薄膜集積回路の作製方法
【課題】 薄膜集積回路の飛散を防止する。
【解決手段】 本発明の薄膜集積回路の作製方法では、基板の一表面に剥離層を選択的に形成する。そうすると、剥離層が設けられた第１の領域と、剥離層が設けられていない第２の領域が形成される。次に、剥離層の上方に、薄膜集積回路を形成する。続いて、剥離層を露出させる開口部を形成し、開口部にエッチング剤を導入し、剥離層を除去する。そうすると、剥離層が設けられた領域では空間が生じるが、剥離層が設けられていない領域では空間が生じない。このように、剥離層を除去した後に、空間が生じない領域を設けることにより、剥離層を除去した後の薄膜集積回路の飛散を防止する。
【解決手段】 本発明の薄膜集積回路の作製方法では、基板の一表面に剥離層を選択的に形成する。そうすると、剥離層が設けられた第１の領域と、剥離層が設けられていない第２の領域が形成される。次に、剥離層の上方に、薄膜集積回路を形成する。続いて、剥離層を露出させる開口部を形成し、開口部にエッチング剤を導入し、剥離層を除去する。そうすると、剥離層が設けられた領域では空間が生じるが、剥離層が設けられていない領域では空間が生じない。このように、剥離層を除去した後に、空間が生じない領域を設けることにより、剥離層を除去した後の薄膜集積回路の飛散を防止する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜集積回路の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁基板上に設けられた薄膜集積回路を転置する技術開発が進められている。このような技術として、例えば、薄膜集積回路と基板の間に剥離層を設けて、当該剥離層を、ハロゲンを含む気体を用いて除去することにより、薄膜集積回路を支持基板から分離し、その後転置する技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−２５４６８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記の特許文献によると、基板の一表面に剥離層を形成し、当該剥離層上に薄膜集積回路を形成し、続いて剥離層を除去する。そうすると、薄膜集積回路は基板から剥離され、基板と薄膜集積回路の間には空間が生じる。その後、薄膜集積回路を基体に接着させるが、当該薄膜集積回路は数μｍ程度と薄く、また大変軽いものである。そのため、薄膜集積回路を基体に接着させる前に、当該薄膜集積回路が基板から飛散してしまうことがあった。そこで本発明は、薄膜集積回路の飛散を防止することを課題とする。また、剥離層を除去した後の薄膜集積回路の基体への転置を容易に行うことを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、基板の一表面に剥離層を形成した後に、当該剥離層を選択的に除去して、剥離層が設けられた第１の領域と、剥離層が設けられていない第２の領域を形成する。続いて、下地用の絶縁膜を全面に形成する。そうすると、絶縁膜は、第１の領域では剥離層に接し、第２の領域では基板に接する。
【０００５】
次に、第１の領域の絶縁膜上に複数の素子とアンテナとして機能する導電層を含む薄膜集積回路を形成し、続いて開口部を形成し、その後開口部にエッチング剤を導入して剥離層を除去する。この際、剥離層が設けられていた第１の領域では、基板と絶縁膜の間に空間が生じるが、剥離層が設けられていない第２の領域では、基板と絶縁膜が密着したままである。
【０００６】
このように、剥離層を除去した後も、基板と絶縁膜が密着した領域が設けられていることで、絶縁膜の上方に設けられた薄膜集積回路の飛散を防止することができる。また、基板と絶縁膜が密着した領域が設けられていることで、基板上に薄膜集積回路を保持することができ、当該薄膜集積回路の基体への転置を容易に行うことができる。
【０００７】
本発明の薄膜集積回路の作製方法は、絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成する工程と、第２の領域の剥離層のみを除去する工程と、絶縁基板又は剥離層に接するように絶縁膜を形成する工程と、第１の領域の絶縁膜上に複数の素子とアンテナとして機能する導電層を形成する工程と、複数の素子と導電層が設けられた領域以外に開口部を選択的に形成して剥離層を露出させる工程と、開口部にエッチング剤を導入して剥離層を除去する工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の薄膜集積回路の作製方法は、絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成する工程と、第１の領域の剥離層を選択的に除去する工程と、第２の領域の剥離層を除去する工程と、絶縁基板又は剥離層に接するように絶縁膜を形成する工程と、第１の領域の絶縁膜上に複数の素子とアンテナとして機能する導電層を形成する工程と、複数の素子と導電層が設けられた第３の領域の周囲の第４の領域に開口部を選択的に形成して剥離層を露出させる工程と、開口部にエッチング剤を導入して剥離層を除去する工程とを有し、第１の領域の剥離層の選択的な除去の工程では、第１の領域が含む第３の領域と第４の領域以外の第５の領域の剥離層を除去し、第３の領域と第４の領域の剥離層を除去しないことを特徴とする。
【０００９】
本発明の薄膜集積回路の作製方法は、絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成する工程と、第１の領域の剥離層を選択的に除去する工程と、第２の領域の剥離層を除去する工程と、絶縁基板又は剥離層に接するように絶縁膜を形成する工程と、第１の領域の絶縁膜上に複数の素子とアンテナとして機能する導電層を形成する工程と、複数の素子と導電層が設けられた第３の領域と第３の領域の周囲の第５の領域以外の第４の領域に開口部を形成して剥離層を露出させる工程と、開口部にエッチング剤を導入して剥離層を除去する工程とを有し、第１の領域の剥離層の選択的な除去の工程では、第１の領域が含む第５の領域の剥離層を選択的に除去し、第３の領域と第４の領域の剥離層を除去しないことを特徴とする。
【００１０】
本発明の薄膜集積回路の作製方法は、絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成する工程と、第１の領域の剥離層を選択的に除去する工程と、第２の領域の剥離層を除去する工程と、絶縁基板又は剥離層に接するように絶縁膜を形成する工程と、第１の領域の絶縁膜上に複数の素子とアンテナとして機能する導電層を形成する工程と、複数の素子と導電層が設けられた第３の領域以外の第４の領域に開口部を選択的に形成して剥離層を露出させる工程と、開口部にエッチング剤を導入して剥離層を除去する工程とを有し、第１の領域の剥離層の選択的な除去の工程では、第１の領域が含む第３の領域の剥離層を選択的に除去し、第３の領域以外の剥離層を除去しないことを特徴とする。
【００１１】
上記工程を有する薄膜集積回路の作製方法において、第２の領域の剥離層を除去する工程を、第２の領域の剥離層を選択的に除去する工程に置換してもよい。また、エッチング剤はフッ化ハロゲンを含む気体又は液体であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、剥離層を除去した後も、基板と絶縁膜が密着した領域を設けることで、当該絶縁膜の上方に設けられた薄膜集積回路の飛散を防止することができる。また、基板と絶縁膜が密着した領域を設けることで、基板上に薄膜集積回路を保持することができるため、当該薄膜集積回路の基体への転置を容易に行うことができる。
【００１３】
また、本発明のように、基板上に薄膜集積回路が保持された状態であれば、当該基板をそのまま搬送することができるため、搬送手段を含む量産装置に用いることができる。例えば、ラミネート装置に、薄膜集積回路が保持された基板を搬送すれば、当該薄膜集積回路のラミネート処理を連続的に行うことができる。
【００１４】
また、上記の構成によると、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域と第２の領域が作り分けられているため、任意の薄膜集積回路のみを基体に転置することができる。
【００１５】
また、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域と第２の領域が作り分けられているため、剥離層を除去後、複数の薄膜集積回路の各々を分断する必要がない。つまり、薄膜集積回路を基体に転置した段階で、複数の薄膜集積回路の各々は分断された状態となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
【００１７】
本発明の薄膜集積回路の作製方法について、４つに大別して、図面を参照して説明する。
【００１８】
まず、第１の作製方法について図１、２を参照して説明する。
【００１９】
絶縁表面を有する基板１０１の一表面に剥離層を形成する。次に、剥離層を選択的に除去して、剥離層が設けられた第１の領域１１５と、剥離層を除去した第２の領域１１６を形成する（図１（Ａ）の上面図参照）。剥離層が設けられた第１の領域１１５には、後に薄膜集積回路を形成する。剥離層を除去した第２の領域１１６には、薄膜集積回路を形成せず、後に形成する絶縁膜と基板１０１とが密着した領域となる。
【００２０】
図１（Ａ）に示す上面図では、第１の領域１１５（斜線の領域）は、第２の領域１１６に囲まれている。また、図１（Ａ）に示す上面図では、第１の領域１１５は四角形状の領域である。なお、第１の領域１１５と第２の領域１１６の位置関係やその形状は特に制約されない。
【００２１】
本発明では、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域１１５と第２の領域１１６が作り分けられているため、任意の薄膜集積回路のみを基体に転置することができる。また、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域１１５と第２の領域１１６が作り分けられているため、基体に転置する工程を経ると、複数の薄膜集積回路の各々は自動的に分断される。そのため、複数の薄膜集積回路を分断する工程を省略することができる。
【００２２】
絶縁表面を有する基板１０１とは、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる樹脂基板、金属基板に相当する。また、剥離層は、珪素を含む層をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等の公知の方法により形成する。珪素を含む層とは、非晶質半導体層、非晶質状態と結晶質状態とが混在したセミアモルファス半導体層、結晶質半導体層に相当する。
【００２３】
また、剥離層の選択的な除去は、フォトリソグラフィ法を用いて行うとよい。なお、上記の工程では、基板１０１の一表面の全面に剥離層を形成してから、選択的に剥離層を除去しているが、本発明はこの工程に制約されない。メタルマスク等のマスクを用いることで、予め、基板１０１上に剥離層を選択的に形成してもよい。
【００２４】
続いて、以下の工程について、図１、２を用いて説明する。図１の上面図のＡ−Ｂは、図２の断面図のＡ−Ｂに対応する。
【００２５】
まず、基板１０１又は剥離層１０２〜１０４に接するように、下地用の絶縁膜１０５を形成する（図１（Ｂ）と図２（Ａ）参照）。絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では剥離層１０２〜１０４に接し、第２の領域１１６では基板１０１に接する。絶縁膜１０５は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等の公知の方法を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等からなる薄膜を形成する。
【００２６】
続いて、第１の領域１１５の絶縁膜１０５上に複数の素子を含む素子群１０６を形成する。素子群１０６は、例えば、薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、ダイオード等を１種又は複数種形成する。ここでは、素子群１０６として、２つのトランジスタ１１７、１１８を形成する。次に、素子群１０６を覆うように、絶縁膜１０７を形成し、絶縁膜１０７上に、絶縁膜１０８を形成する。続いて、絶縁膜１０８上に、導電層１１０を形成する。導電層１１０は、アンテナとして機能する。次に、導電層１１０上に、保護膜として機能する絶縁膜１１１を形成する。上記の工程を経て、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９が完成する。なお図１（Ｂ）では、トランジスタ１１７、１１８が含む半導体層の上面図のみを示し、トランジスタ１１７、１１８上に設けられる導電層１１０の図示は省略している。
【００２７】
絶縁膜１０７、１０８、１１１は、有機材料又は無機材料により形成する。有機材料は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等を用いる。また、絶縁膜１０７、１０８、１１１は、シロキサンにより形成する。シロキサンは、珪素と酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。又は、置換基としてフルオロ基を用いてもよい。又は、置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、無機材料には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等を用いる。
【００２８】
続いて、素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域以外に、開口部１１２、１１３を選択的に形成して、剥離層１０２〜１０４を露出させる（図１（Ｃ）と図２（Ｂ）参照）。つまり、素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域の外周に開口部を選択的に形成する。開口部は、マスクを利用したエッチング等によって形成する。図１（Ｃ）の上面図では、開口部は点線の四角で示す。
【００２９】
なお、開口部は、上述したエッチングという方法以外に、レーザービームを照射することによって形成してもよい。
【００３０】
続いて、開口部１１２、１１３に、剥離層１０２〜１０４を除去するエッチング剤を導入して、剥離層１０２〜１０４を除去する（図２（Ｃ）参照）。エッチング剤には、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用する。フッ化ハロゲンを含む気体としては、例えば三フッ化塩素（ＣｌＦ3）を使用する。
【００３１】
