【課題】 結晶欠陥が小さくかつ表面粗さの特性が良好なチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンネル膜を有する半導体装置の製造方法は、チャンネルシリコン膜を形成するために、まず単結晶シリコン基板１００上に、上部表面から延長して突出した部位を含む第１単結晶シリコン膜１１０を形成する。第１単結晶シリコン膜１１０の上部表面に犠牲膜１１２を形成する。第１単結晶シリコン膜１１０の前記突出した部位及び犠牲膜１１２の一部が除去されるように第１単結晶シリコン膜１１０及び犠牲膜１１２を１次研磨して第２単結晶シリコン膜及び犠牲膜パターンを形成する。前記犠牲膜パターンを除去し、前記第２単結晶シリコン膜を研磨してチャンネルシリコン膜を形成する。前記工程によると、単結晶シリコン膜の研磨厚さを減少させることができ、チャンネルシリコン膜は表面粗さの特性が良好であり、厚さが平坦となる。 （もっと読む）

【課題】レーザビームで完全溶融させて、厚さが５０ｎｍ以下の大粒径結晶でなる半導体膜を形成する。
【解決手段】半導体膜の表面に断面が三角形の凸部を形成する。凸部の形状は錐体または三角柱である。半導体膜の凸部に入射したレーザビームは大きく屈折され、凸部と空気との界面で全反射されながら、基板に向かって進む。また、凸部からレーザビームを半導体膜に入射させているため、絶縁膜と半導体の界面に入射したレーザビームが全反射する確率が高くなる。このように、凸部からレーザビームを半導体膜に入射させることで、レーザビームが半導体膜中を伝搬している時間が長くなり、半導体膜の吸収率を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのシリコン層に残留する金属触媒の濃度を最小化して漏れ電流を最小化することのできるトランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のトランジスタは、基板１０１と、基板１０１上に形成されたソース領域、チャンネル領域及びドレイン領域を含むアクティブ領域１１１と、アクティブ領域１１１上に形成されたゲート絶縁膜１１２と、ゲート絶縁膜１１２上に形成されたゲート電極１１３とを含み、アクティブ領域１１１は大型シリコン結晶化法を利用して結晶化され、結晶化された結晶粒は第１結晶化工程により形成された第１結晶化部分と第２結晶化工程により形成された第２結晶化部分が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層に残存する金属触媒の量を減少させて、漏洩電流特性及び薄膜トランジスタの電気的特性を向上させることができる薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを備えた有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、基板と、基板上に位置する第１半導体層と、第１半導体層の一定領域を開口する第２半導体層と、第１半導体層及び第２半導体層に連結されるソース／ドレイン電極と、ソース／ドレイン電極を含む基板上に配設されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置し、且つ第１半導体層の開口した一定領域に対応するように位置するゲート電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＧＳ結晶化法で非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する場合、多結晶シリコン層が特定なラマンスペクトラムのピーク値を有する薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを備えた有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に位置し、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域でなっていて、多結晶シリコーン層で形成された半導体層と、前記半導体層の一定領域に対応するように位置したゲート電極と、前記半導体層とゲート電極間に位置したゲート絶縁膜と、前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に連結されているソース／ドレイン電極とを含み、前記多結晶シリコーン層は相異なるラマンスペクトラムのピーク値を有する複数個の領域を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＯＥのデフォーカスの影響を抑制したレーザ照射装置およびレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置２０は、第１レーザ照射部材と第２レーザ照射部材とを備える。第２レーザ照射部部は２つの照射光学系を有する。２つの照射光学系の各々は回折光学素子としてのＤＯＥ１０、１１を含む。２つの照射光学系のそれぞれに含まれるＤＯＥ１０、１１は、互いに同じ光学特性を有する。２つの照射光学系のそれぞれから照射される第２レーザ光Ｌ１、Ｌ２は、互いに同じ強度を有する。第２レーザ光Ｌ１、Ｌ２が基板１２の表面に対して斜め方向から入射するとともに、基板１２の表面に対する入射角度θが同じであって互いに反対方向から当該表面に入射し、第２レーザ光Ｌ１、Ｌ２の照射領域が一致するように、２つの照射光学系は配置されている。 （もっと読む）

