【課題】閾値電圧などのばらつきを低減させることができ、信頼性の高い高性能なＴＦＴ特性を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、基板上に形成され、ソース領域４ｃ、ドレイン領域４ｄ及びチャネル領域４ｂを有する多結晶半導体層４ａと、多結晶半導体層４ａのソース領域４ｃ及びドレイン領域４ｄ上に形成された金属性導電層６と、多結晶半導体層４ａと金属性導電層６との間に形成された合金層５とを有し、多結晶半導体層４ａは、チャネル領域４ｂの膜厚が、金属性導電層６が形成された領域の膜厚より薄くなるように形成された凹部４ｅを有し、凹部４ｅの深さＸと、合金層５の膜厚Ｙと、金属性導電層６の膜厚ｔとが、次の関係を満たしている。
０．１ｔ≦Ｙ≦０．３ｔ
０．３Ｙ≦Ｘ≦２Ｙ （もっと読む）

【課題】高性能化を実現でき、かつ信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る薄膜トランジスタは、ゲート電極７と、ゲート電極７の下にゲート絶縁膜６を介して形成されたチャネル領域４ｃ、このチャネル領域４ｃを挟むソース領域４ａ及びドレイン領域４ｂを有する半導体層４と、ソース領域４ａ直上に形成されたソース側−導電薄膜５ａ、ドレイン領域４ｃ直上に形成されたドレイン側−導電薄膜５ｂを有する導電薄膜５とを備え、導電薄膜５のうちの少なくともドレイン側−導電薄膜５ｂは、チャネル領域４ｂ直上まで延在されている。 （もっと読む）

【課題】優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜を能動層として用いる半導体装置の製造方法であって、低圧化学気相堆積法で堆積温度が４３０℃未満且つ堆積速度が０．５ｎｍ／ｍｉｎ以上の状態で、高次シランを含む原料気体を用いて非晶質半導体膜を堆積する工程と、前記非晶質半導体膜を固相にて結晶化させ結晶性半導体膜を形成する工程と、前記結晶性半導体膜の一部を溶融させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に電磁波を照射し、電磁波の照射された半導体層表面に研磨処理を行う。電磁波の照射により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。従って、電磁波の照射と研磨処理によって、結晶欠陥が低減され、かつ平坦性も高い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン層を用いる薄膜トランジスタ、その製造方法、並びに、これを備えた有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板を提供する段階と、前記基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、前記非晶質シリコン層上に１０ないし５０Å厚さで熱酸化膜を形成する段階と、前記シリコン熱酸化膜上に結晶化のための金属触媒層を形成する段階と、前記基板を熱処理して前記結晶化のための金属触媒層の金属触媒を用いて前記非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する段階とを含むことを特徴とする多結晶シリコン層の製造方法を用い、前記非晶質シリコン層からＳＧＳ結晶化法により多結晶シリコン層を形成する。工程を簡素化した多結晶シリコン層の製造方法、その製造方法を用いて製造された多結晶シリコン層を用いる薄膜トランジスタ、その製造方法、並びに、これを備えた有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】製品の生産に使用可能な量産性の優れた方法でかつ安価なコストにより、半導体薄膜の結晶粒径の拡大を可能とすることを目的とする。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に導電性薄膜１０３を形成し、導電性薄膜１０３をパターニングしてから半導体薄膜１０４を形成し、レーザ光を照射して半導体薄膜１０４を溶融し固化して再結晶化する半導体薄膜の製造方法において、導電性薄膜１０３は面方向に突端部を有するようにパターニングされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の電気的な特性を向上させるための、半導体装置の半製品およびその結晶化方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置の半製品の非晶質半導体層を結晶化方法は、結晶化用レーザ光として温度勾配を有する照射強度分布のレーザ光を絶縁層および窒素含有層を通して前記非晶質の半導体層へ照射するレーザ光照射工程と、前記窒素含有層は入射する前記レーザ光の少なくとも一部を吸収して蓄熱する工程と、前記非晶質の半導体層の前記温度勾配を有する照射強度分布のレーザ光により照射された領域は溶融する溶融工程と、溶融後の冷却時に蓄熱工程での蓄熱が熱源として作用し冷却速度を緩和する工程と、前記レーザ光照射工程を２回以上行う工程とを具備してなる。 （もっと読む）

