【課題】ガス抜き通路の存在を前提とし、伝熱性を高めることができる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】想像線で示す発熱性半導体素子１４の真下に、接合層２１が配置されている。同様に、想像線で示す発熱性半導体素子１５の真下に、接合層２２が配置され、発熱性半導体素子１６の真下に、接合層２３が配置され、発熱性半導体素子１７の真下に、接合層２４が配置されている。
【効果】発熱性半導体素子で発生した熱は、図面上から下へ最短距離を進むため、効果的に排熱される。 （もっと読む）

【課題】基材の変形を防ぎつつ、ミリチャネル基材、並びにミリチャネル基材を用いた冷却デバイス及び装置を製造する手段を提供する。
【解決手段】電力用電子回路１００を装着させるための基材１２が、下面及び上面を有する中間セラミック層１２０と、中間セラミック層１２０の上面に取り付けられた上部金属層１２１と、中間セラミック層１２０の下面に取り付けられた下部金属層１２２とを含んでいる。下部金属層１２２は、電力用電子回路１００を冷却する冷却材を送達するように構成されている複数のミリチャネルを有し、該ミリチャネルは、中間セラミック層１２０の下面への取り付けの前に下部金属層１２２の上に形成される。 （もっと読む）

【課題】放熱特性に優れるとともに強度の高い窒化アルミニウム基板および窒化アルミニウム基板の製造方法ならびに回路基板および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム基板は、複数個の窒化アルミニウム結晶粒と、この窒化アルミニウム結晶粒の粒界に存在し、希土類元素とアルミニウムとを含む複合酸化物結晶粒と、を備えた多結晶体からなり、窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム基板であって、窒化アルミニウム結晶粒の平均粒径が５μｍ以下であり、複合酸化物結晶粒の平均粒径が５μｍ以下であり、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】より簡易な構造でありながら、半導体素子や絶縁基板の接合に用いられる半田等、導電性の接合層に生じるクラック等の劣化の有無を精度よく管理することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２０に半田層を介して実装された半導体素子１１０が絶縁基板１２０と共々、特定の角部１１０ａ及び１２０ａ以外の角部の面取りによってその熱応力の集中する部位がこれらの角部１１０ａ及び１２０ａに偏倚されるようにする。そして、これら角部１１０ａ及び１２０ａにはその温度を検知する温度検知素子ＴＭ１及びＴＭ２が設けて、半田層へのクラック等の発生の有無、すなわち劣化の有無を管理する。 （もっと読む）