【課題】被照射物の位置合わせを行い、精度良くレーザビームを照射するレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。また、レーザビームの所望の照射位置に精密に照準を合わせる方法を用いて、信頼性の高いＴＦＴを作製する方法を提供する。
【解決手段】マーカー付き基板を、赤外光透過材料で形成されたステージ上に載置し、ステージ上に載置されたマーカー付き基板に設けられたマーカーを、赤外光を検知可能なカメラによって検出して、ステージの位置を制御し、レーザ発振器からレーザビームを射出し、レーザ発振器から射出されたレーザビームを光学系によって線状に加工し、ステージに載置されたマーカー付き基板に照射する。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコン膜をレーザー光により結晶化した多結晶シリコン膜を用いた薄膜トランジスタを備えた表示装置においては、表示品質の点で、基板面内における多結晶シリコン膜の粒径のばらつきを低減することが必要となる。しかし、多結晶シリコン膜の表面の凹凸を光学的に管理する方法では、ミクロレベルのばらつきしか把握できない。
【解決手段】 本発明にかかる評価装置においては、複数の評価セル１０１と、評価セル１０１に電圧を印加する信号配線１０５と、評価セル１０１からの出力を信号取り出し配線１０６を介して測定するための信号取り出し配線用出力端子パッド１０４とを絶縁性基板１上に備えているので、電気特性の面内分布を容易に測定できる。また、多結晶シリコン膜の結晶粒径と関連する電気特性を評価することにより、多結晶シリコン膜の結晶粒径の面内ばらつきを管理できる。 （もっと読む）

【課題】金属触媒の拡散が困難な酸化膜と容易な窒化膜で二重キャッピング膜を形成し、その上に金属触媒層を形成した後に結晶化することにより、金属触媒が酸化膜を容易に通過できず、少ない量の金属触媒のみが結晶化に寄与する。これによって結晶粒の大きさが大きい多結晶シリコン層を形成し、特性が優れた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁基板、及び基板上に形成された半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース／ドレーン電極を含み、ゲート絶縁膜は１乃至２０Åの厚さのフィルターリング酸化膜からなる薄膜トランジスタである。金属触媒の拡散が困難なフィルターリング酸化膜を用いて結晶化に寄与する金属触媒の量を調節し、調節された金属触媒によって多結晶シリコン層の結晶粒の大きさを大きく形成し、多結晶シリコン層に残留する金属触媒の量を最小化する。 （もっと読む）

【課題】薄いチャネルを有する薄膜トランジスタを形成する。
【解決手段】絶縁層６上にソース・ドレイン材料膜１２を形成した後、絶縁層６に達する開口部１３をソース・ドレイン材料膜１２に形成する。次いで、開口部１３内の絶縁層６およびソース・ドレイン材料膜１２上に、所望の膜厚のチャネル４およびゲート絶縁膜５を順に形成した後、ゲート絶縁膜５上であって開口部１３内を埋め込むゲート材料膜１４を形成する。次いで、ゲート材料膜１４上にキャップ膜７を形成し、ゲート材料膜１４からなるゲート１を形成する。次いで、ソース・ドレイン材料膜１２上にマスク層を形成する。次いで、ゲート１をキャップ膜７で保護しながらマスク層で保護されていないソース・ドレイン材料膜１２を除去し、ゲート１の両側にソース・ドレイン材料膜１２を残す。一方のソース・ドレイン材料膜１２がソース２、他方の前記ソース・ドレイン材料膜１２がドレイン３となる。 （もっと読む）

【課題】干渉の影響を無くし、レーザビームの強度分布を均一にする。
【解決手段】ビームホモジナイザ１００は反射面を向かい合うように配置された２つの反射ミラー１０３、１０４を有する。レーザビームＬＢは、２つの反射ミラー１０３、１０４の間で反射しながら、これらの間を伝搬することで強度分布が均一にされるが、干渉もする。２つの反射ミラー１０３、１０４をレーザビームＬＢの走査方向と直交する方向に振動させることで、レーザビームＬＢの振動方向の強度分布を時間的に平均化する。 （もっと読む）

【課題】厚さが４０ｎｍ以下の半導体膜をレーザビームで完全溶融させて、大粒径結晶とする。
【解決手段】絶縁表面上に島状の半導体膜１２を形成する。半導体膜１２に隣接して、ミラーとして機能する構造体１３を形成する。構造体１３は金属膜で形成される。半導体膜の上方からレーザビーム１４を照射する。構造体１３で反射されたレーザビーム１４は、側面１２ａから半導体膜１２に入射する。スネルの法則に従って、入射したレーザビーム１４は、半導体膜１２と空気の界面、および半導体膜１２と絶縁膜１１との界面で全反射されながら、半導体膜１２中を伝搬する。その結果、半導体膜１２が完全溶融し、大粒径結晶が形成される。 （もっと読む）