次に、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させて、薄膜集積回路１０９を基板１０１から剥離する（図２（Ｄ）参照）。この際、剥離層１０２〜１０４が除去された部分は基体１１４に接着して基板１０１から完全に剥離され、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分は基板１０１に保持されたままとなる。
【００３２】
なお、本発明は上記の形態に制約されない。薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させる際、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分も基体１１４に接着され、基板１０１から剥離することがある。
【００３３】
基体１１４には、プラスチック等からなる可撓性基板、両面テープなどを用いるとよい。可撓性基板には、熱硬化樹脂などの接着剤からなる接着面を設けていてもよい。また、基体１１４を用いずに、物品の表面に接着させてもよい。そうすれば、実装する物品の薄型化や軽量化に貢献することになる。
【００３４】
上記の作製方法では、剥離層を選択的に形成することを特徴とする。上記特徴により、剥離層を除去した後も、絶縁膜１０５の一部が基板１０１に密着した状態にあるため、薄膜集積回路１０９を基板１０１上に保持することができ、薄膜集積回路１０９の飛散を防止することができる。
【００３５】
次に、第２の作製方法について、図３〜５を参照して説明する。
【００３６】
絶縁表面を有する基板１０１の一表面に剥離層を形成する。次に、剥離層を選択的に除去して、剥離層が選択的に設けられた第１の領域１１５と、剥離層を除去した第２の領域１１６を形成する（図３（Ａ）の上面図と、図３（Ｂ）の断面図参照、図３（Ａ）のＣ−Ｄは図３（Ｂ）のＣ−Ｄは対応する）。剥離層が選択的に設けられた第１の領域１１５には、後に薄膜集積回路を形成する。剥離層を除去した第２の領域１１６には、薄膜集積回路を形成せず、後に形成する絶縁膜と基板１０１とが密着した領域となる。
【００３７】
図３（Ａ）に示す上面図では、第１の領域１１５（斜線の領域）は、第２の領域１１６に囲まれている。また、図３（Ａ）に示す上面図では、第１の領域１１５は四角形状の領域である。なお、第１の領域１１５と第２の領域１１６の位置関係やその形状は特に制約されない。
【００３８】
本発明では、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域１１５と第２の領域１１６が作り分けられているため、任意の薄膜集積回路のみを基体に転置することができる。また、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域１１５と第２の領域１１６が作り分けられているため、基体に転置する工程を経ると、複数の薄膜集積回路の各々は自動的に分断される。そのため、複数の薄膜集積回路を分断する工程を省略することができる。
【００３９】
続いて、以下の工程について、図４、５を用いて説明する。図３（Ａ）と図４（Ａ）（Ｂ）の上面図のＡ−Ｂは、図５（Ａ）〜（Ｄ）の断面図のＡ−Ｂに対応する。
【００４０】
基板１０１又は剥離層１２１、１２２に接するように、絶縁膜１０５を形成する（図４（Ａ）と図５（Ａ）参照）。絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では剥離層１２１、１２２又は基板１０１に接し、第２の領域１１６では基板１０１に接する。
【００４１】
続いて、絶縁膜１０５上に複数の素子を含む素子群１０６を形成する。ここでは、素子群１０６として、２つのトランジスタ１１７、１１８を形成する。次に、素子群１０６を覆うように、絶縁膜１０７を形成し、当該絶縁膜１０７上に、絶縁膜１０８を形成する。続いて、絶縁膜１０８上に、導電層１１０を形成する。導電層１１０は、アンテナとして機能する。次に、導電層１１０上に、保護膜として機能する絶縁膜１１１を形成する。上記の工程を経て、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９が完成する。
【００４２】
なお図４（Ａ）（Ｂ）では、トランジスタ１１７、１１８が含む半導体層の上面図を示しており、トランジスタ１１７、１１８が含むゲート電極やトランジスタ１１７、１１８上に設けられる導電層の図示は省略している。
【００４３】
続いて、素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域（以下第３の領域１３５とよぶ）の周囲の領域（以下第４の領域１３６とよぶ）に、開口部１２３、１２４を選択的に形成して、剥離層１２１、１２２を露出させる（図４（Ｂ）と図５（Ｂ）参照）。つまり、素子群１０６と導電層１１０が設けられた第３の領域１３５の外周に、開口部１２３、１２４を選択的に形成する。
【００４４】
続いて、開口部１２３、１２４に剥離層１２１、１２２を除去するエッチング剤を導入して、剥離層１２１、１２２を除去する（図５（Ｃ）参照）。エッチング剤には、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用する。
【００４５】
次に、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させて、薄膜集積回路１０９を基板１０１から完全に剥離する（図５（Ｄ）参照）。この際、剥離層が除去された部分は基体１１４に接着して、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分は基板１０１に保持される。
【００４６】
なお、本発明は上記の形態に制約されない。薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させる際、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分も基体１１４に接着され、基板１０１から剥離することがある。
【００４７】
本作製方法では、第１の領域１１５の剥離層の選択的な除去の工程において、第１の領域１１５が含む第３の領域１３５と第４の領域１３６以外の第５の領域１３７の剥離層を除去し、第３の領域１３５と第４の領域１３６の剥離層を除去しないことを特徴とする。また、開口部は、第４の領域１３６に選択的に設けられることを特徴とする。
【００４８】
つまり、第１の領域１１５は、第３の領域１３５と、第４の領域１３６と、第５の領域１３７に大別され、第３の領域１３５は剥離層と素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域、第４の領域１３６は剥離層が設けられ、素子群１０６と導電層１１０が設けられていない領域、第５の領域１３７は剥離層も素子群１０６も導電層１１０も設けられていない領域に相当する。
【００４９】
上記のように、剥離層を設ける箇所を選択的にすることで、剥離層を除去した後も、絶縁膜１０５の一部は、基板１０１に密着した状態にある。従って、薄膜集積回路１０９を基板１０１に保持することができ、当該薄膜集積回路１０９の飛散を防止することができる。
【００５０】
続いて、第３の作製方法について図６〜８を参照して説明する。
【００５１】
絶縁表面を有する基板１０１の一表面に剥離層を形成する。次に、剥離層を選択的に除去して、剥離層が選択的に設けられた第１の領域１１５と、剥離層を除去した第２の領域１１６を形成する（図６（Ａ）の上面図と、図６（Ｂ）の断面図参照、図６（Ａ）の上面図のＣ−Ｄは、図６（Ｂ）の断面図のＣ−Ｄに対応する）。剥離層が選択的に設けられた第１の領域１１５には、後に薄膜集積回路を形成する。剥離層を除去した第２の領域１１６には、薄膜集積回路を形成せず、後に形成する絶縁膜と基板１０１とが密着した領域となる。
【００５２】
本発明では、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域１１５と第２の領域１１６が作り分けられているため、任意の薄膜集積回路のみを基体に転置することができる。また、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域１１５と第２の領域１１６が作り分けられているため、基体に転置する工程を経ると、複数の薄膜集積回路の各々は自動的に分断される。そのため、複数の薄膜集積回路を分断する工程を省略することができる。
【００５３】
続いて、以下の工程について、図７、図８を用いて説明する。図６（Ａ）、図７（Ａ）（Ｂ）の上面図のＡ−Ｂは、図８（Ａ）〜（Ｄ）の断面図のＡ−Ｂに対応する。
【００５４】
基板１０１又は剥離層１２５に接するように、下地用の絶縁膜１０５を形成する（図７（Ａ）と図８（Ａ）参照）。絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では剥離層１２５又は基板１０１に接し、第２の領域１１６では基板１０１に接する。
【００５５】
続いて、絶縁膜１０５上に複数の素子を含む素子群１０６を形成する。ここでは、素子群１０６として、２つのトランジスタ１１７、１１８を形成する。次に、素子群１０６を覆うように、絶縁膜１０７を形成し、当該絶縁膜１０７上に、絶縁膜１０８を形成する。続いて、絶縁膜１０８上に、導電層１１０を形成する。導電層１１０は、アンテナとして機能する。次に、導電層１１０上に、保護膜として機能する絶縁膜１１１を形成する。上記の工程を経て、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９が完成する。
【００５６】
なお図７（Ａ）（Ｂ）では、トランジスタ１１７、１１８が含む半導体層の上面図を示しており、トランジスタ１１７、１１８が含むゲート電極やトランジスタ１１７、１１８上に設けられる導電層の図示は省略している。
【００５７】
続いて、素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域（以下第３の領域１３５とよぶ）と、第３の領域１３５の周囲の領域（以下第５の領域１３７とよぶ）以外の領域（以下第４の領域１３６とよぶ）に、開口部１２６を形成して、剥離層１２５を露出させる（図７（Ｂ）と図８（Ｂ）参照）。ここでは、第３の領域１３５は素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域であり、第５の領域１３７は第３の領域１３５の外周の領域であり、第４の領域１３６は第３の領域１３５と第５の領域１３７以外の領域である。第４の領域１３６と第５の領域１３７は、第３の領域１３５との間の距離によって区別され、例えば、第３の領域１３５から、ある一定の距離の領域を第５の領域１３７とし、それ以外の領域を第４の領域１３６として区別するとよい。
【００５８】
続いて、開口部１２６に、剥離層１２５を除去するエッチング剤を導入して、剥離層１２５を除去する（図８（Ｃ）参照）。エッチング剤には、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用する。
【００５９】
次に、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させて、薄膜集積回路１０９を基板１０１から完全に剥離する（図８（Ｄ）参照）。この際、剥離層が除去された部分は基体１１４に接着して、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分は基板１０１に保持される。
【００６０】
なお、本発明は上記の形態に制約されない。薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させる際、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分も基体１１４に接着され、基板１０１から剥離することがある。
【００６１】
本作製方法では、第１の領域１１５の剥離層の選択的な除去の工程において、第１の領域１１５が含む第５の領域１３７の剥離層を選択的に除去し、第３の領域１３５と第４の領域１３６の剥離層を除去しないことを特徴とする。
【００６２】
つまり、第１の領域１１５は、第３の領域１３５と、第４の領域１３６と、第５の領域１３７に大別され、第３の領域１３５は剥離層と素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域、第５の領域１３７は剥離層が選択的に設けられ、素子群１０６と導電層１１０が設けられていない領域、第４の領域１３６は剥離層が設けられ、素子群１０６と導電層１１０が設けられていない領域に相当する。また、第４の領域１３６は、開口部が設けられる領域に相当する。
【００６３】
上記のように、剥離層を設ける箇所を選択的にすることで、剥離層を除去した後も、絶縁膜１０５の一部は、基板１０１に密着した状態にある。従って、薄膜集積回路１０９を基板１０１に保持することが可能となり、当該薄膜集積回路１０９の飛散を防止することができる。
【００６４】
次に、第４の作製方法について、図９、１０を参照して説明する。
【００６５】
絶縁表面を有する基板１０１の一表面に剥離層を形成する。次に、剥離層を選択的に除去して、剥離層が選択的に設けられた第１の領域１１５と、剥離層を除去した第２の領域１１６を形成する（図６（Ａ）の上面図と、図６（Ｂ）の断面図参照）。この工程は、上記の第３の方法と同じである。
【００６６】
続いて、以下の工程について、図９、１０を用いて説明する。図９の上面図のＡ−Ｂは、図１０の断面図のＡ−Ｂに対応する。
【００６７】
基板１０１又は剥離層１３１に接するように、下地用の絶縁膜１０５を形成する（図９（Ｂ）と図１０（Ａ）参照）。絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では剥離層１３１又は基板１０１に接し、第２の領域１１６では基板１０１に接する。図９（Ａ）において、剥離層１３１が設けられていない領域は、斜線が引かれていない四角で示す領域である。
【００６８】
続いて、絶縁膜１０５上に複数の素子を含む素子群１０６を形成する。ここでは、素子群１０６として、２つのトランジスタ１１７、１１８を形成する。次に、素子群１０６を覆うように、絶縁膜１０７を形成し、当該絶縁膜１０７上に、絶縁膜１０８を形成する。続いて、絶縁膜１０８上に、導電層１１０を形成する。導電層１１０は、アンテナとして機能する。次に、導電層１１０上に、保護膜として機能する絶縁膜１１１を形成する。上記の工程を経て、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９が完成する。
【００６９】
なお図９（Ａ）〜（Ｃ）では、トランジスタ１１７、１１８が含む半導体層の上面図を示しており、トランジスタ１１７、１１８が含むゲート電極やトランジスタ１１７、１１８上に設けられる導電層の図示は省略している。
【００７０】
