【課題】結晶粒の幅を制御することが可能な結晶性半導体膜の作製方法、さらには、特定の結晶構造を有し、且つ結晶粒の幅を制御することが可能な結晶性半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、非晶質半導体膜上に、キャップ膜を形成し、キャップ膜を透過する連続発振又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームが非晶質半導体膜に照射されるように走査して非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化する。このとき、レーザビームのビームスポットにおける長さ方向及び幅方向のエネルギー分布はガウス分布であり、非晶質半導体膜の一領域あたりにレーザビームを５マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下照射するようにレーザビームを走査する。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、表示品位の優れた液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板１上に設けられた信号線９と、基板１上に信号線９と離間して設けられた導電性膜１２と、信号線９、及び導電性膜１２の上に設けられた下地絶縁膜と、下地絶縁膜の上に設けられたポリシリコン膜４と、ポリシリコン膜４の上に形成された層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７の上に形成された画素電極１１と、層間絶縁膜７の上に画素電極１１と離間して形成され、ポリシリコン膜４と信号線９とを接続する接続パターン１５と、を備え、下部に導電性膜１２が形成されたポリシリコン膜４の結晶粒径が、下部に導電性膜１２が形成されていないポリシリコン膜４の結晶粒径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタの半導体に含まれている金属による漏洩電流を最少化して薄膜トランジスタの特性及び信頼度を向上させる。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、絶縁基板上に非晶質シリコン膜を形成する段階と、非晶質シリコン膜上に凹凸を有する犠牲膜を形成する段階と、犠牲膜上に金属板を接触させた後、熱処理することによって非晶質シリコン膜を結晶化して多結晶シリコン膜を形成する段階と、金属板及び犠牲膜を除去する段階と、多結晶シリコン膜をパターニングして島状部材を形成する段階と、島状部材を覆うようにゲート絶縁膜を形成する段階と、ゲート絶縁膜上に島状部材と一部分が重なるゲート線を形成する段階と、島状部材の所定領域に導電型不純物を高濃度にドーピングしてソース／ドレイン領域を形成する段階と、ゲート線及び島状部材を覆うように層間絶縁膜を形成する段階と、層間絶縁膜上にソース／ドレイン領域と連結されるデータ線及び出力電極を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１〜１３４と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３〜１０６とを有する薄膜トランジスタ１１８〜１２１と、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホール１４２を含む第１のコンタクトホールと、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホールに含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホール１４２の底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関するものである。 （もっと読む）

【課題】ステージと基板との位置ずれを抑制することにより、所望の領域のみにレーザを照射することができるようにする。
【解決手段】半導体材料の付着した基板を所定の基板載置部に収納可能とする密閉容器と、半導体材料に照射されて半導体材料を所定の熱処理温度まで加熱するための光を照射する光源と、密閉容器に設けられて光源からの光を透過して密閉容器内に導入するための光透過窓と、基板載置部に設けられて基板を基板載置部に固定保持するための保持手段と、光の照射時における密閉容器内の雰囲気圧力を、光照射によって溶融加熱された半導体材料の温度によって規定される蒸気圧を下まわらないように制御する圧力制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】触媒元素のスピン添加法は、対角線の長さが５００ｍｍ以上の大型基板を用いる際、触媒元素添加量の基板内均一性が良くないという問題が顕著となる。触媒元素添加量の基板内不均一性は、熱結晶化後の結晶質半導体膜に於ける結晶性のバラツキに影響し最終的に当該結晶質半導体膜で構成されたＴＦＴの電気特性に悪影響を及ぼすことが考えられる。本発明は、上記問題点を解決することを課題とする。
