【課題】本発明は、金属触媒を利用して結晶化した半導体層において、半導体層のチャネル領域内に残存する金属触媒をゲッタリングして半導体層のチャネル領域に残存する金属触媒の量を減少させて電気的特性が優れた薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備した有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は基板と；基板上に位置して、金属触媒を利用して結晶化した半導体層と；半導体層上に位置するゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と；ゲート電極上に位置する層間絶縁膜；及び半導体層のソース／ドレイン領域の一定領域を露出させるコンタクトホールを介して半導体層のソース／ドレイン領域に電気的に連結されるソース／ドレイン電極を含み、コンタクトホール下部の半導体層領域内には半導体層の表面から一定深さまで金属触媒とは異なる金属の金属シリサイドが形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】ソース領域及びドレイン領域よりチャネル形成領域の膜厚が薄いＳ値の向上されたボトムゲート型薄膜トランジスタを簡単な工程で作製可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板の表面のチャネル形成領域に対応する箇所に島状導電膜を形成し該島状導電膜を絶縁膜で覆って凸部を形成する。形成された凸部を覆うアモルファス半導体膜を成膜した後、レーザ光を照射して半導体膜を溶融状態にして結晶化する。凸部上の溶融した半導体は凸部の両側に隣接する領域へと流れ、それによって凸部上に位置する半導体膜（チャネル形成領域）が薄膜化される。 （もっと読む）

【課題】残存する結晶化誘導金属の量を減少させて電気的特性が優秀な薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００と、基板上に位置し、チャネル領域１６２、ソース領域１６１、およびドレイン領域１６３を含む半導体層１６０と、半導体層のチャネル領域とゲート絶縁膜１７０を介し対向して設けられたゲート電極２１０と、半導体層のチャネル領域以外の領域の上部または下部にゲート電極と離隔されて位置した、ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、半導体層のソース領域およびドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されたソース電極２４０ａおよびドレイン電極２４０ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】表示領域の外側に駆動回路をＴＦＴによって形成する表示装置において、駆動回路を高性能にかつ歩留り良く形成する。
【解決手段】駆動部ＤＲＶにおいては、ＴＦＴ基板１０１上に熱放散のための金属下地膜１１３を形成しておく。その後窒化シリコン膜１０２および酸化シリコン膜１０３等のアンダーコートをし、ａ−Ｓｉ膜をＣＶＤ法によって形成し、該ａ−Ｓｉ膜をレーザーアニールによってポリシリコン膜に変換する。さらに、その後条件の異なるレーザーアニールによってＳＥＬＡＸ（Selectively Enlarging Laser Crystallization）膜１１１に変換する。アンダーコート膜の下に金属下地膜１１３が形成されているために、レーザーアニールの際、アンダーコート膜が過度に熱せられて発生するガスに起因するＳＥＬＡＸ膜１１１の欠陥を防止することが出来る。これによって、高性能な駆動回路を歩留まりよく形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜を能動層として用いる半導体装置の製造方法であって、低圧化学気相堆積法で堆積温度が４３０℃未満且つ堆積速度が０．５ｎｍ／ｍｉｎ以上の状態で、高次シランを含む原料気体を用いて非晶質半導体膜を堆積する工程と、前記非晶質半導体膜を固相にて結晶化させ結晶性半導体膜を形成する工程と、前記結晶性半導体膜の一部を溶融させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】レーザービームの形状や強度を正確に測定することができる測定装置を備えたレーザーアニール装置及びレーザーアニール方法を提供すること。
