【課題】高性能で安価な半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。また、劈開単結晶半導体層に不活性雰囲気中においてレーザー光の照射を行い、非単結晶半導体層には、少なくとも一度、大気雰囲気中においてレーザー光の照射を行うとより好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】
通常、シリコンである原ウェハは、所望の端部ＰＶウェハの形状を有する。原ウェハは、急速凝固またはＣＶＤにより作製することができる。原ウェハは小さな粒子を有する。再結晶化される際にシリコンを収容および保護する清浄な薄膜内にカプセル封入され、より大きな粒子構造を形成する。カプセルは、酸素または蒸気の存在下でウェハを加熱して、外表面上に通常１〜２ミクロンの二酸化ケイ素を生成させることにより作製することができる。さらに加熱すると、ウェハが移動する空間内の溶融帯が形成されて、より大きな粒子径の再結晶が生じる。カプセルは再結晶化中に溶融材料を収容し、不純物から保護する。再結晶は大気中で行うことができる。支持板を介した熱転写が、応力および欠陥を最小限にとどめる。再結晶化後、カプセルが除去される。 （もっと読む）

【課題】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層を利用した薄膜トランジスタ、その製造方法及び有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層と、チャネル領域から離隔された位置の半導体層内には半導体層の表面から一定深さまで結晶化誘導金属と他の金属または金属の金属シリサイドが存在し、半導体層のチャネル領域の長さ及び幅と漏れ電流値間にはＩｏｆｆ／Ｗ（Ｌ）＝３．４×１０^−１５Ｌ^２＋２．４×１０^−１２Ｌ＋ｃ（Ｉｏｆｆは半導体層の漏れ電流値（Ａ）、Ｗはチャネル領域の幅（ｍｍ）、Ｌはチャネル領域の長さ（μｍ）、及びｃは定数であり、ｃは２．５×１０^−１３ないし６．８×１０^−１３である。）を満足することを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備する有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】製品の生産に使用可能な量産性の優れた方法でかつ安価なコストにより、半導体薄膜の結晶粒径の拡大を可能とすることを目的とする。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に導電性薄膜１０３を形成し、導電性薄膜１０３をパターニングしてから半導体薄膜１０４を形成し、レーザ光を照射して半導体薄膜１０４を溶融し固化して再結晶化する半導体薄膜の製造方法において、導電性薄膜１０３は面方向に突端部を有するようにパターニングされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く、かつ、領域間で特性のばらつきが少ない結晶性半導体膜の製造方法、及び、その製造方法に好適に用いられるレーザー装置を提供する。
【解決手段】レーザー光の照射及び移動を交互に繰り返して非晶質半導体膜を溶融し、結晶化して形成される結晶性半導体膜の製造方法であって、上記レーザー光は、直前の照射によって形成された結晶性半導体膜の隆起部を含む領域に、該隆起部の下に位置する結晶性半導体膜を一部残す強度で照射される結晶性半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】、高精度の帯状結晶に改質して高い電界効果移動度のＴＦＴを作りこんだパネルを備えた画像表示装置の実現。
【解決手段】基板１０１上のa‐Ｓｉ膜あるいは微結晶シリコン膜１０４を帯状結晶シリコン膜（ＳＥＬＡＸ結晶シリコン膜）１０５に改質するための結晶化レーザの幅方向（短軸方向）形状を、４本の連続発振レーザを光学系で結合して左右対称のガウシアン形状から非対称に傾きを持ったプロファイルとする。このレーザの照射で再結晶化したＳＥＬＡＸ結晶シリコン膜上に、そのチャネル方向をＳＥＬＡＸ結晶シリコン膜の帯状結晶１０５の長手方向にソース‐ドレインを配置したＴＦＴを作製する。チャネルを移動するソース・ドレイン間電流が横断する粒界が少なくなり、画像表示の高速化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 隣り合う２つのＴＦＴの間に短絡が発生するのを確実に防止することができる多結晶半導体膜の形成方法。
【解決手段】 絶縁基板上において第１方向に沿って結晶成長した多結晶半導体膜を形成する本発明の方法では、第１方向に沿って第１の向き（Ｆａｓ，Ｆａｆ）に結晶成長した結晶粒（１５ａ）と第１の向きとは逆の第２の向き（Ｆｂｓ，Ｆｂｆ）に結晶成長した結晶粒（１５ｂ）とが、第１方向と直交する第２方向に沿って間隔を隔てた複数の領域において他の領域よりも早く衝突するように、絶縁基板上における結晶成長を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶化プロセスにおいて均質な核を発生させることにより結晶粒径の揃った多結晶半導体膜を形成する。
