【課題】結晶異方性を有する領域と結晶異方性を有さない領域とを含む結晶化半導体膜を用いて薄膜トランジスタの集積化を容易に行なうことができる半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に成膜した非晶質半導体膜５６の下方に加熱促進層３０を形成した領域と、加熱促進層３０を形成しない領域とを設け、非晶質半導体膜５６にレーザビーム１８を照射する。このとき、加熱促進層３０によってレーザビーム１８が反射または吸収されることにより、非晶質半導体膜５６は裏面側からも結晶化が促進される。これにより、加熱促進層３０が形成された領域には結晶の配向が揃った第１の結晶性半導体膜５４が形成され、形成されない領域には結晶の配向がランダムな第２の結晶性半導体膜５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】 単結晶構造の柱状構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に単結晶の柱状構造を形成する方法であって、前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝を形成し、前記溝の底部に少なくとも前記半導体基板の一部を露出させる工程と、前記溝内部に少なくともゲルマニウムを含む埋め込み膜を形成する工程と、熱処理により前記埋め込み膜を溶融させる工程と、溶融した前記埋め込み膜を、前記半導体基板をシードとして単結晶化する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 格子定数が異なる複数種類の半導体素子を同一の基板上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、シリコン基板２１の一部に絶縁膜２２を形成し、シリコン基板２１と絶縁膜２２上にアモルファスＳｉＧｅ層２３を形成し、シリコン基板を熱処理し、アモルファスＳｉＧｅ層２３を絶縁膜２２上に横方向に固相若しくは液相成長させて結晶化し、シリコン基板２２と絶縁膜２２上に格子定数が後に形成される材料層の格子定数に整合されたＳｉＧｅ層２３ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜に対し十分な加熱が行われ、かつ、熱源走査の往路または復路の何れかでアニールを行っても特性がばらつかないようにする。
【解決手段】薄膜トランジスタが、予備加熱層としてのゲート電極１１と、ゲート電極１１に対し平面形状で一部が重なる薄膜半導体層１３ｄとを有する。予備加熱層としてのゲート電極１１は、薄膜半導体層１３ｄと重なる第１領域Ｒ１以外の部分（第２領域Ｒ２が、一方向（Ｘ軸方向）と直交する方向（Ｙ軸方向）の軸を境に線対称な平面形状を有する。このような平面形状では、Ｘ軸方向に走査される熱源の往路と復路で、トランジスタチャネルが形成される第１領域Ｒ１に対する予備加熱の仕方がほぼ同じとなり、トランジスタ特性の均一性が高くなる。 （もっと読む）

【課題】第１領域と第２領域に違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層が形成された表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置において、第１領域と第２領域を有する基板層と、基板層の第１領域に形成された第１多結晶シリコン層を含むスイッチ用薄膜トランジスタと、基板層の第２領域に形成された第２多結晶シリコン層、ヒートシンク層及びその間にある隔離層を含む駆動用薄膜トランジスタとを有する。違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層は、単一結晶化工程により、第１領域の非晶質シリコン層と第２領域の非晶質シリコン層から転化された。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域を微結晶化するトランジスタを有する装置において、周辺金属に影響を及ぼさないようにしつつ、トランジスタの特性を十分に確保できるようにすること。
【解決手段】本発明は、複数の画素部３０を備える表示領域１０と、表示領域１０の画素部３０に対応して設けられ、複数の駆動トランジスタ３１ａが表示領域１０の表示面に沿って並列に配置されてなる駆動部３１とを有する表示装置１である。また、駆動トランジスタ３１ａのチャネル領域を形成するにあたり、複数の駆動トランジスタ３１ａの並列となる方向に沿って固体レーザ光を走査して照射する表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】多結晶化の際に特性が損なわれないシリコン膜からなるシリコンアイランドを半導体膜として有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置Ｄは、絶縁基板１１と、絶縁基板１１上に設けられた絶縁膜１３と、絶縁膜１３上に設けられたポリシリコン膜からなるシリコンアイランド１４と、を備える。半導体装置Ｄは、絶縁基板１１と絶縁膜１３との間に、平面視で、シリコンアイランド１４を内包するように設けられたパターン膜１２をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】結晶化に続いて、所定の位置に残すことができ、その後の処理工程を妨げない手段によって種結晶を横成長させる方法並びに該方法を用いた構造体を提供する。