【課題】ボディフローティング構造の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の特性を向上させる。
【解決手段】絶縁体上の半導体膜に形成されたｐチャネル型の薄膜トランジスタを、半導体膜(103)上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極(109)と、ゲート電極の両側の半導体膜に配置されたソース領域(S)と、ドレイン領域(D)と、その間に位置するチャネル領域とを有し、チャネル領域は、フローティング状態で、ドレイン電圧はｎＶ、但し２≦ｎ≦２０で、ゲート長は、ｎ×０．１μｍ以上であり、上記半導体膜は、結晶方位｛１１０｝の単結晶シリコン膜又は｛１１０｝に配向した多結晶シリコン膜となるよう構成する。このように絶縁体上に形成された薄膜トランジスタをｐチャネル型とすることで、寄生バイポーラ動作を抑制できる。また、ｐチャネル型の薄膜トランジスタの結晶方位を制御することでキャリア（正孔）の移動度を高くでき、電流駆動能力を向上できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いることができる多結晶半導体膜を、非晶質半導体膜にフェムト秒レーザを照射して結晶化することにより作製する方法に関する。
【解決手段】フェムト秒レーザを使用してレーザ結晶化を行うことにより、キャップ膜を上面に成膜した非晶質半導体膜をレーザ結晶化する際に、半導体膜の結晶化とキャップ膜の除去とを同時に行うことが可能となる。そのため、後工程のキャップ膜除去の工程を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶の面方位が制御された結晶性半導体膜を用いることで、均一なシリサイド膜を作製する方法及び、該シリサイド膜を用いた絶縁基板に形成された電気的特性のばらつきの小さい薄膜トランジスタの作製方法に関する。
【解決手段】キャップ膜を有する半導体膜を所定の条件でレーザ結晶化することにより結晶の面方位が一方向に制御された大粒径結晶からなる結晶性半導体膜を形成し、その結晶性半導体膜をシリサイドに用いることで、均一なシリサイド膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びその製造方法を供給する。
【解決手段】薄膜トランジスタは基板と、該基板上に形成され、チャンネル層にシード及び結晶粒境界が存在しない半導体層パターンと、該半導体層パターン上に形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含む。この方法は、基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、該非晶質シリコン層を結晶化し、パターニングしてチャンネル層にシード及び結晶粒境界が存在しない半導体層パターンを形成する段階と、前記半導体層パターン上にゲート絶縁膜を形成する段階及び前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階とを含む。結晶化触媒の均一な低濃度制御及び結晶化位置を調節することによって、薄膜トランジスタのチャンネル層内にシード及び結晶粒境界が存在しないようにしたり、結晶粒境界が一つ存在するように調節して素子特性及び均一度を良くする。 （もっと読む）

【課題】 上層配線が半導体層に接続された薄膜トランジスタにおいて、コンタクトホール形成部の層間絶縁膜の厚さを薄くし、均一なコンタクトホールの形成を可能とする。
【解決手段】 多結晶半導体層３を活性層とし、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール７を介して配線が多結晶半導体層３に接続されている。多結晶半導体層３に接続される配線は、複層配線のうちの２層目以上の上層配線（第２配線８）である。コンタクトホール７に対応する位置に所定の厚さを有する下地パターン１０が形成され、この下地パターン１０上に多結晶半導体層３の第２配線８との接続部分（ソース領域３ａ及びドレイン領域３ｂ）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、絶縁性基板上に形成した多結晶半導体膜の高品質化を図ることである。
【解決手段】 本願発明は、絶縁性基板上の多結晶シリコン膜からなる第１の半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けたゲート電極と、上記半導体層に設けたチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に配置されたソース領域とドレイン領域とを有するＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて、少なくとも上記チャネル領域の主配向が上記ゲート絶縁膜の表面に対して｛１１０｝である薄膜半導体装置である。更に、上記ソースとドレイン領域を結ぶ方向にほぼ垂直な面の主配向が｛１００｝である多結晶半導体膜を半導体装置のチャネルに適応することが、より好ましい。本願発明によれば、絶縁体基板上に、粒界、粒径、結晶方位を制御でき、結晶化の仮定で生じる膜のラフネスと結晶欠陥を低減した高品質の多結晶半導体膜を有する半導体装置を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 半導体膜を用いた薄膜トランジスタを備えた表示装置において、初期故障が少なく薄膜トランジスタの小型化による高精細な表示が可能な表示装置を得ることを目的とする。
【解決手段】 多結晶半導体膜４の上層にゲート絶縁膜５を介してゲート電極６が形成されている薄膜トランジスタにおいて、多結晶半導体膜４とゲート電極６とが交差する領域における多結晶半導体膜４のパターン端部断面のテーパー角θ２が、それ以外の領域のテーパー角度θ１よりも低く形成されている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長及びその後のウェハ接合処理ステップを回避するＳＳＯＩ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】歪み半導体オン・インシュレータ（ＳＳＯＩ）構造体を製造する。ＳＯＩ基板上に歪み半導体領域を生成するために、歪み記憶技術が用いられる。半導体領域が歪んでいるので、歪み半導体領域上に形成されたトランジスタは、より高いキャリア移動度を有する。（ｉ）薄いアモルファス化層を生成するためのイオン注入と、（ｉｉ）アモルファス化層上への高応力膜の堆積と、（ｉｉｉ）アモルファス化層を再結晶させるための熱アニールと、（ｉＶ）高応力膜の除去とを含む。再結晶化プロセスの間、ＳＯＩ基板は応力を受けたので、最終的な半導体層も、応力を受ける。応力の量及び応力の極性（引張又は圧縮）は、高応力膜のタイプ及び厚さによって制御することができる。 （もっと読む）

