【課題】 薄膜集積回路の封止の際の製造効率の悪化を防止し、損傷や破壊を防止することを課題とする。また、基板からの薄膜集積回路の剥離および剥離した薄膜集積回路の封止を効果的に行い、製品の歩留まりを向上させることを課題とする。
【解決手段】 薄膜集積回路が複数設けられた基板を搬送する搬送手段と、薄膜集積回路の一方の面を第１のシート材に接着させて、基板から薄膜集積回路を剥離する第１の剥離手段と、薄膜集積回路の他方の面を第２のシート材に接着させて、第１のシート材から薄膜集積回路を剥離する第２の剥離手段と、薄膜集積回路を第２のシート材と第３のシート材で挟み込み、薄膜集積回路を封止するラミネート手段とを有するラミネート装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた画像読取装置において、より一層の小型化を図る。
【解決手段】 アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４８、５１、５４は、ボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８の各電極と同一の層に、同一の導電材料により形成され、下層接続配線５０、５３、５６は、導電体層３５、３６と同一の層に、同一の導電材料により形成される。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。
【解決手段】 アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。これにより、半導体薄膜４１を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３５、３６とを接続する接続配線の一部である上層接続配線４８、５１、５４は、トップゲート電極８が設けられたトップゲート絶縁膜３９上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 従来のパルス発振のレーザー光による照射を半導体膜に行った場合、半導体表面にリッジと呼ばれる凹凸が形成され、トップゲート型ＴＦＴの場合には、素子特性がリッジにより大きく左右されていた。特に、電気的に並列に接続する複数の薄膜トランジスタ間でのバラツキが問題となっている。
【解決手段】 本発明は、複数の薄膜トランジスタからなる回路の作製において、連続発振レーザを用いて半導体膜にレーザ光を照射して溶融する領域の幅ＬＰ（微結晶領域を含まない）を大きくし、一つの領域に複数の薄膜トランジスタ（電気的に並列に連結された薄膜トランジスタ）の活性層を配置することを特徴の一つとする。 （もっと読む）

【課題】 ２つのキャパシタが直列に連結して，面積が狭くても十分な容量を有するキャパシタ装置を提供する。
【解決手段】 不純物がドーピングされた多結晶シリコン層と，前記多結晶シリコン層上に形成される第１絶縁層と，前記第１絶縁層上に，第１領域及び第２領域がそれぞれ分離されるように形成される第１金属層と，前記第１金属層上に形成される第２絶縁層と，前記第２絶縁層上に，前記第１金属層の第２領域と電気的に連結されるように形成される第２金属層とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体膜全面に対して均一にレーザ処理を行うことができるレーザ照射装置を提供すること、およびレーザ照射方法を提供すること。
【解決手段】第１のレーザ発振器より出射された第１のレーザビームは、スリットを通し、さらに集光レンズを通した後に照射面に入射させる。同時に、照射面において第２のレーザ発振器より出射された第２のレーザビームを第１のレーザビームに重ねて照射する。さらに、照射面に対して相対的に走査することによって、照射面を等しくアニールする。 （もっと読む）

【課題】 ドライプロセスとフォトリソエッチングを組み合わせた工程の回数を低減することができるアクティブマトリクス基板の製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】 アクティブマトリクス基板２０の製造方法において、第１方向又は第２方向のいずれか一方の配線４２が交差部５６において分断された格子パターンの配線４０，４２，４６を基板Ｐ上に形成する第１工程と、交差部５６及び配線４０，４２，４６の一部上に絶縁膜と半導体膜３０とからなる積層部を形成する第２工程と、積層部上に分断された配線４２を電気的に連結させる導電層４９、及び半導体膜３０を介して配線４２と電気的に接続される画素電極４５を形成する第３工程と、を有する。
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【課題】半導体装置の基体層に対し、剥離層を確実に形成すると共に、水素のイオン注入を容易に制御できるようにする。
【解決手段】半導体装置Ｓの製造方法は、活性領域３０が形成された複数の第１領域Ｒ１と、各第１領域Ｒ１同士の間に設けられた第２領域Ｒ２とを有する基体層１を備えた半導体装置Ｓの製造方法であって、活性領域３０を覆うゲート酸化膜７の表面と高さが同じようになるように第２領域Ｒ２に素子分離用絶縁膜５を形成する素子分離用絶縁膜形成工程と、素子分離用絶縁膜形成工程の後に、基体層１に水素をイオン注入して剥離層を形成する剥離層形成工程と、剥離層に沿って基体層１の一部を分離する分離工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 サージ電圧から内部回路を良好に保護することができる保護回路を構成でき、過大電圧により破壊された場合にも回路動作に不具合を生じることがない、信頼性に優れた保護回路素子を具備した薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】 基体と、該基体上に形成された半導体膜とを具備した薄膜半導体装置において、前記基体上に内部回路（主回路部）１７と、保護回路部１８と、端子部１９とが設けられており、前記保護回路部１８に、前記半導体膜を有するＰＩＮダイオードと、該ＰＩＮダイオードのＩ層と絶縁膜を介して対向配置された浮遊電極とを備えた保護回路素子１８１，１８２が設けられている構成とした。 （もっと読む）

