【課題】ヒートシンク接合工程における接合温度を低く設定しても、ヒートシンクと第二の金属板とを強固に接合できるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第二の金属板の他面にヒートシンクを接合するヒートシンク接合工程は、第二の金属板の他面とヒートシンクの接合面のうち少なくとも一方にＣｕ層を形成するＣｕ層形成工程Ｓ０１と、Ｃｕ層を介して第二の金属板とヒートシンクとを積層するヒートシンク積層工程Ｓ０２と、第二の金属板とヒートシンクとを積層方向に加圧するとともに加熱し、Ｃｕ層のＣｕを第二の金属板及びヒートシンクに拡散させることによって溶融金属領域を形成するヒートシンク加熱工程Ｓ０３と、この溶融金属領域を凝固させることによって第二の金属板とヒートシンクとを接合する溶融金属凝固工程Ｓ０４と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクと第二の金属板との接合界面におけるボイドの発生を抑制してヒートシンクと第二の金属板とを強固に接合できるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第二の金属板の他面にヒートシンクを接合するヒートシンク接合工程は、第二の金属板の他面とヒートシンクの接合面のうち少なくとも一方にＳｉ層を形成するＳｉ層形成工程Ｓ０１と、Ｓｉ層を介して第二の金属板とヒートシンクとを積層するヒートシンク積層工程Ｓ０２と、第二の金属板とヒートシンクとを積層方向に加圧するとともに加熱し、Ｓｉ層のＳｉを第二の金属板及びヒートシンクに拡散させることによって溶融金属領域を形成するヒートシンク加熱工程Ｓ０３と、この溶融金属領域を凝固させることによって第二の金属板とヒートシンクとを接合する溶融金属凝固工程Ｓ０４と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、また安価に製造することができる素子搭載基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１と、セラミックス基板１に設けられたビアホール２内に充填された銅ペースト焼結体３と、銅導体ペースト焼結体３が充填されたビアホール２に重なる位置に搭載される素子５とを備えて形成される素子搭載基板に関する。そしてセラミックス基板の厚みが０．２〜１．０ｍｍで、且つビアホールの断面積が０．２ｍｍ^２以上であり、銅導体ペースト焼結体の熱伝導度が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であると共に、ビアホール内に充填された状態での銅導体ペースト焼結体のセラミックス基板の厚み方向の熱抵抗が２４℃／Ｗ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで製作でき、セラミックス基板と金属板との接合強度が高く信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュールを製出することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１と第一、第二の金属板２２、２３との間に、固着層２４，２５を形成する固着層形成工程と、第二の金属板２３と天板部４１との間に介在層２６を形成する介在層形成工程と、天板部４１とフィン部４６との間に接合層４１Ｂを形成する接合層形成工程と、第一の金属板２２、セラミックス基板１１、第二の金属板２３、天板部４１、フィン部４６を積層する積層工程と、加熱工程と、第１溶融金属領域、第２溶融金属領域、溶融金属部を凝固させる凝固工程と、を有し、セラミックス基板１１と第一、第二の金属板２２、２３、第二の金属板２３と天板部４１、天板部４１とフィン部４６とを、同時に接合する。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、このパワーモジュール基板を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムからなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、セラミックス基板１１は、酸素又は窒素を含有しており、金属板１２、１３には、Ｃｕ，Ｓｉ，Ａｇ及びＧｅから選択される１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、さらに、金属板１１、１２とセラミックス基板１１との界面部分には、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ及びＭｏから選択される１種又は２種以上の活性元素が介在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＬＥＤをパッケージングするための基板の下面に少なくとも一つの溝を形成し、前記溝にカーボンナノチューブ(Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏ Ｔｕｂｅ: ＣＮＴ)物質を充填することにより、ＬＥＤから放出される熱を効果的にパッケージ外部へ放出することのできるＬＥＤパッケージ及びその製造方法が開示する。
【解決手段】本発明によるＬＥＤパッケージは、下面に少なくとも一つの溝が形成された基板と、前記基板の上面に形成された複数個の上部電極と、前記基板の上面に搭載され、前記上部電極と両端子が電気的に連結された少なくとも一つのＬＥＤと、前記基板に形成された前記溝に充填されたカーボンナノチューブ充填剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】はんだボール及びはんだボイドの発生を抑制しつつ、放熱板に対する基板の位置精度が高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層体１０と放熱板２０とはんだ層３０とを備える半導体装置を提供する。積層構造体は、第１主面１１ａに搭載された半導体素子１５と、基板の第２主面１１ｂに設けられ、基板１１の側面１１ｓから後退した導電層１３と、を有する。はんだ層は、基板の第２主面の側に設けられた放熱板と、導電層と、を接合する。放熱板は、放熱板の基板の側の基板対向面において、導電層に対向する接合領域２０ｒの周縁に沿って前記接合領域の外側に設けられた第１レジスト層２１ａを有する。第１レジスト層２１ａが、接合領域の互いに対向する４つの辺部にそれぞれに隣接する第１〜第４隣接部２２ａ〜２２ｄと、第１レジスト層が接合領域に隣接していない非隣接部２３と、が設けられる。 （もっと読む）

