【課題】信頼性の高い半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１は、基板２１と、基板２１の一方の面側に設けられた第１導体パターン２２１と、基板２１の他方の面側に設けられ、第１導体パターン２２１と電気的に接続された第２導体パターン２２４とを備える配線基板２と、基板２１の一方の面に接合され、第１導体パターン２２１に電気的に接続される半導体素子３と、配線基板２に接合され、配線基板２よりも熱膨張係数の小さい金属製の補強部材４、５と、補強部材４の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６１と、補強部材５の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属・ダイヤモンド複合体にその本来の熱伝導率に近い熱伝導率を発揮させることを可能にするヒートシンクを提供する。
【解決手段】このヒートシンク１１は、デバイスを搭載するための搭載面１１ａを有しており該ベース１３の主面１３ａに設けられた金属領域１５を備える。この主面１３ａには、ダイヤモンド粒子１７による突起２３ａ〜２３ｃと突起２３ａ〜２３ｃの間に位置する窪み２５ａ〜２５ｄとを含むけれども、半田材と異なり該半田材より高い融点の金属からなる金属領域１５は窪み２５ａ〜２５ｄを埋めて、搭載面１１ａは突起２３ａ〜２３ｃ及び窪み２５ａ〜２５ｄによって構成されるラフネスより小さいラフネスに再構成される。これ故に、デバイスの実装面とヒートシンク１１の表面１１ａとの実効的な接触面積を、デバイスの実装面の面積に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱性に優れ、剥離や短絡のない放熱基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、支持基材と、上記支持基材上に直に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に直に形成された配線層と、を有する放熱基板であって、上記絶縁層が、非熱可塑性ポリイミド樹脂からなり、厚さが１μｍ〜２０μｍの範囲内であることを特徴とする放熱基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性が高く、且つ応力緩和能が高い熱伝導部材を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体素子２０と放熱板３０との間に介在し、半導体素子２０と放熱板３０とを熱的に接続するとともに、半導体素子２０と放熱板３０とを接合する熱伝導部材４０を有する。この熱伝導部材４０は、金属箔５０と、半導体素子２０と放熱板３０との積層方向に延在し、金属箔５０上に平面方向に並んで設けられた第１及び第２柱状導体５１，５２とを有する金属層４１と、金属層４１を被覆する樹脂層４２とを有している。 （もっと読む）

【課題】伝導ノイズ及び伝導ノイズをより低減しつつ、破損を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１６では、正極端子５０及び出力端子５４の少なくとも一方と第１スイッチング素子３４との間には導電性の第１熱緩衝材６４ａが配置されると共に、負極端子５２及び出力端子５４の少なくとも一方と第２スイッチング素子４０との間には導電性の第２熱緩衝材６４ｂが配置される。第１熱緩衝材６４ａの線膨張係数は、第１スイッチング素子３４の線膨張係数よりも大きく且つ正極端子５０又は出力端子５４の線膨張係数よりも小さく、第２熱緩衝材６４ｂの線膨張係数は、第２スイッチング素子４０の線膨張係数よりも大きく且つ負極端子５２又は出力端子５４の線膨張係数よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を実現し得る半導体装置、及び、半導体素子が搭載される配線基板を提供する。
【解決手段】半導体装置は１０、絶縁性基板１２１と、縁性基板１２１の第１の主面１２１ａ上に形成される配線層１２２と、配線層１２２上に搭載される半導体素子１４と、を備える。この半導体装置１０において、配線層１２２は、銅と、銅より熱膨張係数が小さい金属とを含む第１の銅含有材料から構成されており、第１の銅含有材料の熱膨張係数は、銅の熱膨張係数より小さい。また、絶縁性基板１２１の第１の主面１２１ａと反対側の第２の主面１２１ｂ上に形成される放熱層１２３と、放熱層１２３を介して絶縁性基板１２１と接合されるヒートシンク１６とを備える。この放熱層１２３は、銅を含む第２の銅含有材料から構成される。 （もっと読む）

