【課題】温度係数とそのシート抵抗値とを独立に調整することができる抵抗素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に第１の多結晶半導体膜３を形成し、その上層にアモルファス半導体膜４を形成する。アモルファス半導体膜４の中にキャリア不純物をイオン注入し、その後に熱処理を行うことにより、アモルファス半導体膜４を多結晶化して、第２の多結晶半導体膜５を形成する。これにより、第２の多結晶半導体膜５の平均的なグレインサイズは、第１の多結晶半導体膜３の平均的なグレインサイズよりも大きくなる。 （もっと読む）

【課題】 帯状の絶縁パターンの中央近傍に結晶粒界が発生することを防止することが可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 単結晶半導体基板と、その半導体基板よりも熱伝導率の低い材料からなり、相互に平行に配置されて前記半導体基板まで達する複数の溝が形成されている第１の膜と、アモルファスまたはマイクロクリスタルの半導体からなり、溝内及び第１の膜の上に配置されている第２の膜とを有する加工対象物を準備する。第２の膜に、第２の膜の表面において溝の長手方向と平行な長尺ビームであるパルスレーザビームを入射させ、パルスレーザビームの入射位置を、第２の膜の表面において、溝の長手方向と交差する方向に、オーバラップさせながら移動させる。第２の膜の表面におけるパルスレーザビームのビームプロファイルの短軸方向の幅が、相互に隣り合う溝の間隔よりも狭い。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を薄膜化させた場合においても良好な光閉じこめ効果を有する凹凸構造を形成し、光吸収損失の低減および信頼性の高い薄膜太陽電池およびその製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明における薄膜太陽電池２０の製造方法は、（a）透明絶縁基板１を準備する工程と、（b）透明絶縁基板１の表面に凹凸構造を形成する工程と、（c）透明絶縁基板１上に透明電極層４を形成する工程と、（d）透明電極層４上に光電変換層１２を形成する工程と、（e）光電変換層１２上に裏面電極層８を形成する工程と、を備え、工程（b）は、（f）透明絶縁基板１上に非晶質膜２を形成する工程と、（g）非晶質膜２にレーザ照射を行い、結晶化された結晶質膜３を形成する工程と、（h）結晶質膜３にエッチングを行い、結晶質膜３を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ不良を低減し、且つ大面積の単結晶半導体膜を形成することを可能とするＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】複数の第１の単結晶半導体膜が形成された第１の基板上に、接合層として機能する第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜を平坦化した後、第１の絶縁膜上に単結晶半導体基板を貼り合わせて熱処理を行い、第２の単結晶半導体膜を形成する。次いで、第１及び第２の単結晶半導体膜をシード層として第３の単結晶半導体膜を形成し、第３の単結晶半導体膜にイオンを導入して脆化層を形成した後、第３の単結晶半導体膜上に接合層として機能する第２の絶縁層を形成し、第２の基板を第２の絶縁膜上に重ね合わせて熱処理を行い、第２の絶縁膜を介して第２の基板上に、第３の単結晶半導体膜の一部を固定されたＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置を用いて基板上に半導体膜を成膜する際、各結晶粒のグレインサイズが略均一となるとともに、面内において略均一な膜厚の半導体膜を形成することができることにより、信頼性の高いトランジスタを製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を、ＣＶＤ装置内に導入して、ヒータ上に載置し、ヒータを加熱することによって基板を設定された成膜温度まで加熱するステップＳ１と、ＣＶＤ装置内にモノシランガスを導入して、基板上に、非晶質の第１の半導体膜を第１の膜厚に成膜するステップＳ２と、ＣＶＤ装置内にジシランガスを導入して、第１の半導体膜上に、非晶質の第２の半導体膜を第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚に成膜して、第１の半導体膜及び第２の半導体膜により、半導体膜を設定厚さに形成するステップＳ３と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 結晶核からの十分なラテラル成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化方法。
【解決手段】 本発明の結晶化方法では、光源（２ａ）からの光を位相シフトマスク（１）へ導いて該位相シフトマスクを透過させて形成された逆ピークパターンの光強度分布の光を被処理体（４）に照射して結晶化するのに際し、被処理体の被露光面での光強度分布を観察したのち結晶化する。 （もっと読む）

