【課題】空乏化を生じず、また、製造工程における酸化、薬液による腐食、含有する金属による熱処理装置の汚染を抑えることのできるゲート電極を有し、且つトランジスタのオン電流の低下を抑えることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属含有層、並びに前記金属含有層の上面および側面を覆う不純物イオンを含んだ多結晶シリコン層からなるゲート電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】円柱型構造のトランジスタの特性を向上させる。
【解決手段】導電層の形成された基板において前記導電層上に形成された柱状半導体と、前記柱状半導体の周囲に形成された絶縁層と、前記絶縁層の周囲に形成された一つのトランジスタのゲート電極を有しており、ゲート電極は、仕事関数の異なる少なくとも２層以上の導電膜の積層構造により構成されていることを特徴とする半導体装置を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】微細化されたゲートを有するＣＭＯＳトランジスタにおいて、ＭＯＳトランジスタのチャネル不純物濃度を低く維持し、かつ短チャネル効果を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のゲート絶縁膜を介して形成され、対向する１対の側壁面上に１対の第１の側壁絶縁膜をそれぞれ担持する第１のゲート電極を有するＮＭＯＳトランジスタと、第２のゲート絶縁膜を介して形成され、対向する１対の側壁面上に１対の第２の側壁絶縁膜をそれぞれ担持する第２のゲート電極を有する、前記ＮＭＯＳトランジスタとともに１対で用いられるＰＭＯＳトランジスタと、を備え、前記第２の側壁絶縁膜と前記シリコン基板との距離が、前記第１の側壁絶縁膜と前記シリコン基板との距離よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】バルブ型リセス内のシームの発生を抑制することによって、素子の特性を改善することのできるバルブ型リセスゲートを有する半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、半導体基板３１にバルブ型リセスを形成するステップと、該バルブ型リセスを含む半導体基板３１の全面にゲート絶縁膜３４を形成するステップと、前記バルブ型リセスのバルブパターンの側壁にパターニングされた第１導電膜３５Ａを形成するステップと、この状態の構造全体の上にパターニングされた第２導電膜を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】導電性ナノチューブをゲートとする製作が容易な高集積度のトランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるトランジスタは、ナノチューブをゲートとして利用し、製造方法は、ナノチューブをチャンネルパターン時にマスクとして利用する。これにより、５０ｎｍ以下の線幅を有するトランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】ＦｉｎＦＥＴのチャネル上縁部付近での電界集中を抑えると共に、製造の歩留りを高めた半導体装置を提供する。
【解決手段】ＦｉｎＦＥＴは、シリコン基板１１の表面に堆積され、ソース拡散層２４ａ、ドレイン拡散層２４ｂ、及び、チャネル領域を形成するシリコン層１４と、シリコン基板１１上に素子分離層１２を介して堆積され側部ゲート絶縁膜１６を介してチャネルの側面に対向する一対の第１電極部分１８と、頂部ゲート絶縁膜１５を介してチャネルの頂面に対向し、且つ、第１電極部分１８の頂部に接する第２電極部分１９とを有するゲート電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート幅に依存することなく、均一な組成を持つＦＵＳＩ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１に互いに間隔をおいて形成された活性領域３Ｔ２及びダミー活性領域４と、活性領域３Ｔ２とダミー活性領域４との間に形成され、活性領域３Ｔ２及びダミー活性領域４の上面よりも低い位置に上面を有する素子分離領域２と、活性領域３Ｔ２上に形成されたゲート絶縁膜と、素子分離領域２、ゲート絶縁膜及びダミー活性領域４上に形成され、シリコン材料からなるゲート用シリコン膜が金属材料によってフルシリサイド化されてなるフルシリサイドゲート電極５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】素子が微細化されても優れたプロセス安定性を有し、かつシリサイドが形成された領域での抵抗増大を抑制する。
【解決手段】基板主表面側に絶縁膜によって区分されたシリコン領域を形成する工程と、このシリコン領域表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、このシリコン酸化膜を形成した基板上に第１の金属及び第２の金属の混合膜を形成する工程と、熱処理によりシリコン領域に形成されたシリコン酸化膜を第２の金属によって還元する工程と、熱処理により第１の金属とシリコン領域のシリコンとを反応させてシリコン領域の表面にのみシリサイド膜を形成する工程とを有し、第１の金属はＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ又はＰｄであり、第２の金属はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ又はＣｒである。 （もっと読む）