【解決手段】レーザー発振器３１と、レーザービームの光路内に配置され、ビームを分割してその高調波成分を除去する複屈折結晶３４と、ビームを所定の形状に成形するビーム成形手段４と、成形されたビームの被照射位置にてアニールの対象物を支持するＸ−Ｙステージ５２を備えた処理室とを有するレーザーアニール装置であって、成形されたビームの強度及び形状を検出する２以上の検出手段１を備え、検出器がビームのエネルギーを減衰させる減衰手段１４を備えているレーザービーム測定装置が、ステージ５２の周縁部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性の高い薄膜トランジスタを有する発光装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する発光装置において、逆スタガの薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出するようにソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に形成された非単結晶膜からなる被アニール膜を短波長光を照射して得られる無機膜を備えた薄膜素子の製造方法において、基板に損傷を与えうる強度の短波長光を透過させうる被アニール膜を、樹脂基板を損傷させることなくアニールして良質な無機膜とする。
【解決手段】薄膜素子１は、樹脂材料を主成分とする基板１０を用意する工程（Ａ）と、基板１０上に熱バッファ層５０を形成する工程（Ｂ）と、熱バッファ層５０上に、短波長光Ｌが基板１０に到達する割合を低減させて短波長光Ｌによる基板１０の損傷を防止する光カット層２０を形成する工程（Ｃ）と、光カット層２０上に、基板１０に損傷を与えうる強度の短波長光Ｌを透過させる非単結晶膜からなる被アニール膜３０ａを形成する工程（Ｄ）と、被アニール膜３０ａ短波長光Ｌを照射することにより、被アニール膜３０ａをアニールして無機膜３０を形成する工程（Ｅ）とを実施して製造される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の高周波数化に伴って生産性を向上させることが可能な多結晶半導体薄膜の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶半導体薄膜の製造装置１０１は、レーザ光を生成するレーザ生成部２と、受けた光を半導体薄膜上の第１の領域へ誘導する第１の誘導部５Ａと、受けた光を第１の領域と少なくとも一部が異なる半導体薄膜上の第２の領域へ誘導する第２の誘導部５Ｂと、レーザ生成部２から受けたレーザ光を第１の誘導部５Ａへ出力するか第２の誘導部５Ｂへ出力するかを切り替える切り替え部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶化を行なった時点において好適なレーザ照射条件を満たしているかどうかを確認できる結晶成長装置およびレーザ照射モニター方法を提供する。
【解決手段】第１レーザ発振器１０１は、メインレーザであって、出射されるレーザ光が半導体薄膜１１４に吸収されて半導体薄膜１１４を溶融させる。第２レーザ発振器１０６は、アシストレーザであって、出射されるレーザ光が絶縁体の基板１１３、下地の絶縁膜、または溶融した半導体薄膜１１４に吸収されて、これらを過熱する。光ビームが照射される半導体薄膜１１４上における光ビームの形状は、一例として概ね矩形状となる。コントローラ１１５は、第１レーザ発振器１０１および第２レーザ発振器１０６だけでなく、ステージ１１２の駆動をも制御する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低温下で結晶性の良好な単結晶および多結晶を提供することを目的とする。また、本発明は、固相成長法を用い、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光導入窓の透過率変化によらず均一な強度分布のレーザー光を照射可能な薄膜半導体の製造装置及び薄膜半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜半導体の製造装置は、基板の表面に形成された薄膜半導体にレーザー光５０を照射することにより薄膜半導体のアニール処理を行う。当該装置は、内部に基板が設置されるアニール処理室と、アニール処理室に設けられたレーザー光導入窓と、アニール処理室の外部に配置されたレーザー光源と、レーザー光５０の光路に配置され、レーザー光５０の一部を遮光するスリット１０と、当該光路に配置され、レーザー光５０を少なくとも短軸方向に集光する集光レンズ４２とを備える。レーザー光５０は、スリット１０により一部が遮光され、集光レンズ４２によって略線状に集光された結果、長軸方向の強度分布が調整される。 （もっと読む）