【課題】多結晶化の際に特性が損なわれないシリコン膜からなるシリコンアイランドを半導体膜として有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置Ｄは、絶縁基板１１と、絶縁基板１１上に設けられた絶縁膜１３と、絶縁膜１３上に設けられたポリシリコン膜からなるシリコンアイランド１４と、を備える。半導体装置Ｄは、絶縁基板１１と絶縁膜１３との間に、平面視で、シリコンアイランド１４を内包するように設けられたパターン膜１２をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、結晶粒や成長方向の制御を確実に行うことができ、これにより半導体特性に優れたポリシリコン層を効率よく形成可能なシリコンの結晶化方法、熱処理を施すことにより良好な結晶化がなされる非晶質部を備える接合体、前記結晶化方法により形成された半導体部を備える半導体装置を製造する方法、および、この方法により製造された半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコンの結晶化方法は、ａ−Ｓｉ膜３０ａ（非晶質部）と、ｃ−Ｓｉの種結晶３０ｃとを用意する工程と、ａ−Ｓｉ膜３０ａの表面と種結晶３０ｃの表面に、それぞれエネルギーを付与する工程と、ａ−Ｓｉ膜３０ａと種結晶３０ｃとを接合し接合体３０５を得る工程と、接合体３０５を加熱することにより、ａ−Ｓｉ膜３０ａを結晶化する工程とを有する。これにより、ａ−Ｓｉ膜３０ａと種結晶３０ｃとの接合界面が成長核となって結晶化が進行する。 （もっと読む）

【課題】元となる単結晶ＳｉＣ基板の結晶多形の如何にかかわらず、その表面を４Ｈ−ＳｉＣ単結晶に改質することが可能な気相技術を提供する。
【解決手段】結晶多形が３Ｃ、４Ｈ、又は６Ｈの何れかよりなる単結晶ＳｉＣ基板５を高真空環境において加熱して、当該単結晶ＳｉＣ基板の表面に炭化層５ａを形成させる。次に、炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に前記単結晶ＳｉＣ基板を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら加熱することで、前記炭化層５ａをシリコンと反応させてアモルファスＳｉＣ層５ｂを生成させる。また、前記嵌合容器に前記単結晶ＳｉＣ基板を収容した状態で上記と同様の条件で加熱することで、前記犠牲成長層のアモルファスＳｉＣの少なくとも一部を再結晶させて単結晶４Ｈ−ＳｉＣ層５ｃを生成させる。 （もっと読む）

【課題】特性を向上させた炭化シリコン膜（半導体膜）の製造方法を提供する。
【解決手段】第１シリコン膜Ｓ１上に炭素源ガスを供給することにより前記シリコン膜上に第１炭化シリコン膜３を形成する第１工程と、前記第１炭化シリコン膜上に、第２シリコン膜５を形成する第２工程と、前記第２シリコン膜上にレーザを照射する第３工程と、前記第３工程後の前記第１炭化シリコン膜上に炭素源ガスおよび珪素源ガスを供給することにより第２炭化シリコン膜を形成する第４工程と、を有する。かかる方法によれば、レーザ照射により、第１炭化シリコン膜３を改質でき、当該膜上に成長する第２炭化シリコン膜の特性が良好となる。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域として用いるエピタキシャル成長結晶からゲート絶縁膜への不純物拡散による信頼性の低下を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、第１の面と、前記第１の面に対して傾斜した第２の面とを有するＳｉＧｅ結晶層を形成する工程と、前記ＳｉＧｅ結晶層上に非晶質Ｓｉ膜を形成する工程と、加熱処理を施すことにより、前記ＳｉＧｅ結晶層の前記第１および第２の面をシードとして、前記非晶質Ｓｉ膜の前記第１および第２の面の近傍に位置する部分を結晶化させてＳｉ結晶層を形成する工程と、前記非晶質Ｓｉ膜の加熱処理により結晶化しなかった部分を選択的に除去、または薄くする工程と、前記Ｓｉ結晶層の表面に酸化処理を施すことにより、前記Ｓｉ結晶層の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを備えた有機電界発光表示装置を開示する。
【解決手段】ゲッタリングサイトであって、ソース／ドレイン電極物質層を用いて半導体層に残存する結晶化のための金属触媒量を減少させて漏洩電流特性及び薄膜トランジスタの電気的特性を向上させるボトムゲート方式の薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを備えた有機電界発光表示装置に関する。基板と、基板上に位置するゲート電極と、ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置し、金属触媒を利用して結晶化した半導体層と、半導体層上に位置し、ソース／ドレイン領域に電気的に接続するソース／ドレイン電極とを含み、ソース／ドレイン電極下部の半導体層領域内には半導体層の表面から所定深さまで金属触媒と異なる金属または異なる金属の金属シリサイドが形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ技術を用いて半導体装置を作製する上で、パンチスルー電流を抑えるだけでなく、貼り合わせに用いるシリコンウエハーの再利用を実現できる構造を有する半導体装置、およびその作製方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハー１０１から分離された基板１０６に貼り合わせた半導体膜１０７に、ソース領域およびドレイン領域とは逆の導電型の不純物１０９、１１２を注入し、その上に単結晶半導体膜１１４を接合して得られる積層の半導体膜を用いてチャネル領域を形成する。 （もっと読む）