なお、本工程では、基板１０１と絶縁膜１０５が密着する領域は、薄膜集積回路１０９が設けられた領域と重なるように設けられる。このような基板１０１と絶縁膜１０５が密着する領域は、薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させる際に、基板１０１から剥離される。従って、基板１０１と絶縁膜１０５が密着する領域は、できる限り小さく設けるとよい。
【００７１】
続いて、素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域（以下第３の領域１３５とよぶ）以外の領域（以下第４の領域１３６とよぶ）に、開口部１３２を選択的に形成して、剥離層１３１を露出させる（図９（Ｃ）と図１０（Ｂ）参照）。
【００７２】
続いて、開口部１３２に剥離層１３１を除去するエッチング剤を導入して、剥離層１３１を除去する（図１０（Ｃ）参照）。エッチング剤には、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用する。
【００７３】
次に、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させて、薄膜集積回路１０９を基板１０１から完全に剥離する（図１０（Ｄ）参照）。この際、剥離層が除去された部分だけでなく、基板１０１と絶縁膜１０５が密着していた部分も基体１１４に接着される。
【００７４】
なお、本発明は上記の形態に制約されない。薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させる際、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分も基体１１４に接着され、基板１０１から剥離することがある。
【００７５】
本作製方法では、第１の領域１１５の剥離層の選択的な除去の工程では、第１の領域１１５が含む第３の領域１３５の剥離層を選択的に除去し、第４の領域１３６の剥離層を除去しないことを特徴とする。
【００７６】
つまり、第１の領域１１５は、第３の領域１３５と、第４の領域１３６に大別され、第３の領域１３５は選択的に設けられた剥離層と素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域、第４の領域１３６は剥離層が設けられ、素子群１０６と導電層１１０が設けられていない領域に相当する。また、第４の領域１３６は、開口部が設けられる領域に相当する。
【００７７】
上記のように、剥離層を設ける箇所を選択的にすることで、剥離層を除去した後も、絶縁膜１０５の一部は、基板１０１に密着した状態にある。従って、薄膜集積回路１０９を基板１０１に保持することが可能となり、当該薄膜集積回路１０９の飛散を防止することができる。
【００７８】
なお、上記の第１乃至第４の作製方法において、第２の領域１１６の剥離層は全て除去していたが、本発明はこの工程に限定されない。第２の領域１１６の剥離層を選択的に除去してもよい。例えば、第１の作製方法の場合、第１の領域１１５の剥離層を除去せず、第２の領域１１６の剥離層は選択的に除去してもよい（図１１（Ａ）参照）。また、第２の作製方法の場合、第１の領域１１５と第４の領域１１６の剥離層を共に選択的に除去してもよい（図１１（Ｂ）参照）。また、第３の作製方法と第４の作製方法の場合も、第１の領域１１５と第２の領域１１６の剥離層を共に選択的に除去してもよい（図１１（Ｃ）参照）。
【００７９】
図１１（Ａ）〜（Ｃ）の上面図において、第１の領域１１５は、四角形状で、かつ点線で囲まれた領域である。第２の領域１１６は、第１の領域１１５以外の領域である。第１の領域１１５は、第２の領域１１６に囲まれている。
【００８０】
上記のように、第２の領域１１６の剥離層を選択的に除去することで、薄膜集積回路１０９の基板１０１に対する保持をより確実に行うことが可能となり、当該薄膜集積回路１０９の飛散を防止することができる。
【００８１】
上記の工程を経て剥離された薄膜集積回路１０９は、そのまま用いてもよいし、基体により封止した後に用いてもよい。本発明は絶縁基板上に形成された薄膜集積回路１０９を用いるため、円形のシリコン基板から形成されたチップと比較して、母体基板の形状に制約がない。そのため、生産性を高め、大量生産を可能とし、低コスト化を実現する。また、本発明は、０．２μｍ以下、代表的には４０ｎｍ〜１７０ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍの膜厚の半導体膜を能動領域として用いることができるため、非常に薄型となり、物品に実装しても、薄膜集積回路の存在が認識しづらく、改ざん防止につながる。
【実施例１】
【００８２】
本発明により作製される薄膜集積回路は、複数の素子と、アンテナとして機能する導電層とを有する。複数の素子とは、例えば、薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、ダイオード等に相当する。
【００８３】
薄膜集積回路２１０は、非接触でデータを交信する機能を有し、当該薄膜集積回路２１０が含む複数の素子は様々な回路を構成する。例えば、電源回路２１１、クロック発生回路２１２、データ復調／変調回路２１３、制御回路２１４、インターフェイス回路２１５、メモリ２１６、データバス２１７、アンテナ（アンテナコイルともよぶ）２１８等を有する（図１２参照）。
【００８４】
電源回路２１１は、アンテナ２１８から入力された交流信号を基に、上記の各回路に供給する各種電源を生成する回路である。クロック発生回路２１２は、アンテナ２１８から入力された交流信号を基に、上記の各回路に供給する各種クロックを生成する回路である。データ復調／変調回路２１３は、リーダライタ２１９と交信するデータを復調又は変調する機能を有する。制御回路２１４は、例えば、中央処理ユニット（ＣＰＵ、Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やマイクロプロセッサ（ＭＰＵ、ＭｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｕｎｉｔ）等に相当し、他の回路を制御する機能を有する。アンテナ２１８は、電磁界或いは電波の送受信を行う機能を有する。リーダライタ２１９は、薄膜集積回路との交信、制御及びそのデータに関する処理を制御する。
【００８５】
なお、薄膜集積回路が構成する回路は上記構成に制約されず、例えば、電源電圧のリミッタ回路や暗号処理専用ハードウエアといった他の構成要素を追加した構成であってもよい。
【実施例２】
【００８６】
本発明により作製される薄膜集積回路の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図１３（Ａ）参照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１３（Ｂ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等、図１３（Ｃ）参照）、乗物類（自転車等、図１３（Ｄ）参照）、身の回り品（鞄や眼鏡等、図１３（Ｅ）参照）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ）及び携帯電話等を指す。
【００８７】
なお、薄膜集積回路は、物品の表面に貼ったり、物品に埋め込んだりして、物品に固定される。例えば、物品が本なら紙に薄膜集積回路を埋め込んだり、物品が有機樹脂からなるパッケージなら有機樹脂に薄膜集積回路を埋め込んだりするとよい。紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に薄膜集積回路を設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に薄膜集積回路を設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。乗物類に薄膜集積回路を設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。
【００８８】
また、薄膜集積回路を、物の管理や流通のシステムに応用することで、システムの高機能化を図ることができる。例えば、表示部２９４を含む携帯端末の側面にリーダライタ２９５を設けて、物品２９７の側面に薄膜集積回路２９６を設ける場合が挙げられる（図１４（Ａ）参照）。この場合、リーダライタ２９５に薄膜集積回路２９６をかざすと、表示部２９４に物品２９７の原材料や原産地、流通過程の履歴等の情報が表示されるシステムになっている。また、別の例として、ベルトコンベアの脇にリーダライタ２９５を設ける場合が挙げられる（図１４（Ｂ）参照）。この場合、物品２９７の検品を簡単に行うことができる。このように、薄膜集積回路を、システムに応用することで、システムの多機能化を図ることができる。
【実施例３】
【００８９】
上記の実施の形態では、剥離層は、珪素を含む層をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等の公知の方法により形成するとあるが、本発明は、珪素を含む層に限定されない。剥離層は、例えば、公知の手段（スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等）により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成してもよい。
【００９０】
剥離層が単層構造の場合、好ましくは、タングステンを含む層、モリブデンを含む層、タングステンとモリブデンの混合物を含む層、タングステンの酸化物を含む層、タングステンの酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物を含む層、モリブデンの酸化窒化物を含む層、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【００９１】
剥離層が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステンを含む層、モリブデンを含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステンを含む層、モリブデンを含む層、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物を含む層、タングステンとモリブデンの混合物の窒化物を含む層、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物を含む層、タングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物を含む層を形成する。
【００９２】
なお、剥離層として、タングステンを含む層、タングステンの酸化物を含む層の２層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化珪素を含む層を形成することで、タングステン層と酸化珪素層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。これは、他の積層構造を形成する場合も同様であり、例えば、タングステンを含む層、タングステンの窒化物、酸化窒化物又は窒化酸化物を含む層の２層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成後、その上層に窒化珪素層、酸素を含む窒化珪素層、窒素を含む酸化珪素層を形成する。
【００９３】
また、エッチング剤として、ハロゲン化物を含む気体又は液体を用いてもよい。ハロゲン化物として、例えば、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）、三フッ化窒素（ＮＦ3）、三フッ化臭素（ＢｒＦ3）、フッ化水素（ＨＦ）を用いてもよい。なお、フッ化水素（ＨＦ）を用いる場合 は、剥離層として、珪素の酸化物を用いる。本実施例は、他の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【実施例４】
【００９４】
上記の実施の形態では、薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させることにより、薄膜集積回路１０９を基板１０１から剥離するまでの工程について述べた。本実施例では、その後の工程について、図１５を参照して説明する。
【００９５】
薄膜集積回路１０９の一方の面を基体１１４に接着させた後は、薄膜集積回路１０９の他方の面を基体１４０に接着させる。その後、基体１１４と基体１４０が互いに接着した部分を、切断手段１４１で切断する。そうすると、封止された１つの薄膜集積回路１０９が完成する。切断手段１４１は、ダイシング装置、スクライビング装置、レーザー照射装置（特にＣＯ2レーザー照射装置）、ナイフ等に相当する。そして、封止された薄膜集積回路１０９は、出荷される。
【００９６】
基体１１４と基体１４０（基板、フィルム、テープとよぶこともできる）は、フィルムや繊維質な材料からなる紙などに相当する。フィルムは、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニル、エチレンビニルアセテート等の材料からなる。なお、基体１１４と基体１４０の表面は、二酸化珪素（シリカ）の粉末により、コーティングされていてもよい。このコーティングにより、高温で高湿度の環境下においても防水性を保つことができる。また、基体１１４と基体１４０の表面を、インジウム錫酸化物等の導電性材料によりコーティングされていてもよい。コーティングにより、静電気がチャージされ、薄膜集積回路１０９を保護することができる。また、基体１１４と基体１４０の一方又は両方は、保護膜として、炭素を主成分とする薄膜（ダイヤモンドライクカーボン膜）によりコーティングされていてもよい。
【００９７】
また、基体１１４と基体１４０の一方又は両方は、一方の面に接着面を有していてもよい。接着面は、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤等の接着剤を塗布したものである。また、基体１１４と基体１４０の一方又は両方は、透光性を有していてもよい。本実施例は、他の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【実施例５】
【００９８】
上述の実施の形態では、基板上に、剥離層、絶縁膜の順に積層して形成する方法について説明した。例えば、第１の作製方法では、基板１０１又は剥離層１０２〜１０４に接するように、絶縁膜１０５を形成している（図２（Ａ）参照）。第２の作製方法では、基板１０１又は剥離層１２１、１２２に接するように、絶縁膜１０５を形成している（図５（Ａ）参照）。第３の作製方法では、基板１０１又は剥離層１２５に接するように、絶縁膜１０５を形成している（図８（Ａ）参照）。第４の作製方法では、基板１０１又は剥離層１３１に接するように、絶縁膜１０５を形成している（図１０（Ａ）参照）。しかしながら、本発明はこれに制約されない。基板上に、第１の絶縁膜、剥離層、第２の絶縁膜の順に積層して形成してもよい。
