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Fターム[5F136EA42]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 放熱部材、発熱体の取付 (3,558) | プリント基板への放熱部材の取付 (516) | 表面実装型用放熱部材の取付 (318)

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【課題】小型で基板上の小さい面積部分でも実装が可能で、放熱効果および電気絶縁性も備えて、従来の金属製ヒートシンクの課題を解消したヒートシンクを提供する。
【解決手段】発熱性の電子部品110が載置される回路基板100に実装されて放熱を促進するヒートシンク1であって、放熱性および電気絶縁性を備えた樹脂材により形成したブロック状の本体部10と、板状の高熱伝導性材で形成した複数の脚部20とを含み、前記脚部それぞれの一端は互いに間隔をもって前記本体部10に埋設され、前記脚部20それぞれの他端は前記回路基板100に接触させるべく形成してある。 (もっと読む)


【課題】アルミニウムの押し出し形材を用いずに、熱伝導性に優れた金属板をプレス成形し、自然対流を促進して放熱性を向上させると共に、軽量で、部品点数を削減して工程を簡素化し、安価なヒートシンクを提供するものである。
【解決手段】熱伝導性に優れた金属板をプレス成形して縦断面をC字形状に折曲して本体部10を形成すると共に、この本体部10の天板6と底板8に、それぞれ複数個の通気孔13を開孔すると共に、天板6の長手方向に沿った両側を下方に折曲して電子機器の基盤に接合する取付け脚12を一体に成形したものである。 (もっと読む)


【課題】金属製材料によって形成され、その表面を過度に粗面化することなく樹脂との接着性を向上させ、かつ接着性の向上に伴う熱性能の低下を抑制した放熱装置を提供する。
【解決手段】通電されて発熱する電子部品6に熱伝達可能に接触してその熱を放熱あるいは拡散させるとともに、電子部品6が配設される基板5上に接着剤4を介して接合される接合面3を備えた放熱装置1において、接合面3は、凹凸が形成された下層と、その下層の上に直径が0.5〜1.0μmのニッケルの結晶粒子が形成された上層とを備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】良好な放熱効果を有するとともに、薄型化、製造工程数の削減、及び材料コストの節減が可能な半導体モジュール、該半導体モジュールの不良解析方法、及び該半導体モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】メインボード20上に搭載された電子部品11と、メインボード20上に搭載され、凹状の空間を形成するキャビティ部12aを有するとともに、電子部品11をキャビティ部12a内に収納したキャビティ基板12と、を備えている。電子部品11の上表面と、キャビティ部12aの底面12bとが、半田や導電性接着剤などの接合用材を介することなく、熱伝達が可能な状態で直接的に接触している。 (もっと読む)


【課題】 簡単な構成で電子部品を搭載する基板に冷却機構を取り付けるとともに、近傍に位置する配線等の電気的要素への磁界の影響を防止した電子機器を提供する。
【解決手段】 電子機器は、基板上に実装された電子部品と、前記電子部品を冷却する冷却手段と、前記冷却手段を前記基板に固定する固定手段と、を備え、前記固定手段は、前記基板と前記冷却手段のうちの一方に設けられる第1の磁石と、前記基板と前記冷却手段のうちの他方に設けられて前記第1の磁石と磁気的に結合する第2の磁性部材と、前記第1の磁石と前記第2の磁性体との結合面を除き、前記第1の磁石の全部又は一部を覆う磁気シールドとを含む。 (もっと読む)


【課題】放熱性が改善されたLEDパッケージを提供する。
【解決手段】発光ダイ・パッケージ10は、基板20、反射板40、およびレンズ50を含む。前記基板は、熱伝導性ではあるが電気的には絶縁性の材料から作られ、取り付けパッドにおいて外部電源を発光ダイオードに接続するための複数のトレースを有する。前記反射板は、基板に結合され、取り付けパッドを略囲む。前記レンズは、反射板に対して自由に動け、それを濡らし接着するカプセル材によって上げたり下げたりでき、LEDチップから最適距離に置かれる。レンズは、装置の性能に影響する化学物質の任意の光学的システムで被覆することができる。動作中にLEDから生成される熱は、LEDから基板(底部ヒート・シンクとして働く)および反射板(上部ヒート・シンクとして働く)の両者によってうばわれる。反射板は、LEDから光を所望の方向に向けるための1つの反射面42を含む。 (もっと読む)