本発明は、電気的に不活性なドーパントを含有する半導体の少なくとも１つの第１相に圧力を印加する段階と、少なくとも１つの第２相への前記半導体の少なくとも１つの相変態を引き起こすために前記圧力を除去する段階と、を含み、前記ドーパントが電気的に活性である前記半導体の少なくとも１つのドーピングされた相を前記少なくとも１つの第２相が含むように、前記少なくとも１つの相変態が前記ドーパントを活性化するドーピング方法である。
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【課題】 様々な結晶粒径を有する多結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成する場合において、薄膜トランジスタ特性を向上させつつ、キャリア移動度など、その特性のばらつきの増加を抑制すること。
【解決手段】 絶縁基板上に形成された非晶質半導体膜をレーザー光を照射して加熱することにより作成する多結晶半導体膜において、レーザー光の波長をλとすると、単一結晶を構成する結晶粒界の当該レーザー光スキャン方向及びこれに垂直な方向の間隔がλ／２の整数倍からなり、これら２方向における間隔が異なる結晶粒界を含む半導体膜、及びこの半導体膜を用いて薄膜トランジスタを作成する。 （もっと読む）

【課題】 生産性の高い複合処理を行う。
【解決手段】 一方向に長いフィルム状基板を、フィルム状基板の長さ方向に搬送する搬送装置と、フィルム状基板上に、成膜を行う成膜装置と、成膜装置で成膜が行われ、搬送装置で搬送されたフィルム状基板にレーザビームを入射させて、フィルム状基板上に成膜された膜のアニールを行う第１のレーザ処理装置と、第１のレーザ処理装置でアニールが行われ、搬送装置で搬送されたフィルム状基板にレーザビームを入射させて、フィルム状基板上に成膜された膜の一部を除去する第２のレーザ処理装置とを有する複合処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】より簡易な完全空乏型ＳＯＩのゲートオールアラウンド型ＭＯＳＦＥＴの製造法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁性基板に規則的に配列された複数の結晶化起点部を形成する結晶化起点形成工程と、結晶化起点部及び絶縁層上に非単結晶半導体層を形成する第１の成膜工程と、非単結晶半導体層を結晶化起点部を複数含む範囲で溶融結晶化させ、各結晶化起点部毎に半導体結晶粒をそれぞれ成長させて当該半導体結晶粒相互の膨張衝突により隆起した突起部分を有する結晶性半導体層を形成する溶融結晶化工程と、結晶性半導体層上に絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、結晶性半導体層の突起部分に絶縁層を介してゲート電極層を形成するゲート電極形成工程と、結晶性半導体層の突起部の頂部及び基部にそれぞれ第１及び第２の導電層を形成するソース・ドレイン領域形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】１．５μｍのＤＲによるＴＦＴ製造において、電源電圧・しきい値電圧の要求仕様と一般的なＴＦＴに要求されるＧＩ耐圧を同時に達成し、また、３．０μｍのＤＲによるＴＦＴ製造においても、ＧＩ耐圧を低下させることなく電源電圧等を引き下げる半導体装置及びその製造方法、及び、低消費電力性の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁性基板と、絶縁性基板上に設けられたベースコート膜と、ベースコート膜上に設けられ、且つ、平坦面を有する半導体層と、半導体層の平坦面上に設けられた酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜上に設けられた窒化シリコン膜と、により２層構造に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】リンギングを抑制し、均一なレーザー光を照射することができる光学装置および結晶化装置を提供する。
【解決手段】レーザー光を複数に分割するために第１の曲率及び第１の径を有する複数の第１のレンズセグメントが配列された第１のシリンドリカルレンズアレイと、この第１のシリンドリカルレンズアレイの少なくとも１箇所の前記第１のレンズセグメント間に配列された第２の曲率及び第２の径を有する複数の第２のレンズセグメントが配列された第２のシリンドリカルレンズアレイとを有する。 （もっと読む）

【課題】 光変調素子を交換することなく被照射材料の特性に応じた適切なディップ強度を可変的に実現して、所望の大きさの結晶粒を安定的に形成する結晶化装置。
【解決手段】 １８０度と実質的に異なる位相差の位相段差の段差線を有し、入射光を位相変調する光変調素子（１）と、位相段差の段差線とほぼ直交する方向に傾いた照明光で光変調素子を照明する照明光学系（２）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて所定の光強度分布を結晶化する所定面に形成する結像光学系（３）とを備えている。照明光学系は、位相段差の位相進みの側から位相遅れの側へ向かう第１方向に沿って光変調素子を照明する第１照明光と、位相段差の位相遅れの側から位相進みの側へ向かう第２方向に沿って光変調素子を照明する第２照明光とで光変調素子を同時に照明し、第１照明光の光強度と第２照明光の光強度とを実質的に異なる値に設定するための光強度設定機構を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に対する熱負荷を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。また、半導体素子の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法であって、基板（１００）上にシリコン膜を成膜した後、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナー（１２２）の火炎を熱源としてシリコン膜の再結晶化を行う。このような火炎の処理によれば、ガスバーナーの基板に対する走査速度を大きくすることにより基板に対する熱負荷を低減でき、また、シリコン膜に対し、再結晶の際の結晶粒径のばらつきが少ない固相結晶成長させることができ、半導体素子の特性を向上させることができる。 （もっと読む）