【課題】電極の接触抵抗、電極自身の抵抗の低減によって高性能化した電界効果トランジスタを含む半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板２００に形成されたチャネル領域１０６と、ゲート絶縁膜１０１を介して形成されたゲート電極と、チャネル領域１０６の両側に形成されたソース電極およびドレイン電極を具備するｎ型電界効果トランジスタを含み、ソース電極およびドレイン電極が第１の金属のシリサイド１１０ａで形成され、半導体基板２００と第１の金属のシリサイド１１０ａとの界面に、第２の金属１２０ａを含有する界面層が形成され、第２の金属１２０ａの仕事関数が第１の金属のシリサイド１１０ａの仕事関数よりも小さく、かつ、第２の金属１２０ａのシリサイドの仕事関数が第１の金属のシリサイド１１０ａの仕事関数よりも小さいことを特徴とする半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 Ｈｆを含むゲート絶縁膜とメタルシリサイドゲート電極とを含むＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を下げられる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたｐチャネルＭＯＳトランジスタであって、Ｈｆを含む第１のゲート絶縁膜１０６と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられ、アルミニウム酸化物とシリコン酸化物とを含む第２のゲート絶縁膜１０８と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属シリサイドゲート電極１０９とを含む前記ｐチャネルＭＯＳトランジスタとを具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレインとして金属電極が形成された電界効果トランジスタにおいて、短チャネル効果の発生及びリーク電流を抑制する。
【解決手段】 半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４を介して形成されたゲート電極１５と、金属電極からなり半導体基板１１との界面にショットキー・バリアを形成するソース・ドレイン１２，１３とを具備してなる電界効果トランジスタを含む半導体装置であって、ソース側及びドレイン側の少なくとも一方の金属電極と半導体基板１１との界面に、正孔又は電子に対して、前導体基板１１と金属電極とのショットキー・バリアより低いバリアを形成する変調領域１０１，１０２が設けられている。 （もっと読む）

トランジスタゲートは、表面上に配置された一対のスペーサを有する基板と、スペーサ間で基板上にコンフォーマルに堆積された高ｋ誘電体と、高ｋ誘電体上とスペーサの側壁の一部に沿ってコンフォーマルに堆積されたリセスされた仕事関数金属と、リセスされた仕事関数金属上にコンフォーマルに堆積された第２の仕事関数金属と、第２の仕事関数金属上に堆積された電極金属とを含む。トランジスタゲートは、高ｋ誘電体を基板上のスペーサ間にあるトレンチ内にコンフォーマルに堆積し、高ｋ誘電体上に仕事関数金属をコンフォーマルに堆積し、仕事関数金属上に犠牲マスクを堆積し、仕事関数金属の一部を露出すべく犠牲マスクの一部をエッチングし、リセスされた仕事関数金属を形成すべく仕事関数金属の露出された一部をエッチングすることにより形成されうる。第２の仕事関数金属及び電極金属が、リセスされた仕事関数金属上に堆積されうる。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の制御が容易で、かつ低電圧で動作可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】素子分離領域３０により素子分離された半導体基板２０にソース領域４０およびドレイン領域５０が離間して設けられている。ソース領域４０とドレイン領域５０との間にゲート絶縁膜６０を介して形成されたゲート電極７０が形成されている。ゲート絶縁膜６０とゲート電極７０との界面において、複数のシリコンナイトライド粒子８０がゲート絶縁膜６０に接触した状態でゲート電極７０に点在して埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＭＯＳトランジスタのチャネル領域形成の精度を向上させる。他の素子（ＭＯＳトランジスタ）と混載する場合において、各素子の特性を損なわない半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のポリシリコン層６をマスクとしてイオン注入し、自己整合的にボディ層８を形成する。次に、第１のポリシリコン層６を含めた半導体基板１の表面にポリシリコン層１２を例えばＣＶＤ法で形成する。次に、ポリシリコン層１２をエッチバックし、第１のポリシリコン層６の少なくとも側壁に、ゲート電極の一部となる第２のポリシリコン層１３を形成する。第２のポリシリコン層１３の側面をマスクとしてボディ層８にイオン注入し、自己整合的にソース領域２３を形成する。