【課題】 半導体素子で発生した熱を迅速に奪い、半導体素子の発熱量が大きい場合においても高い放熱性を確保できる半導体実装構造体を提供する。
【解決手段】 半導体実装構造体(100‘)は、基板(104)と、側面に凹凸部(120)が設けられたシリコン基板(103)と、シリコン基板(103)の上に実装された半導体チップ(101)と、半導体チップ(101)と覆おうと共にシリコン基板の上面を封止する絶縁層(105)とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体装置使用時の発熱による基板の上下面の温度変化を抑制することによって、少なくとも基板の反りを低減でき、もって、基板と半導体パッケージとを接合する半田層の疲労破壊を効果的に抑制することのできる、半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子1、放熱性パッド3、および、これらを封止する封止樹脂体7とからなる半導体パッケージ10が、基板8と半田層93で接合されてなる半導体装置100において、基板8のうち、少なくとも放熱性パッド3に対応する位置には、半導体パッケージ10と対向する一方面8aから他方面8bに延びる貫通孔81が開設されており、貫通孔81は、基板8に比して相対的に熱伝導率の高い熱伝導材で閉塞されている。 (もっと読む)


【課題】ヒートシンクとは別の装置を用いることなく、発熱体を所望の温度に保つことができる、ヒートシンクを提供する。
【解決手段】本発明のヒートシンクは、断熱材2で覆われた密閉容器3と、発熱体1と接触する伝熱部10と伝熱部10の発熱体1と接触する面の反対側の面から延びるように設けられた伝熱フィン5とからなる伝熱部材12と、熱を放熱する放熱フィン7と、密閉容器3内に封入されている蓄熱体4とを有する。伝熱部材12の伝熱部10は、密閉容器3の1つの面を貫通するようにその面に組み込まれており、伝熱部10の発熱体1と接触する面は外部に突出し、伝熱フィン5は密閉容器3内部に位置し、放熱フィン7は、密閉容器3の伝熱部10が位置している面と対向する面を貫通し、一方の端部が密閉容器3内部に位置し、他方の端部が密閉容器3の外部に位置している。また、放熱フィン7と伝熱フィン5は互いに接触しないように配置されている。 (もっと読む)


【課題】放熱部材の放熱面の周囲に樹脂モールド等の被覆部が形成された半導体モジュールを基板に実装する際に,半導体デバイスや被覆部等に熱損傷を発生させることなく,簡易かつ高速な実装を可能とすること。
【解決手段】半導体モジュール2におけるヒートシンク22の放熱面22fと,基板1の第一の面1aの放熱用パターン12の表面との各々にハンダの層5,3を形成させ,前記基板1,前記伝熱用パターン12及び前記接着層3を貫通する穴13を形成させ,前記穴13が形成された前記接着層3の表面における前記放熱面22fの垂直投影面の範囲内に,励起によって自己伝播発熱反応が生じる反応性多層膜4を形成させ,前記基板1の第二の面1bの側から前記穴13を通じて前記反応性多層膜4を励起して接着層3,5の溶着を生じさせる。 (もっと読む)


【課題】小型で信頼性が高く、容易に製造できる電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】電力用半導体装置100は、第1のリード21に形成された第1のダイパッド部21a上に載置され、表面上にゲート電極が形成された電力用半導体素子50と、第2のリード22に形成された第2のダイパッド部22a上に載置され、表面上に複数のワイヤパッドが形成された第1の制御用半導体素子30と、この第1の制御用半導体素子30の表面積内に絶縁性材料74を介して載置され、表面に複数のワイヤパッドが形成された第2の制御用半導体素子40とを備え、電力用半導体素子50と第2の制御用半導体素子40とを金属線94で電気的に直接接続したものである。 (もっと読む)


【課題】ヒートシンク体に固定用端子を固定したヒートシンクにおいて、固定用端子の固定と、ヒートシンク体と固定用端子との導通を簡易で確実な方法を提供する。
【解決手段】放熱を行うためのヒートシンク体に固定用端子挿入用の取付溝を設け、固定用端子を取付溝に挿入する。固定用端子には切り欠き部21aが設けられており、切り欠き部21aと対向する取付溝の部分を冶具30を用いてかしめる。取付溝をかしめる冶具30の押下部は、先端が略平らなテーパー形状とされ、押下部の先端の直径は切り欠き部21aの切り欠き幅より狭く、押下部の根元部の直径が切り欠き部21aの切り欠き幅より広くなるようにする。また、かしめの深さは、取付溝の厚みよりも大きくなることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージおよび放熱器の放熱効率を高めることができる手段を提供する。
【解決手段】半導体チップ110を有する半導体パッケージ100において、ヒートスプレッダ200に対向する接触面112を半導体パッケージ100の外縁から中央部に向かって、ヒートスプレッダ200側に緩やかに湾曲する凸状に形成されており、表面には熱伝導性の高いグリス120が塗布されている。半導体チップとヒートスプレッダに対して、相互に押しつけ合う力Gが加えられると、両者はグリスを介して接触する。 (もっと読む)