【課題】レーザビームで完全溶融させて、厚さが５０ｎｍ以下の大粒径結晶でなる半導体膜を形成する。
【解決手段】半導体膜の表面に断面が三角形の凸部を形成する。凸部の形状は錐体または三角柱である。半導体膜の凸部に入射したレーザビームは大きく屈折され、凸部と空気との界面で全反射されながら、基板に向かって進む。また、凸部からレーザビームを半導体膜に入射させているため、絶縁膜と半導体の界面に入射したレーザビームが全反射する確率が高くなる。このように、凸部からレーザビームを半導体膜に入射させることで、レーザビームが半導体膜中を伝搬している時間が長くなり、半導体膜の吸収率を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、イオン注入工程を行わず、プラズマにより簡単に薄膜トランジスタの閾値電圧を調整する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 基板１００を提供することと、前記基板１００の上に非晶質シリコン層１１４を堆積することと、プラズマを前記非晶質シリコン層１１４と接触させることによって、前記薄膜トランジスタ１０１の閾値電圧を調整することと、結晶工程を行い、前記非晶質シリコン層１１４を多結晶シリコン層１１４に変換することを含む。 （もっと読む）

本発明は、電気的に不活性なドーパントを含有する半導体の少なくとも１つの第１相に圧力を印加する段階と、少なくとも１つの第２相への前記半導体の少なくとも１つの相変態を引き起こすために前記圧力を除去する段階と、を含み、前記ドーパントが電気的に活性である前記半導体の少なくとも１つのドーピングされた相を前記少なくとも１つの第２相が含むように、前記少なくとも１つの相変態が前記ドーパントを活性化するドーピング方法である。
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【課題】 様々な結晶粒径を有する多結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成する場合において、薄膜トランジスタ特性を向上させつつ、キャリア移動度など、その特性のばらつきの増加を抑制すること。
【解決手段】 絶縁基板上に形成された非晶質半導体膜をレーザー光を照射して加熱することにより作成する多結晶半導体膜において、レーザー光の波長をλとすると、単一結晶を構成する結晶粒界の当該レーザー光スキャン方向及びこれに垂直な方向の間隔がλ／２の整数倍からなり、これら２方向における間隔が異なる結晶粒界を含む半導体膜、及びこの半導体膜を用いて薄膜トランジスタを作成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法の１形態として、多結晶半導体を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する工程で、ＴＦＴ内部にあるチャネル領域に、異なる結晶粒径を有する構造を形成することは困難であった。そのため、チャネル領域に電流駆動能力の大きい結晶粒の大きいＴＦＴを形成すると寄生バイポーラ効果により電気的な動作が不安定になる。又寄生バイポーラ効果を抑制可能な微細結晶を用いた場合には、電流駆動能力が小さくなるという課題がある。
【解決手段】チャネル部分に半透過マスクを用いたパターンを形成し、レーザーアニールを行う場合に、チャネル近傍でのアニール後の結晶粒の分布を制御する。例えばチャネル中央領域に強いレーザーアニールを行い、ゲート端部に弱いレーザーアニールを施すことで寄生バイポーラ動作の発生を抑制し、且つ高い電流駆動能力を持つ半導体装置としてのＴＦＴの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）