【課題】従来技術を発展させた半導体ガスセンサを提供すること。
【解決手段】第１の端子部分が、半導体本体（２０）の表面に設けられたパッシベーション層（３０）を貫通する第１の成形部分（１１２）を有し、該第１の成形部分（１１２）は、参照電位に接続された導電性層（１１５）を備えた底面を有し、該第１の端子部分と制御電極（１００）とは第１の接合材（１３０）を用いて電気的接続かつ摩擦接続的に結合されている。第２の端子部分と前記制御電極（１００）とは第２の接合材（１４０）を用いて少なくとも摩擦接続的に結合されており、前記第１の接合材（１３０）は前記成形部分を少なくとも部分的に充填し、前記制御電極（１００）と前記導電性層（１１５）とを接続する。 （もっと読む）

【課題】可変ゲート電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）及びこのＦＥＴを備える電気電子装置を提供する。
【解決手段】熱によるＦＥＴのソース及びドレイン間の電流減少の問題を効果的に解決し、またＦＥＴの温度を低めることができる可変ゲートＦＥＴ及びこのＦＥＴを備える電気電子装置を提供し、可変ゲートＦＥＴは、ＦＥＴと、ＦＥＴの表面または発熱部分に取り付けられ、回路的には、ＦＥＴのゲート端子に連結されておりゲート端子の電圧を変化させるゲート制御素子と、を備え、ＦＥＴの温度が所定温度以上に上昇しているときに、ゲート制御素子が、ゲート端子の電圧を変化させて、ＦＥＴのソース及びドレイン間のチャンネル電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】 従来、外付け抵抗の電圧降下から検出していたパワーＮ型ＭＯＳＦＥＴに流れる電流を、高感度のホール素子に発生するホール電圧ＶＨにより検出する。
【解決手段】 アースラインに向かって配線されたソース配線層８の一部をＮ型層１に形成したトレンチ２０内に配設する。これによりトレンチ２０内に配設されたソース配線層８ａ近傍のＮ型層１に発生する磁束密度Ｂを高める。この高い磁束密度Ｂが発生しているトレンチ２０内のソース配線層８ａ近傍のＮ型層１を横切るホール電流ＩＨ成分を増やし、ホール素子Ｈに発生するホール電圧ＶＨを高くする。このように、高い磁束密度Ｂの発生領域にホール素子Ｈを配置することにより、パワーＮ型ＭＯＳＦＥＴのソース電流Ｉが数Ａ程度でも大きなホール電圧ＶＨを発生する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を変更することなくＭＯＳトランジスタのドレイン電流−温度特性を制御する。
【解決手段】半導体層１に互いに間隔をもって形成されたソース１１ｓ及びドレイン１１ｄ，１３ｄと、ソース１１ｓとドレイン１１ｄ，１３ｄの間の半導体層１上にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲート電極７とをもつＭＯＳトランジスタを備えている。ＭＯＳトランジスタで、ソース１１ｓは上方から見てゲート電極７とは間隔をもつ位置に形成されている。ドレイン１３ｄは上方から見てゲート電極７に一部重複する位置に形成されている。上方から見たソース１１ｓとゲート電極７の間の距離ＡはＭＯＳトランジスタが温度上昇に対してドレイン電流が増加するドレイン電流−温度特性をもつ寸法に設定されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】入力電圧ライン１１と誘導性負荷Ｌとの間に接続される第１のスイッチング素子Ｍ１を有するハイサイドスイッチング素子と、誘導性負荷Ｌと基準電圧ラインとの間に並列接続される第２のスイッチング素子Ｍ２と第３のスイッチング素子Ｍ３とを有するローサイドスイッチング素子と、を備え、ローサイドスイッチング素子における誘導性負荷Ｌに接続される端子にサージが印加されたとき、サージ電流は第３のスイッチング素子Ｍ３を介して基準電圧ラインへと放電される。 （もっと読む）