【００９９】
つまり、基板の一表面に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に剥離層を形成する。次に、剥離層を選択的に除去して、剥離層が設けられた第１の領域と、剥離層が設けられていない第２の領域を形成する。続いて、第２の絶縁膜を全面に形成する。具体的には、第１の領域では剥離層に接し、第２の領域では第１の絶縁膜に接するように、第２の絶縁膜を形成する。そうすると、第１の領域では、基板上に、第１の絶縁膜、剥離層、第２の絶縁膜が順に積層して設けられ、第２の領域では、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜が順に積層して設けられる。
【０１００】
次に、第１の領域の第２の絶縁膜上に複数の素子とアンテナとして機能する導電層を含む薄膜集積回路を形成し、続いて開口部を形成し、その後、開口部にエッチング剤を導入して剥離層を除去する。そうすると、第１の領域では、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の間に空間が生じるが、第２の領域では、基板、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜が順に密着して積層されたままとなる。
【０１０１】
このように、剥離層を除去した後も、基板上に、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜が密着した領域が設けられていることにより、第２の絶縁膜の上方に設けられた薄膜集積回路の飛散を防止することができる。また、基板上に、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜が密着した領域が設けられていることで、基板上に薄膜集積回路を保持することができ、当該薄膜集積回路の基体への転置を容易に行うことができる。
【０１０２】
また、第１の絶縁膜を設けることにより、ガラス基板からの不純物の侵入を防止することができる。また、剥離層を選択的に形成する際、剥離層をパターン加工するが、その際、剥離層だけでなく、基板がエッチングされてしまうことがある。しかしながら、第１の絶縁膜を形成することにより、基板がエッチングされてしまうことを防止することができる。第１の絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等の公知の方法を用いて、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素が添加された珪素の酸化物、酸素が添加された珪素の窒化物等からなる薄膜を形成する。
【０１０３】
以下には、基板上に、第１の絶縁膜、剥離層、第２の絶縁膜の順に作製する作製方法について説明する。
【０１０４】
第１の作製方法では、まず、基板１０１上に絶縁膜１１９（第１の絶縁膜に相当）を形成する（図１６（Ａ）参照）。次に、絶縁膜１１９上に、選択的に剥離層１０２〜１０４を形成する。続いて、絶縁膜１１９又は剥離層１０２〜１０４に接するように、絶縁膜１０５（第２の絶縁膜に相当）を形成する。そうすると、絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では剥離層１０２〜１０４に接し、第２の領域１１６では絶縁膜１１９に接する。その後は、上述した通り、第１の領域１１５の絶縁膜１０５上に、複数の素子１０６とアンテナとして機能する導電層１１０を形成する。次に、第１の領域１１５に、剥離層１０２〜１０４が露出される開口部を選択的に形成する。次に、開口部にエッチング剤を導入して、剥離層１０２〜１０４を除去する。
【０１０５】
第２の作製方法では、まず、基板１０１上に絶縁膜１１９（第１の絶縁膜に相当）を形成する（図１６（Ｂ）参照）。次に、絶縁膜１１９上に、選択的に剥離層１２１、１２２を形成する。続いて、絶縁膜１１９又は剥離層１２１、１２２に接するように、絶縁膜１０５（第２の絶縁膜に相当）を形成する。そうすると、絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では、剥離層１２１、１２２又は絶縁膜１１９に接し、第２の領域１１６では、絶縁膜１１９に接する。その後は、上述した通り、第１の領域１１５の絶縁膜１０５上に、複数の素子１０６とアンテナとして機能する導電層１１０を形成する。次に、第１の領域１１５に、剥離層１２１、１２２が露出される開口部を選択的に形成する。次に、開口部にエッチング剤を導入して、剥離層１２１、１２２を除去する。
【０１０６】
第３の作製方法では、まず、基板１０１上に絶縁膜１１９（第１の絶縁膜に相当）を形成する（図１７（Ａ）参照）。次に、絶縁膜１１９上に、選択的に剥離層１２５を形成する。続いて、絶縁膜１１９又は剥離層１２５に接するように、絶縁膜１０５（第２の絶縁膜に相当）を形成する。そうすると、絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では、剥離層１２５又は絶縁膜１１９に接し、第２の領域１１６では、絶縁膜１１９に接する。その後は、上述した通り、第１の領域１１５の絶縁膜１０５上に、複数の素子１０６とアンテナとして機能する導電層１１０を形成する。次に、第１の領域１１５に、剥離層１２５が露出される開口部を選択的に形成する。次に、開口部にエッチング剤を導入して、剥離層１２５を除去する。
【０１０７】
第４の作製方法では、まず、基板１０１上に絶縁膜１１９（第１の絶縁膜に相当）を形成する（図１７（Ｂ）参照）。次に、絶縁膜１１９上に、選択的に剥離層１３１を形成する。続いて、絶縁膜１１９又は剥離層１３１に接するように、絶縁膜１０５（第２の絶縁膜に相当）を形成する。そうすると、絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では、剥離層１３１又は絶縁膜１１９に接し、第２の領域１１６では、絶縁膜１１９に接する。その後は、上述した通り、第１の領域１１５の絶縁膜１０５上に、複数の素子１０６とアンテナとして機能する導電層１１０を形成する。次に、第１の領域１１５に、剥離層１２１が露出される開口部を選択的に形成する。次に、開口部にエッチング剤を導入して、剥離層１２１を除去する。
【０１０８】
なお、上記の作製方法では、薄膜集積回路として、複数の素子と、アンテナとして機能する導電層を形成しているが、本発明はこの構成に制約されない。電磁波を送受信する機能を有する半導体装置を形成する場合、複数の素子のみ、又は複数の素子とアンテナとして機能する導電層を形成するとよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図２】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図３】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図４】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図５】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図６】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図７】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図８】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図９】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図１０】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図１１】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図１２】薄膜集積回路の構成を説明する図。
【図１３】薄膜集積回路の使用形態について説明する図。
【図１４】薄膜集積回路の使用形態について説明する図。
【図１５】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図１６】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図１７】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【符号の説明】
【０１１０】
１０１ 基板
１０２ 剥離層
１０３ 剥離層
１０４ 剥離層
１０５ 絶縁膜
１０６ 素子群
１０７ 絶縁膜
１０８ 絶縁膜
１０９ 薄膜集積回路
１１０ 導電層
１１１ 絶縁膜
１１２ 開口部
１１３ 開口部
１１４ 基体
１１５ 第１の領域
１１６ 第２の領域
１１７ トランジスタ
１１８ トランジスタ
１１９ 絶縁膜
１２１ 剥離層
１２２ 剥離層
１２３ 開口部
１２４ 開口部
１２５ 剥離層
１２６ 開口部
１３１ 剥離層
１３２ 開口部
１３５ 第３の領域
１３６ 第４の領域
１３７ 第５の領域
１４０ 基体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜集積回路の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁基板上に設けられた薄膜集積回路を転置する技術開発が進められている。このような技術として、例えば、薄膜集積回路と基板の間に剥離層を設けて、当該剥離層を、ハロゲンを含む気体を用いて除去することにより、薄膜集積回路を支持基板から分離し、その後転置する技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−２５４６８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記の特許文献によると、基板の一表面に剥離層を形成し、当該剥離層上に薄膜集積回路を形成し、続いて剥離層を除去する。そうすると、薄膜集積回路は基板から剥離され、基板と薄膜集積回路の間には空間が生じる。その後、薄膜集積回路を基体に接着させるが、当該薄膜集積回路は数μｍ程度と薄く、また大変軽いものである。そのため、薄膜集積回路を基体に接着させる前に、当該薄膜集積回路が基板から飛散してしまうことがあった。そこで本発明は、薄膜集積回路の飛散を防止することを課題とする。また、剥離層を除去した後の薄膜集積回路の基体への転置を容易に行うことを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、基板の一表面に剥離層を形成した後に、当該剥離層を選択的に除去して、剥離層が設けられた第１の領域と、剥離層が設けられていない第２の領域を形成する。続いて、下地用の絶縁膜を全面に形成する。そうすると、絶縁膜は、第１の領域では剥離層に接し、第２の領域では基板に接する。
【０００５】
次に、第１の領域の絶縁膜上に複数の素子とアンテナとして機能する導電層を含む薄膜集積回路を形成し、続いて開口部を形成し、その後開口部にエッチング剤を導入して剥離層を除去する。この際、剥離層が設けられていた第１の領域では、基板と絶縁膜の間に空間が生じるが、剥離層が設けられていない第２の領域では、基板と絶縁膜が密着したままである。
【０００６】
このように、剥離層を除去した後も、基板と絶縁膜が密着した領域が設けられていることで、絶縁膜の上方に設けられた薄膜集積回路の飛散を防止することができる。また、基板と絶縁膜が密着した領域が設けられていることで、基板上に薄膜集積回路を保持することができ、当該薄膜集積回路の基体への転置を容易に行うことができる。
【０００７】
本発明の薄膜集積回路の作製方法は、絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成する工程と、第２の領域の剥離層のみを除去する工程と、絶縁基板又は剥離層に接するように絶縁膜を形成する工程と、第１の領域の絶縁膜上に複数の素子とアンテナとして機能する導電層を形成する工程と、複数の素子と導電層が設けられた領域以外に開口部を選択的に形成して剥離層を露出させる工程と、開口部にエッチング剤を導入して剥離層を除去する工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の薄膜集積回路の作製方法は、絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成する工程と、第１の領域の剥離層を選択的に除去する工程と、第２の領域の剥離層を除去する工程と、絶縁基板又は剥離層に接するように絶縁膜を形成する工程と、第１の領域の絶縁膜上に複数の素子とアンテナとして機能する導電層を形成する工程と、複数の素子と導電層が設けられた第３の領域の周囲の第４の領域に開口部を選択的に形成して剥離層を露出させる工程と、開口部にエッチング剤を導入して剥離層を除去する工程とを有し、第１の領域の剥離層の選択的な除去の工程では、第１の領域が含む第３の領域と第４の領域以外の第５の領域の剥離層を除去し、第３の領域と第４の領域の剥離層を除去しないことを特徴とする。
【０００９】
本発明の薄膜集積回路の作製方法は、絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成する工程と、第１の領域の剥離層を選択的に除去する工程と、第２の領域の剥離層を除去する工程と、絶縁基板又は剥離層に接するように絶縁膜を形成する工程と、第１の領域の絶縁膜上に複数の素子とアンテナとして機能する導電層を形成する工程と、複数の素子と導電層が設けられた第３の領域と第３の領域の周囲の第５の領域以外の第４の領域に開口部を形成して剥離層を露出させる工程と、開口部にエッチング剤を導入して剥離層を除去する工程とを有し、第１の領域の剥離層の選択的な除去の工程では、第１の領域が含む第５の領域の剥離層を選択的に除去し、第３の領域と第４の領域の剥離層を除去しないことを特徴とする。
【００１０】
本発明の薄膜集積回路の作製方法は、絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成する工程と、第１の領域の剥離層を選択的に除去する工程と、第２の領域の剥離層を除去する工程と、絶縁基板又は剥離層に接するように絶縁膜を形成する工程と、第１の領域の絶縁膜上に複数の素子とアンテナとして機能する導電層を形成する工程と、複数の素子と導電層が設けられた第３の領域以外の第４の領域に開口部を選択的に形成して剥離層を露出させる工程と、開口部にエッチング剤を導入して剥離層を除去する工程とを有し、第１の領域の剥離層の選択的な除去の工程では、第１の領域が含む第３の領域の剥離層を選択的に除去し、第３の領域以外の剥離層を除去しないことを特徴とする。
【００１１】
