【課題】原材料コストや加工コストを低く抑え、反りが低減され、優れた強度および放熱性を備えた液冷一体型基板の製造方法および液冷一体型基板を提供する。
【解決手段】金属回路板１５および金属ベース板２０とセラミックス基板１０との接合は溶湯接合法によって行われ、金属ベース板２０と放熱器３０との接合はろう接合法によって行われ、このろう接合法において、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金組成のろう材のみからなる単層ブレージングシートを、金属ベース板２０と放熱器３０との間に挟みこみ面接触させた状態で、金属ベース板２０と放熱器３０とを、−１．２５×１０^−３×（放熱器の断面２次モーメント）＋２．０以上の面圧で加圧した後に加熱して、不活性ガス雰囲気下で、ろう付け温度５７０℃以上に保持しつつ、無フラックスでろう付け接合する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と第一の金属板及び第二の金属板との接合信頼性が高く、かつ、セラミックス割れの発生を抑制できるヒートシンク付パワーモジュール用基板、このヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板と、該第二の金属板の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンクとを備え、前記第一の金属板及び前記第二の金属板のうち前記セラミックス基板との界面近傍にはＣｕが固溶されており、前記第二の金属板及び前記ヒートシンクの接合界面近傍にはＡｇが固溶されている。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制することができ、かつ、ヒートシンクとパワーモジュールとの接合信頼性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板、基板製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１と、前記セラミックス基板１１の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板１２と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板１３と、該第二の金属板１３の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンク４０とを備え、前記第一の金属板１２及び前記第二の金属板１３のうち前記セラミックス基板１１との接合界面近傍にはＡｇが固溶されており、前記第二の金属板１３及び前記ヒートシンク４０の接合界面近傍にはＣｕが固溶されている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、両金属層に同じ材質のものを使用しても、接合時に発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３の製造方法であって、両金属層６，７をセラミックス基板２の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に冷却して、金属層６，７に塑性変形を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子群からの受熱による基板の損傷の抑止と基板の製造に用いる材料の節約とを図る。
【解決手段】冷却器８０側から順に第１層５２，６２，７２，第２層５４，６４，７４，第３層５６，６６，７６の三層からなる基板５０，６０，７０の第１層５２，６２，７２の厚みを、対応する半導体素子群４１ａ，４２ａ，４６ａで想定される最大発熱量が小さいほど薄くなるよう形成する。これにより、半導体素子群４１ａ，４２ａ，４６ａからの受熱による基板５０，６０，７０の損傷の抑止と基板５０，６０，７０の製造に用いる材料の節約とを図ることができる。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイス等の冷却に用いるヒートシンクは、従来アルミダイキャスト製やアルミ押出し型材製が多用されている。これらのヒートシンクは、その製造プロセスからヒートスプレッダー部に対してフィンはほぼ垂直に立っている。この製法とこの構造に立脚する限り、性能向上のために、フィンピッチを狭めたり、フィン高さを増やしたりするのが困難である。
【解決手段】１個のヒートスプレッダーと複数のフィンとを水平に配置し、それらの中間にスペーサーを設けて結合した積層構造のヒートシンクとした。こうすることで、容易にフィンピッチを狭めたり、フィン面積を拡大することができ、高性能なヒートシンクが簡単に得られる。また、拡散接合やビス留めといった従来用いられていない製造プロセスを適用できる。あるいは、部分的に熱伝導率や熱膨張率の異なる材料を用いることもできる。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時の接合強度を向上することのできる両面基板、半導体装置、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ヒートシンク２０の上面には、第１のアルミニウム層３２、第２のアルミニウム層３３、セラミック基板３１からなる両面基板３０が接合されている。第１のアルミニウム層３２は、ヒートシンク側および基板側アルミニウム層３２ａ，３２ｂを積層してなる。ヒートシンク側アルミニウム層３２ａは純度９９．９９ｗｔ％以上のアルミニウム（４Ｎ−Ａｌ）であるとともに、基板側アルミニウム層３２ｂは純度９９．５ｗｔ％以上９９．９ｗｔ％未満のアルミニウム（２Ｎ−Ａｌ）である。 （もっと読む）

【課題】電子部品からの発熱を効率的に放熱させることができる安価な電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】上面に光通信用の電子部品を搭載する長方形板状の基体１１と、その上面に対して垂直に立設させ電子部品を収納するためのキャビティ部１２を設ける枠体１３を有する電子部品収納用パッケージ１０において、基体１１がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金金属板の枠体１３を配設させる側となる一方の主面に第１のＣｕ板１５と、他方の主面に第１のＣｕ板１５の厚みより薄い第２のＣｕ板１５ａを貼り合わせるクラッド材からなり、枠体１３がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、又はＦｅ−Ｎｉ系合金からなる長方形筒状の金属製側壁体１６と、その上方の一部を削除した切り欠き部１７に設けるセラミックフィードスルー基板からなるセラミック製側壁体１８の接合体からなる。 （もっと読む）

【課題】電子部品にクラックや割れが発生することを防止して、電子部品から発生する熱の放散が良好な長期信頼性に優れた回路基板および電子装置を提供することにある。
【解決手段】回路基板10は、貫通孔を有する絶縁基板１と、絶縁基板１の下面に貫通孔を塞ぐように取着されている金属板３と、絶縁基板１の上面に取着されている金属回路板４と、少なくとも一部分が貫通孔内に配置されて金属板３に下端部が接合されている金属体５と、少なくとも金属体５の上端部の側面を囲むように内面が金属体５の側面に接合されている、金属体５よりも小さい熱膨張係数を有する枠体６とを備えており、金属体５と枠体６とが接合されてなる複合体の上面に電子部品20が搭載される搭載部を有している。電子部品20から発生する熱を効率よく外部に放散し、電子部品20にクラックや割れが発生することを防止する。 （もっと読む）