【課題】半導体膜を多結晶化させる際に半導体膜がその下層のパターンから受ける影響が半導体膜の電気的性能に及ぶのを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１１上に、電流経路予定部分に対応してパターン１３を形成するパターン形成ステップと、パターン形成ステップで形成したパターン１３を覆うように基板１１上に半導体膜１５を形成する半導体膜形成ステップと、半導体膜形成ステップで形成した半導体膜１５の少なくとも電流経路予定部分に対し、その電流経路方向に垂直な方向にレーザー光Ｌを走査して半導体膜１５を多結晶化させる多結晶化ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、を備えるトランジスタを有し、酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】 ガラスやプラスチックなどの単結晶でない基体上に単結晶半導体薄膜を形成することで、任意の基体上に十分に動作速度の速いトランジスタを作製することを可能とする。また、それにより任意の基体上に集積回路を形成することを可能にする。
【解決手段】 基体上に基体全面に渡って結晶方位が揃った配向中間層を形成し、その上にアモルファス状態もしくは多結晶状態の半導体薄膜を形成し、その半導体薄膜を適切な条件でアニールすることによって、基体全面に渡って結晶方位が揃った半導体薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細構造のトランジスタにおいて、ゲート電極及び半導体層へダメージを与えることなく、レーザアニールを行う。
【解決手段】絶縁基板上に形成された半導体膜の、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の不純物領域上に、第１の層間絶縁膜を形成し、ゲート電極上に第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を形成する。第１の層間絶縁膜は、一対の不純物領域に照射される特定波長領域の光の反射率を減少させる光学膜厚で成膜され、第２の層間絶縁膜は、ゲート電極に照射される、特定波長領域の光の反射率を増大させる光学膜厚で成膜されている。 （もっと読む）

【課題】 固相成長に伴う欠陥領域の発生を制御することができ、回路を配置できない領域を最小限にとどめ、ＳＯＩ結晶層を有効に活用することで製造コストの低減をはかる。
【解決手段】 半導体記憶装置の製造方法であって、シリコン基板上に形成された絶縁膜の複数箇所に開口部を設けた後、開口部が設けられた絶縁膜上及び該開口部内にアモルファスシリコン膜を形成し、次いで隣接する開口部間の中央付近でアモルファスシリコン膜を一方の開口部側と他方の開口部側とに分離する溝を形成し、次いで溝が形成されたアモルファスシリコン膜をアニールし、開口部をシードとして単結晶を固相成長させることによりシリコン単結晶層を形成し、次いでシリコン単結晶層上にメモリセルアレイを形成する。 （もっと読む）

【課題】高性能で安価な半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。また、劈開単結晶半導体層に不活性雰囲気中においてレーザー光の照射を行い、非単結晶半導体層には、少なくとも一度、大気雰囲気中においてレーザー光の照射を行うとより好ましい。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン層を用いる薄膜トランジスタ、その製造方法、並びに、これを備えた有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板を提供する段階と、前記基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、前記非晶質シリコン層上に１０ないし５０Å厚さで熱酸化膜を形成する段階と、前記シリコン熱酸化膜上に結晶化のための金属触媒層を形成する段階と、前記基板を熱処理して前記結晶化のための金属触媒層の金属触媒を用いて前記非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する段階とを含むことを特徴とする多結晶シリコン層の製造方法を用い、前記非晶質シリコン層からＳＧＳ結晶化法により多結晶シリコン層を形成する。工程を簡素化した多結晶シリコン層の製造方法、その製造方法を用いて製造された多結晶シリコン層を用いる薄膜トランジスタ、その製造方法、並びに、これを備えた有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】成膜時間を増大することなく、粒径の揃った結晶粒を形成する。
【解決手段】本発明の多結晶半導体膜形成方法は、非晶質半導体膜を、この非晶質半導体膜が溶融しない条件で面方向に均一に加熱して、非晶質半導体膜内に結晶核を発生させる第１熱処理工程と、第１熱処理工程を実施した非晶質半導体膜に、非晶質半導体膜中の結晶核が溶融せず且つ非晶質半導体が溶融する条件でレーザ光を照射し、非晶質半導体を溶融及び凝固させることにより結晶化させる第２熱処理工程と、を備える。本発明の多結晶半導体膜形成装置１０は、上記の第１熱処理工程を実施する第１熱処理装置２０と、上記の第２熱処理工程を実施する第２熱処理装置３０とを備える。 （もっと読む）