ＺＭＲ装置は、制御された温度のフローをシステム中に供給して、所望の結晶成長特性を与えながら、エネルギー消費を低下させる。装置は、冷却システムを含み、溶融した膜から所望量の熱を特に取り除いて、結晶化を促進することができる。さらに、装置は、チャンバー内でバックグラウンド温度を形成する加熱された壁を含むことができ、バックグラウンド温度は、チャンバー壁の冷却を減らすまたは無くすことにより、エネルギーの使用量を減らす。装置およびそれに対応する方法は、下側の基板に対して断熱を与える多孔性剥離層と直接的または間接的に結合した無機膜とともに、用いることができる。再結晶化された膜を基板から取りはずす場合、基板は再利用され得る。方法は、大きな表面積を有する、厚さが２ミクロン乃至１００ミクロンのシリコン膜に関して使用することができ、そのような膜は、光電用途および電子用途に適している。
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【課題】従来のＥＬＡ法による結晶化は、得られる結晶粒径が小さかったため、レーザ照射回数を数回以上にして大粒径化が行われているが、出力安定性や生産性、大型化によるＥＬＡ装置価格の上昇等種々の問題が発生している。
【解決手段】発明は、複数個のフラッシュランプ３ａ〜３ｎによる連続的な点灯により、非晶質シリコン層２の被処理面（横）方向に沿って所定の温度勾配を形成するアニール処理を施して、固相が連続的に成長するように、固相から液相に亘って適当な温度勾配を持たせながら、非晶質構造から多結晶構造に変換させて大粒径化された非晶質シリコン層２を有する半導体装置の製造方法、その製造装置、結晶化方法、半導体装置及び表示装置である。 （もっと読む）

【課題】粒界に金属シリサイドが分布する領域を減らすことにより、電流特性と電子の移動度を向上させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、金属誘導結晶化方法によって非晶質シリコン薄膜を結晶化薄膜２０ｂに結晶化する過程で、熱処理条件と金属触媒のドーピング量を最適化することにより粒界に金属シリサイドが分布する領域を減らし、多結晶シリコン薄膜２０ｂの表面にＯ₂ガスまたはＨ₂Ｏ蒸気を供給して多結晶シリコン薄膜２０ｂの表面に不動態膜３０ａを形成し、それにより、電流特性と電子の移動度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】絶縁体でなる基板から構成されるＳＯＩ基板を作製するに際し、貼り合わせ不良を低減することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁体でなる第１の基板上に第１の絶縁膜を介して第１の単結晶半導体膜が設けられた第１のＳＯＩ基板と、第１の基板と同じ材料で形成された第２の基板とを用意し、第１の単結晶半導体膜上に第２の単結晶半導体膜を形成し、第２の単結晶半導体膜にイオンを添加して剥離層を形成し、第２の単結晶半導体膜上に接合層として機能する第２の絶縁膜を形成し、第１のＳＯＩ基板の表面と第２の基板の表面とを対向させ、第２の絶縁膜の表面と第２の基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、剥離層を境として劈開することにより、第２の基板上に第２の絶縁膜を介して第２の単結晶半導体膜の一部が設けられた第２のＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】縦配置の半導体素子と横配置の半導体素子とのいずれにおいても結晶成長の方向とキャリアの流れる方向とが統一される半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】長尺ビームの照射及び移動を交互に繰り返して非晶質半導体膜を溶融して結晶性半導体膜を形成する半導体素子の製造方法であって、上記製造方法は、長尺ビームの照射前に非晶質半導体膜をパターニングする工程と、パターニングされた非晶質半導体膜の外縁を含んで長尺ビームを照射する工程とを含み、上記長尺ビームは、移動方向に対して略４５°をなす方向に傾けられている半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】大型基板上に多結晶シリコン(ポリシリコン)ＴＦＴを形成するために、基板上に形成した非晶質シリコン(アモルファスシリコン)膜をレーザ光で結晶化するプロセスにおいて、基板全面にわたり均一で大粒径の多結晶シリコンを容易に作成する。
【解決手段】基板上に形成した非晶質シリコン膜の平均膜厚を計測(ステップ201)し、この非晶質シリコン膜にレーザ光を照射(ステップ101)し、この照射で結晶化した多結晶シリコン膜の粒径分布を計測(ステップ102)し、多結晶シリコン膜の２つの点Ａ,Ｂにおける粒径の測定値(ステップ103〜105)から、適正なレーザ光照射エネルギー密度値を算出(ステップ106〜108)し、次の非晶質シリコン膜の平均膜厚を計測(ステップ110,201)し、この平均膜厚と１つ前の非晶質シリコン膜の平均膜厚とから照射するエネルギー密度値を算出(ステップ203,204)し、このエネルギー密度値をレーザ光照射系にフィードバック(ステップ109)する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減しつつ、高速動作が可能な回路を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を提供するための半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に非単結晶半導体層を形成した後、非単結晶半導体層の一部の領域上に単結晶半導体層を形成する。これにより、非単結晶半導体層を用いて大面積が必要とされる領域（例えば、表示装置における画素領域）の半導体素子を形成し、単結晶半導体層を用いて高速動作が求められる領域（例えば、表示装置における駆動回路領域）の半導体素子を形成することができる。 （もっと読む）