【課題】絶縁基板とヒートシンクとが応力緩和材を介してろう付された放熱装置において、余剰ろう材による応力吸収空間の塞がりを防止する。
【解決手段】絶縁基板１１の一面側に電子素子搭載用の回路層１２が接合され、他面側に応力緩和材２０を介してヒートシンク１３が接合された放熱装置１であって、前記応力緩和材は、絶縁基板側の面およびヒートシンク側の面の少なくとも一方の面に開口する少なくとも１つの応力吸収空間２１を有し、前記応力吸収空間の開口縁部に、前記絶縁基板、応力緩和材およびヒートシンクが積層する方向に直交する面で切断した断面において応力吸収空間の断面積を拡大する凹部２２が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を高温で動作させても封止樹脂の剥離を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子１と、半導体素子１が実装された回路基板２と、回路基板２が実装された放熱性を有するベース板３と、ベース板３に設置され、かつ回路基板２を囲む空間４を有するケース材５と、ベース板３に設置され、空間４を回路基板２の配置された第１の領域Ｒ１とその他の第２の領域とを有するように区画する仕切り板６と、第１の領域Ｒ１においては半導体素子１を覆うように、仕切り板６で区画された第１および第２の領域の各々を封止する封止樹脂７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと該半導体チップを挟む２つの基板のとの間で接続異常が発生するのを防ぐことができるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係るパワーモジュールは、第１金属配線層を有する第１基板と、第２金属配線層を有する第２基板と、表面側電極が第２金属配線層に半田接続され、かつ裏面側電極が第１金属配線層に半田接続された複数の半導体チップとを備え、第１金属配線層は第１電極パッド３ｃを含み、第２金属配線層は第１電極パッド３ｃに対向する第２電極パッド５ｃを含み、これら２つのパッド３ｃ、５ｃの間には該２つのパッド３ｃ、５ｃを電気的に接続する導電性球１０と、内部に導電性球１０を収容した半田部１５とが備えられている。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高く且つ反りおよびそのばらつきが小さい金属−セラミックス接合基板、およびその金属−セラミックス接合基板を低コストで製造することができる、金属−セラミックス接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１２の一方の面に金属板１４が直接接合するとともに、他方の面に金属ベース板１０が直接接合した金属−セラミックス接合基板において、金属ベース板１０より強度が高い金属からなる強化部材１６が金属ベース板１０の内部を貫通して延びている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と導体パターン層との強固な接合性を得ることができ、組立作業性を向上させることができるパワーモジュール用基板用の導体パターン部材を提供する。
【解決手段】導体パターン部材１０は、導体パターン層６とろう材箔９とを積層状態に仮固定してなり、導体パターン層６の表面にろう材箔９を溶接することにより形成された溶接部１２が、導体パターン層６の外縁の少なくとも対向する二辺に沿って又は前記二辺の端部に位置するように複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷を受けた際にも、回路層の表面にうねりやシワ等の塑性変形が発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、その接合信頼性を向上させる。
【解決手段】回路層７として、電子部品搭載面７ａを構成するアルミニウム純度が質量％で９９．０％以上９９．９５％以下の第１層１１と、アルミニウム純度９９．９９％以上の第２層１２とを含む２以上の層を積層してなるクラッド材を用い、その第２層１２をセラミックス基板３にろう付けにより接合する。 （もっと読む）

【課題】装置全体が大型化することなくセラミック基板の破壊を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この発明の半導体装置１は、剛性を有する板状のベース体２、ベース体２上に配置されるセラミック基板３１とセラミック基板３１の表裏面に張り合わされた銅板３２，３３を有し、ベース体２、セラミック基板および銅板がトランスファーモールド法によりモールド樹脂５で封止されるものである。ベース体２の上面２２の少なくともセラミック基板３１のコーナー部と対応する位置に屋根部２２１を設ける。ベース体２２の側面に、屋根部２２１とベース体２の底面２３とを連結することによって形成される庇状の凸部２５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の作動の信頼性を向上させる半導体素子の冷却構造、を提供する。
