【課題】 半導体デバイスの３次元形成において、特性バラツキの小さな高性能薄膜トランジスタを得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも一方の表面が単結晶性または略単結晶性を有する基板（１１）上に半導体膜の結晶化の際の起点となる凹部（１２３）を形成する凹部形成工程と、前記凹部が形成された前記基板上に半導体膜（１３０）を形成する半導体膜形成工程と、前記半導体膜に熱処理を行い、前記起点部を略中心とする略単結晶粒（１３）を形成する熱処理工程と、前記半導体膜をパターニングし、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域となるべきトランジスタ領域（１３３）を形成するパターニング工程と、前記トランジスタ領域上にゲート絶縁膜（１４）及びゲート電極（１５）を形成して薄膜トランジスタを形成する素子形成工程と、を含み、前記素子形成工程では、前記基板が有する単結晶または略単結晶の結晶面[１１１]以外の方向に薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性が良好で、かつ、電気的特性のばらつきを抑制した結晶質半導体膜および前記結晶質半導体膜を容易に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、多結晶半導体膜（１２０）を用意する工程と、多結晶半導体膜（１２０）の少なくとも一部の領域に所定の元素（１３０）を注入することにより、多結晶半導体膜（１２０）の結晶化率よりも低い結晶化率を有する非晶質化領域を多結晶半導体膜（１２０）の少なくとも一部の領域に形成する工程であって、所定のエネルギービーム（１５０）に対する非晶質化領域の吸収率が所定の方向に沿って連続的に変化するように所定の元素（１３０）を注入する、工程と、非晶質化領域に所定のエネルギービーム（１５０）を照射することにより、非晶質化領域を結晶化する工程とを包含する。 （もっと読む）

薄膜トランジスタは、亜鉛酸化物含有半導体材料を含んでいる。このトランジスタはさらに、この材料と接触していて互いに離れた第1の接点手段または電極と第2の接点手段または電極を備えている。さらに、製造中に基板の温度が300℃を超えない薄膜トランジスタ・デバイスの製造方法も開示されている。
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【課題】 基板面内の結晶粒の位置や結晶粒径を容易に制御することができる半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体薄膜の製造方法において、第１の透明基板２上に第１の下地層３１を形成する工程と、第１の下地層３１の表面に凸部３３及び凹部３４を形成する工程と、第１の下地層３１に対して熱伝導率が異なり、凸部３３及び凹部３４を覆い、表面が平坦な第２の下地層３２を第１の下地層３１の表面上に形成する工程と、第２の下地層３２の表面上に半導体薄膜を形成する工程と、半導体薄膜にエネルギビームを照射し、凸部３３又は凹部３４に対応する第１の下地層３１及びの第２の下地層３２の一部を結晶生成核３５として、半導体薄膜（５１０）を結晶化する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 下部コンタクトに対するアクセス抵抗を低減させ、ゲート長が制御された、ナノワイヤ・チャネルを含む垂直型ＦＥＴを提供する。
【解決手段】 ＦＥＴチャネルを形成するナノワイヤを有する垂直型ＦＥＴ構造を開示する。ナノワイヤを、導電性シリサイド層の上に形成する。ナノワイヤは、周囲のゲートによって制御される。上部および下部の絶縁プラグがゲート・スペーサとして機能し、ゲート−ソースおよびゲート−ドレイン静電容量を低減させる。 （もっと読む）

【課題】大粒径の略単結晶粒に半導体装置のチャネル形成領域がアライメント精度良く形成されている半導体装置、それを用いた電気光学装置と電子デバイス、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板２０上に第一アライメント・マーク２１を形成する。結晶成長の起点となるグレイン・フィルタ２６の位置は、第一アライメント・マーク２１を基準に決定する。グレイン・フィルタ２６上に半導体膜を形成し、その後半導体膜を結晶化して略単結晶半導体膜を形成する。略単結晶半導体膜をパターニングする際には、第一アライメント・マーク２１の位置を基準とする。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体装置を容易に製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、実質的に非晶質シリコンからなる第１非晶質シリコン層と、第１非晶質シリコン層の結晶化を促進するための触媒を含み、第１非晶質シリコン層に積層された触媒層とを有する積層を形成する工程Ｓ１と、第１非晶質シリコン層を触媒を用いて結晶化させることにより第１結晶化シリコン層を形成する第１結晶化工程Ｓ２と、第１結晶化シリコン層の上に、実質的に非晶質シリコンからなる第２非晶質シリコン層を形成する工程Ｓ４と、第２非晶質シリコン層を結晶化させることにより第２結晶化シリコン層を形成する第２結晶化工程Ｓ５とを含む。 （もっと読む）

