【課題】粒界に金属シリサイドが分布する領域を減らすことにより、電流特性と電子の移動度を向上させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、金属誘導結晶化方法によって非晶質シリコン薄膜を結晶化薄膜２０ｂに結晶化する過程で、熱処理条件と金属触媒のドーピング量を最適化することにより粒界に金属シリサイドが分布する領域を減らし、多結晶シリコン薄膜２０ｂの表面にＯ₂ガスまたはＨ₂Ｏ蒸気を供給して多結晶シリコン薄膜２０ｂの表面に不動態膜３０ａを形成し、それにより、電流特性と電子の移動度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、並びにそれらを歩留まり高く作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の表面に形成されるシリコンを主成分とする結晶粒と、ゲート絶縁膜及び結晶粒を覆うゲルマニウムを主成分とする半導体膜と、ゲルマニウムを主成分とする半導体膜に接するバッファ層とが重畳する薄膜トランジスタと、当該薄膜トランジスタを備えた表示装置である。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ構造の埋め込み絶縁膜の開口部における基板シリコンのダメージを防止すると共に、埋め込み絶縁膜の開口部における基板との接触面積の低下を防止する。
【解決手段】 ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に設けられ、一部に開口部１２を有し、該開口部１２の上部を上面側が広がった順テーパー構造に形成し、且つ下部を下面側が広がった逆テーパー構造に形成した絶縁膜１１と、絶縁膜１１上及び開口部１２内に形成された単結晶シリコン層１４と、単結晶シリコン層１４に形成された半導体素子とを備えた。 （もっと読む）

【課題】高密度に搭載可能な構造を有する電界効果トランジスタを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板と、この基板上に設けられた第１の絶縁層と、第１の絶縁層に埋め込まれた導電層と、この導電層に電気的に接続し直上に配置された下部拡散層、この下部拡散層上の半導体層、及びこの半導体層上の上部拡散層を有する柱状半導体部と、前記半導体層の周囲側面に設けられたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、このゲート電極および前記柱状半導体部を埋め込むように設けられた第２の絶縁層を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な半導体装置の製造方法を提供する。特に、ＳＡＭｓ膜および有機半導体材料を用いた良好な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１基板(S1)の最上層に自己組織化単分子膜(17)を形成する工程と、第２基板(S2)の最上層に有機半導体膜(23)を形成する工程と、前記第１基板の前記自己組織化単分子膜と前記第２基板の前記有機半導体膜を密着させる工程と、を有する。このように、自己組織化単分子膜と有機半導体膜とをそれぞれ別の基板上に形成し、密着させることで、有機半導体膜の形成時にその下層のＳＡＭｓ膜の影響を解消でき、有機半導体膜の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い微結晶半導体層、及び半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】
微結晶半導体膜と、その下層の絶縁膜との界面に形成される非晶質層を除くため、フッ素系ガス（ＳｉＦ４）及びシランを用いて結晶核を形成した後、結晶核を種として結晶成長させ、レーザ処理にて微結晶半導体膜を形成する。さらには、前記微結晶半導体膜の表面をフッ素系ガス（ＳｉＦ４）処理し、より結晶性を高める。
前記微結晶半導体膜を用いて、ボトムゲートの薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶化に続いて、所定の位置に残すことができ、その後の処理工程を妨げない手段によって種結晶を横成長させる方法並びに該方法を用いた構造体を提供する。
【解決手段】第１の半導体結晶をエッチングして種結晶領域を形成し、その上に、種結晶領域を露出させる開口部が設けられた絶縁体層、および第２の半導体膜を形成してレーザアニールし、種結晶から横成長を行う。その後、種結晶領域の上の第２の半導体膜を除去し、残っている第２の半導体膜中のトランジスタ活性領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体及び非晶質半導体を有する半導体膜を形成し、半導体膜の非晶質半導体を選択的に除去して微結晶半導体を残存させ、微結晶半導体を種としてシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性ガスを用いて結晶成長させて微結晶半導体膜を形成して、ゲート絶縁膜及び微結晶半導体膜の界面における結晶性を高める。次に、ゲート絶縁膜との界面における結晶性が高められた微結晶半導体膜をチャネル形成領域として用いて薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低温下で結晶性の良好な単結晶および多結晶を提供することを目的とする。また、本発明は、固相成長法を用い、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】最終結晶においてリッジ高さが高い結晶が含まれないように半導体薄膜を形成することが可能な半導体薄膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】制御部８は、移動部７により被照射物８０を相対的に移動させながら第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５に対して複数回の照射を行なわせることにより、重複する照射領域内で結晶の引継ぎ成長を行なわせる。このとき、あるスリットに対応する照射領域の両端部から成長する結晶が衝突しないように第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５の照射タイミングを制御した後、移動部７により被照射物を相対的に移動させ、他のスリットに対応する照射領域の両端部から成長する結晶が衝突するように第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５の照射タイミングを制御する。したがって、リッジ高さが高い結晶が含まれないように半導体薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】表示ムラが少ない表示装置を量産性高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁膜または下地膜として機能する絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を成膜する。次に、エネルギー分布のプロファイルがなだらかなレーザビーム、即ち単位面積当たりのエネルギーが低いレーザビームを非晶質半導体膜に照射して、非晶質半導体膜を微結晶化させて、ゲート絶縁膜または下地膜として機能する絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成する。次に、当該微結晶半導体膜をチャネル形成領域用いて薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜時間を増大することなく、粒径の揃った結晶粒を形成する。
【解決手段】本発明の多結晶半導体膜形成方法は、非晶質半導体膜を、この非晶質半導体膜が溶融しない条件で面方向に均一に加熱して、非晶質半導体膜内に結晶核を発生させる第１熱処理工程と、第１熱処理工程を実施した非晶質半導体膜に、非晶質半導体膜中の結晶核が溶融せず且つ非晶質半導体が溶融する条件でレーザ光を照射し、非晶質半導体を溶融及び凝固させることにより結晶化させる第２熱処理工程と、を備える。本発明の多結晶半導体膜形成装置１０は、上記の第１熱処理工程を実施する第１熱処理装置２０と、上記の第２熱処理工程を実施する第２熱処理装置３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンで構成された薄膜トランジスタなどの半導体素子において結晶粒界の欠陥や結晶シリコン中に含まれる触媒金属や不純物の影響を受けない半導体薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第１の結晶シリコン層１０２が形成され、第１の結晶シリコン層１０２の上に第２の結晶シリコン層１０３が形成される半導体薄膜において、第２の結晶シリコン層１０３は、第１の結晶シリコン層１０２の結晶性を継承するようにエピタキシャル成長によって形成され、第２の結晶シリコン層１０３には、第１の結晶シリコン層１０２よりも、不純物の量が少なく、水素又はハロゲン元素が多く含まれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層を利用した薄膜トランジスタ、その製造方法及び有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層と、チャネル領域から離隔された位置の半導体層内には半導体層の表面から一定深さまで結晶化誘導金属と他の金属または金属の金属シリサイドが存在し、半導体層のチャネル領域の長さ及び幅と漏れ電流値間にはＩｏｆｆ／Ｗ（Ｌ）＝３．４×１０^−１５Ｌ^２＋２．４×１０^−１２Ｌ＋ｃ（Ｉｏｆｆは半導体層の漏れ電流値（Ａ）、Ｗはチャネル領域の幅（ｍｍ）、Ｌはチャネル領域の長さ（μｍ）、及びｃは定数であり、ｃは２．５×１０^−１３ないし６．８×１０^−１３である。）を満足することを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備する有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】ボディフローティング構造の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の特性を向上させる。
【解決手段】絶縁体上の半導体膜に形成されたｐチャネル型の薄膜トランジスタを、半導体膜(103)上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極(109)と、ゲート電極の両側の半導体膜に配置されたソース領域(S)と、ドレイン領域(D)と、その間に位置するチャネル領域とを有し、チャネル領域は、フローティング状態で、ドレイン電圧はｎＶ、但し２≦ｎ≦２０で、ゲート長は、ｎ×０．１μｍ以上であり、上記半導体膜は、結晶方位｛１１０｝の単結晶シリコン膜又は｛１１０｝に配向した多結晶シリコン膜となるよう構成する。このように絶縁体上に形成された薄膜トランジスタをｐチャネル型とすることで、寄生バイポーラ動作を抑制できる。また、ｐチャネル型の薄膜トランジスタの結晶方位を制御することでキャリア（正孔）の移動度を高くでき、電流駆動能力を向上できる。 （もっと読む）