上記工程を有する薄膜集積回路の作製方法において、第２の領域の剥離層を除去する工程を、第２の領域の剥離層を選択的に除去する工程に置換してもよい。また、エッチング剤はフッ化ハロゲンを含む気体又は液体であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、剥離層を除去した後も、基板と絶縁膜が密着した領域を設けることで、当該絶縁膜の上方に設けられた薄膜集積回路の飛散を防止することができる。また、基板と絶縁膜が密着した領域を設けることで、基板上に薄膜集積回路を保持することができるため、当該薄膜集積回路の基体への転置を容易に行うことができる。
【００１３】
また、本発明のように、基板上に薄膜集積回路が保持された状態であれば、当該基板をそのまま搬送することができるため、搬送手段を含む量産装置に用いることができる。例えば、ラミネート装置に、薄膜集積回路が保持された基板を搬送すれば、当該薄膜集積回路のラミネート処理を連続的に行うことができる。
【００１４】
また、上記の構成によると、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域と第２の領域が作り分けられているため、任意の薄膜集積回路のみを基体に転置することができる。
【００１５】
また、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域と第２の領域が作り分けられているため、剥離層を除去後、複数の薄膜集積回路の各々を分断する必要がない。つまり、薄膜集積回路を基体に転置した段階で、複数の薄膜集積回路の各々は分断された状態となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
【００１７】
本発明の薄膜集積回路の作製方法について、４つに大別して、図面を参照して説明する。
【００１８】
まず、第１の作製方法について図１、２を参照して説明する。
【００１９】
絶縁表面を有する基板１０１の一表面に剥離層を形成する。次に、剥離層を選択的に除去して、剥離層が設けられた第１の領域１１５と、剥離層を除去した第２の領域１１６を形成する（図１（Ａ）の上面図参照）。剥離層が設けられた第１の領域１１５には、後に薄膜集積回路を形成する。剥離層を除去した第２の領域１１６には、薄膜集積回路を形成せず、後に形成する絶縁膜と基板１０１とが密着した領域となる。
【００２０】
図１（Ａ）に示す上面図では、第１の領域１１５（斜線の領域）は、第２の領域１１６に囲まれている。また、図１（Ａ）に示す上面図では、第１の領域１１５は四角形状の領域である。なお、第１の領域１１５と第２の領域１１６の位置関係やその形状は特に制約されない。
【００２１】
本発明では、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域１１５と第２の領域１１６が作り分けられているため、任意の薄膜集積回路のみを基体に転置することができる。また、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域１１５と第２の領域１１６が作り分けられているため、基体に転置する工程を経ると、複数の薄膜集積回路の各々は自動的に分断される。そのため、複数の薄膜集積回路を分断する工程を省略することができる。
【００２２】
絶縁表面を有する基板１０１とは、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる樹脂基板、金属基板に相当する。また、剥離層は、珪素を含む層をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等の公知の方法により形成する。珪素を含む層とは、非晶質半導体層、非晶質状態と結晶質状態とが混在したセミアモルファス半導体層、結晶質半導体層に相当する。
【００２３】
また、剥離層の選択的な除去は、フォトリソグラフィ法を用いて行うとよい。なお、上記の工程では、基板１０１の一表面の全面に剥離層を形成してから、選択的に剥離層を除去しているが、本発明はこの工程に制約されない。メタルマスク等のマスクを用いることで、予め、基板１０１上に剥離層を選択的に形成してもよい。
【００２４】
続いて、以下の工程について、図１、２を用いて説明する。図１の上面図のＡ−Ｂは、図２の断面図のＡ−Ｂに対応する。
【００２５】
まず、基板１０１又は剥離層１０２〜１０４に接するように、下地用の絶縁膜１０５を形成する（図１（Ｂ）と図２（Ａ）参照）。絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では剥離層１０２〜１０４に接し、第２の領域１１６では基板１０１に接する。絶縁膜１０５は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等の公知の方法を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等からなる薄膜を形成する。
【００２６】
続いて、第１の領域１１５の絶縁膜１０５上に複数の素子を含む素子群１０６を形成する。素子群１０６は、例えば、薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、ダイオード等を１種又は複数種形成する。ここでは、素子群１０６として、２つのトランジスタ１１７、１１８を形成する。次に、素子群１０６を覆うように、絶縁膜１０７を形成し、絶縁膜１０７上に、絶縁膜１０８を形成する。続いて、絶縁膜１０８上に、導電層１１０を形成する。導電層１１０は、アンテナとして機能する。次に、導電層１１０上に、保護膜として機能する絶縁膜１１１を形成する。上記の工程を経て、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９が完成する。なお図１（Ｂ）では、トランジスタ１１７、１１８が含む半導体層の上面図のみを示し、トランジスタ１１７、１１８上に設けられる導電層１１０の図示は省略している。
【００２７】
絶縁膜１０７、１０８、１１１は、有機材料又は無機材料により形成する。有機材料は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等を用いる。また、絶縁膜１０７、１０８、１１１は、シロキサンにより形成する。シロキサンは、珪素と酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。又は、置換基としてフルオロ基を用いてもよい。又は、置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、無機材料には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等を用いる。
【００２８】
続いて、素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域以外に、開口部１１２、１１３を選択的に形成して、剥離層１０２〜１０４を露出させる（図１（Ｃ）と図２（Ｂ）参照）。つまり、素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域の外周に開口部を選択的に形成する。開口部は、マスクを利用したエッチング等によって形成する。図１（Ｃ）の上面図では、開口部は点線の四角で示す。
【００２９】
なお、開口部は、上述したエッチングという方法以外に、レーザービームを照射することによって形成してもよい。
【００３０】
続いて、開口部１１２、１１３に、剥離層１０２〜１０４を除去するエッチング剤を導入して、剥離層１０２〜１０４を除去する（図２（Ｃ）参照）。エッチング剤には、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用する。フッ化ハロゲンを含む気体としては、例えば三フッ化塩素（ＣｌＦ3）を使用する。
【００３１】
次に、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させて、薄膜集積回路１０９を基板１０１から剥離する（図２（Ｄ）参照）。この際、剥離層１０２〜１０４が除去された部分は基体１１４に接着して基板１０１から完全に剥離され、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分は基板１０１に保持されたままとなる。
【００３２】
なお、本発明は上記の形態に制約されない。薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させる際、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分も基体１１４に接着され、基板１０１から剥離することがある。
【００３３】
基体１１４には、プラスチック等からなる可撓性基板、両面テープなどを用いるとよい。可撓性基板には、熱硬化樹脂などの接着剤からなる接着面を設けていてもよい。また、基体１１４を用いずに、物品の表面に接着させてもよい。そうすれば、実装する物品の薄型化や軽量化に貢献することになる。
【００３４】
上記の作製方法では、剥離層を選択的に形成することを特徴とする。上記特徴により、剥離層を除去した後も、絶縁膜１０５の一部が基板１０１に密着した状態にあるため、薄膜集積回路１０９を基板１０１上に保持することができ、薄膜集積回路１０９の飛散を防止することができる。
【００３５】
次に、第２の作製方法について、図３〜５を参照して説明する。
【００３６】
絶縁表面を有する基板１０１の一表面に剥離層を形成する。次に、剥離層を選択的に除去して、剥離層が選択的に設けられた第１の領域１１５と、剥離層を除去した第２の領域１１６を形成する（図３（Ａ）の上面図と、図３（Ｂ）の断面図参照、図３（Ａ）のＣ−Ｄは図３（Ｂ）のＣ−Ｄは対応する）。剥離層が選択的に設けられた第１の領域１１５には、後に薄膜集積回路を形成する。剥離層を除去した第２の領域１１６には、薄膜集積回路を形成せず、後に形成する絶縁膜と基板１０１とが密着した領域となる。
【００３７】
図３（Ａ）に示す上面図では、第１の領域１１５（斜線の領域）は、第２の領域１１６に囲まれている。また、図３（Ａ）に示す上面図では、第１の領域１１５は四角形状の領域である。なお、第１の領域１１５と第２の領域１１６の位置関係やその形状は特に制約されない。
【００３８】
本発明では、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域１１５と第２の領域１１６が作り分けられているため、任意の薄膜集積回路のみを基体に転置することができる。また、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域１１５と第２の領域１１６が作り分けられているため、基体に転置する工程を経ると、複数の薄膜集積回路の各々は自動的に分断される。そのため、複数の薄膜集積回路を分断する工程を省略することができる。
【００３９】
続いて、以下の工程について、図４、５を用いて説明する。図３（Ａ）と図４（Ａ）（Ｂ）の上面図のＡ−Ｂは、図５（Ａ）〜（Ｄ）の断面図のＡ−Ｂに対応する。
【００４０】
基板１０１又は剥離層１２１、１２２に接するように、絶縁膜１０５を形成する（図４（Ａ）と図５（Ａ）参照）。絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では剥離層１２１、１２２又は基板１０１に接し、第２の領域１１６では基板１０１に接する。
【００４１】
続いて、絶縁膜１０５上に複数の素子を含む素子群１０６を形成する。ここでは、素子群１０６として、２つのトランジスタ１１７、１１８を形成する。次に、素子群１０６を覆うように、絶縁膜１０７を形成し、当該絶縁膜１０７上に、絶縁膜１０８を形成する。続いて、絶縁膜１０８上に、導電層１１０を形成する。導電層１１０は、アンテナとして機能する。次に、導電層１１０上に、保護膜として機能する絶縁膜１１１を形成する。上記の工程を経て、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９が完成する。
【００４２】
なお図４（Ａ）（Ｂ）では、トランジスタ１１７、１１８が含む半導体層の上面図を示しており、トランジスタ１１７、１１８が含むゲート電極やトランジスタ１１７、１１８上に設けられる導電層の図示は省略している。
【００４３】
続いて、素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域（以下第３の領域１３５とよぶ）の周囲の領域（以下第４の領域１３６とよぶ）に、開口部１２３、１２４を選択的に形成して、剥離層１２１、１２２を露出させる（図４（Ｂ）と図５（Ｂ）参照）。つまり、素子群１０６と導電層１１０が設けられた第３の領域１３５の外周に、開口部１２３、１２４を選択的に形成する。
【００４４】
続いて、開口部１２３、１２４に剥離層１２１、１２２を除去するエッチング剤を導入して、剥離層１２１、１２２を除去する（図５（Ｃ）参照）。エッチング剤には、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用する。
【００４５】
次に、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させて、薄膜集積回路１０９を基板１０１から完全に剥離する（図５（Ｄ）参照）。この際、剥離層が除去された部分は基体１１４に接着して、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分は基板１０１に保持される。
【００４６】
なお、本発明は上記の形態に制約されない。薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させる際、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分も基体１１４に接着され、基板１０１から剥離することがある。
【００４７】
本作製方法では、第１の領域１１５の剥離層の選択的な除去の工程において、第１の領域１１５が含む第３の領域１３５と第４の領域１３６以外の第５の領域１３７の剥離層を除去し、第３の領域１３５と第４の領域１３６の剥離層を除去しないことを特徴とする。また、開口部は、第４の領域１３６に選択的に設けられることを特徴とする。
【００４８】
つまり、第１の領域１１５は、第３の領域１３５と、第４の領域１３６と、第５の領域１３７に大別され、第３の領域１３５は剥離層と素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域、第４の領域１３６は剥離層が設けられ、素子群１０６と導電層１１０が設けられていない領域、第５の領域１３７は剥離層も素子群１０６も導電層１１０も設けられていない領域に相当する。
【００４９】
上記のように、剥離層を設ける箇所を選択的にすることで、剥離層を除去した後も、絶縁膜１０５の一部は、基板１０１に密着した状態にある。従って、薄膜集積回路１０９を基板１０１に保持することができ、当該薄膜集積回路１０９の飛散を防止することができる。
