【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】複数の半導体集積回路が固着された繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有する。複数の半導体集積回路はそれぞれ構造体に形成された開口に設けられ、光電変換素子と、側面に段差を有し幅寸法は段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さい透光性基板と、透光性基板の他方の面に設けられた半導体素子層と、透光性基板の一方の面及び側面の一部を覆う有彩色の透光性樹脂層とを含む。複数の半導体集積回路において、有彩色の透光性樹脂層の色が異なる。 （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｉ膜などの膜厚が変動した場合であっても、一様な結晶化を実現するレーザービーム照射方法を適用すること。
【解決手段】本発明によると、絶縁表面を有する基板上に非単結晶半導体膜を形成し、前記非単結晶半導体膜に３５０ｎｍよりも長い波長を有するレーザービームを照射して前記非単結晶半導体膜を結晶化する、レーザービーム照射方法であって、前記非単結晶半導体膜は面内において膜厚分布を有しており、前記非単結晶半導体膜の膜厚に対する前記レーザービームの吸収率の微分係数は正であることを特徴とするレーザービーム照射方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再結晶化し、結晶欠陥を修復する。再結晶化後の単結晶半導体層は深さ方向の濃度分布において、炭素濃度が極大を有する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層と支持基板との間に導電層を形成する半導体装置において、熱による支持基板の反り量の小さくする。また、同半導体装置の生産性の良い作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体層と支持基板との間に導電層が形成され、前記単結晶半導体層と前記導電層との間にゲート絶縁膜が形成された構造を有し、前記導電層と支持基板との間に、隙間が設けられる構成を有する。単結晶半導体基板に前記導電層を作製時、第一の絶縁層が単結晶半導体層と支持基板との間に形成されるが、前記導電層形成時に用いたレジスト上に成膜し、この上部の第一の絶縁層はレジストと共に除去することで、第一の絶縁層に凹部を設ける。前記凹部を有した状態で単結晶半導体基板と支持基板とを貼り合わせることで、前記隙間を有する構造とし、また貼りあわせ前の単結晶半導体基板表面平坦化は不要となる。 （もっと読む）

【課題】平均粒径の異なる２つの領域を有する移動度に優れた結晶性半導体膜を備えた半導体基板の製造方法、半導体基板及び表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性の表面を有する基板上に結晶性半導体膜を備えた半導体基板の製造方法であって、上記製造方法は、絶縁性の表面を有する基板上に非晶質半導体膜を成膜する工程と、非晶質半導体膜の一部を結晶化し、第一結晶性半導体膜を形成する第一結晶化工程と、非晶質半導体膜の残部を溶融固化し、第一結晶性半導体膜よりも平均粒径の小さい第二結晶性半導体膜を形成する第二結晶化工程と、第一結晶性半導体膜の平均粒径が第二結晶性半導体膜の平均粒径よりも大きい状態を維持しながら第一結晶性半導体膜及び第二結晶性半導体膜を溶融固化する第三結晶化工程とを含む半導体基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】素子が破壊されるような過電圧が供給された場合に、実動作を阻害することなく素子を保護することを課題の一とする。
【解決手段】第１の電位供給端子１００と、第２の電位供給端子１０１と、第１の電位供給端子１００及び第２の電位供給端子１０１に電気的に接続された分圧回路１０２、制御回路１０３、及びバイパス回路１０６を有する保護回路１０７と、保護回路１０７を介して第１の電位供給端子１００及び第２の電位供給端子１０１に電気的に接続された機能回路１０８と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成された非晶質あるいは粒状多結晶シリコン膜の所望の領域に、線状に整形した連続発振レーザ光を短軸方向に走査して、局所的な溶融再凝固による帯状多結晶領域を形成するに際し、対物レンズの熱レンズ効果発生に伴う照射レーザ光の集光ビーム形（短軸幅）の変化により結晶状態が変動することを防止し、平面表示装置の製造歩留まりを向上、品質の確保を図る。