【課題】 良好な電気的特性のトランジスタが得られるようにし、これによって半導体装置の微細化や高密度化を可能にし、さらには３次元に積み重ねることをも可能にした、半導体装置の製造方法とこの製造方法によって得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】 基体１上に形成された結晶性半導体膜３のうち第１の部分以外の少なくとも第２の部分及び第３の部分に不純物を注入する第１の工程と、第２の部分および第３の部分にそれぞれソース及びドレインを形成する第２の工程とを備える。第２の工程において、少なくとも第２の部分および第３の部分に対して加熱処理を施すことにより、第１の部分の少なくとも一部をシードとする第２の部分及び第３の部分の固相エピタキシー過程を誘起する。 （もっと読む）

【課題】 単結晶半導体層の結晶品質を向上させつつ、単結晶半導体層を絶縁体上に安価に形成する。
【解決手段】 選択エピタキシャル成長を行うことにより、非晶質半導体層３と接触するように開口部５内に埋め込まれた単結晶半導体層６を形成した後、エッチングガスまたはエッチング液をシリコン酸化膜２、４に接触させることにより、シリコン酸化膜２、４をエッチング除去して、単結晶半導体基板１と非晶質半導体層３との間に空隙７を形成し、単結晶半導体層６を種として非晶質半導体層３の熱処理を行うことにより、非晶質半導体層３が単結晶化された単結晶化半導体層８を形成してから、単結晶半導体基板１と単結晶半導体層８との間の空隙７に埋め込み絶縁層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位が一定でない結晶性半導体膜表面に機械的化学的研磨を行った際、結晶性半導体膜を平坦化し、半導体装置の特性を向上させることを可能とする、半導体装置の製造方法、そしてこの製造方法により得られた集積回路、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】面方位が２以上有る結晶性半導体膜２０の表面を化学的機械的研磨により平坦化、及び薄膜化した後、平坦化結晶性半導体膜２１を用いて半導体素子を形成する半導体装置の製造方法である。化学的機械的研磨における研磨液として、水素イオン濃度がＰＨ９．０以下のアルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】 チャネル幅を十分に大きくすることができ、これにより得られるトランジスタの能力向上を図った半導体装置の製造方法と、これによって得られる半導体装置とを提供する。
【解決手段】 単一の結晶粒（略単結晶粒４２）に、ソース領域１１及びドレイン領域１２と、チャネル領域１３とを有してなるトランジスタ１０が少なくとも一つ形成されてなる半導体装置である。チャネル領域１３は、略単結晶粒４２がエッチングされて、フィン形状のチャネル部１５を複数並列した状態に形成されてなる。各チャネル部１５のそれぞれの表面部にはゲート絶縁膜１６が設けられ、各チャネル部１５のそれぞれのゲート絶縁膜１６の一部を覆って、ゲート電極１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】結晶化されたポリシリコンの結晶粒が突出して荒れた表面を平坦化して半導体層の電気的特性を向上させることができるポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれによって製造された薄膜トランジスタ基板を含む液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ポリシリコン結晶粒が形成された基板をローディングする段階と、ポリシリコン結晶粒の間の結晶粒界で突出している結晶粒を化学的機械的研磨によって除去して研磨された基板を形成する段階と、研磨された基板を洗浄して洗浄された基板を形成する段階と、洗浄された基板をアンローディングする段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高い密着性および膜強度を有し、かつ優れた特性を発揮する無機酸化物膜を容易かつ安価に形成し得る成膜方法、この無機酸化物膜を備える電子デバイス用基板、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基板（基材）２上に無機酸化物粒子８１ａを堆積させて、無機酸化物粒子８１ａの集合物８１を膜状に形成する第１の工程と、無機酸化物粒子８１ａを溶解し得る溶剤８２ａを集合物８１に供給し、無機酸化物粒子８１ａの表面を溶解させ、無機酸化物粒子８１ａの溶解物で無機酸化物粒子８１ａ同士の間を充填または無機酸化物粒子８１ａの表面を被覆する第２の工程と、溶解物を析出させた析出物８２ｂで、集合物８１を安定化する第３の工程とを有するものである。また、第３の工程の後、析出物８２ｂを酸化物８２ｃに変化させる処理を施す第４の工程を有するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 浅いソース，ドレイン接合位置を保ちつつ接合リークを低く抑えることができ
、且つコンタクト抵抗も低く保つ。
【解決手段】
ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴにおいて、絶縁膜１０２の上に形成され、チャネル領域を除いて
除去された第１のシリコン層１０３と、シリコン層１０３上にゲート絶縁膜２００を介し
て形成されたゲート電極３００と、シリコン層１０３のチャネル長方向の両側の絶縁膜１
０２に設けられた溝の底面及び側面に形成され、側面の一部でシリコン層１０３に接する
ように形成された第２のシリコン層６００と、第２のシリコン層６００からなるソース，
ドレイン領域６０１，６０２上に形成されたシリサイド層６３１，６３２と、シリコン層
１０３と接するシリコン層６００の側面部に位置するシリサイド層６３１，６３２に形成
された、ＡｓとＯを１０^１９ｃｍ^−３以上の濃度で含む拡散抑制領域とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴに匹敵する性能を有した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、非晶質珪素膜上に選択的にマスク絶縁膜を形成して結晶化を助長する金属元素を導入させ、第１の加熱処理により非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜にし、マスク絶縁膜を除去し、パターニングすることにより島状の結晶性珪素膜を形成し、ハロゲン元素を含む雰囲気中において第２の加熱処理を行うことにより、島状の結晶性珪素膜中の金属元素をゲッタリング除去すると共に、ゲイト絶縁膜として用いる熱酸化膜を島状の結晶性珪素膜の表面に形成し、熱酸化膜上にゲイト電極を形成し、一導電性を付与する不純物イオンを注入して島状の結晶性珪素膜にソース領域、ドレイン領域を形成し、ソース領域及び前記ドレイン領域上面に金属膜を形成し、ソース領域とドレイン領域をシリサイド化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 面方位が制御され、しかも単結晶の結晶構造を有し、これによって移動度等の電気的特性（半導体特性）に優れた薄膜半導体装置を製造し得る、方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に下地膜２を形成する工程と、下地膜２上にシリコンの結晶化を促進する触媒金属３を点状に配する工程と、触媒金属３を覆って基板１上に非晶質シリコンを成膜するとともに、非晶質シリコン膜４と触媒金属３とを反応させて金属シリサイド５を形成する工程と、金属シリサイド５を形成した非晶質シリコン膜４を加熱して固相成長させ、固相成長粒６を形成する工程と、非晶質シリコン膜４を溶融・結晶化させることによって所定の面方位を有する単結晶シリコン粒７を、固相成長粒６を種結晶として形成する工程と、を含む薄膜半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