【課題】金属焼結体中に微細炭素繊維が粉砕されずに繊維の形状を維持したまま均一に分散した、発熱体の熱を効果的に放散することができる熱拡散材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属焼結体のマトリックス中に微細炭素繊維が均一に分散されてなる熱拡散材料、ならびに、（Ａ）微細炭素繊維の分散液を作製する工程、（Ｂ）前記金属焼結体を構成する金属材料からなる金属粒子の表面に有機系の官能基を導入する工程、（Ｃ）前記分散液に前記官能基が導入された金属粒子を添加し、前記金属粒子の表面に前記官能基を介して前記微細炭素繊維が吸着した複合粒子を作製する工程、および（Ｄ）前記複合粒子を焼結する工程を有する上記熱拡散材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の放熱性能を向上させる。
【解決手段】半導体素子１と、半導体素子１が表面に実装される金属板２と、半導体素子１が実装された領域の金属板２の裏面２ｂに設けられる金属膜１０と、金属板２の裏面側に設けられ、半導体素子１を冷却する冷却器４と、金属板２と冷却器４との間に設けられ、金属板２の裏面２ｂ及び金属膜１０に密着する充填材６と、を備え、金属膜１０は、金属板２よりも線膨張係数が低く、かつ、充填材６よりも熱伝導率が高い、ことを特徴とする半導体装置１００である。 （もっと読む）

【課題】素子において発生する熱による熱膨張及び熱収縮を抑えることのできるメタルベース及びその製造方法、並びにこれを用いた素子パッケージを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの素子１０が実装されるメタルベース１１０であって、素子１０が実装される実装部が一方の面に形成される第１のベース部材１１１と、第１のベース部材１１１よりも小さい熱膨張係数を有し、第１のベース部材１１１の他方の面に貼着されて第１のベース部材１１１の熱収縮及び熱膨張を拘束する第２のベース部材１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】熱変化に曝されたときに、半導体素子で発生する熱の伝熱経路に存在する部材間に印加される応力を緩和可能な半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】半導体モジュール１は、半導体素子３４とリード電極板３８と回転部材３６とを備えている。回転部材３６は、半導体素子３４とリード電極板３８の間に設けられており、半導体素子３４とリード電極板３８の間で回転可能に構成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板を用いたＢＧＡ実装構造を有する気密半導体パッケージであって、半導体素子の放熱特性を向上させた半導体パッケージを得ること。
【解決手段】実施の形態の半導体パッケージ１００は、半導体素子５を直接上に搭載するヒートスプレッダ４と、前記ヒートスプレッダ４の周囲側面と接触して前記半導体素子５の気密性を保持する多層セラミック基板１と、前記ヒートスプレッダ４を下から支え、前記多層セラミック基板１の周囲側面と接触し前記多層セラミック基板１とほぼ同等の線膨張係数を持つ金属ブロック１５と、前記多層セラミック基板１および前記金属ブロック１５の下面に接合された複数のはんだボール９とを備える。 （もっと読む）

【課題】 異種材料で構成された基板とヒートシンクの間の接合部の信頼性が向上された半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明による半導体装置１は、半導体素子が配置される基板２０，２２と、基板における半導体素子の配置側とは逆側に接合され、基板よりも熱膨張係数が大きいヒートシンク４０と、ヒートシンクに設けられ、ヒートシンクよりも熱膨張係数が小さく、ヒートシンクと基板の間の接合面に平行な方向のヒートシンクの熱膨張を抑制する熱変形抑制部材７０（７１０，７２０，７３０，７４０）と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導性と低線膨張性を両立した層間充填材組成物により充填された三次元集積回路積層体を提供する。
【解決手段】半導体デバイス層１１，２１，３１が形成された半導体基板１０，２０，３０を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体１を有し、半導体基板１０，２０，３０間に、樹脂（Ａ）及び無機フィラー（Ｂ）を含有し、線膨張率が５ｐｐｍ以上７０ｐｐｍ以下の第１の層間充填材層４０、５０を有する三次元集積回路積層体。 （もっと読む）

【課題】設置対象に効率よく放熱できる複合部材、この複合部材を用いた放熱部材、この放熱部材を具える半導体装置を提供する。
【解決手段】複合部材1aは、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとが複合された複合材料からなる基板2と、基板2の表面に形成された金属被覆層3,4とを具え、一面に半導体素子などが実装され、他面が冷却装置などの設置対象に固定されて、半導体素子の放熱部材として利用される。複合部材1aは、冷却側面及び素子側面の少なくとも一面が反った形状である。冷却側面の反りを押し潰すように複合部材1aを設置対象に固定する。この押圧力により、複合部材1aを設置対象に密着できる。従って、複合部材1aは、半導体素子などの熱を設置対象に効率よく放出でき、半導体装置の放熱部材に好適に利用できる。 （もっと読む）