【課題】第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２１と、第一の金属板２２と、第二の金属板２３と、を備えたパワーモジュール用基板２０であって、第一の金属板２２は、銅又は銅合金で構成されており、第二の金属板２３は、耐力が３０Ｎ／ｍｍ^２以下のアルミニウムで構成されており、第二の金属板２３とセラミックス基板２１との接合界面には、Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｇａ，Ｌｉのうちのいずれか１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、第二の金属板２３のうち接合界面近傍における前記添加元素の濃度の合計が０．０１質量％以上５質量％以下の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】Ｙ元素を０．１４〜１．５質量％含有し、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】 接合部における不要なはみ出しを少なくできるとともに、活性金属の酸化による接合強度低下の少ないろう材を提供する。また、このろう材を用いることにより、隣り合う回路部材の間隔が狭くなっても短絡のおそれが少なく、高集積化に対応することができ、回路部材および放熱部材と支持基板との接合強度の高い回路基板を提供する。さらに、この回路基板における回路部材上に電子部品を搭載した電子装置を提供する
【解決手段】 主成分として銀および銅を含むとともに、インジウム，亜鉛および錫から選択される少なくとも１種の元素Ａと、チタン，ジルコニウム，ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種の元素Ｂの水素化合物と、モリブデン，オスミウム，レニウムおよびタングステンから選択される少なくとも１種の元素Ｃとを含むろう材である。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱効果を有するとともに、薄型化、製造工程数の削減、及び材料コストの節減が可能な半導体モジュール、該半導体モジュールの不良解析方法、及び該半導体モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】メインボード２０上に搭載された電子部品１１と、メインボード２０上に搭載され、凹状の空間を形成するキャビティ部１２ａを有するとともに、電子部品１１をキャビティ部１２ａ内に収納したキャビティ基板１２と、を備えている。電子部品１１の上表面と、キャビティ部１２ａの底面１２ｂとが、半田や導電性接着剤などの接合用材を介することなく、熱伝達が可能な状態で直接的に接触している。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用基板からヒートシンクへの放熱特性を損なわずに、セラミックス基板の割れ等を防止できるヒートシンク付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に金属層６，７が接合されたパワーモジュール用基板３と、一方の金属層７にＡｇの仮焼結層９を介在させることにより仮止め状態に接合されたヒートシンク５と、パワーモジュール用基板３とヒートシンク５とを積層状態に保持する保持手段（封止材１０）とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板の下面に放熱体を接合させた配線基板において、配線導体と放熱体との短絡を抑制できる配線基板および複数の配線基板を効率良く形成することができる多数個取り配線基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に引き出された第１配線導体２および第２配線導体３と、第１配線導体２に接続されて絶縁基板１の側面に引き出された第３配線導体４と、第２配線導体３に接続されて絶縁基板１の側面に引き出された第４配線導体５と、絶縁基板１の下面に配置された放熱体６とを備えた配線基板において、放熱体６は、第３配線導体４が引き出された引き出し部４ａおよび第４配線導体５が引き出された引き出し部５ａの少なくとも一方の引き出し部の下方で、絶縁基板１の縁１ａから離間している。第３配線導体４または第４配線導体５と放熱体との間の短絡を低減し、第１配線導体２と第２配線導体３との短絡を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ヒートサイクル試験の温度変化条件がより厳しい条件に移行しても、ヒートサイクルの信頼性寿命を維持可能な絶縁基板を用いた電力半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる絶縁基板は、セラミック基材２０２と、セラミック基材２０２の裏面に形成された裏面パターン２０３ａと、裏面パターン２０３ａと、接合部材としてのはんだ５を介して接合されたヒートシンク３とを備え、裏面パターン２０３ａは、はんだ５と接する面において、ディンプル２０４を有する。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金からなる回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュールおよびこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層（セラミックス基板１１）の一方の面に、銅または銅合金からなる回路層１２が配設され、この回路層１２上にはんだ層２を介して半導体素子３が配設されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面には、ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなる導電接合層３０が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層上に配設され、焼成によって前記回路層表面に自然発生したアルミニウム酸化皮膜と反応して前記回路層と導通する導電接合層を形成することが可能な導電性組成物を提供する。
【解決手段】銀粉末と、ＺｎＯを含有する無鉛ガラス粉末と、樹脂と、溶剤と、を含有し、前記銀粉末及び前記無鉛ガラス粉末からなる粉末成分の含有量が、６０質量％以上９０質量％以下とされ、前記粉末成分中における前記銀粉末の重量Ａと前記無鉛ガラス粉末の重量Ｇの比Ａ／Ｇが、８０／２０から９９／１の範囲内に設定されており、焼成することにより生成される前記導電接合層が、前記無鉛ガラス粉末が軟化して形成される無鉛ガラス層と、前記無鉛ガラス層上に銀粉末が焼結されたＡｇ層と、を備えており、前記無鉛ガラス層内部に導電性粒子が分散されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反りの問題を解消し、信頼性の高いパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２０と所定の厚さを有する金属板５０とを交互に積層して接合した後、金属板５０を厚さ方向の途中位置で面方向に沿って切断することにより、セラミックス基板２０の両面にそれぞれ所定厚さの第１金属層３０および第２金属層４０を形成して、パワーモジュール用基板を製造する。また、第１金属層３０の厚さと第２金属層４０の厚さとが異なっていてもよい。 （もっと読む）

【課題】回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易に、かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層１２が配設され、この回路層１２上にはんだ層２を介して半導体素子３が配設されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面には、ＺｎＯ含有の無鉛ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層３０が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）