【課題】半導体基板の主面に形成した溝部表面へのイオン注入量やイオン注入深さのバラつきを抑え、イオンが注入されたドーパンド領域を活性化して、厚み、イオンドープ量、活性化状態がほぼ均一なドーパンド層を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の主面に溝部を形成し、該溝部を形成した半導体基板の主面側にイオンを注入した後、イオンが注入されたドーパンド領域にレーザを照射してアニール処理を行う半導体装置の製造方法であって、前記ドーパンド領域にイオンを注入する前に、前記溝部の側面にレーザを照射して、該溝部の側面の表面段差を平滑化する。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】金属原子が内部に拡散、侵入せず、かつ、結晶化方位や粒径を制御することのできる結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に金属触媒層８および第１非結晶シリコン層４ｘを形成した後、熱処理を行ない、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８との間での相互拡散により、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。その際、第１非結晶シリコン層４ｘは、多結晶シリコン層４ｙに変化する。金属触媒層８を除去した後、開口部１５ａを備えた絶縁層１５、および第２非結晶シリコン層１ｘを形成した状態で熱処理を行ない、第２非結晶シリコン層１ｘを、開口部１５ａの底部で多結晶シリコン層４ｙと接している部分を起点にして結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】短時間且つ低温で高品質な多結晶シリコンを形成する方法を提供する。
【解決手段】微結晶１１ａを含むアモルファス半導体膜１１にマイクロ波を用いたアニールを行うことで、微結晶１１ａを核として微結晶１１ａを含むアモルファス半導体膜１１を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００上に位置するバッファ層１１０と、バッファ層１１０上に位置する半導体層と、基板１００全面にわたって位置するゲート絶縁膜と、半導体層に対応するゲート電極と、ゲート電極と絶縁され、半導体層と接続されるソース／ドレイン電極とを含み、半導体層の上部表面には溝を含んでおり、上記溝には金属シリサイトが位置することを特徴とする薄膜トランジスタ及びその製造方法に関し、上記薄膜トランジスタを含む有機電界発光表示装置及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】特性の良い光電変換素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。または、簡単な工程で、特性の良い光センサ光電変換装置を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】光透過性を有する基板と、光透過性を有する基板上の絶縁層と、絶縁層上の、光電変換を奏する半導体領域、第１の導電型を示す半導体領域、および、第２の導電型を示す半導体領域を有する単結晶半導体層と、第１の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第１の電極と、第２の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第２の電極とを有する光電変換素子とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第１の導電層を形成する工程と、第１の導電層を覆うように第１の絶縁層を形成する工程と、第１の導電層と一部が重畳するように、第１の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるように第２の導電層を形成する工程と、半導体層および第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形成する工程と、第２の導電層と電気的に接続される第３の導電層を形成する工程と、半導体層を形成する工程の後、第２の絶縁層を形成する工程の前の第１の熱処理工程と、第２の絶縁層を形成する工程の後の第２の熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】微結晶化による非晶質シリコンの残留割合を下げ、かつ生産効率を向上することができる表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置の製造方法は、非晶質シリコンからなる第１の半導体層を形成する第１の半導体積層工程と、前記第１の半導体層の上面