【課題】特定方向の基板反りを抑制できる半導体装置基板の製造方法を実現する。
【解決手段】ガラス基板１１の裏面に、ストライプ形状にパターニングされた応力制御層５１を形成する。応力制御層５１の形成後に、ガラス基板１１のおもて面にＣＬＣ技術を用いて多結晶シリコン膜を形成する。応力制御層５１のストライプの長手方向は、ＣＬＣ技術において使用される連続波レーザの走査方向と垂直な方向に一致させる。 （もっと読む）

【課題】多結晶Ｓｉ層を含む多結晶ＳｉのＴＦＴまたは多結晶Ｓｉのデバイスを製造するのに使用される、多結晶Ｓｉ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】多結晶Ｓｉ薄膜を形成する方法は、（Ａ）基板１０を準備すること、（Ｂ）基板の表面にアモルファスＳｉ層１１を形成すること、（Ｃ）少なくとも１枚の金属板１２を取り付けて、それにより積層を形成すること、（Ｄ）積層に光を照射して、それによりアモルファスＳｉ層から多結晶Ｓｉ層１５を形成すること、（Ｅ）金属板を取り除いて多結晶Ｓｉ層を得ることを含む。急速熱アニール（ＲＴＡ）プロセスが、加熱時間を短縮するためにステップ（Ｄ）の光照射プロセスに適用される。金属板による光の熱への変換がアモルファスシリコン層に対してさらに行われ、急速熱結晶化が実現される。こうして、多結晶Ｓｉ層が得られる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一つの加熱すべき層(2)と副層(4)とを備えるウェハ(1)を、少なくとも一つの光束パルスの影響下で、加熱する方法であって、
前記加熱すべき層の温度が低温範囲(PBT)にある限り、前記加熱すべき層(2)による前記光束の吸収係数が低く、前記加熱すべき層の温度が、高温範囲(PHT)に入った時、前記吸収係数が大きく増加するように光束(7)、加熱すべき層(2)を選択する工程と、前記選択された波長における前記光束の前記吸収係数が、前記低温範囲(PBT)で高く、前記副層が前記光束にさらされた時に、前記温度が前記高温範囲(PHT)に入るように副層(4)を選択する工程と、前記光束(7)を前記ウェハ(1)に照射する工程を備える、方法に関する。
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【課題】ＳＥＬＡＸ法による帯状シリコン結晶を形成する際のシリコン溶融時間を短縮して結晶性を向上させ、シリコン膜を用いた薄膜トランジスタの動作特性を改善して高精細な表示装置を得る。
【解決手段】薄膜トランジスタを構成するための半導体膜を成膜した絶縁基板５０５を冷却しながら、この半導体膜に連続発振レーザ５０１を走査しながら照射し、結晶粒の長手方向が走査方向に長い帯状半導体結晶５０３に成長させる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡易な光学系を用い、均一なレーザ照射を行うことのできるレーザ照射装置を提供することを課題とする。また、このようなレーザ照射装置を用いたレーザ照射方法を提供し、レーザ照射方法を工程に含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザと、レーザから射出されたレーザ光を偏向させ、ステージにおいて移動させる手段と、ステージを固定し、偏向されたレーザ光をステージに対して一定の角度で入射させる手段とを有し、レーザ光をステージにおいて形状を一定に保ちつつ移動させることを特徴としている。そして、このようなレーザ照射装置を用いて、半導体膜に対してレーザ光の照射を行い、半導体膜の結晶化や活性化を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて結晶粒径の大きい結晶質半導体膜を用いた半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜の表面に固体レーザー光を照射し、半導体膜の裏面には、絶縁膜の下方に配置された反射体によって反射された固体レーザー光を照射して半導体膜を結晶化させ、結晶化させた半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する。これにより従来に比べて結晶粒径の大きい結晶質半導体膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、大粒径の結晶粒を有する結晶性半導体膜を、位置を制御して形成することにより、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】
下地絶縁膜２３１と半導体膜２３２が形成された基板２３０の表面側から第１のレーザビーム２４１を照射し、基板２３０の裏面側に設置された反射層２２２で反射された第２のレーザビーム２４２を裏面側から照射することにより、半導体膜の所定の位置に結晶核２４５を形成し、横方向に結晶成長させることで大粒径の結晶粒を有する結晶性半導体膜を得るものである。 （もっと読む）

【課題】ＣＷレーザを半導体膜上に相対的に走査させながら照射すると、走査方向に延びた長い結晶粒が形成される。このようにして形成された半導体膜は、走査方向において単結晶に近い特性のものとなる。しかしながら、ＣＷレーザの干渉性が高いため、均一なレーザ照射を行うのが難しい。
【解決手段】レーザと、前記レーザから射出されるレーザビームを照射面またはその近傍にて楕円または長方形状のビームに加工する手段と、前記レーザビームに対して前記照射面を相対的に移動させる手段と、前記照射面の移動方向の単位ベクトルと前記照射面に対する前記レーザビームの入射方向の単位ベクトルとの内積を一定とする手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射により凹凸が形成された結晶性珪素の平坦性を高める。
【解決手段】レーザー光の照射により凹凸が形成された結晶性珪素膜に対して、
凹凸が形成された結晶性半導体膜に不活性ガスを吹きつけるために、結晶性半導体膜上の近傍に設けられた複数の開口部と、凹凸が形成された結晶性半導体膜に照射されるレーザー光が通過するために、複数の開口部の中心に設けられた一つのスリットと、を有することを特徴とするレーザー照射装置を用いてレーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】ＲＦＩＤタグおよびＲＦＩＤタグ製造方法を提供する。
【解決手段】ＲＦＩＤ装置は、（１）金属アンテナおよび／またはインダクタ、（２）集積回路を支持し、前記金属アンテナおよび／またはインダクタから前記集積回路を絶縁する、前記金属アンテナおよび／またはインダクタ上に形成された誘電体層、（３）前記誘電体層上に形成された、同じ層を少なくとも１つ有する複数のダイオードおよび複数のトランジスタ、（４）前記金属アンテナおよび／またはインダクタおよび前記複数のダイオードの少なくとも一部と電気的に接続されている複数のコンデンサであって、前記複数のダイオード、および／または、前記複数のダイオードおよび前記複数のトランジスタとのコンタクトと同じ層を少なくとも１つ有する複数のコンデンサを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板の両面にバッファ層１１ａ、１１ｂが形成され、一側のバッファ層１１ａにシリコンチャンネルが形成され、シリコンチャンネル上にはゲート絶縁層１３が形成され、ゲート絶縁層上にはゲート１４が設けられるシリコン薄膜トランジスタである。これにより、基板の反りが防止され、したがって、良質の動作性能を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の問題点を解決したレーザ加工方法、レーザ加工装置および結晶化装置を提供する。
【解決手段】ステージ２５に載置された透過性の被加工材にレーザ光を照射して加工する加工方法であって、レーザ光源から出射されたレーザ光を集光レンズにより集光し、集光された前記レーザ光を前記被加工材に照射し、前記被加工材を加工する場合、前記被加工材を透過したレーザ光をステージ２５にて吸収もしくは透過する工程、ステージ２５表面でレーザ光を拡散反射する工程を具備することを特徴とするレーザ加工方法、レーザ加工装置および結晶化装置を提供する。これにより、ステージ２５表面でアブレーション（蒸散）が発生せず、被加工材の意図しない部分を加工することのない良好な加工を提供することが出来る。 （もっと読む）