【課題】センス比のコレクタ電流依存性をスイッチング素子自体の構造により制御する。
【解決手段】Ｐ型のベース領域２の表面部に、少なくとも１つのＮ型のエミッタ領域３及びエミッタ領域３と離隔した少なくとも１つのＮ型のセンス領域５が選択的に形成されている。エミッタ領域３及びセンス領域５は、コレクタ領域７からベース領域２に向かう第１の方向に対して垂直な第２の方向に並ぶように配置されている。センス比がコレクタ電流の変化に対応して所望の変化を生じるように、第２の方向におけるセンス領域５、エミッタ領域３、センス領域５に隣接する部分のベース領域２、及びエミッタ領域３に隣接する部分のベース領域２のそれぞれの幅が設定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の熱による素子欠陥及び破壊を未然に防止するのに適した半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハー上にトランジスタ１０を形成する段階と、トランジスタ１０の上部に絶縁層を形成する段階と、トランジスタ１０の両側のソース／ドレイン領域のうち一方の側のソース／ドレイン領域の電気的連結のための第１コンタクトホール２０及び第２コンタクトホール３０を絶縁層に形成する段階と、第２コンタクトホール３０の内部に相変化物質を蒸着し、温度変化によって電気的連結を選択的に遮断する相変化物質層３１を形成する段階と、第１コンタクトホール２０及び第２コンタクトホール３０を埋め立てる段階と、を含んで半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】横型ＩＧＢＴに対する過電流保護機能を有する半導体装置において、過電流保護機能が働く電流値のバラツキを低減する。
【解決手段】ゲート電圧により制御可能な主スイッチング素子である横型ＩＧＢＴ１と、電流検出用横型ＩＧＢＴ１０とが並列に接続されている。電流検出用横型ＩＧＢＴ１０ののベース領域１０９と、横型ＩＧＢＴ１のエミッタ領域１０６とが電気的に接続されている。電流検出用横型ＩＧＢＴ１０のエミッタ領域１０８と、横型ＩＧＢＴ１のエミッタ領域１０６とが、電流検出回路７のセンス抵抗４を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高耐圧第二領域を設け、縦型パワーデバイスの高耐圧接合終端構造、集積回路ユニット間を分離する高耐圧接合終端構造、ｎチャネルまたはｐチャネルの高耐圧横型ＭＯＳＦＥＴの高耐圧接合終端構造などとし、配線が横切っても耐圧が低下せずに高耐圧が維持でき、かつ製造コストの低い高耐圧ＩＣを提供すること。
【解決手段】第一の出力配線６１と第二の出力配線６２下の電界強度を弱めるために、ＧＤＵ１を取り囲む第一の高耐圧接合終端構造ＨＶＪＴ１と、ＧＤＵ１内およびＬＳＵ内に形成される横型ＭＯＳＦＥＴを取り囲む第二の高耐圧接合終端構造ＨＶＪＴ２とが同一構造の高耐圧接合終端構造ＨＶＪＴで構成され、かつ一体となっている。 （もっと読む）

【課題】同一電界効果トランジスタを利用して生分子を検出する方法を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタを利用した生分子検出方法において、電界効果トランジスタは、半導体基板、基板と異なる電導型にドーピングされたソース領域及びドレイン領域、ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャネル領域、チャネル領域上に配置され、生分子を検出する検出表面を有する絶縁層、絶縁層の検出表面から離隔されて配置された基準電極を備えることを特徴とし、生分子を含有する第１試料を、前記電界効果トランジスタの検出表面に提供し、前記電界効果トランジスタの第１電気信号の変化を測定するステップと、第２試料を同一の前記電界効果トランジスタの検出表面に提供し、前記電界効果トランジスタの第２電気信号の変化を測定するステップと、前記第１電気信号と前記第２電気信号とを比較するステップと、を含む生分子の検出方法である。 （もっと読む）

【課題】イオン物質検出用電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体材料で構成される基板２１と、前記基板内に互いに離隔されて形成され、基板と反対極性にドーピングされたソース領域２２及びドレイン領域２３と、ソース領域及びドレイン領域の間に配置されるチャネル領域２４と、チャネル領域上に配置され、電気的絶縁材料で構成される絶縁層２５と、絶縁層上部のエッジに配置される一次基準電極２６と、絶縁層から離隔されて配置される二次基準電極２７を備える。 （もっと読む）

【課題】電流の状態に関する情報を提供する能力を有するように配置されたＩＩＩ族窒化物ベースの電力半導体装置を提供することである。
【解決手段】本発明の電力半導体装置は、ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合領域と、該ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合領域及び第１給電パッドに電気的に接続される第１電力電極と、前記ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合領域及び第２給電パッドに電気的に接続される前記第１電力電極に対向して離隔される第２電力電極と、前記ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合領域及び第３給電パッドに電気的に接続される前記第１電力電極に対向して離隔される第３電力電極と、を有する電力半導体装置。 （もっと読む）