と接するとともに不純物が添加された第２の半導体層を形成する第２の半導体積層工程と、前記第２の半導体積層工程の後に行われ、前記第１の半導体層を加熱することにより前記第１の半導体層の少なくとも一部を微結晶化させる微結晶化工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】遮光層を有する構成でも、遮光層を有していない構成に対して液晶装置の製造工数や製造コストの上昇を抑えることができる半導体膜の形成方法および液晶装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体膜４０の形成方法は、基板１１上に、断面形状が台形状の遮光層２１ａを局所的に形成する遮光層形成工程と、遮光層２１ａを覆って、遮光層２１ａに重なる段差部２２ａを備えた絶縁層２２を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層２２上に、段差部２２ａを覆う非晶質の半導体膜４０を形成する半導体膜形成工程と、半導体膜４０をアニールして結晶化させる結晶化工程と、を備え、遮光層形成工程では、遮光層２１ａにおける上底側の角部Ｃ１，Ｃ２が直角または鈍角をなして角張るように形成し、絶縁層形成工程では、絶縁層２２の段差部２２ａにおける表面が角部Ｃ１，Ｃ２の形状に沿った形状となるように形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 良質な単結晶シリコン膜を製造する。
【解決手段】 （ａ）単結晶シリコン基板表面の一部に、長さ方向に長く、幅方向に短い凹部を形成する。（ｂ）凹部に、シリコン基板より熱伝導係数の小さい絶縁性の膜を埋め込む。（ｃ）工程（ｂ）で埋め込まれた絶縁性の膜の長さ方向と平行な方向に長く、長さ方向に平行な一方の縁が絶縁性の膜上にあり、長さ方向に平行な他方の縁がシリコン基板表面が露出した領域上にあるシリコン膜を形成する。（ｄ）シリコン膜にレーザビームを照射して、シリコン基板に接触している部分から絶縁性の膜上の部分に向かって結晶成長させることにより、シリコン膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】ＤＳＢ基板を用いてＨＯＴ構造の半導体基板を作製するに際し、その機能性基板の、互いに異なる結晶方位を有する結晶領域の境界における結晶欠陥の発生を抑制し、本来的な実用に足る前記ＨＯＴ構造の半導体基板を提供する。
【解決手段】第１の結晶方位を有するシリコン支持基板と、このシリコン支持基板上に直接的に形成され、前記シリコン支持基板の前記第１の結晶方位と異なる結晶方位を有する第１の結晶領域と、前記シリコン支持基板の前記第１の結晶方位と異なる結晶方位を有する第２の結晶領域とを有するシリコン機能性基板とを具えた半導体基板において、前記シリコン機能性基板の、前記第１の結晶領域及び前記第２の結晶領域の境界に、少なくとも前記シリコン支持基板の主面にまで達するような溝部を形成する。 （もっと読む）

【課題】 固相成長に伴う欠陥領域の発生を制御することができ、回路を配置できない領域を最小限にとどめ、ＳＯＩ結晶層を有効に活用することで製造コストの低減をはかる。
【解決手段】 半導体記憶装置の製造方法であって、シリコン基板上に形成された絶縁膜の複数箇所に開口部を設けた後、開口部が設けられた絶縁膜上及び該開口部内にアモルファスシリコン膜を形成し、次いで隣接する開口部間の中央付近でアモルファスシリコン膜を一方の開口部側と他方の開口部側とに分離する溝を形成し、次いで溝が形成されたアモルファスシリコン膜をアニールし、開口部をシードとして単結晶を固相成長させることによりシリコン単結晶層を形成し、次いでシリコン単結晶層上にメモリセルアレイを形成する。 （もっと読む）

本発明は、ハイブリッド基板の製造方法に関するものであり、このハイブリッド基板は、支持体基板（４０）と、連続的埋込み絶縁体層（４２）と、この層上の、第１の材料（２６）および少なくとも１種類の第２の材料（３２）からなる交互の領域を含むハイブリッド層（２６’）とを備えており、これらの２つの材料は、その性質および／またはその結晶特性において異なり、前記方法は、均質な基板（２２）上に第１および第２の材料からなる交互の領域を含むハイブリッド層（２６）を形成するステップと、このハイブリッド層、連続的絶縁体層（４２）、および支持体基板（４０）を組み立てるステップと、この組立てステップの前または後に均質な基板（４０）の少なくとも一部を除去するステップとを含む。
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【課題】高速動作が可能で駆動電圧の低い半導体素子を有する低消費電力な半導体装置を、複雑な工程を経ることなく作製することを目的とする。