【課題】繰り返し冷熱サイクルを経てもなお回路側金属板と半導体素子とを接合する第一のはんだ層と放熱側金属板と放熱ベース板とを接合する第二のはんだ層に高い接合信頼性を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板４の一面に銅または銅合金からなる回路側金属板３が接合され、他面に銅または銅合金からなる放熱側金属板５が接合され、前記回路側金属板および放熱側金属板の表面にめっき層６を形成し、前記回路側金属板には半導体素子１を無鉛はんだ２により接合し、前記放熱側金属板には無鉛はんだ８により放熱ベース板７を接合してなる窒化珪素配線基板１０であって、前記回路側金属板とおよび放熱側金属板と当該めっき層の硬さの差をビッカース硬さでＨｖ＝３３０〜５００とし、且つ前記回路側金属板および放熱側金属板と当該めっき層のヤング率の差を０〜７０ＧＰａとしたことを特徴とする窒化珪素配線基板。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム又はマグネシウム合金からなる放熱部材を用いた場合であっても、部品点数、製造工数が増大することなく、放熱効率を向上させることのできる発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１は、はんだ材３と接合可能な金属からなる金属部２６を有する発光部２と、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム又はマグネシウム合金からなり表面に形成された放熱用被膜及び表面における放熱用被膜の内側に形成されはんだ材と接合可能な処理が施された接合部４３を有する放熱部材４と、を備え、発光部２の金属部２６及び放熱部材４の接合部４３がはんだ材３により接合されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とベースのはんだ接合後のベースの反りを小さくすると共に、基板下はんだの厚さのバラツキを低減し、かつ、絶縁基板の曲げ破壊や半導体チップの曲げ破壊や特性劣化を防ぐことのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、両面に金属回路層を有する絶縁基板をベース１０８上にはんだ接合し、該絶縁基板上に半導体チップを接合する際に、前記ベースをはんだ付け用治具１０９に固定した状態で、該ベースに前記絶縁基板をはんだ接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱履歴に対して信頼性を向上することができる素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】素子搭載用基板１は、半導体素子５を装着するための装着面２ａが設けられ、第１熱膨張係数を有する第１セラミック基板２と、第２熱膨張係数を有する第２セラミック基板３と、第１セラミック基板２の上面および第２セラミック基板３の上面に直接的または間接的に接合され、第１熱膨張係数および第２熱膨張係数とは異なる第３熱膨張係数を有し、半導体素子５に対して電力を供給するための金属板４とを備え、第１セラミック基板２と第２セラミック基板３との間において、金属板４には、第１セラミック基板２の上面の一部および第２セラミック基板３の上面の一部の少なくとも１つを跨ぐように屈曲部４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】熱応力を緩和でき、高い熱伝導率を有する中間層を用いた接合体を提供すること。
【解決手段】基板１と基板２が中間層を介して接合されている接合体であって、中間層が金属と炭素繊維および／またはカーボンナノチューブとからなる複合材料であることを特徴とする接合体により上記課題が解決される。前記金属は、少なくともはんだを構成する成分を含むことが好ましい。また、基板１、中間層、および基板２のそれぞれの熱膨張係数α１、αｃ、およびα２が、α１＜αｃ＜α２を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂筐体から外部へ電極が伸びる電力用半導体装置において、簡易な方法で信頼性が高く、かつ、十分な放熱性を有する電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】裏面に放熱板１８を有する基板２３と、該基板の裏面と反対の面である該基板の表面に固着された半導体素子２６と、該基板と該半導体素子とを該基板の裏面である放熱板が露出するように覆う樹脂筐体１０と、該樹脂筐体に一部が覆われ、かつ、ヒートシンクとねじ止めされる貫通穴１７を有する他の部分で該樹脂筐体外部へ伸びる固定板１６とを備える。そして、該貫通穴は該基板の裏面よりも該基板の表面側に位置する。 （もっと読む）