【課題】放熱構造を備えた素子のリフロー方式による実装において、放熱構造の先端部に形成されるフィレットを大きく形成し、これによって目視検査及びカメラ画像検査における視認性を向上させることができる、放熱構造付き素子の実装方法、及び、放熱構造付き素子の実装装置を提供する。
【解決手段】放熱構造付き素子の実装装置は、ヒートシンク端子22の先端部がはんだSの縁部に接触した状態の素子21を、前記はんだSの側にスライドさせ、前記はんだSをかき集めることで、前記ヒートシンク端子22の先端部側のはんだ量を局所的に増やした状態とする実装機と、前記実装機により前記素子21を前記はんだS側へスライドした状態で、前記はんだSを溶融して前記基板11と素子21とのはんだ付けを行うはんだ付け装置であるリフロー炉と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ヒートシンクの配置に伴う不要輻射の増大を抑制することが可能な集積装置および電子機器を提供する。
【解決手段】デジタルデバイス21の放熱のためのヒートシンク30の接続リード部311,312とデジタル基板20のグランド部GND214A,GND214Bとの間に抵抗R21、R22が直列に接続されている。 (もっと読む)


【課題】機構的にも電気的にもその機能を満たすためにケース表面および内面に配線パターンを形成することにより、基板の上面に自動実装可能な表面実装用超小形ファンモータを提供する。
【解決手段】電子部品を半田付けするための配線パターン模様がファンモータ収容部3a内に形成される。ステイ6c,6bに形成された配線パターン9は、配線パターン模様に接続されるとともにファンモータ収容部3aの内壁3bに形成された配線パターンに接続される。さらにケース底面3cに形成された配線パターン9c,9dに接続され、ケース側面3dの配線パターン端子9e,9fに接続される。表面実装用基板のパターンにファンモータの配線パターン端子9e,9fを半田付けすることによりファンモータを電気的に表面実装用基板に接続するとともに固定できる。 (もっと読む)


【課題】放熱効果が向上し、放熱部材が電子装置に長期間安定的に固定維持されうる放熱部材を具備したCOF型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明のCOF型半導体パッケージは、柔軟性を有する絶縁基板と、絶縁基板の上面に配された半導体素子と、絶縁基板の下面に配された放熱部材と、絶縁基板の下面と放熱部材との間を接着させる接着部材と、を備え、絶縁基板の下面と放熱部材との間には、外部圧力を吸収できる圧力吸収領域が形成されている。 (もっと読む)


【課題】散熱片を有する半導体パッケージ構造を提供する。
【解決手段】本発明の散熱片を有する半導体パッケージ構造は、チップキャリア領域を有し、複数の穿孔がチップキャリア領域周辺に環繞設置される基板と、チップキャリア領域に設置され、基板と電気的に接続するチップと、チップ上方に設置され、穿孔により、上表面から基板の下表面に延伸する複数の支承部を有する散熱片と、チップと一部の基板、及び、散熱片を被覆するパッケージゲルと、からなる。散熱片の支承部により散熱効果を増加させ、パッケージの反りを減少させることができる。 (もっと読む)


【課題】電子基板に搭載された発熱部品の伝熱特性を改善した取付構造を得る。
【解決手段】ベース部材1とカバー部材2とによって挟持されて保持された電子基板5は、発熱部品4の搭載面側に発熱部品4の放熱電極9が半田付けされる半田接続面を有する第1の伝熱パターン13が形成され、反搭載面側に複数の伝熱用貫通孔によって第1の伝熱パターン13と伝熱接続された第2の伝熱パターン14が形成されている。ベース部材1には、電子基板4の反搭載面と接触する離隔用突起部6aを有する伝熱台座部6を備え、離隔用突起部6aによって伝熱台座部6と第2の伝熱パターン14との間に形成された間隙7に熱伝導性接着材8が充填されている。発熱部品5から発生した熱は、放電電極9から両伝熱パターン13,14と伝熱台座部6を経由しベース部材1に伝熱されて放熱される。 (もっと読む)


【課題】繰り返し冷熱サイクルを経てもなお回路側金属板と半導体素子とを接合する第一のはんだ層と放熱側金属板と放熱ベース板とを接合する第二のはんだ層に高い接合信頼性を有する半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】セラミックス基板4の一方の面に回路側金属板3を接合し他方の面に放熱側金属板5を接合し、前記回路側金属板3に第一のはんだ層2を介して半導体素子1を接合し前記放熱側金属板5に第二のはんだ層6を介して放熱ベース板7を接合してなる半導体モジュール9において、その回路側金属板厚さt1とセラミックス基板厚さt3の比t3/t1が0.6以上、放熱側金属板厚さt2とセラミックス基板厚さt3の比t3/t2が2以下、回路基板の対角線長さLと放熱側金属板厚さt2の比が390以下である半導体モジュール。 (もっと読む)


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