（課題）様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
（解決方法）本発明は、基板上に被剥離層を形成し、この被剥離層にエッチングストッパー膜が設けられた封止基板を接着材で貼り合わせ、その後、封止基板のみをエッチングまたは研磨によって除去する。残ったエッチングストッパー膜は、そのままブロッキング膜として機能させる。また、貼り付ける部材としてマグネットシートを貼り付けてもよい。
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【課題】 印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有し、より高移動度の半導体層を有する積層構造体を廉価に提供する。
【解決手段】 エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料を含み、より臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部３とより臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部４との少なくとも臨界表面張力の異なる２つの部位を有する濡れ性変化層２と、この濡れ性変化層２に対して高表面エネルギー部３の部位に形成された導電層５と、濡れ性変化層２に対して少なくとも低表面エネルギー部４の部位に接して設けられた半導体層６と、を有し、濡れ性変化層２は、メチレン基を含み、側鎖に疎水性基を有する高分子材料を含むように積層構造体１を構成した。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表示装置の一は、絶縁表面上に設けられたソース電極層、ドレイン電極層及び画素電極層を有し、ソース電極層及びドレイン電極層上に一導電型を有する半導体層を有し、一導電型を有する半導体層上に結晶性半導体層を有し、結晶性半導体層に接してゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層に接してゲート電極層を有し、ゲート絶縁層、ゲート電極層、及び画素電極層上に絶縁層を有し、ゲート絶縁層及び絶縁層は、ソース電極層またはドレイン電極層に達する第１の開口部、及び画素電極層に達する第２の開口部を有し、第１の開口部及び第２の開口部に、ソース電極層またはドレイン電極層と画素電極層とが電気的に接続する配線層を有する。 （もっと読む）

薄膜電子デバイスを基板上につくるためのインライン式の方法であって；ａ）構造化可能層を基板上へと堆積させる工程と；ｂ）パターン化可能材料を構造化可能層上へと第１パターンで堆積させる工程と；ｃ）構造化可能層をパターン化可能材料で被覆されていない領域においてエッチングする工程とを具備したインライン式の方法。これら複数の工程は、途中で基板を周囲空気に曝すことなく行われる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜集積回路の封止の際の製造効率の悪化を防止し、また、損傷や破壊を防止することを課題とする。
【解決手段】 薄膜集積回路を封止する第１及び第２の基体のうち一方の基体を加熱溶融状態で押し出しながら供給し、他方の基体の供給とＩＣチップの回収にはロールを用い、剥離処理と封止処理にローラーを用いる装置を提供する。ロールとローラーを回転させることにより、基板上に設けられた複数の薄膜集積回路を剥離し、剥離した薄膜集積回路を封止し、封止した薄膜集積回路を回収する作業を連続的に行うことができるため、製造効率を格段に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ用途に有用な有機ＴＦＴ材料を分子設計し、得られた有機ＴＦＴ材料を用いて、キャリア移動度が高く、且つ、高耐久性を併せ持つ、有機ＴＦＴ、電界効果トランジスタ、更に、該有機ＴＦＴまたは該電界効果トランジスタを有するスイッチング素子を提供する。
【解決手段】 重量平均分子量Ｍｗが５，０００〜１０，０００，０００の範囲に有し、且つ、前記Ｍｗと数平均分子量Ｍｎとの比率Ｍｗ／Ｍｎが３以下であるπ共役系構造を部分構造として有する高分子を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ材料。 （もっと読む）

（課題）
本発明は、被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、本発明は、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子（薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子）を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
（解決方法）
基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化を行い金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。
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【課題】ＴＦＴと補助容量により各画素を駆動制御する表示装置において、電圧保持率を十分に維持しながら開口率を最大にすることができる表示装置を提供すること。
【解決手段】駆動回路基板１１８と、対向基板１１９と、これらの両基板の間に封止された液晶層１１２とを備え、駆動回路基板１１８には各画素に対応した駆動制御用の有機ＴＦＴ１１７と補助容量部１２０とを有しており、有機ＴＦＴ１１７のソース電極１０８、ドレイン電極１０９、ゲート電極１０４及び補助容量部１２０の補助容量電極１０３、特に補助容量電極１０３が透明導電材料で形成されることにより、開口率を最大にできる。 （もっと読む）

一実施形態では、半導体デバイス（１０）の形成方法が示される。半導体基板（１１）は、第１の部分（１４または１６）および第２の部分（１８または２０）を有する。第１の誘電体層（２４または２６）は半導体基板の第１の部分の上に形成され、第２の誘電体層（３０）は半導体基板の第２の部分の上に形成される。ポリシリコンなどのシリコンを含み得るキャップ（２８）は第１の誘電体層の上に形成される。第１の電極層（４０）はキャップの上に形成され、第２の電極層（３２，３６または４０）は第２の誘電体の上に形成される。
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【課題】 ＬＤＤ又はＧＯＬＤ構造を有する半導体装置の製造工程を簡略化する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体装置の製造方法であって、半導体層上にソース側高濃度領域及びドレイン側高濃度領域に対応するレジストの膜厚を、ソース側低濃度領域、ドレイン側低濃度領域及びチャネル領域に対応するレジストの膜厚より薄く形成する工程と、レジストをマスクとして半導体層を所定パターンにエッチングするとともに、半導体層に高濃度不純物を注入し、ソース側高濃度領域及びドレイン側高濃度領域を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明はプラスチック基板若しくはプラスチックフィルム基板のように熱的に脆弱な基板に、多結晶半導体を用いて高機能集積回路を形成したプロセッサであって、さらに無線で電力又は信号の送受信を行う無線プロセッサ、無線メモリ、及びその情報処理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍであって島状に分離された半導体膜により、少なくともチャネル形成領域が形成されるトランジスタを有する素子形成領域、及びアンテナを有し、トランジスタは、可撓性基板上に固定されおり、素子形成領域により高機能集積回路が形成されている無線プロセッサであり、当該無線プロセッサと、半導体装置とは、アンテナを介してデータ送受信を行うことを特徴とする情報処理システムである。 （もっと読む）