【課題】画素構造を最適化することにより、開口率を向上させたＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチング用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極および電流制御用ＴＦＴのゲート電極と同一面上に設けられたソース配線と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極、電流制御用ＴＦＴのゲート電極、およびソース配線を覆う絶縁膜と、ソース配線および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第１の接続配線と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第２の接続配線と、電流制御用ＴＦＴの半導体層と電気的に接続された画素電極と、発光層と、画素電極と対向する電極とを有するＥＬ素子とを有するＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどのアモルファス薄膜を効率的に、かつ良質に結晶化させる。
【解決手段】アモルファス薄膜（ａ−シリコン薄膜２）を結晶化させる際に、結晶化を助長する触媒が含まれる環境下（溶液塗布層３）に該アモルファス薄膜を置いて該アモルファス薄膜に、レーザ光源２０から照射されたレーザ光２１を照射して、前記環境から得られる触媒を前記アモルファス薄膜中に導入する。その後、固相結晶化することにより微細に制御された触媒により良好かつ効率よく結晶化がなされる。必要最低量で導入された触媒は、その後、除去処理を不要にすることもでき、触媒を無駄なく使用できる。レーザ光２１は、スポット状にして、面積、位置を微細に制御することで触媒の導入位置等を微細に制御できる。 （もっと読む）

【課題】品質の高い多結晶シリコン薄膜を形成でき、かつ、結晶化のためのアニール処理時間を短縮できる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファス膜を堆積させる工程と、金属を該アモルファス膜に配設する工程と、該金属とアモルファス膜をアニール処理する工程とを含み、アモルファス膜を結晶化して薄膜トランジスタのチャンネル部分を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、アニール処理は５００℃以上でガラス劣化温度以下の温度を上限温度としてパルス的に加熱する。また、パルス回数とグレインサイズの間には相関を利用して、パルス回数により、グレインサイズを制御して結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】大粒径の結晶粒が広域にわたって形成された半導体薄膜を提供する。
【解決手段】非晶質シリコン１０に、複数の凹パターン１１ａを含むビームパターン１１を、第１のスキャン方向１２にスキャン照射する（第１の結晶化工程）。次に、第１のスキャン方向１２と９０°異なる第２のスキャン方向１５にビームパターン１６をスキャン照射する（第２の結晶化工程）。その結果、第１の結晶化工程で形成された帯状結晶粒１３を種にして、第２のスキャン方向１５に結晶粒径が拡大する。すなわち、粒径が拡大した新たな帯状結晶粒１７が得られる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に薄膜半導体層を形成した３次元集積回路装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に、単結晶もしくは準単結晶の薄膜半導体層１３，１６が、層間絶縁層１４を介して複数層積層形成され、複数層の薄膜半導体層１３，１６のうち１層以上に能動素子Ｔｒ２１，Ｔｒ２２が形成されている３次元集積回路装置１０を構成する。 （もっと読む）