このようにボディ層８とソース領域２３の両者を自己整合的に形成し、第２のポリシリコン層１３の幅でチャネルの長さを調節する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のゲート電極下の低濃度拡散層のオーバラップ量を安定させると共に半導体素子の微細化を図る手段を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法が、素子形成領域のゲート長方向の中央部にゲート電極体形成領域を設定し、このゲート電極体形成領域の両側の縁部にオーバラップ領域を設定した半導体基板上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上に導電層を形成する工程と、導電層上にオーバラップ領域の導電層を露出させた開口部を有するマスク部材を形成する工程と、このマスク部材をマスクとして導電層をエッチングしてオーバラップ領域上にゲート絶縁膜を露出させた付加電極形成穴を開口する工程と、マスク部材を除去し、付加電極形成穴に低濃度の不純物をイオン注入して半導体基板のオーバラップ領域に低濃度拡散層を形成する工程と、付加電極形成穴に導電材料を埋込んで付加電極を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極パターニング後の絶縁膜の損傷を簡便に高感度で検出する。
【解決手段】半導体基板１上にゲート絶縁膜３を形成してその上にゲート電極４を形成した後、ゲート電極４上とゲート電極４形成後のゲート絶縁膜３上に測定用電極５を形成する。そして、測定用電極５と半導体基板１の間に電圧を印加し、そのときの電流を測定する。ゲート電極４形成後のゲート絶縁膜３に損傷６が生じている場合には、測定用電極５と半導体基板１の間にリーク電流が流れるようになるため、それを基にゲート絶縁膜３の損傷６の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】シリサイド膜を有する半導体装置において、電流集中とリーク電流を共に抑制する。
【解決手段】半導体装置５０は、半導体基板上のゲート電極４と、ゲート電極４の側面上のサイドウォールスペーサー７と、半導体基板におけるサイドウォールスペーサー７の外側方のソース領域８Ｓ及びドレイン領域８Ｄと、ソース領域８Ｓ上のソース上シリサイド膜５Ｓと、ドレイン領域８Ｄ上のドレイン上シリサイド膜５Ｄと、ソース領域８Ｓ上のソースコンタクト１０Ｓと、ドレイン領域８Ｄ上に形成され且つゲート電極４のゲート幅方向に並ぶ少なくとも一対のドレインコンタクト１０Ｄとを備える。一対のドレインコンタクト１０Ｄ間に位置するドレイン領域８Ｄのうち、少なくともドレインコンタクト１０Ｄのゲート電極４側の端部位置とサイドウォールスペーサー７との間の領域に、ドレイン上シリサイド膜５Ｄが形成されていない高抵抗領域３０Ｄが設けられている。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧を低くすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、シリコン基板１にチャネル領域３（１３）を挟むように形成された一対のソース／ドレイン領域４（１４）と、チャネル領域３（１３）上にゲート絶縁膜５を介して形成され、ゲート絶縁膜５との界面近傍に配置された金属含有層７を含むゲート電極６（１６）とを備えている。そして、金属含有層７は、ゲート絶縁膜５の表面を部分的に覆うようにドット状に形成されており、金属含有層７のドット間の平均距離は、金属含有層７のドットの直径以下に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 チャネル領域に効率的に応力を伝達する構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板の活性領域内にトランジスタが形成されている。トランジスタのゲート電極の側面上にサイドウォール構造体が配置されている。半導体基板を、応力が内在する応力制御膜が覆う。サイドウォール構造体は、ゲート電極の側面のうち上側の一部の領域に沿う部分、ゲート電極の側面のうち下側の一部の領域から活性領域の表面の一部の領域までに亘る第２の部分、活性領域の表面のうち第２の部分よりも外側の一部の領域に沿う第３の部分、及び第１〜第３の部分を介してゲート電極の側面及び活性領域の上面に対向する第４の部分を含む。第１の部分のヤング率が第３の部分のヤング率よりも小さい。トランジスタがｎチャネルのとき、応力制御膜に内在する応力が引張応力であり、トランジスタがｐチャネルのとき、応力制御膜に内在する応力が圧縮応力である。 （もっと読む）

【課題】イオン注入を行うことに起因する電気的特性の低下およびしきい値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、シリコン基板１にチャネル領域３を挟むように形成された一対のソース／ドレイン領域４と、チャネル領域３上にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲート電極６とを備えている。そして、ゲート電極６は、金属含有層７と、金属含有層７上に形成された金属含有層９と、金属含有層７と金属含有層９との間に形成されたポリシリコン層８とを含む。 （もっと読む）