【００５０】
続いて、第３の作製方法について図６〜８を参照して説明する。
【００５１】
絶縁表面を有する基板１０１の一表面に剥離層を形成する。次に、剥離層を選択的に除去して、剥離層が選択的に設けられた第１の領域１１５と、剥離層を除去した第２の領域１１６を形成する（図６（Ａ）の上面図と、図６（Ｂ）の断面図参照、図６（Ａ）の上面図のＣ−Ｄは、図６（Ｂ）の断面図のＣ−Ｄに対応する）。剥離層が選択的に設けられた第１の領域１１５には、後に薄膜集積回路を形成する。剥離層を除去した第２の領域１１６には、薄膜集積回路を形成せず、後に形成する絶縁膜と基板１０１とが密着した領域となる。
【００５２】
本発明では、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域１１５と第２の領域１１６が作り分けられているため、任意の薄膜集積回路のみを基体に転置することができる。また、薄膜集積回路を１つの単位として、第１の領域１１５と第２の領域１１６が作り分けられているため、基体に転置する工程を経ると、複数の薄膜集積回路の各々は自動的に分断される。そのため、複数の薄膜集積回路を分断する工程を省略することができる。
【００５３】
続いて、以下の工程について、図７、図８を用いて説明する。図６（Ａ）、図７（Ａ）（Ｂ）の上面図のＡ−Ｂは、図８（Ａ）〜（Ｄ）の断面図のＡ−Ｂに対応する。
【００５４】
基板１０１又は剥離層１２５に接するように、下地用の絶縁膜１０５を形成する（図７（Ａ）と図８（Ａ）参照）。絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では剥離層１２５又は基板１０１に接し、第２の領域１１６では基板１０１に接する。
【００５５】
続いて、絶縁膜１０５上に複数の素子を含む素子群１０６を形成する。ここでは、素子群１０６として、２つのトランジスタ１１７、１１８を形成する。次に、素子群１０６を覆うように、絶縁膜１０７を形成し、当該絶縁膜１０７上に、絶縁膜１０８を形成する。続いて、絶縁膜１０８上に、導電層１１０を形成する。導電層１１０は、アンテナとして機能する。次に、導電層１１０上に、保護膜として機能する絶縁膜１１１を形成する。上記の工程を経て、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９が完成する。
【００５６】
なお図７（Ａ）（Ｂ）では、トランジスタ１１７、１１８が含む半導体層の上面図を示しており、トランジスタ１１７、１１８が含むゲート電極やトランジスタ１１７、１１８上に設けられる導電層の図示は省略している。
【００５７】
続いて、素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域（以下第３の領域１３５とよぶ）と、第３の領域１３５の周囲の領域（以下第５の領域１３７とよぶ）以外の領域（以下第４の領域１３６とよぶ）に、開口部１２６を形成して、剥離層１２５を露出させる（図７（Ｂ）と図８（Ｂ）参照）。ここでは、第３の領域１３５は素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域であり、第５の領域１３７は第３の領域１３５の外周の領域であり、第４の領域１３６は第３の領域１３５と第５の領域１３７以外の領域である。第４の領域１３６と第５の領域１３７は、第３の領域１３５との間の距離によって区別され、例えば、第３の領域１３５から、ある一定の距離の領域を第５の領域１３７とし、それ以外の領域を第４の領域１３６として区別するとよい。
【００５８】
続いて、開口部１２６に、剥離層１２５を除去するエッチング剤を導入して、剥離層１２５を除去する（図８（Ｃ）参照）。エッチング剤には、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用する。
【００５９】
次に、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させて、薄膜集積回路１０９を基板１０１から完全に剥離する（図８（Ｄ）参照）。この際、剥離層が除去された部分は基体１１４に接着して、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分は基板１０１に保持される。
【００６０】
なお、本発明は上記の形態に制約されない。薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させる際、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分も基体１１４に接着され、基板１０１から剥離することがある。
【００６１】
本作製方法では、第１の領域１１５の剥離層の選択的な除去の工程において、第１の領域１１５が含む第５の領域１３７の剥離層を選択的に除去し、第３の領域１３５と第４の領域１３６の剥離層を除去しないことを特徴とする。
【００６２】
つまり、第１の領域１１５は、第３の領域１３５と、第４の領域１３６と、第５の領域１３７に大別され、第３の領域１３５は剥離層と素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域、第５の領域１３７は剥離層が選択的に設けられ、素子群１０６と導電層１１０が設けられていない領域、第４の領域１３６は剥離層が設けられ、素子群１０６と導電層１１０が設けられていない領域に相当する。また、第４の領域１３６は、開口部が設けられる領域に相当する。
【００６３】
上記のように、剥離層を設ける箇所を選択的にすることで、剥離層を除去した後も、絶縁膜１０５の一部は、基板１０１に密着した状態にある。従って、薄膜集積回路１０９を基板１０１に保持することが可能となり、当該薄膜集積回路１０９の飛散を防止することができる。
【００６４】
次に、第４の作製方法について、図９、１０を参照して説明する。
【００６５】
絶縁表面を有する基板１０１の一表面に剥離層を形成する。次に、剥離層を選択的に除去して、剥離層が選択的に設けられた第１の領域１１５と、剥離層を除去した第２の領域１１６を形成する（図６（Ａ）の上面図と、図６（Ｂ）の断面図参照）。この工程は、上記の第３の方法と同じである。
【００６６】
続いて、以下の工程について、図９、１０を用いて説明する。図９の上面図のＡ−Ｂは、図１０の断面図のＡ−Ｂに対応する。
【００６７】
基板１０１又は剥離層１３１に接するように、下地用の絶縁膜１０５を形成する（図９（Ｂ）と図１０（Ａ）参照）。絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では剥離層１３１又は基板１０１に接し、第２の領域１１６では基板１０１に接する。図９（Ａ）において、剥離層１３１が設けられていない領域は、斜線が引かれていない四角で示す領域である。
【００６８】
続いて、絶縁膜１０５上に複数の素子を含む素子群１０６を形成する。ここでは、素子群１０６として、２つのトランジスタ１１７、１１８を形成する。次に、素子群１０６を覆うように、絶縁膜１０７を形成し、当該絶縁膜１０７上に、絶縁膜１０８を形成する。続いて、絶縁膜１０８上に、導電層１１０を形成する。導電層１１０は、アンテナとして機能する。次に、導電層１１０上に、保護膜として機能する絶縁膜１１１を形成する。上記の工程を経て、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９が完成する。
【００６９】
なお図９（Ａ）〜（Ｃ）では、トランジスタ１１７、１１８が含む半導体層の上面図を示しており、トランジスタ１１７、１１８が含むゲート電極やトランジスタ１１７、１１８上に設けられる導電層の図示は省略している。
【００７０】
なお、本工程では、基板１０１と絶縁膜１０５が密着する領域は、薄膜集積回路１０９が設けられた領域と重なるように設けられる。このような基板１０１と絶縁膜１０５が密着する領域は、薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させる際に、基板１０１から剥離される。従って、基板１０１と絶縁膜１０５が密着する領域は、できる限り小さく設けるとよい。
【００７１】
続いて、素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域（以下第３の領域１３５とよぶ）以外の領域（以下第４の領域１３６とよぶ）に、開口部１３２を選択的に形成して、剥離層１３１を露出させる（図９（Ｃ）と図１０（Ｂ）参照）。
【００７２】
続いて、開口部１３２に剥離層１３１を除去するエッチング剤を導入して、剥離層１３１を除去する（図１０（Ｃ）参照）。エッチング剤には、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用する。
【００７３】
次に、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させて、薄膜集積回路１０９を基板１０１から完全に剥離する（図１０（Ｄ）参照）。この際、剥離層が除去された部分だけでなく、基板１０１と絶縁膜１０５が密着していた部分も基体１１４に接着される。
【００７４】
なお、本発明は上記の形態に制約されない。薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させる際、基板１０１と絶縁膜１０５が密着した部分も基体１１４に接着され、基板１０１から剥離することがある。
【００７５】
本作製方法では、第１の領域１１５の剥離層の選択的な除去の工程では、第１の領域１１５が含む第３の領域１３５の剥離層を選択的に除去し、第４の領域１３６の剥離層を除去しないことを特徴とする。
【００７６】
つまり、第１の領域１１５は、第３の領域１３５と、第４の領域１３６に大別され、第３の領域１３５は選択的に設けられた剥離層と素子群１０６と導電層１１０が設けられた領域、第４の領域１３６は剥離層が設けられ、素子群１０６と導電層１１０が設けられていない領域に相当する。また、第４の領域１３６は、開口部が設けられる領域に相当する。
【００７７】
上記のように、剥離層を設ける箇所を選択的にすることで、剥離層を除去した後も、絶縁膜１０５の一部は、基板１０１に密着した状態にある。従って、薄膜集積回路１０９を基板１０１に保持することが可能となり、当該薄膜集積回路１０９の飛散を防止することができる。
【００７８】
なお、上記の第１乃至第４の作製方法において、第２の領域１１６の剥離層は全て除去していたが、本発明はこの工程に限定されない。第２の領域１１６の剥離層を選択的に除去してもよい。例えば、第１の作製方法の場合、第１の領域１１５の剥離層を除去せず、第２の領域１１６の剥離層は選択的に除去してもよい（図１１（Ａ）参照）。また、第２の作製方法の場合、第１の領域１１５と第４の領域１１６の剥離層を共に選択的に除去してもよい（図１１（Ｂ）参照）。また、第３の作製方法と第４の作製方法の場合も、第１の領域１１５と第２の領域１１６の剥離層を共に選択的に除去してもよい（図１１（Ｃ）参照）。
【００７９】
図１１（Ａ）〜（Ｃ）の上面図において、第１の領域１１５は、四角形状で、かつ点線で囲まれた領域である。第２の領域１１６は、第１の領域１１５以外の領域である。第１の領域１１５は、第２の領域１１６に囲まれている。
【００８０】
上記のように、第２の領域１１６の剥離層を選択的に除去することで、薄膜集積回路１０９の基板１０１に対する保持をより確実に行うことが可能となり、当該薄膜集積回路１０９の飛散を防止することができる。
【００８１】
上記の工程を経て剥離された薄膜集積回路１０９は、そのまま用いてもよいし、基体により封止した後に用いてもよい。本発明は絶縁基板上に形成された薄膜集積回路１０９を用いるため、円形のシリコン基板から形成されたチップと比較して、母体基板の形状に制約がない。そのため、生産性を高め、大量生産を可能とし、低コスト化を実現する。また、本発明は、０．２μｍ以下、代表的には４０ｎｍ〜１７０ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍの膜厚の半導体膜を能動領域として用いることができるため、非常に薄型となり、物品に実装しても、薄膜集積回路の存在が認識しづらく、改ざん防止につながる。
【実施例１】
【００８２】
本発明により作製される薄膜集積回路は、複数の素子と、アンテナとして機能する導電層とを有する。複数の素子とは、例えば、薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、ダイオード等に相当する。
【００８３】
薄膜集積回路２１０は、非接触でデータを交信する機能を有し、当該薄膜集積回路２１０が含む複数の素子は様々な回路を構成する。例えば、電源回路２１１、クロック発生回路２１２、データ復調／変調回路２１３、制御回路２１４、インターフェイス回路２１５、メモリ２１６、データバス２１７、アンテナ（アンテナコイルともよぶ）２１８等を有する（図１２参照）。
【００８４】
電源回路２１１は、アンテナ２１８から入力された交流信号を基に、上記の各回路に供給する各種電源を生成する回路である。クロック発生回路２１２は、アンテナ２１８から入力された交流信号を基に、上記の各回路に供給する各種クロックを生成する回路である。データ復調／変調回路２１３は、リーダライタ２１９と交信するデータを復調又は変調する機能を有する。制御回路２１４は、例えば、中央処理ユニット（ＣＰＵ、Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やマイクロプロセッサ（ＭＰＵ、ＭｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｕｎｉｔ）等に相当し、他の回路を制御する機能を有する。アンテナ２１８は、電磁界或いは電波の送受信を行う機能を有する。リーダライタ２１９は、薄膜集積回路との交信、制御及びそのデータに関する処理を制御する。
【００８５】
なお、薄膜集積回路が構成する回路は上記構成に制約されず、例えば、電源電圧のリミッタ回路や暗号処理専用ハードウエアといった他の構成要素を追加した構成であってもよい。
【実施例２】
【００８６】
本発明により作製される薄膜集積回路の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図１３（Ａ）参照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１３（Ｂ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等、図１３（Ｃ）参照）、乗物類（自転車等、図１３（Ｄ）参照）、身の回り品（鞄や眼鏡等、図１３（Ｅ）参照）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ）及び携帯電話等を指す。
【００８７】