【課題】樹脂部分が冷却媒体のシール面となっている場合でも充分なシール性能を得ることのできるパワーモジュールのシール部構造を提供する。
【解決手段】ヒートシンク３１上にトランジスタ等を実装して半導体装置７０を構成する。半導体装置７０を樹脂ケース３４に保持させて半導体ユニット３２を構成し、半導体ユニット３２の下面に流路ケース４１を取り付けてパワーモジュール３０を構成する。樹脂ケース３４と流路ケース４１の間にシール部材４７を介装し、樹脂ケース３４の側縁部をボルト５０によって流路ケース４１に締結固定する。樹脂ケース３４のシール部材４７との当接部３４ａよりも内側に肉厚調整用の溝５１を形成し、樹脂ケース３４の成形時の引け反りを防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをマウントした絶縁基板について、その主面側に形成した導体パターンの構築を改良して絶縁基板の熱抵抗を低減し、熱放散性の向上化を図る。
【解決手段】絶縁基板４の主面に半導体チップ（ＩＧＢＴ６ａ，ＦＷＤ６ｂ）をマウントし、該半導体チップの上面電極とその電極に対応して絶縁基板に形成した配線用パターンとの間をワイヤ７で配線した半導体装置において、配線用パターンをパターン４ｃ〜４ｆ分けた上で、半導体チップをマウントする主面導体パターン４ａ，４ｂの上面周域に積層したセラミック絶縁層１１を介して２階建て式に層設する。これにより、配線用パターンに規制されることなく主面導体パターンの投影面積を拡張し、半導体チップからの熱流束を基板の面方向に広く分散させて絶縁基板の熱抵抗低化が図れる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率に優れ、放熱性能の高い放熱構造を安価に提供すること。
【解決手段】基板と、該基板の両面又は片面に形成されたＡl又はＡl合金層からなる表面層と、及び該表面層から外側に向かって成長している炭化アルミニウムウィスカー層とを有し、表面層の融点が基板の融点よりも低いことを特徴とする放熱構造により、上記課題が解決される。また、前記融点の差は５０℃以上であることが好ましく、前記基板の２５℃における熱伝導率は１５０Ｗ／ｍＫ以上であることることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２の一方の面に回路層１３が形成されるとともに他方の面に金属層１４が形成されたパワーモジュール用基板１１と、金属層１４側に接合されてパワーモジュール用基板１１を冷却するヒートシンク１７とを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板１０であって、金属層１４とヒートシンク１７とが直接接合されており、回路層１３の厚さＡと金属層１４の厚さＢとの比率Ｂ／Ａが、２．１６７≦Ｂ／Ａ≦２０の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発熱体に熱的に接続される天板と、天板との間に冷却液の流路を形成する底板とを有するヒートシンクにおいて、天板と底板とをろう付けにより確実に接合することができるようにする。
【解決手段】天板２８のコ字形状の幅に底板３２を嵌めるとともに、天板２８が幅方向の外側に熱膨張しないように、天板２８の外周を治具５０で固定して、天板２８の内部の側面２８ａとこの面２８ａに対向する底板３２の側面３２ａとをろう付けにより接合する。このろう付け方法により、天板２８が幅方向の外側に熱膨張せずに、底板３２が幅方向の外側に熱膨張するので、天板２８の内部の側面２８ａと底板３２の側面３２ａとが接触して確実に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】放熱装置において、簡易な構造で、絶縁基板と応力緩和部材とヒートシンクとを接合する工程で発生する熱応力を緩和して、絶縁基板の損傷を抑制する。
【解決手段】ヒートシンク１８は、応力緩和部材１６に接合する天板２８と、天板２８に接合し、天板２８との間に冷却液の流路３０を形成する底板３２とを有する。天板２８と底板３２との厚さの比が１：３から１：５の範囲内に設定する。この構成により、絶縁基板１４と応力緩和部材１６とヒートシンク１８とを接合する工程で発生する熱応力が緩和され、絶縁基板１４の損傷を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】冷却性能の低下を抑えつつ，モジュール基板と冷却器との間の応力緩和を図る半導体モジュールおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール１００は，半導体素子１０と，半導体素子１０を実装し，セラミック基板２３の両面に金属板２１，２２を有するモジュール基板２０と，半導体素子１０から発生する熱を放出する冷却部材３８とを備える。冷却部材３８は，金属板２２に接合される基板３５と，その基板３５から金属板２２とは反対側に突出し，ピン形状に成形された複数のピン３６とを有している。ピン３６は，筒状であり，先端部が閉口し，基板３５との付根部が開口している。そして，冷却部材３８の基板３５とモジュール基板２０の金属板２２とを接合し，ピン３６の開口箇所を金属板２２が塞ぐことによってピン３６の内部に中空部３７が形成される。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、回路面へのろう材の付着を防止しながら、セラミックス基板を破損せずに余剰のろう材の除去が可能であるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ろう材４２を介在させて前記セラミックス基板４１と前記金属板４３，４４とを積層した積層体４０を、前記セラミックス基板４１よりも大面積であってこのセラミックス基板４１および前記金属板４３，４４全面を覆う２枚の加圧板４５間で加熱しながら厚さ方向に加圧する接合工程において、前記セラミックス基板４１の辺部に対して前記金属板４３，４４の角部４３ｂ，４４ｂの先端部がほぼ一致するように、これらセラミックス基板４１および金属板４３，４４が配置される。 （もっと読む）

【課題】回路面へのろう材の付着がなく、金属板とセラミックス基板とが確実に接合される絶縁回路基板の製造方法及び絶縁回路基板並びにパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板６の表面に金属回路板７がろう付け接合されてなる絶縁回路基板の製造方法において、セラミックス基板６の表面にろう材１５を介して金属回路板７を積層し、これらを積層方向に加圧する際に、金属回路板７の周縁部の圧力を該周縁部より内側の中央部に比べて大きくする。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、ろうこぶの除去作業を削減して精密な加工を可能にするパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ろう材３０を介在させてセラミックス基板２０と金属板４０，７０とを積層した積層体５０を、セラミックス基板２０および金属板４０，７０全面を覆う２枚の加圧板６０間で加熱しながら厚さ方向に加圧する接合工程を行い、この接合工程において、加圧板６０、セラミックス基板２０および金属板４０，７０の位置決めを、加圧板２０の角部２１、金属板４０，７０の角部４１，７１およびセラミックス基板２０の角部２１を一致させることにより行い、セラミックス基板２０の角部２１を構成する辺縁部２０ａ近傍に、金属板４０，７０との間にろう溜まり空間Ａを形成するろう溜まり形成部２２が設けられている。 （もっと読む）