【課題】
耐クラック性及び耐剥離性に優れたアルミニウム合金−セラミックス複合体を効率的に生産することができるアルミニウム合金−セラミックス複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明によれば、平板状のセラミックス多孔体にアルミニウム合金を含浸することにより、両主面にアルミニウム合金層を有する平板状のアルミニウム合金−セラミックス複合体母板を形成する工程と、前記複合体母板の少なくとも一主面に直線状欠陥又は断続的欠陥を導入し、その後、割断することにより、側面において前記セラミックス多孔体及び前記アルミニウム合金層が露出したアルミニウム合金−セラミックス複合体を形成する工程を備え、前記セラミックス多孔体は、炭化珪素と黒鉛の少なくとも一方を含有し、セラミックス充填量が５０質量％以上であり、且つ厚さが０．３５ｍｍ〜３．８ｍｍであり、前記アルミニウム合金は、アルミニウムの含有量が７０質量％以上であり、前記複合体母板は、厚さが０．５ｍｍ〜４．０ｍｍであり、前記アルミニウム合金層は、厚さが０．０１ｍｍ〜０．３ｍｍである、アルミニウム合金−セラミックス複合体の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】この発明は熱伝導性が安定して確保されかつボイドが抑制されて良好な電気絶縁性が確保された熱伝導性絶縁樹脂層を有する電力用半導体装置を提供するものである。
【解決手段】半導体素子と金属配線部材とがはんだ接合され、金属配線部材の少なくとも1面が表面に露出するようモールド樹脂で覆われて構成されたパワーモジュールと、金属
配線部材の露出面側のパワーモジュール面と相対して配置されたヒートシンクと、パワーモジュールとヒートシンクとの間に設けられた熱伝導性絶縁樹脂シートと、パワーモジュールおよびヒートシンクの少なくとも一方側に設けられ、熱伝導性絶縁樹脂シートの厚みを規定するシート厚み規定部材と、熱伝導性絶縁樹脂シートの周縁部近傍に設けられた絶縁性を有するシート体積増減吸収部とを設けたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと放熱部材間の熱接続の信頼性を高める手段を提供する。
【解決手段】ドライバアセンブリは、リード配線１２が設けられたシート状の配線シート１０と、配線シート１０上に実装され、リード配線１２に対して電気接続されるドライバチップ２０と、ドライバチップ２０を部分的に収容する収容部３６が設けられ、かつドライバチップ２０に対して熱接続された放熱板３０と、を備え、配線シート１０と放熱板３０とは、収容部３６に収容されたドライバチップ２０を挟持するように互いに固着され、収容部３６の深さは、ドライバチップ２０から離間する方向へ配線シート１０が延在するに応じて、放熱板３０側へ配線シート１０が近接するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と金属部材のはんだ接合部に生じる熱応力を低減することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、はんだ１７を介して接続された半導体素子１１，１２と少なくとも金属を含む金属部材１６を有する。半導体素子１１の一面には、はんだ１７を取り囲むように所定厚さを有するはんだ形状制御部材２１が設けられている。そして、はんだ形状制御部材２１の内周面と、半導体素子１１，１２の一面とのはんだ１７側でなす角度が９０度未満となっている。 （もっと読む）

【課題】
高熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面のめっき性及び表面粗さを改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子とアルミニウムを主成分とする金属とを含む平板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合体であって、ダイヤモンド粒子の含有量が、４０〜７０体積％であり、両側表面に厚さ０．０１〜０．３ｍｍのアルミニウムを主成分とする表面層３ａ、３ｂを有し、複合体の少なくとも１方の表面に直線状または断続的な欠陥を導入後、表面に、厚さ０．５〜１５μｍのＮｉめっき層又はＮｉ＋Ａｕの二層のめっき層を設け、更に欠陥に沿って割断して、側面の一部が複合化部２が露出する構造であるアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】高性能の半導体デバイスを、製造効率が高く製造コストを低く製造するための放熱基板の製造方法およびその製造方法に好適に用いられる複合体を提供する。
【解決手段】本放熱基板の製造方法は、半導体ウエハ１０を準備する工程と、半導体ウエハ１０の少なくとも一方の主表面側に、コア体２０ｐｃの表面に金属膜２０ｐｆが形成された複合体２０ｐを吹き付けることにより、半導体ウエハ１０の主表面側に複合体２０ｐで構成される放熱基板２０を形成する工程とを含み、コア体２０ｐｃは金属膜２０ｐｆに比べて融点が高くかつ熱膨張率が低い。本複合体２０ｐは、コア体２０ｐｃと、コア体２０ｐｃの表面に形成された金属膜２０ｐｆと、を含み、コア体２０ｐｃは金属膜２０ｐｆに比べて融点が高くかつ熱膨張率が低い。 （もっと読む）