なお、薄膜集積回路は、物品の表面に貼ったり、物品に埋め込んだりして、物品に固定される。例えば、物品が本なら紙に薄膜集積回路を埋め込んだり、物品が有機樹脂からなるパッケージなら有機樹脂に薄膜集積回路を埋め込んだりするとよい。紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に薄膜集積回路を設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に薄膜集積回路を設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。乗物類に薄膜集積回路を設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。
【００８８】
また、薄膜集積回路を、物の管理や流通のシステムに応用することで、システムの高機能化を図ることができる。例えば、表示部２９４を含む携帯端末の側面にリーダライタ２９５を設けて、物品２９７の側面に薄膜集積回路２９６を設ける場合が挙げられる（図１４（Ａ）参照）。この場合、リーダライタ２９５に薄膜集積回路２９６をかざすと、表示部２９４に物品２９７の原材料や原産地、流通過程の履歴等の情報が表示されるシステムになっている。また、別の例として、ベルトコンベアの脇にリーダライタ２９５を設ける場合が挙げられる（図１４（Ｂ）参照）。この場合、物品２９７の検品を簡単に行うことができる。このように、薄膜集積回路を、システムに応用することで、システムの多機能化を図ることができる。
【実施例３】
【００８９】
上記の実施の形態では、剥離層は、珪素を含む層をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等の公知の方法により形成するとあるが、本発明は、珪素を含む層に限定されない。剥離層は、例えば、公知の手段（スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等）により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成してもよい。
【００９０】
剥離層が単層構造の場合、好ましくは、タングステンを含む層、モリブデンを含む層、タングステンとモリブデンの混合物を含む層、タングステンの酸化物を含む層、タングステンの酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物を含む層、モリブデンの酸化窒化物を含む層、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【００９１】
剥離層が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステンを含む層、モリブデンを含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステンを含む層、モリブデンを含む層、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物を含む層、タングステンとモリブデンの混合物の窒化物を含む層、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物を含む層、タングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物を含む層を形成する。
【００９２】
なお、剥離層として、タングステンを含む層、タングステンの酸化物を含む層の２層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化珪素を含む層を形成することで、タングステン層と酸化珪素層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。これは、他の積層構造を形成する場合も同様であり、例えば、タングステンを含む層、タングステンの窒化物、酸化窒化物又は窒化酸化物を含む層の２層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成後、その上層に窒化珪素層、酸素を含む窒化珪素層、窒素を含む酸化珪素層を形成する。
【００９３】
また、エッチング剤として、ハロゲン化物を含む気体又は液体を用いてもよい。ハロゲン化物として、例えば、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）、三フッ化窒素（ＮＦ3）、三フッ化臭素（ＢｒＦ3）、フッ化水素（ＨＦ）を用いてもよい。なお、フッ化水素（ＨＦ）を用いる場合 は、剥離層として、珪素の酸化物を用いる。本実施例は、他の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【実施例４】
【００９４】
上記の実施の形態では、薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させることにより、薄膜集積回路１０９を基板１０１から剥離するまでの工程について述べた。本実施例では、その後の工程について、図１５を参照して説明する。
【００９５】
薄膜集積回路１０９の一方の面を基体１１４に接着させた後は、薄膜集積回路１０９の他方の面を基体１４０に接着させる。その後、基体１１４と基体１４０が互いに接着した部分を、切断手段１４１で切断する。そうすると、封止された１つの薄膜集積回路１０９が完成する。切断手段１４１は、ダイシング装置、スクライビング装置、レーザー照射装置（特にＣＯ2レーザー照射装置）、ナイフ等に相当する。そして、封止された薄膜集積回路１０９は、出荷される。
【００９６】
基体１１４と基体１４０（基板、フィルム、テープとよぶこともできる）は、フィルムや繊維質な材料からなる紙などに相当する。フィルムは、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニル、エチレンビニルアセテート等の材料からなる。なお、基体１１４と基体１４０の表面は、二酸化珪素（シリカ）の粉末により、コーティングされていてもよい。このコーティングにより、高温で高湿度の環境下においても防水性を保つことができる。また、基体１１４と基体１４０の表面を、インジウム錫酸化物等の導電性材料によりコーティングされていてもよい。コーティングにより、静電気がチャージされ、薄膜集積回路１０９を保護することができる。また、基体１１４と基体１４０の一方又は両方は、保護膜として、炭素を主成分とする薄膜（ダイヤモンドライクカーボン膜）によりコーティングされていてもよい。
【００９７】
また、基体１１４と基体１４０の一方又は両方は、一方の面に接着面を有していてもよい。接着面は、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤等の接着剤を塗布したものである。また、基体１１４と基体１４０の一方又は両方は、透光性を有していてもよい。本実施例は、他の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【実施例５】
【００９８】
上述の実施の形態では、基板上に、剥離層、絶縁膜の順に積層して形成する方法について説明した。例えば、第１の作製方法では、基板１０１又は剥離層１０２〜１０４に接するように、絶縁膜１０５を形成している（図２（Ａ）参照）。第２の作製方法では、基板１０１又は剥離層１２１、１２２に接するように、絶縁膜１０５を形成している（図５（Ａ）参照）。第３の作製方法では、基板１０１又は剥離層１２５に接するように、絶縁膜１０５を形成している（図８（Ａ）参照）。第４の作製方法では、基板１０１又は剥離層１３１に接するように、絶縁膜１０５を形成している（図１０（Ａ）参照）。しかしながら、本発明はこれに制約されない。基板上に、第１の絶縁膜、剥離層、第２の絶縁膜の順に積層して形成してもよい。
【００９９】
つまり、基板の一表面に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に剥離層を形成する。次に、剥離層を選択的に除去して、剥離層が設けられた第１の領域と、剥離層が設けられていない第２の領域を形成する。続いて、第２の絶縁膜を全面に形成する。具体的には、第１の領域では剥離層に接し、第２の領域では第１の絶縁膜に接するように、第２の絶縁膜を形成する。そうすると、第１の領域では、基板上に、第１の絶縁膜、剥離層、第２の絶縁膜が順に積層して設けられ、第２の領域では、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜が順に積層して設けられる。
【０１００】
次に、第１の領域の第２の絶縁膜上に複数の素子とアンテナとして機能する導電層を含む薄膜集積回路を形成し、続いて開口部を形成し、その後、開口部にエッチング剤を導入して剥離層を除去する。そうすると、第１の領域では、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の間に空間が生じるが、第２の領域では、基板、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜が順に密着して積層されたままとなる。
【０１０１】
このように、剥離層を除去した後も、基板上に、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜が密着した領域が設けられていることにより、第２の絶縁膜の上方に設けられた薄膜集積回路の飛散を防止することができる。また、基板上に、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜が密着した領域が設けられていることで、基板上に薄膜集積回路を保持することができ、当該薄膜集積回路の基体への転置を容易に行うことができる。
【０１０２】
また、第１の絶縁膜を設けることにより、ガラス基板からの不純物の侵入を防止することができる。また、剥離層を選択的に形成する際、剥離層をパターン加工するが、その際、剥離層だけでなく、基板がエッチングされてしまうことがある。しかしながら、第１の絶縁膜を形成することにより、基板がエッチングされてしまうことを防止することができる。第１の絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等の公知の方法を用いて、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素が添加された珪素の酸化物、酸素が添加された珪素の窒化物等からなる薄膜を形成する。
【０１０３】
以下には、基板上に、第１の絶縁膜、剥離層、第２の絶縁膜の順に作製する作製方法について説明する。
【０１０４】
第１の作製方法では、まず、基板１０１上に絶縁膜１１９（第１の絶縁膜に相当）を形成する（図１６（Ａ）参照）。次に、絶縁膜１１９上に、選択的に剥離層１０２〜１０４を形成する。続いて、絶縁膜１１９又は剥離層１０２〜１０４に接するように、絶縁膜１０５（第２の絶縁膜に相当）を形成する。そうすると、絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では剥離層１０２〜１０４に接し、第２の領域１１６では絶縁膜１１９に接する。その後は、上述した通り、第１の領域１１５の絶縁膜１０５上に、複数の素子１０６とアンテナとして機能する導電層１１０を形成する。次に、第１の領域１１５に、剥離層１０２〜１０４が露出される開口部を選択的に形成する。次に、開口部にエッチング剤を導入して、剥離層１０２〜１０４を除去する。
【０１０５】
第２の作製方法では、まず、基板１０１上に絶縁膜１１９（第１の絶縁膜に相当）を形成する（図１６（Ｂ）参照）。次に、絶縁膜１１９上に、選択的に剥離層１２１、１２２を形成する。続いて、絶縁膜１１９又は剥離層１２１、１２２に接するように、絶縁膜１０５（第２の絶縁膜に相当）を形成する。そうすると、絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では、剥離層１２１、１２２又は絶縁膜１１９に接し、第２の領域１１６では、絶縁膜１１９に接する。その後は、上述した通り、第１の領域１１５の絶縁膜１０５上に、複数の素子１０６とアンテナとして機能する導電層１１０を形成する。次に、第１の領域１１５に、剥離層１２１、１２２が露出される開口部を選択的に形成する。次に、開口部にエッチング剤を導入して、剥離層１２１、１２２を除去する。
【０１０６】
第３の作製方法では、まず、基板１０１上に絶縁膜１１９（第１の絶縁膜に相当）を形成する（図１７（Ａ）参照）。次に、絶縁膜１１９上に、選択的に剥離層１２５を形成する。続いて、絶縁膜１１９又は剥離層１２５に接するように、絶縁膜１０５（第２の絶縁膜に相当）を形成する。そうすると、絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では、剥離層１２５又は絶縁膜１１９に接し、第２の領域１１６では、絶縁膜１１９に接する。その後は、上述した通り、第１の領域１１５の絶縁膜１０５上に、複数の素子１０６とアンテナとして機能する導電層１１０を形成する。次に、第１の領域１１５に、剥離層１２５が露出される開口部を選択的に形成する。次に、開口部にエッチング剤を導入して、剥離層１２５を除去する。
【０１０７】
第４の作製方法では、まず、基板１０１上に絶縁膜１１９（第１の絶縁膜に相当）を形成する（図１７（Ｂ）参照）。次に、絶縁膜１１９上に、選択的に剥離層１３１を形成する。続いて、絶縁膜１１９又は剥離層１３１に接するように、絶縁膜１０５（第２の絶縁膜に相当）を形成する。そうすると、絶縁膜１０５は、第１の領域１１５では、剥離層１３１又は絶縁膜１１９に接し、第２の領域１１６では、絶縁膜１１９に接する。その後は、上述した通り、第１の領域１１５の絶縁膜１０５上に、複数の素子１０６とアンテナとして機能する導電層１１０を形成する。次に、第１の領域１１５に、剥離層１２１が露出される開口部を選択的に形成する。次に、開口部にエッチング剤を導入して、剥離層１２１を除去する。
【０１０８】
なお、上記の作製方法では、薄膜集積回路として、複数の素子と、アンテナとして機能する導電層を形成しているが、本発明はこの構成に制約されない。電磁波を送受信する機能を有する半導体装置を形成する場合、複数の素子のみ、又は複数の素子とアンテナとして機能する導電層を形成するとよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図２】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図３】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図４】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図５】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図６】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図７】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図８】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図９】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図１０】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図１１】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図１２】薄膜集積回路の構成を説明する図。