【解決手段】半導体層の局所的に薄膜化された領域を、加熱処理により周辺の半導体層を溶融し、その溶融した半導体材料を流動させることによって形成する。薄膜化領域に開口を有する島状の半導体層を形成し、開口周辺の半導体層端部をレーザ光により局所的に加熱することによって溶融し、溶融した半導体材料を開口に流動させ開口を充填する。流動した半導体材料によって開口は埋められ、固化することによって膜厚の薄い半導体層領域となる。従って半導体層は局所的に薄膜化領域を有する連続した半導体層となる。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンの形成方法、前記ポリシリコンを備える薄膜トランジスタ、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上に絶縁層１２０を形成するステップと、絶縁層１２０上に第１電極１３１及び第２電極１３２を形成するステップと、絶縁層１２０上に第１電極１３１と第２電極１３２とを連結するように少なくとも一つのヒーター層１４０を形成するステップと、少なくとも一つのヒーター層１４０上にシリコンを含む非晶質物質層を形成するステップと、絶縁層１２０をエッチングしてヒーター層１４０の下部に貫通孔１２５を形成するステップと、第１電極１３１と第２電極１３２との間に電圧を印加してヒーター層１４０を加熱させることによって非晶質物質層をポリシリコン層１６０に結晶化させるステップと、を含むポリシリコンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】レーザビームで完全溶融させて、厚さが５０ｎｍ以下の大粒径結晶でなる半導体膜を形成する。
【解決手段】半導体膜の表面に断面が三角形の凸部を形成する。凸部の形状は錐体または三角柱である。半導体膜の凸部に入射したレーザビームは大きく屈折され、凸部と空気との界面で全反射されながら、基板に向かって進む。また、凸部からレーザビームを半導体膜に入射させているため、絶縁膜と半導体の界面に入射したレーザビームが全反射する確率が高くなる。このように、凸部からレーザビームを半導体膜に入射させることで、レーザビームが半導体膜中を伝搬している時間が長くなり、半導体膜の吸収率を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】厚さが４０ｎｍ以下の半導体膜をレーザビームで完全溶融させて、大粒径結晶とする。
【解決手段】絶縁表面上に島状の半導体膜１２を形成する。半導体膜１２に隣接して、ミラーとして機能する構造体１３を形成する。構造体１３は金属膜で形成される。半導体膜の上方からレーザビーム１４を照射する。構造体１３で反射されたレーザビーム１４は、側面１２ａから半導体膜１２に入射する。スネルの法則に従って、入射したレーザビーム１４は、半導体膜１２と空気の界面、および半導体膜１２と絶縁膜１１との界面で全反射されながら、半導体膜１２中を伝搬する。その結果、半導体膜１２が完全溶融し、大粒径結晶が形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は格別の工程の増加を伴うことなく、トランジスタの性能を飛躍的に改良するとともに小型化・高集積化した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】 基板上に形成された絶縁膜の側壁又は基板段差部の側壁を覆う絶縁膜に接して形成された半導体結晶化薄膜をチャネルの一部とすることを特徴とする薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】フィン構造体及びこれを適用したフィントランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】側面を持つメサ構造体を基板に複数形成した後、この上に半導体層を形成するフィン構造体の製造方法を提供する。半導体層上にはキャッピング層が形成され、したがって、半導体層は、キャッピング層により保護され、フィン構造体で製造される部分を持つ。キャッピング層は、平坦化によりその上部が一部除去され、これを通じてメサ構造体の上面に位置する半導体層が除去され、したがって、メサ構造体の側面に相互隔離されたフィン構造体が形成される。これにより、非常に狭い幅のフィン構造体を形成でき、フィン構造体の厚さ及び位置の制御が非常に容易になる。 （もっと読む）

【課題】液状シリコンを利用して薄膜トランジスタのポリシリコンチャネル層を形成することによって、製造工程を単純化した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたソース／ドレイン電極と、ソース／ドレイン電極上の全面に形成されたドーピング層と、ソース／ドレイン電極間にゲート絶縁膜とドーピング層上に形成されたポリシリコンチャネル層とを含み、ドーピング層は、チャネル層とオーバーラップする領域に形成された。 （もっと読む）