【解決手段】触媒元素のスピン添加工程に於いて、絶縁性基板の中央部と、端部とにおける触媒元素の濃度比が２倍以内となるように添加するために、「触媒元素溶液の滴下」処理から「高速スピンによるスピン乾燥」処理に移行する間のスピン回転加速度を低くし、触媒元素添加量の基板内不均一性を改善する。 （もっと読む）

【課題】微小孔の発生を抑制するとともに結晶性の良い平坦化された結晶質半導体膜を製造する。
【解決手段】本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、非晶質半導体膜（３）を用意する工程と、非晶質半導体膜（３）の結晶化を助長する触媒元素（４）を非晶質半導体膜（３）に添加する工程と、触媒元素（４）の添加された非晶質半導体膜（３）に熱処理を行うことにより、結晶質半導体膜（３’）を得る工程と、結晶質半導体膜（３’）の表面に所定の凹凸形状を付与する工程と、結晶質半導体膜（３’）の表面に所定の凹凸形状を付与した後、結晶質半導体膜（３’’）の表面に形成された酸化膜を除去する工程と、酸化膜を除去した後、結晶質半導体膜（３’’）にレーザビーム（６）を照射する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】素子の信頼性及び特性を向上させることができる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板を提供するステップと、前記基板上に非晶質シリコン層を形成するステップと、前記非晶質シリコン層上に除去可能な有機膜を形成するステップと、前記有機膜上にレーザーを照射して、非晶質シリコン層を結晶化して多結晶シリコン層を形成するステップと、前記有機膜を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】レーザアニール処理によって半導体層の結晶化を行う場合において、閾値の安定性を向上する。
【解決手段】レーザアニール処理により結晶化された半導体層を有する半導体装置であって、前記半導体層の接する下層に、酸素含有量が１０％以下である酸素非含有膜を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの３次元形成において、特性バラツキの小さな高性能薄膜トランジスタを得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体膜の結晶化の際の起点部となる、単結晶又は略単結晶である底部を有する凹部を基板の表面に形成し、前記凹部が形成された前記基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜に熱処理を行って前記起点部を略中心とする略単結晶粒を形成し、前記半導体膜をパターニングし、ソース／ドレイン領域及びチャネル形成領域となるべきトランジスタ領域を形成し、前記トランジスタ領域上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成して薄膜トランジスタを形成し、前記トランジスタ領域を形成する際に、少なくとも前記チャネル形成領域が前記半導体膜の前記略単結晶粒内で、かつ前記基板の結晶方位における＜１１１＞の方向を含まない領域となるように選定する。 （もっと読む）

【課題】高いｏｎ、ｏｆｆ比で、低抵抗ｎ型（またはｐ型）半導体層のＴＦＴを備えた高精細かつなめらかな動画表示を可能とした画像表示装置を得る
【解決手段】ポリシリコンのレーザアニール結晶化において、前駆半導体膜であるアモルファスシリコンに窒素（Ｎ）をイオン注入する工程と、レーザ結晶化の工程、ｎ型（またはｐ型）ドーパントのイオン注入、ドーパント活性化のためのアニール工程をこの順で行うことによって低抵抗ｎ型（またはｐ型）半導体層を作製する。ＴＦＴの作製においては，この低抵抗半導体層をソース，ドレインに用いる。またＣ、Ｎ、Ｏ不純物はＴＦＴの移動度を低下させるため、ポリシリコン中の汚染濃度がＣ濃度≦３×１０¹⁹ｃｍ^-3、Ｎ濃度≦５×１０¹⁷ｃｍ^-3、Ｏ濃度≦３×１０¹⁹ｃｍ^-3以内のポリシリコンを用いる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を低減することができるとともに、絶縁耐圧を向上させることができる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に下地絶縁膜、半導体層、絶縁膜及び導電層がこの順に積層された構造を有する半導体素子であって、上記半導体素子は、上記下地絶縁膜が半導体層と接する領域に台状部を有し、上記下地絶縁膜の台状部の上面と半導体層の下面とが合わせられた状態で構成されたものである半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】シリンドリカルレンズアレイを用いて線状ビームを形成する際に、原ビームの光軸ずれを防止することでシリンドリカルレンズアレイにおける原ビームの入射位置のずれを防止し、安定的に均一強度分布の線状ビームを形成すること。
【解決手段】レーザ発振器から射出されるレーザビームを偏向する偏向ミラーと、転送レンズと、転送レンズを通過したレーザビームを複数に分割するシリンドリカルレンズアレイと、シリンドリカルレンズアレイで形成されたレーザビームを重ね合わせる集光レンズとを備え、レーザ発振器の射出口から偏向ミラーまでの距離をａ、偏向ミラーから前記転送レンズまでの距離をｂ、転送レンズからシリンドリカルレンズアレイの入射面までの距離をｃ、転送レンズの焦点距離をｆとした場合、これらが次式、