【解決手段】第１の半導体結晶をエッチングして種結晶領域を形成し、その上に、種結晶領域を露出させる開口部が設けられた絶縁体層、および第２の半導体膜を形成してレーザアニールし、種結晶から横成長を行う。その後、種結晶領域の上の第２の半導体膜を除去し、残っている第２の半導体膜中のトランジスタ活性領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】製品の生産に使用可能な量産性の優れた方法でかつ安価なコストにより、半導体薄膜の結晶粒径の拡大を可能とすることを目的とする。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に導電性薄膜１０３を形成し、導電性薄膜１０３をパターニングしてから半導体薄膜１０４を形成し、レーザ光を照射して半導体薄膜１０４を溶融し固化して再結晶化する半導体薄膜の製造方法において、導電性薄膜１０３は面方向に突端部を有するようにパターニングされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓ値が小さくオン電流の低下が抑えられた応答性のよい半導体装置の構成及び作製方法を提案する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域の膜厚がチャネル形成領域の膜厚より厚く形成されている。このような半導体装置の作製方法としては、まず基板上に設けられた絶縁層により形成される凹凸上に非晶質半導体層を形成し、非晶質半導体層にレーザビームを照射して非晶質半導体を溶融することにより膜厚の異なる結晶質半導体層を形成する。そして、結晶質半導体層の膜厚の厚い部分に不純物を添加することによりソース領域又はドレイン領域を形成し、不純物が添加されない領域をチャネル形成領域とし、ソース領域又はドレイン領域と電気的に接続する導電層を形成することにより作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 消去誤動作の発生を抑制できる不揮発性メモリセルを備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁層８上に形成され、結晶格子不整合面７を含む半導体結晶層２１と、半導体結晶層２１上に形成され、ビット線方向に直列に接続された不揮発性メモリセルトランジスタＭ１〜Ｍ６をワード線方向に複数配置してなるメモリセルアレイ部とを備え、結晶格子不整合面７は、不揮発性メモリセルトランジスタのチャネル長方向の断面において半導体結晶層２１を貫通し、半導体結晶層２１の上から見て、結晶格子不整合面７は、不揮発性メモリセルトランジスタＭ１〜Ｍ６のゲート下を避けて、ワード線に沿って半導体結晶層２１を横切るように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、絶縁性基板上に形成した多結晶半導体膜の高品質化を図ることである。
【解決手段】 本願発明は、絶縁性基板上の多結晶シリコン膜からなる第１の半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けたゲート電極と、上記半導体層に設けたチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に配置されたソース領域とドレイン領域とを有するＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて、少なくとも上記チャネル領域の主配向が上記ゲート絶縁膜の表面に対して｛１１０｝である薄膜半導体装置である。更に、上記ソースとドレイン領域を結ぶ方向にほぼ垂直な面の主配向が｛１００｝である多結晶半導体膜を半導体装置のチャネルに適応することが、より好ましい。本願発明によれば、絶縁体基板上に、粒界、粒径、結晶方位を制御でき、結晶化の仮定で生じる膜のラフネスと結晶欠陥を低減した高品質の多結晶半導体膜を有する半導体装置を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンロッドの製造方法及び単結晶シリコンロッド構造体を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層にホールを形成する工程と、ホール内にシリコンを選択成長させる工程と、ホール及び絶縁層上にシリコン層を形成する工程と、シリコン層にホールに対して非放射状方向にロッドパターンを形成する工程と、シリコン層を溶融させてホールに対応する位置に結晶核が生成されるように、ロッドパターンが形成されたシリコン層上にレーザビームを照射してシリコン層を結晶化する工程と、を含む単結晶シリコン製造方法である。これにより、欠点のない単結晶シリコンロッドを形成しうる。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成により確実なコンタクトを実現し、微細化が可能な相補型薄膜トランジスタ回路を提供する。
【解決手段】基板の絶縁性表面上に設けられた複数の起点部のそれぞれを略中心として形成された複数の単結晶粒を用いて形成された第１導電型の薄膜トランジスタと第２導電型の薄膜トランジスタとを備え、複数の単結晶粒は結晶粒界を介して隣接する少なくとも第１の単結晶粒と第２の単結晶粒とからなり、第１導電型の薄膜トランジスタは第１の単結晶粒に結晶粒界に近接して形成された少なくとも第１導電型のドレイン領域を備え、第２導電型の薄膜トランジスタは第２の単結晶粒に結晶粒界に近接して形成された少なくとも第２導電型のドレイン領域を備え、結晶粒界上に第１導電型のドレイン領域及び第２導電型のドレイン領域から出力を取り出す共通電極を備える。 （もっと読む）