【課題】溶湯接合法によってアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材をセラミックス基板に接合する際に、金属部材とセラミックス基板との界面に微小な接合欠陥（ボイド）が生じるのを抑制することができるとともに、金属部材が金属板の場合に金属板の表面に生じる段差を容易に除去することができる、アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材がセラミックス基板に接合したアルミニウム−セラミックス接合基板において、アルミニウムまたはアルミニウム合金中に不純物または合金成分として含まれる鉄の含有量を０．０１質量％以下、好ましくは０．００５質量％以下、さらに好ましくは０．００３質量％以下にする。 （もっと読む）

【課題】容易に、かつ、低コストで、金属板とセラミックス基板とが確実に接合された熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板を得ることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の接合面及び金属板の接合面のうち少なくとも一方にＳｉとＣｕを固着させるＳｉ及びＣｕ固着工程Ｓ１と、固着したＳｉ及びＣｕを介してセラミックス基板と金属板とを積層する積層工程Ｓ２と、積層方向に加圧するとともに加熱して溶融金属領域を形成する加熱工程Ｓ３と、この溶融金属領域を凝固させる凝固工程Ｓ４と、を有し、Ｓｉ及びＣｕ固着工程Ｓ１において、セラミックス基板と金属板との界面に、Ｓｉ；０．００２ｍｇ／ｃｍ^２以上１．２ｍｇ／ｃｍ^２以下、Ｃｕ；０．０８ｍｇ／ｃｍ^２以上２．７ｍｇ／ｃｍ^２以下を介在させ、加熱工程Ｓ３において、Ｓｉ及びＣｕを金属板側に拡散させることにより溶融金属領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ又はＳｉ_３Ｎ_４からなるセラミックス基板１１の表面に純アルミニウムからなる金属板１２、１３が接合されたパワーモジュール用基板であって、金属板１２、１３とセラミックス基板１１との接合界面には、Ｃｕ濃度が金属板１２、１３中のＣｕ濃度の２倍以上とされたＣｕ高濃度部３２が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易に、かつ、低コストで、金属板とセラミックス基板とが確実に接合された冷熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板を得ることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の接合面及び金属板の接合面のうち少なくとも一方にＳｉを固着させて、０．００２ｍｇ／ｃｍ^２以上１．２ｍｇ／ｃｍ^２以下のＳｉを含むＳｉ層を形成するＳｉ固着工程Ｓ１と、Ｓｉ層を介してセラミックス基板と金属板と積層する積層工程Ｓ２と、セラミックス基板と金属板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程Ｓ３と、溶融金属領域を凝固させることによってセラミックス基板と金属板とを接合する凝固工程Ｓ４と、を有し、加熱工程Ｓ３において、Ｓｉ層のＳｉを金属板側に拡散させることにより、セラミックス基板と金属板との界面に溶融金属領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でパッケージの絶縁性基板のクラックの発生を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子が実装されたセラミック基板３２と、セラミック基板３２が主平面３１aに接合された金属ベース板３１とを有するパッケージを備える。上記セラミック基板３２の側面側に、金属ベース板３１と接する縁から外方に向かって金属ベース板３１の主平面３１aとの距離が徐々に広くなる傾斜平面３２cが形成され、かつ、その傾斜平面３２cと金属ベース板３１の主平面３１aとのなす角度が鋭角である。 （もっと読む）

【課題】
発振周波数の変動を防ぐ電子デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明の電子デバイスは、第一の凹部と第二の凹部を有する素子搭載部材と、第一の凹部に収容され、圧電素板の両主面に励振用電極を備える圧電振動素子と、第二の凹部に収容され、少なくとも発振回路を備える集積回路素子と、第一の凹部を封止する蓋部材と、素子搭載部材の第二の凹部側に接合され、一方の主面の中央に設けられる放熱用パターンと一方の主面の四隅に設けられる枠部接続端子と他方の主面の四隅に設けられる外部接続端子とを備える放熱基板と、放熱用パターンの表面と集積回路素子の回路形成面の反対側になる面とが導電性接着剤を介して接合され、放熱用パターンと枠部接続端子の一つとが接続され、放熱用パターンと接続された枠部接続端子と外部接続端子の一つとが接続されている。 （もっと読む）

【課題】シリコングリースによる接着剤の硬化阻害を防止することができる基板の接着構造を提供する。
【解決手段】 基板の接着構造１は、発熱部品４が実装されたセラミック基板２を常温硬化型接着剤６によりヒートシンク３に接着するための構造である。セラミック基板２とヒートシンク３の上部に形成された基板収容凹部５の底面との間には、熱伝導性の低い常温硬化型接着剤６が介在された接着剤領域７と、熱伝導性の高いシリコングリース８が介在されたグリース領域９とが形成されている。グリース領域９は、発熱部品４の直下位置に形成されている。接着剤領域７は、グリース領域９を取り囲むようにグリース領域９の外側に形成されている。基板収容凹部５の底面におけるグリース領域９と接着剤領域７との間には、シリコングリース８を溜めるためのグリース溜まり溝１１が形成されている。 （もっと読む）