【解決手段】アニールを行う際に照射する領域を複数のブロックに分割し、まず１ブロックあるいは複数ブロックおきにレーザ光を照射し、その後反対方向にレーザ光を走査しながらの、未照射の駆動回路領域を照射する。このように、レーザ照射後に一定時間のレーザ非照射状態を設けることで対物レンズの過熱を抑制し、対物レンズの熱レンズ効果による照射部温度の変動を防止する。これにより、常に一定の条件でのレーザ光照射が実現でき、一定の結晶状態の帯状多結晶シリコン膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】 一枚のＴＦＴ基板にアモルファス半導体の能動層を有するＴＦＴ素子と、多結晶半導体の能動層を有するＴＦＴ素子とが形成された液晶表示装置における、多結晶半導体の能動層を有するＴＦＴ素子の動作特性の低下を防ぐ。
【解決手段】 絶縁基板の表面に、アモルファス半導体の能動層を有する複数個の第１のＴＦＴ素子と、多結晶半導体の能動層を有する複数個の第２のＴＦＴ素子とが配置されているＴＦＴ基板を有する表示装置であって、前記第１のＴＦＴ素子および前記第２のＴＦＴ素子は、それぞれ、前記絶縁基板の表面上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、および前記能動層がこの順番で積層された構造であり、かつ、前記能動層の上に、コンタクト層を介して前記能動層に接続するソース電極およびドレイン電極を有し、前記第２のＴＦＴ素子の前記能動層は、前記コンタクト層が積層している位置における膜厚が６０ｎｍよりも厚い表示装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタを有する半導体装置を安価に大量生産することを可能にする、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１１等の基板上にアモルファスシリコン層１３を形成する工程と、アモルファスシリコン層１３をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層１３を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】炉などによるアニール（脱水素）工程を経ることなく、水素化非晶質シリコン膜の所望の領域のみを、ダメージが生じることなくレーザ照射により微結晶化することにより、同一基板内に水素化非晶質シリコンＴＦＴと多結晶（微結晶）シリコンＴＦＴを形成する。
【解決手段】水素化非晶質シリコン膜の所望の領域（駆動回路形成領域）のみに、連続発振レーザ光を矩形状で均一なパワー密度分布を有するビームに整形し、連続発振レーザ光の照射時間が５ミリ秒以上となる条件で定速走査しながら照射する。これにより、レーザ未照射領域は水素化非晶質シリコン膜のまま残り、レーザ照射部は脱水素に伴うダメージを生じることなく多結晶シリコン膜に変換される。この基板から製造される平面表示装置は画素部トランジスタのチャネル部は水素化非晶質シリコン膜で、駆動回路部トランジスタのチャネル部は脱水素化多結晶（微結晶）シリコン膜で構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路に用いる絶縁膜として、膜厚が薄くとも信頼性を確保することができる絶縁膜の作製方法を提供することを課題とする。特に、ガラス等の大面積化が可能な絶縁表面を有する基板上に低い基板温度で高品質の絶縁膜を提供することを課題とする。
【解決手段】チャンバーにモノシランガス（ＳｉＨ_４）と亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスを導入し、１０Ｐａ〜３０Ｐａの圧力下で高密度プラズマを発生させてガラス等の絶縁表面を有する基板上に絶縁膜を形成する。その後、モノシランガスの供給を停止し、大気に曝すことなく亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスとを導入して絶縁膜表面にプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

位置が制御される結晶粒の領域を備える結晶半導体膜と、位置が制御される結晶粒の位置を基準として規定される位置にある結晶半導体膜の中に位置するデバイスとを含む、結晶膜の中の既知の位置に位置付けられる電子デバイスに関係する方法および装置が説明される。この方法は、各照射ステップが、膜のリソグラフィで画成される領域を少なくとも部分的に融解させ、横方向に結晶化させ、横方向成長長さに垂直である少なくとも１つの長い粒子境界を有する横方向に成長した結晶粒の領域を得る、３つ以上の重複する照射ステップを使用して半導体膜の少なくとも一部を照射することと、少なくとも１つの長い粒子境界の位置を識別することと、長い粒子境界の位置を基準にして規定される位置にある半導体膜の中に電子デバイスを製造することとを含む。