【解決手段】半導体膜５の下地層又はキャップ層として光触媒層４を形成する。光触媒層４に吸収される波長をもつ励起光８を光触媒層４に照射しながら、半導体膜５にレーザ光１を照射して、半導体膜５を溶融及び固化させることにより結晶化させる。この方法により、光触媒層４の超親水作用によって半導体融液の濡れ性が改善する。このため、半導体膜５の融点近傍で、半導体膜５と光触媒層４の界面に結晶核を発生させることができ、これにより結晶粒径の揃った多結晶半導体膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】直線偏光のレーザ光を出射するレーザ発振器を用いても、多数の方向に結晶成長させて等方的な結晶粒を得る。
【解決手段】直線偏光で出射されたパルスレーザ光１の偏光方向をパルス毎に変更して、異なる３方向以上の偏光方向をもつパルスレーザ光１を、単位領域あたりの照射回数が３回以上となるように半導体膜２に照射する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶化誘導金属を利用した多結晶シリコン層において、多結晶シリコン層でチャネル領域が形成される領域に残存する結晶化誘導金属を除去する多結晶シリコン層の製造方法と製造方法を利用した多結晶シリコン層で半導体層を形成することにより、漏れ電流が顕著に減少された薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを利用する有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は基板上に非晶質シリコン層を形成し、非晶質シリコン層を結晶化誘導金属を利用して多結晶シリコン層に結晶化し、多結晶シリコン上部または下部の一定領域と接する金属層または金属シリサイド層パターンを形成し、基板を熱処理して多結晶シリコン層でチャネル領域が形成される領域に存在する結晶化誘導金属を金属層または金属シリサイド層パターンが形成された領域に対応する多結晶シリコン層内の領域にゲッタリングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を用いた絶縁膜を低温プロセスで結晶化することが可能で、これによりガラス基板やプラスチック基板上に特性の向上が図られた素子を設けることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、金属酸化膜１５と非晶質シリコン膜１９との積層体を成膜形成する。積層体の上部に光吸収層２３を形成する。光吸収層２３で吸収される波長のエネルギー線Ｌｈを光吸収層２３に対して照射し、光吸収層２３で発生させた熱により非晶質シリコン膜１９と金属酸化膜１５とを同時に結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】制御性が良好でありながらも、より簡便な手順で低コスト化された薄膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】基板１上にゲート電極１１を覆う状態でゲート絶縁膜１３を成膜し、さらに非晶質シリコン膜（半導体薄膜）１５を成膜する。この上部にバッファ層１７を介して光吸収層１９を成膜する。光吸収層１９に対して、半導体レーザのような連続発振レーザからエネルギー線Ｌｈを照射する。これにより、光吸収層Ｌｈの表面側のみ酸化させつつ、光吸収層１９においてエネルギー線Ｌｈの熱変換によって発生させた熱と酸化の反応熱とにより非晶質シリコン膜１５を結晶化させた美結晶シリコン膜１５ａとする。 （もっと読む）

【課題】低コスト、高発電効率、軽量であって一般家庭用途への適用が容易であり、しかもパネルの基材に樹脂材料を使用することもできる太陽電池パネルの製造方法及び薄膜シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】この太陽電池パネル１の製造方法は、基材２上に直接又はバッファ３層を介して第１〜第３非晶質膜４，７，８を製膜する工程と、製膜工程を繰り返して第２非晶質膜７を積層する工程と、第１非晶質薄膜４に金属１１をドープする工程と、金属１１ドープ後の第１非晶質膜４をアニール処理して金属１１を核とする多結晶又は準単結晶部１１ａを生成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの移動度の低下を防ぎ、かつＴＦＴ特性のばらつきを低減する。
【解決手段】半導体薄膜（６０８）を有する基板（５２０）に形成された２辺の長さがＡおよびＢの矩形のチャネル領域を有する薄膜トランジスタであって、半導体薄膜は結晶粒幅がＷｇ結晶粒長がＬｇの複数の針状の結晶粒（３０４）を有し、前記チャネル長の方向が前記結晶粒長の方向と角度θだけ傾いており、２辺の長さＡおよびＢが、Ｂ＋Ａ・ｔａｎθ＜Ｗｇ／ｃｏｓθ かつ Ａ＜Ｌｇ・ｃｏｓθを満たすようにレイアウトされているトランジスタ。また、半導体薄膜は結晶粒界（３０７）が結晶成長開始点から三角形状に形成された複数の三角形状の結晶粒を有し、三角形状の相対する結晶粒界は角度２θで広がって伸びており、結晶成長終了点での三角形状の底辺部分の幅がＷｇである場合、Ｂ＋２Ａ・ｔａｎθ＜Ｗｇを満たすようにレイアウトされているトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能で駆動電圧の低い半導体素子を有する低消費電力な半導体装置を、複雑な工程を経ることなく作製することを目的とする。