【図１３】薄膜集積回路の使用形態について説明する図。
【図１４】薄膜集積回路の使用形態について説明する図。
【図１５】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図１６】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【図１７】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する図。
【符号の説明】
【０１１０】
１０１ 基板
１０２ 剥離層
１０３ 剥離層
１０４ 剥離層
１０５ 絶縁膜
１０６ 素子群
１０７ 絶縁膜
１０８ 絶縁膜
１０９ 薄膜集積回路
１１０ 導電層
１１１ 絶縁膜
１１２ 開口部
１１３ 開口部
１１４ 基体
１１５ 第１の領域
１１６ 第２の領域
１１７ トランジスタ
１１８ トランジスタ
１１９ 絶縁膜
１２１ 剥離層
１２２ 剥離層
１２３ 開口部
１２４ 開口部
１２５ 剥離層
１２６ 開口部
１３１ 剥離層
１３２ 開口部
１３５ 第３の領域
１３６ 第４の領域
１３７ 第５の領域
１４０ 基体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第２の領域の前記剥離層を除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に、絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第２の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に、絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第２の領域の前記剥離層を除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に、絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記複数の素子と前記導電層が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第３の領域の前記剥離層は除去せず、前記開口部が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第４の領域の前記剥離層は除去せず、前記第３の領域と前記第４の領域以外であり、かつ前記第１の領域が含む第５の領域の前記剥離層を除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域と前記第２の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に、絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域は、第３の領域、第４の領域及び第５の領域に分けられ、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記複数の素子と前記導電層が設けられ、かつ、前記第１の領域が含む第３の領域の前記剥離層は除去せず、前記開口部が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第４の領域の前記剥離層は除去せず、前記第３の領域と前記第４の領域以外であり、かつ前記第１の領域が含む第５の領域の前記剥離層を除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第２の領域の前記剥離層を除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記複数の素子と前記導電層が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第３の領域の前記剥離層は除去せず、前記開口部が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第４の領域の前記剥離層は除去せず、前記第３の領域と前記第４の領域以外であり、かつ前記第１の領域が含む第５の領域の前記剥離層を選択的に除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域と前記第２の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記複数の素子と前記導電層が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第３の領域の前記剥離層は除去せず、前記開口部が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第４の領域の前記剥離層は除去せず、前記第３の領域及び前記第４の領域以外であり、前記第１の領域が含む第５の領域の前記剥離層を選択的に除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第２の領域の前記剥離層を除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記複数の素子と前記導電層が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第３の領域の前記剥離層を選択的に除去し、前記開口部が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第４の領域の前記剥離層を除去しないことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域と前記第２の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記複数の素子と前記導電層が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第３の領域の前記剥離層を選択的に除去し、前記開口部が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第４の領域の前記剥離層を除去しないことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項９】
請求項１又は請求項２において、
前記絶縁膜は、前記第１の領域の前記剥離層と前記第２の領域の前記基板に接するように、形成されることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１０】
請求項３乃至請求項８のいずれか一項において、
前記絶縁膜は、前記第１の領域の前記基板及び前記剥離層と、前記第２の領域の前記基板に接するように、形成されることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記エッチング剤は、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体であることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記導電層は、アンテナとして機能することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第２の領域の前記剥離層を除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に、絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第２の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に、絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第２の領域の前記剥離層を除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に、絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記複数の素子と前記導電層が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第３の領域の前記剥離層は除去せず、前記開口部が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第４の領域の前記剥離層は除去せず、前記第３の領域と前記第４の領域以外であり、かつ前記第１の領域が含む第５の領域の前記剥離層を除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域と前記第２の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に、絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域は、第３の領域、第４の領域及び第５の領域に分けられ、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記複数の素子と前記導電層が設けられ、かつ、前記第１の領域が含む第３の領域の前記剥離層は除去せず、前記開口部が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第４の領域の前記剥離層は除去せず、前記第３の領域と前記第４の領域以外であり、かつ前記第１の領域が含む第５の領域の前記剥離層を除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第２の領域の前記剥離層を除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記複数の素子と前記導電層が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第３の領域の前記剥離層は除去せず、前記開口部が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第４の領域の前記剥離層は除去せず、前記第３の領域と前記第４の領域以外であり、かつ前記第１の領域が含む第５の領域の前記剥離層を選択的に除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域と前記第２の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記複数の素子と前記導電層が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第３の領域の前記剥離層は除去せず、前記開口部が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第４の領域の前記剥離層は除去せず、前記第３の領域及び前記第４の領域以外であり、前記第１の領域が含む第５の領域の前記剥離層を選択的に除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第２の領域の前記剥離層を除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記複数の素子と前記導電層が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第３の領域の前記剥離層を選択的に除去し、前記開口部が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第４の領域の前記剥離層を除去しないことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域と前記第２の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域に絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記複数の素子と前記導電層が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第３の領域の前記剥離層を選択的に除去し、前記開口部が設けられ、かつ前記第１の領域が含む第４の領域の前記剥離層を除去しないことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項９】
請求項１又は請求項２において、
前記絶縁膜は、前記第１の領域の前記剥離層と前記第２の領域の前記基板に接するように、形成されることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１０】
請求項３乃至請求項８のいずれか一項において、
前記絶縁膜は、前記第１の領域の前記基板及び前記剥離層と、前記第２の領域の前記基板に接するように、形成されることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記エッチング剤は、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体であることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記導電層は、アンテナとして機能することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００６−４１５０２（Ｐ２００６−４１５０２Ａ）
【公開日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１８５３８０（Ｐ２００５−１８５３８０）
【出願日】平成１７年６月２４日（２００５．６．２４）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年６月２４日（２００５．６．２４）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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