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【課題】半導体基板における半導体層表面の平坦性を向上させることを目的の一とする。又は、半導体基板の生産性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、絶縁表面を有する基板の表面と絶縁層の表面とを接触させて、絶縁表面を有する基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせ、加熱処理を施すことにより、損傷領域において単結晶半導体基板を分離して絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層をパターニングして複数の島状半導体層を形成し、島状半導体層の一に、該島状半導体層の全面を覆うように成形されたレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、結晶粒や成長方向の制御を確実に行うことができ、これにより半導体特性に優れたポリシリコン層を効率よく形成可能なシリコンの結晶化方法、熱処理を施すことにより良好な結晶化がなされる非晶質部を備える接合体、前記結晶化方法により形成された半導体部を備える半導体装置を製造する方法、および、この方法により製造された半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコンの結晶化方法は、ａ−Ｓｉ膜３０ａ（非晶質部）と、ｃ−Ｓｉの種結晶３０ｃとを用意する工程と、ａ−Ｓｉ膜３０ａの表面と種結晶３０ｃの表面に、それぞれエネルギーを付与する工程と、ａ−Ｓｉ膜３０ａと種結晶３０ｃとを接合し接合体３０５を得る工程と、接合体３０５を加熱することにより、ａ−Ｓｉ膜３０ａを結晶化する工程とを有する。これにより、ａ−Ｓｉ膜３０ａと種結晶３０ｃとの接合界面が成長核となって結晶化が進行する。 （もっと読む）

【課題】発光装置の信号線の電位の振幅を小さく抑えつつ、走査線駆動回路に過大な負荷がかかるのを防ぐ。
【解決手段】発光素子と、第１の電位を有する第１の電源線と、第２の電位を有する第２の電源線と、第１の電源線と発光素子の接続を制御する第１のトランジスタと、ビデオ信号に従って第２の電源線から与えられる第２の電位を出力するか否かが制御される第２のトランジスタと、第１の電源線から与えられる第１の電位、または第２のトランジスタの出力のいずれか一方を選択するスイッチング素子と、スイッチング素子によって選択された第１の電位または第２のトランジスタの出力のいずれか一方を、第１のトランジスタのゲート電極に与えるか否かを選択する第３のトランジスタと、を有する。 （もっと読む）

【課題】画素アレイ部の各走査線から周辺回路部側へと引き出された引出し配線の断線を起因とする表示不良を防止できるようにする。
【解決手段】引出し配線Ｌdrawn を、第１配線層Ｌ１の第１引出し配線Ｌdrawn_L1と第２配線層Ｌ２の第２引出し配線Ｌdrawn_L2で形成し、その長手方向の端部で、コンタクトLCにより電気的な接続をとる。引出し配線Ｌdrawn を複数の配線層に配設することで、コンタクトLC間において何れかの配線層で断線しても、他方の配線層の引出し配線の存在により、コンタクトLC間の電気的な接続が維持されるので、断線を起因とする表示不良の発生は防止される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる連続発振のレーザー装置を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】半導体膜のうち、パターニング後に基板上に残される部分をマスクに従って把握する。そして、少なくともパターニングすることで得られる部分を結晶化することができるようにレーザー光の走査部分を定め、該走査部分にビームスポットがあたるようにし、半導体膜を部分的に結晶化する。チャネル方向とレーザーの走査方向を揃えることにより高性能の半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された２層のアモルファスシリコン層のレーザアニール時の干渉を低減する方法を提供する。
【解決手段】基板１上の第１のアモルファスシリコン層をパターニングし第１の活性層を基板１上に形成する。次いで、第１の絶縁層４が前記第１の活性層及び前記第１の活性層で覆われていない基板１の一部の上に形成される。次に、第２のアモルファスシリコン層が前記第１の絶縁層４の上に形成される。レーザーアニール工程が遂行され、第１のアモルファスシリコン層を微細結晶シリコン層７に結晶化させ、第２のアモルファスシリコン層をポリシリコン層６に結晶化させる。ポリシリコン層をパターニングすることにより、第１の活性層で覆われていない基板１の一部上に第２の活性層が形成される。良好な結晶の均一性を有する微細結晶シリコン層７は、ＯＬＥＤディスプレイにディスプレイ領域にＴＦＴの活性層として機能する。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域と、前記島状の半導体領域の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料層１１を設け、前記第１の材料層１１に接して第２の材料層１２を設け、さらに積層成膜または５００℃以上の熱処理やレーザー光の照射処理を行っても、剥離前の第１の材料層が引張応力を有し、且つ第２の材料層が圧縮応力であれば、物理的手段で容易に第２の材料層１２の層内または界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）