低しきい電圧値、高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できるＴＦＴ等を提供する。ＴＦＴは、小熱容量部と大熱容量部とを有する多結晶Ｓｉ膜からなり、小熱容量部が少なくともチャネル部として用いられものである。そして、多結晶Ｓｉ膜は、小熱容量部が完全溶融するとともに大熱容量部が完全溶融しないエネルギ密度のレーザアニールによる結晶粒膜によって形成されている。小熱容量部と大熱容量部との界面から成長した粗大結晶粒によってチャネル部が構成されるので、一般的なレーザアニール装置を用いて低しきい電圧値、高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できる。
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【課題】優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。
【解決手段】多結晶半導体膜形成後、希ガス元素イオンを半導体膜に注入する。その後溶融結晶化を行う。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた金属マスクと粒界フィルタ領域とを利用して大規模な単結晶シリコン薄膜を形成することにより、高品質の薄膜トランジスタチャンネル領域を形成する方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン薄膜形成の形成方法は、非晶質シリコン層をパターニングし、結晶化が始まる第１シリコン領域４１、第１シリコン領域４１の一側中央に位置し、第１シリコン領域４１より狭幅の細長い第２シリコン領域４２、及び第２シリコン領域４２と接して第２シリコン領域４２より広幅の第３シリコン領域４３を形成する工程と、第１シリコン領域４１上に部分的に金属マスク３４を形成する工程と、パターニングされた非晶質シリコン層にレーザビームを照射し、金属マスク３４の下部にある非晶質シリコンを除外した残りの非晶質シリコン層を全体的に溶融させた後で冷却することによって結晶化する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性が優れた大きな結晶粒を有する結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による結晶質半導体膜の製造方法は、結晶核形成部（２ａ）と、素子形成部（２ｂ）と、狭小部（２ｃ）とを含む半導体膜（２）が形成された基板（１）を用意する工程と、絶縁膜（３）を形成する工程と、絶縁膜（３）を用いてキャップ膜（３Ｃ）を形成する工程であって、結晶核形成部（２ａ）に対する所定の波長の光の反射率が、端部よりも中央において高くなるように、キャップ膜部分（３ａＣ）の屈折率を変化させる工程と、所定の波長の光によって、キャップ膜部分（３ａＣ）を介して結晶核形成部（２ａ）を照射して、結晶核形成部（２ａ）を結晶化する工程と、結晶核形成部（２ａ）において結晶化された結晶から、狭小部（２ｃ）を介して素子形成部（２ｂ）を結晶化する工程とを包含する。 （もっと読む）