【解決手段】半導体素子の冷却構造は、絶縁基板６０と、互いに間隔を隔てて配置される複数の半導体素子５６ｐ，５６ｑと、伝熱板７０と、ヒートシンク８０とを備える。絶縁基板６０は、表面６０ａと、表面６０ａの裏側に配置される裏面６０ｂとを有する。複数の半導体素子５６ｐ，５６ｑは、表面６０ａ上に搭載される。伝熱板７０は、裏面６０ｂ上に設けられる。ヒートシンク８０は、伝熱板７０に対して絶縁基板６０の反対側に設けられ、伝熱板７０を介して伝えられた半導体素子５６ｐ，５６ｑの熱を放熱する。絶縁基板６０には、互いに隣り合って配置された半導体素子５６ｐ，５６ｑ間で延びる溝６３が形成される。伝熱板７０は、裏面６０ｂと対向しながら複数の半導体素子５６間で連続するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を有し、かつ小型化・薄型化可能な電子デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０の上面にフリップチップ実装されたパワーアンプ２０と、絶縁性基板１０上に設けられ、パワーアンプ２０を封止し、パワーアンプ２０より高い熱伝導率を有する封止部材２２と、絶縁性基板１０を貫通し、封止部材２２と接触し、絶縁性基板１０より高い熱伝導率を有するビア配線１６ｃと、を具備する電子デバイスである。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールの使用時に絶縁回路基板の絶縁層に割れが発生することを防止しうる絶縁回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板４は、絶縁板５の一面に導電層６がろう付されたものであり、導電層６における絶縁板５にろう付された面とは反対側の面が電子素子搭載面８となっている。導電層６の輪郭を形成しかつ導電層６の厚み方向に幅を持つ輪郭面９に、ろう材を、絶縁板５に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部11を形成する。導電層６の輪郭面９に、絶縁板５側の端部から電子素子搭載面８に向かって所定の幅を有し、かつろう材貯留部11内のろう材と絶縁板５との接触を抑制する接触抑制部12を設ける。ろう材貯留部11は、輪郭面９における接触抑制部12よりも電子素子搭載面８側の部分に形成し、かつ接触抑制部12に対して凹んだ凹部13からなる。 （もっと読む）

【課題】大電力での半導体チップの動作に対応するために厚い金属回路板や金属放熱板を用いた場合にも、冷熱サイクルに対しても絶縁性セラミックス基板の割れを生じにくく、高い耐久性をもった回路基板および半導体モジュールを得る。
【解決手段】絶縁性セラミックス基板と、該絶縁性セラミックス基板の一面に接合された金属回路板と、前記絶縁性セラミックス基板の他面に接合された金属放熱板と、からなる回路基板において、前記絶縁性セラミックス基板の厚さをｔ_ｃ（ｍｍ）、前記金属回路板の厚さを ｔ_１（ｍｍ）、前記金属放熱板の厚さをｔ_２（ｍｍ）とし、前記絶縁性セラミックス基板の内部の破壊靱性値をＫ（ＭＰａ・ｍ^１／２）としたとき、（ｔ_１^２−ｔ_２^２）／ｔ_ｃ^２／Ｋ＜１．５である。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル寿命の低下を抑制しうる絶縁回路基板、ならびにパワーモジュール用ベースおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板４は、セラミック製絶縁板５と、絶縁板５の一面にＳｉを含むろう材によりろう付された純アルミニウム製回路板６とを備えている。絶縁板５と回路板６との間にＳｉ粒子を含む残存ろう材層12が存在している。残存ろう材層12の厚さは３μｍ以下であり、残存ろう材層12に含まれるＳｉ粒子の面積率は２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクル時の絶縁板のクラックの発生や、絶縁板と第２金属板との接合界面での剥離の発生を抑制しうる絶縁回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板４は、絶縁板５と、絶縁板５の片面にろう付されかつ絶縁板５とは反対側の面が、発熱体となるパワーデバイス３を搭載する電子素子搭載部11を有する配線面９となされている回路板６と、絶縁板５の他面にろう付された応力緩和板７とよりなる。回路板６の電子素子搭載部11に取り付けられるパワーデバイス３から発せられる熱は、回路板６および絶縁板５を経て応力緩和板７に伝わる。応力緩和板７の輪郭を形成しかつ応力緩和板(7)の厚み方向に幅を持つ輪郭面10に、応力緩和板７の輪郭面10の沿ってのびかつ絶縁板５の熱応力を低減する熱応力緩和用凹部となる凹溝12を設ける。 （もっと読む）

