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Fターム[5F110PP36]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | 再結晶化 (11,370) | 前処理 (1,993) | 種の形成 (204)

Fターム[5F110PP36]に分類される特許

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結晶質または多結晶質層を形成する方法は、基板と基板上のパターンを提供する工程を有してなる。本方法は、核形成材料を提供し、核形成材料上に結晶質層を形成する各工程も含む。基板上に堆積された結晶質材料は、単結晶質であっても多結晶質であってもよい。
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【課題】薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは基板10と、該基板上に形成され、チャンネル層14にシード(seed)及び結晶粒境界(Grain Boundary)が存在しない半導体層パターン11と、該半導体層パターン上に形成されたゲート絶縁膜15及び該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極16とを含むことを特徴とする。結晶化触媒の均一な低濃度制御及び結晶化位置を調節することによって、薄膜トランジスタのチャンネル層内にシード及び結晶粒境界が存在しないようにしたり、結晶粒境界が一つ存在するように調節して素子特性及び均一度が良い薄膜トランジスタ及びその製造方法。 (もっと読む)


本発明は、印刷可能半導体素子を製造するとともに、印刷可能半導体素子を基板表面上に組み立てるための方法及びデバイスを提供する。本発明の方法、デバイス、デバイス部品は、幅広いフレキシブル電子デバイス及び光電子デバイス並びにデバイスの配列を高分子材料を備える基板上に形成することができる。また、本発明は、伸張形態で良好な性能が得られる伸縮可能な半導体構造及び伸縮可能な電子デバイスも提供する。 (もっと読む)


【課題】 電気特性の優れた多結晶TFTを提供する。
【解決手段】多結晶膜3を堆積させる工程、堆積した多結晶膜のうち所望の位置4のみを残すようにエッチングする工程、残された部分的な多結晶膜の中で所望の結晶方位の結晶粒5だけを、しかも所望の結晶面(ファセット)6を出した状態になるように異方性エッチングする工程、さらに、こうして得られた結晶核の上に膜を堆積し結晶化させる工程を用いる。 (もっと読む)


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