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国際特許分類[H01L21/76]の内容

国際特許分類[H01L21/76]の下位に属する分類

PN接合 (106)
誘電体領域 (749)
多結晶半導体領域
空隙 (98)
電界効果によるもの

国際特許分類[H01L21/76]に分類される特許

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【課題】表面側保護膜が裏面側フォトレジストの剥離液に対する耐性を備えていなくても、表面側に保護膜を形成し裏面側Si基板にパターンエッチングして溝を形成した後、裏面側のフォトレジストだけを剥離することができるプロセス工程を有する半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板1の表面側に半導体機能領域20を形成し、裏面側を研削して半導体基板1を所要の厚さに減じた後、表面側に保護膜24を塗布し、裏面側にフォトレジスト25を用いて所要の開口パターンを形成し、該パターン開口部から半導体基板1をエッチングして裏面に溝16を形成し、その後、裏面側のフォトレジスト25を研磨により除去し、裏面側半導体機能層を形成する半導体装置の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】 4h-SiC半導体素子のオン状態の抵抗低減とスイッチング速度向上実現する。
【解決手段】 (0001)面4h-SiC半導体素子のチャネル領域周囲に対してトレンチ溝を設け、シリコン酸化膜を埋め込む。トレンチ溝の酸化膜を、c軸方向へは引っ張り応力が加わり、c軸に垂直な平面上の二つ以上の軸からの圧縮応力が加わるように、平面レイアウトする。例えば、酸化膜で埋め込まれたトレンチ溝を、チャネルを囲む多角形としたり、離散的に配置する場合、チャネルを中心に対称的に配置するレイアウトでもよい。 (もっと読む)


【課題】除電構造と素子分離構造とを有するSOIウエハを、従来より少ない工程で製造することができるSOIウエハの製造方法の提供。
【解決手段】SOIウエハの周縁部分に活性層用半導体層および絶縁酸化膜を貫通する除電用トレンチをエッチングで形成すると同時に、当該周縁部分より内側の内側部分に上記活性層用半導体層を貫通し上記絶縁酸化膜に到達する素子分離用トレンチをエッチングで形成するトレンチ形成ステップを備え、上記トレンチ形成ステップは、上記周縁部分におけるエッチングレートが、上記内側部分におけるエッチングレートよりも高いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】LOCOS酸化膜端部の直下の電界集中が容易に緩和され、LOCOS酸化膜直下の半導体導電層の良好な耐圧および抵抗を実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置(1)は、LOCOS酸化膜(22)の半導体基板の表面に対してラテラル方向に終端しているエッジ(22a、22b)の少なくとも一部(22a、22b)が、上面と下面とに15度以上30度以下の角度(θ)で挟まれて終端するプロファイルを有している。 (もっと読む)


【課題】能動素子または受動素子が一つの半導体基板に複数個形成されてなる半導体装置およびその製造方法であって、両面電極素子についても絶縁分離と集積化が可能であり、安価に製造することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板20が、当該半導体基板20を貫通する絶縁分離トレンチTに取り囲まれて、複数のフィールド領域F1〜F8に分割されてなり、複数個の能動素子31〜33,41〜43または受動素子51,52が、それぞれ異なるフィールド領域F1〜F8に分散して配置されてなり、二個以上の素子が、当該素子に通電するための一組の電極dr1,dr2が半導体基板20の両側の表面S1,S2に分散して配置されてなる、両面電極素子41〜43,51,52である半導体装置100とする。 (もっと読む)


【課題】SOI基板上に形成されたMOSFETを有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】SOI基板SB上に形成されたマットMT内に複数のMOSFETを有する半導体装置において、BOX膜を貫き支持基板に達するコンタクトプラグCT2を形成することで、マットMTの周囲を、SOI基板SBの主面に沿う第1方向または第1方向に直交する第2方向に延在する複数のコンタクトプラグCT2により囲む。これにより、コンタクトプラグCT2をガードリングとして用い、マットMTの外部に流れる高周波信号に起因してマットMT内にノイズが発生することを防ぐ。 (もっと読む)


【課題】微細化に対応した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の第1の領域内に第1の方向に沿って交互に配置されるように第1及び第2の素子分離領域を形成する。この際、第1及び第2の素子分離領域のうち少なくとも一方の素子分離領域の側面は半導体基板の主面に対して垂直とならないように第1及び第2の素子分離領域を形成する。この後、第1及び第2の素子分離領域の上部を除去して、第1の素子分離領域と第2の素子分離領域の間の半導体基板をフィンとして形成する。 (もっと読む)


【課題】有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制し、且つ、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機EL表示素子、および有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁1016には、3つの開口部1016a,1016b,1016cが開けられている。開口部1016b,1016cの各底部には、ソース電極1014a,1014b、ドレイン電極1014c,1014dが露出し、各々がチャネル部として機能する部分である。開口部1016bを臨む側面部のうち、側面部1016d,1016eは、側面部1016iに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。開口部1016cを臨む側面部のうち、側面部1016fは、側面部1016jに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。 (もっと読む)


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