−221413)
【出願日】平成16年7月29日(2004.7.29)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【国際特許分類】
【出願日】平成16年7月29日(2004.7.29)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
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