【課題】電子部品をはんだ付けする際の接合信頼性を低下させたり、外観品質を低下させたりすることのないパワーモジュール用基板の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】第１ろう材を介在させてセラミックス基板２と金属層６，７とを積層してなる積層体３０を複数積み重ねた状態で厚さ方向に加圧する加圧装置１１０と、グラファイト層４１の両面にカーボン層４２が第２ろう材によりろう付けされてなり、積み重ねられた複数の積層体３０間に配置されるクッションシート４０とを備え、セラミックス基板２と金属層６，７とをろう付けしてパワーモジュール用基板３を製造する装置であって、第２ろう材は、金属層６，７を形成する材質よりも酸素との親和性が高く、接合時の真空度における蒸発温度が第１ろう材の固相線温度よりも低い金属材料を含んで形成されている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面のうち少なくともアルミニウム層１２が形成される領域に、Ｃｕを固着し、Ｃｕを含有する固着層２４を形成する固着工程と、固着層２４が形成されたセラミックス基板１１を鋳型５０内に配置し、この鋳型５０内に溶融アルミニウムＭを充填し、セラミックス基板１１と溶融アルミニウムＭとを接触させる溶融アルミニウム充填工程と、セラミックス基板１１と接触した状態で溶融アルミニウムＭを凝固させる凝固工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】最外側回路層に放熱性を有するコーティング剤を塗布することにより、印刷回路基板の最外側回路層の短絡及び腐食などを防止すると同時に、発熱素子から発生した熱の放出経路を追加的に供給して、放熱性能がさらに改善された印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明による印刷回路基板１００は、ベース基板１１１と、ベース基板１１１の一面に形成され、開口部１７０を含む回路層１３０と、開口部１７０に塗布され、ベース基板１１１から発生する熱を外部に放出する放熱コーティング剤１６０と、ベース基板１１１の他面に形成された放熱板１５０と、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面のうち少なくともアルミニウム層１２が形成される領域に、Ａｇを固着し、Ａｇを含有する固着層２４を形成する固着工程と、固着層２４が形成されたセラミックス基板１１を鋳型５０内に配置し、この鋳型５０内に溶融アルミニウムＭを充填し、セラミックス基板１１と溶融アルミニウムＭとを接触させる溶融アルミニウム充填工程と、セラミックス基板１１と接触した状態で溶融アルミニウムＭを凝固させる凝固工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材を確実に接合することが可能な液相拡散接合用Ａｇペースト、および、この液相拡散接合用Ａｇペーストを用いたパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材を液相拡散接合する際に使用される液相拡散接合用Ａｇペーストであって、ＡｇおよびＣｕを含む金属粉末成分と、樹脂と、溶剤と、を含み、前記金属粉末成分におけるＡｇおよびＣｕの質量比Ｃｕ／Ａｇが、１／９≦Ｃｕ／Ａｇ≦４／６の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、動作時の発熱によって、接合強度が低下したり、或いは、電気的特性が変動するといった問題を生じにくい信頼性の高い電子部品支持装置及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基板１は、貫通電極２１と、複数の柱状ヒートシンク３とを含み、一面に電子部品配置領域となる凹部１１を有している。貫通電極２１は、基板１を厚み方向に貫通し、一端が凹部１１の内面に露出している。柱状ヒートシンク３は、基板１の厚み方向に設けられ、凹部１１の周りを取り囲むように、互いに微小間隔をおいて配置され、それぞれの一端が、基板１の他面に付着された放熱層５１に共通に接続されている。電子部品６は、基板１の凹部１１の内部に配置され、一面に設けた電極６０１が貫通電極２１の一端に接続されている。 （もっと読む）

【課題】原材料コストや加工コストを低く抑え、反りが低減され、優れた強度および放熱性を備えた液冷一体型基板の製造方法および液冷一体型基板を提供する。
【解決手段】金属回路板１５および金属ベース板２０とセラミックス基板１０との接合は溶湯接合法によって行われ、金属ベース板２０と放熱器３０との接合はろう接合法によって行われ、このろう接合法において、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金組成のろう材のみからなる単層ブレージングシートを、金属ベース板２０と放熱器３０との間に挟みこみ面接触させた状態で、金属ベース板２０と放熱器３０とを、−１．２５×１０^−３×（放熱器の断面２次モーメント）＋２．０以上の面圧で加圧した後に加熱して、不活性ガス雰囲気下で、ろう付け温度５７０℃以上に保持しつつ、無フラックスでろう付け接合する。 （もっと読む）