【解決手段】半導体層の局所的に薄膜化された領域を、加熱処理により周辺の半導体層を溶融し、その溶融した半導体材料を流動させることによって形成する。薄膜化領域に開口を有する島状の半導体層を形成し、開口周辺の半導体層端部をレーザ光により局所的に加熱することによって溶融し、溶融した半導体材料を開口に流動させ開口を充填する。流動した半導体材料によって開口は埋められ、固化することによって膜厚の薄い半導体層領域となる。従って半導体層は局所的に薄膜化領域を有する連続した半導体層となる。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴのチャネル領域に結晶粒界が入らないように、十分に大きい放射角での結晶成長を実現することのできる結晶化装置。
【解決手段】 本発明の結晶化装置は、光変調素子（１）を介した光に基づいて所定の光強度分布を所定面に形成する結像光学系（３）と、所定面に非単結晶半導体膜（４）を保持するステージ（５）とを備え、所定の光強度分布を有する光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する。非単結晶半導体膜の溶融温度に対応する光強度の等強度線の少なくとも一部の曲率半径が０．３μｍ以下であるような光強度分布を非単結晶半導体膜上に形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有するＴＦＴを実現するために、製造工程を増加、複雑化させることなく、さらに、結晶性を低下させることなく半導体層を平坦化する方法、また、半導体層表面を平坦化させゲート絶縁膜との界面を安定させる方法を実現することを目的としている。
【解決手段】窒素、水素、または不活性気体から選ばれた一種の気体雰囲気または複数種の気体の混合雰囲気において、表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、表面が平坦化された結晶質半導体膜を形成する。表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、結晶質半導体膜の表面における最高点と最低点との差を６ｎｍ以下にすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ（半導体装置）の特性を向上させる。特に、低温プロセスに有望なＴＦＴ構成を提供する。
【解決手段】基板（１）と、基板上に形成された第１の半導体膜（３）と、第１の半導体膜上に形成された絶縁膜（１３、１６）と、絶縁膜上に形成された第２の半導体膜（２０３）と、絶縁膜に囲まれ、第１の半導体膜と第２の半導体膜とに接する電極（Ｐ２）と、を含む半導体装置の、電極（Ｐ２）の第２の半導体膜（２０３）に接する部分を金属窒化物（１７）とする。このように電極の第２の半導体膜に接する部分に金属窒化物を設けたので、第２の半導体膜中への電極を構成する材料の拡散や、電極材料と半導体膜との不所望な反応を防止することができる。よって、半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上させることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板上の所望の位置に形成される遮光層４１と、遮光層４１及び基板２０上に形成される下地膜２１と、下地膜２１上に形成され、ソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を有する第１の半導体領域３１及び第２の半導体領域４２と、第１の半導体領域３１及び第２の半導体領域４２上に形成されたゲート絶縁膜２２と、ゲート絶縁膜２２上に、第１の半導体領域３１及び第２の半導体領域４２と対向する位置にそれぞれ形成されたゲート電極を備え、第１の半導体領域４２のチャネル領域は遮光層４１と対向する位置に形成され、非晶質半導体からなり、第２の半導体領域３１のチャネル領域は多結晶半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】非晶質薄膜及び／又は結晶性の低い薄膜を、薄膜の温度を低温に保ちつつ、短時間で結晶化させて得られ、均質で、且つ、樹脂基板上に形成可能である結晶薄膜、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質薄膜及び／又は結晶性の低い薄膜を、該薄膜の極近傍に薄膜面と平行に導電性の電極を配置した高周波印加装置内に配置し、高周波電界が該薄膜に集中する条件でプラズマを発生させ、温度を１５０℃以下に維持しながら、及び／又は、結晶化に要する時間１５分以内で、結晶化させて得られることを特徴とする。高周波電界が、非晶質薄膜等に集中するように、プラズマを発生させるために、高周波印加装置内の気体の圧力を最適に制御することが好ましい。 （もっと読む）