１／ｆ＝１／（ａ＋ｂ）＋１／ｃ
を満たすように配置する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法において、半導体膜に対するレーザーアニールの効果を高める。
【解決手段】 本発明に係る結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法は、意図的に非単結晶半導体膜の表面を水素にて終端させ、少なくとも酸素を含有する雰囲気において、前記非単結晶半導体膜に対してレーザービームを照射することにより、前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする。これにより、結晶性、均質性が大幅に向上した結晶性半導体膜を用いて、薄膜トランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性や配向性の高い有機半導体層を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】基体上に、一種以上の高分子化合物を含有する層と、該一種以上の高分子化合物を含有する層と接する有機半導体層とを、少なくとも有し、前記高分子化合物のうち少なくとも一種が、１個以上の２級または３級の脂肪族アミノ基を有する高分子化合物であり、前記脂肪族アミノ基を有する高分子化合物のアミノ基が側鎖および／または分岐鎖上に存在し、前記高分子化合物を含有する層がポリシロキサン化合物を含有する半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に高い結晶性を有する結晶性珪素膜を得る。
【解決手段】ガラス基板１１上に形成された非晶質珪素膜１２上に極薄の酸化膜１３を形成し、ニッケル等の触媒元素を１０〜２００ｐｐｍ（要調整）添加した組成に炭素を含まない水溶液１４を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナー１５を用いてスピンドライを行なう。そして、５５０℃、４時間の加熱処理を窒素ガス中に水素濃度が３％以下添加された雰囲気中で行なうことにより、結晶性珪素膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性が良好で、かつ、電気的特性のばらつきを抑制した結晶質半導体膜および前記結晶質半導体膜を容易に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、多結晶半導体膜（１２０）を用意する工程と、多結晶半導体膜（１２０）の少なくとも一部の領域に所定の元素（１３０）を注入することにより、多結晶半導体膜（１２０）の結晶化率よりも低い結晶化率を有する非晶質化領域を多結晶半導体膜（１２０）の少なくとも一部の領域に形成する工程であって、所定のエネルギービーム（１５０）に対する非晶質化領域の吸収率が所定の方向に沿って連続的に変化するように所定の元素（１３０）を注入する、工程と、非晶質化領域に所定のエネルギービーム（１５０）を照射することにより、非晶質化領域を結晶化する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーのレーザ照射によってポリシリコン膜を形成するときに凝集が発生することを防止する。
【解決手段】ガラス基板１０上に、バッファ膜１２、アモルファスシリコン膜１４を形成する。次に、希フッ酸による洗浄を行い自然酸化膜を除去した後オゾン水によって洗浄を行い表面に酸化膜１６を形成する。そして、その状態で、レーザを照射してアモルファスシリコン膜１４を多結晶化して、ポリシリコン膜１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射窓の付着物を抑制することで、照射密度の均一化を図り、これによって被処理基板上に均一な膜を形成できる電気光学装置の製造装置、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 減圧状態に維持された光照射室２内の被処理基板５にエネルギー光８を照射することにより熱処理を施す電気光学装置の製造装置１であって、光照射室２に設けられた光導入用の窓部３と、被処理基板５との間には、当該被処理基板５から放出する放出物質を付着させる防着板７が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所望するＴＦＴ特性を有する薄膜トランジスタを製造できる複合型エキシマレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】スピン洗浄ユニット21でガラス基板上のアモルファスシリコン膜の表面をフッ酸にて洗浄する。ガラス基板を待機ユニット26に搬送して１５分程度待機させる。アモルファスシリコン膜上に付着している活性フッ素を昇華させる。活性フッ素を昇華させたガラス基板をレーザアニール装置31に搬送してアモルファスシリコン膜をエキシマレーザアニールしてポリシリコン膜にする。アモルファスシリコン膜の表面に活性フッ素が付着した状態でエキシマレーザアニールすることで生じるポリシリコン膜中の電荷の残留を防止できる。 （もっと読む）