【課題】第１導電型の薄膜トランジスタと第２導電型の薄膜トランジスタとの特性のばらつきが防止され、安定して動作する信頼性の高い相補型薄膜トランジスタ回路を提供する。
【解決手段】基板の絶縁性表面上に設けられた複数の起点部のそれぞれを略中心として形成された単結晶粒を用いて形成された第１導電型の薄膜トランジスタと第２導電型の薄膜トランジスタとを備え、前記第１導電型の薄膜トランジスタ及び第２導電型の薄膜トランジスタは、ドレイン電流の向きを揃えて形成されるとともに少なくとも該第１導電型の薄膜トランジスタ及び第２導電型の薄膜トランジスタのチャネル領域が同一面方位を有する前記単結晶粒内に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】限られたスペースに効率よく高密度で薄膜トランジスタ回路を作り込むことを可能とした半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】下地膜ＵＣを窒化シリコン層ＳｉＮの上に酸化シリコン層ＳｉＯを成膜した２層構造とする。上層の酸化シリコン層ＳｉＯをエッチングして掘り下げ、第１面ＰＬ1と元の表面を第２面ＰＬ２とした段差ＢＰを形成する。段差ＢＰの高さは２〜３μｍとし、段差ＢＰの幅は８μｍ以上が望ましい。段差ＢＰを有する下地膜ＵＣの表面を覆って非晶質シリコン膜ＡＳＩを成膜する。連続発振レーザＬＳの焦点位置ＦＢを段差ＢＰの第１面ＰＬ1における非晶質シリコン膜ＡＳＩに合わせ、レーザＬＳのプロファイルの長手方向に交差する方向Ｓで非晶質シリコン膜ＡＳＩが成膜されたガラス基板ＳＵＢ上を走査し、段差ＢＰの第１面ＰＬ1における非晶質シリコン膜ＡＳＩを帯状結晶シリコン膜ＳＥＬＡＸに改質する。 （もっと読む）

【課題】起点部より成長させてなる結晶粒を有する半導体膜を用いたデバイスを３次元配置してなり、いずれの層に配置されたデバイスにおいても所望のデバイス特性を得ることができる半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、表面に複数の微細孔Ｇ１１，Ｇ１２を有する起点部層２１１と、前記微細孔Ｇ１１，Ｇ１２を起点として形成された略単結晶粒を含む半導体膜２０１，２０２を用いて形成されたデバイス形成層２１２とを備えたデバイス層１０１上に、同様の構成を具備したデバイス層１０２，１０３を積層してなり、前記デバイス層１０１〜１０３に属する前記微細孔（例えば微細孔Ｇ２１）は、隣接して配置された他の前記デバイス層１０１〜１０３に属する前記微細孔（例えば微細孔Ｇ１１，Ｇ３１）から平面視で離間した位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に、異なる閾値を有する複数の薄膜トランジスタを形成する場合において、製造コスト及びＴＡＴの増大を防止する。
【解決手段】基板上に第１の絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、第１の絶縁層上に複数の微細孔を形成する微細孔形成工程と、第１の絶縁層上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、熱処理を行うことで、微細孔を起点とする結晶粒を成長させて結晶粒界を形成する熱処理工程と、半導体層にソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を形成するトラジスタ領域形成工程と、ゲート電極パターン、ソース電極パターン及びドレイン電極パターンを形成することにより薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタ形成工程とを有し、微細孔形成工程では、所定の薄膜トランジスタのチャネル領域内において、１つ以上の結晶粒界が、電流方向に対して略直交するように形成されるように微細孔を配置する。 （もっと読む）

【課題】デザインルールに制限されることなく、薄膜トランジスタのリーク電流を低減する。
【解決手段】基板上に第１の絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、第１の絶縁層上に複数の微細孔を形成する微細孔形成工程と、第１の絶縁層上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、熱処理を行うことで、微細孔を起点とする結晶粒を成長させて結晶粒界を形成する熱処理工程と、半導体層にソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を形成するトラジスタ領域形成工程と、ゲート電極パターン、ソース電極パターン及びドレイン電極パターンを形成することにより薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタ形成工程とを有し、微細孔形成工程では、所定の薄膜トランジスタのチャネル領域内において、２つ以上の結晶粒界が、電流方向に対して略直交するように形成されるように微細孔を配置する。 （もっと読む）