冷却効果の高い冷却器を備えた半導体モジュールを提供する。
冷却器２０に、冷媒の導入口から延在する冷媒導入流路、及び冷媒の排出口に延在する冷媒排出流路の双方と連通する複数の冷却用流路２１ｃを並列に配置し、各冷却用流路２１ｃにフィン２２を設ける。この冷却器２０の上に、フィン２２に熱的に接続されるように、半導体素子３２，３３を配置し、半導体モジュール１０を構成する。半導体素子３２，３３で発生した熱は、冷却用流路２１ｃ内のフィン２２へと伝わり、冷却用流路２１ｃを流れる冷媒によって除熱される。
（もっと読む）

【課題】メタライズ膜とセラミック枠体の接合強度が高いと共に、セラミック枠体の反りの発生を防止でき、メタライズ膜とＮｉめっき被膜の界面強度が高く、接合体の接合信頼性の高い高放熱型電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】ヒートシンク板１１と、セラミック枠体１２と、外部接続端子１３を有する高放熱型電子部品収納用パッケージ１０において、ヒートシンク板１１と外部接続端子１３に接合するセラミック枠体１２の当接部分に設けられるメタライズ膜１４が第１と第２のメタライズ膜１４ａ、１４ｂの２層構造からなり、セラミック枠体１２に設けられる第１のメタライズ膜１４ａがＷ、Ｍｏ、又はこれらの両方を含む高融点金属にセラミック枠体１２を構成するセラミック粉末を含有してなり、この上面に設けられる第２のメタライズ膜１４ｂがセラミック粉末を含有しない高融点金属からなる。 （もっと読む）

【課題】放熱板の一方側が冷却水により冷却される場合であっても、絶縁基板上に搭載される半導体チップと周囲部材との間の絶縁性を高い確実性をもって確保できると共に、絶縁基板の表面の高さ位置がばらつくことを防止できるヒートシンクを提供する。
【解決手段】半導体チップを搭載する絶縁基板５と、放熱板としての焼結基板２の他方側面２ｂとの間に溶製材からなる被覆板４を介在させて、被覆板４により焼結基板２の他方側面２ｂを覆う。これにより、冷却水が毛管現象等の作用を受けて焼結基板２の他方側面２ｂに向けて移動しても、被覆板４により、冷却水が蒸発等して絶縁基板５の周囲に水分が導かれることを防止する。また、溶製材からなる被覆板４のもともとの高い平滑度を利用し、半導体チップを載置する絶縁基板５の表面と焼結基板２の他方側面２ｂとの間の高さ（厚み）を、正規のものに対してばらつくことを防止する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系めっき鋼板を緩衝材に用いた放熱構造体において、反りの発生を効果的に抑制しながら、熱伝導性を向上させたものを提供する。
【解決手段】半導体発熱部品搭載側から順に「絶縁基板」、「緩衝材」、「伝熱材」をろう付け接合した構造を有し、緩衝材は、アルミニウム系めっき鋼板を素材として板厚を貫通する穴を形成したものであり、絶縁基板のアルミニウム系金属層と重なる領域に占める穴のトータル面積率が１０〜５０％となるように１個または複数個の穴を有し、伝熱材は、緩衝材側から受け取った熱を空気中または他の接合部材に伝えるためのアルミニウム系金属部材であり、「絶縁基板のアルミニウム系金属層」と「伝熱材」とが緩衝材の貫通穴を通してアルミニウム系金属で繋がったろう付け接合構造を有する放熱構造体。 （もっと読む）

【課題】光源となる半導体チップを、金属接合材を用いて強固に接合することができ、かつ、搭載された半導体チップで発生する熱を、金属板を通して効率よく放散させることが可能な、金属基板を提供する。
【解決手段】光源となる半導体チップを搭載するための光源搭載面を有する金属基板１００であって、Ａｕ以外の金属からなる放熱金属板１１１と、該放熱金属板上の一部に積層された絶縁樹脂製の白色フィルム１２０と、該放熱金属板上の他の一部に積層された光源搭載面形成層と、を有し、前記光源搭載面形成層は前記放熱金属板と直接接する金属層であり、前記光源搭載面は前記光源搭載面形成層の最表層をなすＡｕ層１１４の表面である。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層上に配設され、焼成によって、前記回路層表面に自然発生したアルミニウム酸化皮膜と反応して前記回路層と導通する導電接合層を形成することが可能な導電性組成物を提供する。
【解決手段】銀粉末と、ガラス粉末と、樹脂と、溶剤と、を含有し、前記銀粉末及び前記ガラス粉末からなる粉末成分の含有量が、６０質量％以上９０質量％以下とされ、前記粉末成分中における前記銀粉末の重量Ａと前記ガラス粉末の重量Ｇの比Ａ／Ｇが、８０／２０から９９／１の範囲内に設定されており、焼成することにより生成される前記導電接合層が、前記ガラス粉末が軟化して形成されるガラス層と、前記ガラス層上に銀粉末が焼結されたＡｇ層と、を備えており、前記ガラス層内部に導電性粒子が分散されていることを特徴とする。 （もっと読む）