【課題】ばらつきを抑え、かつ、製造歩留まりの高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル形成領域が非単結晶半導体層で形成される薄膜トランジスタを有し、前記非単結晶半導体層は、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、一方向に略平行に延びる結晶粒界を含み、該結晶粒界の間隔は１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることを特徴とする、半導体装置及びその作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で構造膜を加熱して構造膜の結晶構造をに確実に変換でき、かつ生産性に優れたレーザーアニール装置を提供する。
【解決手段】ガスシャワーヘッド１３は、全体が例えばアルミニウム合金等で形成された筐体１４からなる。そして、レーザー光Ｒを入射させる入射開口２１と、レーザー光Ｒを基板１に向けて出射させる出射開口２２との間を結ぶ中空のレーザー導光路２３が形成されている。第一噴射口２６よりも入射開口２１寄り、即ち上傾斜部２４の一部には、シールドガス導入部を構成する第二噴射口２７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。また、効率のよい半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。また、不純物元素を含有するような大面積基板を用いる場合において、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置の大面積化及び作製効率の向上を可能とするために、複数の単結晶半導体基板を同時に処理して、ＳＯＩ基板を作製する。具体的には、複数の半導体基板の処理を同時に可能とするトレイを用いて、一連の工程を行う。ここで、トレイには単結晶半導体基板を保持するための凹部が設けられている。また、作製した半導体素子の特性に影響を与える不純物元素に対してバリア層として機能する絶縁層を設けることにより、半導体素子の特性の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。
【解決手段】矩形状の複数の単結晶半導体基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域し、また、複数の単結晶半導体基板表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をトレイに配置して、ベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。
【解決手段】矩形状の単結晶半導体基板を複数用意する。各単結晶半導体基板に、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域を形成し、各単結晶半導体基板の表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層が形成された複数の単結晶基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜トランジスタを用いた表示デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の表示デバイスは、画素駆動用トランジスタと、該画素駆動用トランジスタの動作を制御する周辺回路部用トランジスタとを有し、前記周辺回路部用トランジスタは、絶縁性基板と、該絶縁性基板表面上に形成された第１の絶縁バッファ層と、該第１の絶縁バッファ層の表面上に形成された第１のシリコン層と、該第１のシリコン層の表面上に形成された第２の絶縁バッファ層と、該第２の絶縁バッファ層の表面上に形成された第２のシリコン層を備え、該第２のシリコン層が前記周辺回路部用トランジスタの活性層であり、前記画素駆動用トランジスタは、前記第１の絶縁バッファ層表面上に形成された、前記第１のシリコン層と同一層の第３のシリコン層を備え、該第３のシリコン層が、前記画素駆動用トランジスタの活性層である。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置、及び該表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域を含む微結晶半導体膜を有し、該微結晶半導体膜のチャネル形成領域には、ソース電極及びドレイン電極と重ならない領域に選択的に一導電型を付与する不純物元素を含む不純物領域が設けられている。チャネル形成領域において該不純物元素の添加領域である不純物領域とソース領域及びドレイン領域との間には、該一導電型を付与する不純物元素の非添加領域が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ダングリングボンドの発生を抑制することを課題とする。
【解決手段】半導体膜を形成し、前記半導体膜に、一導電性を有する不純物元素を添加して、前記半導体膜中に、不純物領域、及び、チャネル形成領域を形成し、前記島状半導体上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成し、前記半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極を覆って、フッ素を含む絶縁膜を形成し、前記半導体膜、前記フッ素を含む絶縁膜を加熱し、前記フッ素を含む絶縁膜を加熱した後に、前記フッ素を含む絶縁膜上に、前記不純物領域に電気的に接続される配線を形成する半導体装置の作製方法に関するものである。前記フッ素を含む絶縁膜は、フッ素を含む酸化珪素膜、フッ素と窒素を含む酸化珪素膜、フッ素を含む窒化珪素膜のいずれか１つである。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置、及び該表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域を含む微結晶半導体膜を有し、該微結晶半導体膜のチャネル形成領域には、ソース電極及びドレイン電極と重ならない領域に選択的に一導電型の不純物元素を含む不純物領域が設けられている。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧などのばらつきを低減させることができ、信頼性の高い高性能なＴＦＴ特性を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、基板上に形成され、ソース領域４ｃ、ドレイン領域４ｄ及びチャネル領域４ｂを有する多結晶半導体層４ａと、多結晶半導体層４ａのソース領域４ｃ及びドレイン領域４ｄ上に形成された金属性導電層６と、多結晶半導体層４ａと金属性導電層６との間に形成された合金層５とを有し、多結晶半導体層４ａは、チャネル領域４ｂの膜厚が、金属性導電層６が形成された領域の膜厚より薄くなるように形成された凹部４ｅを有し、凹部４ｅの深さＸと、合金層５の膜厚Ｙと、金属性導電層６の膜厚ｔとが、次の関係を満たしている。
０．１ｔ≦Ｙ≦０．３ｔ
０．３Ｙ≦Ｘ≦２Ｙ （もっと読む）

横方向に結晶化された薄膜上に作製される薄膜トランジスタデバイスにおいて高い均一性を生成する方法が述べられる。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、結晶基板内に配設されるチャネルエリアを備え、前記結晶基板は、互いにほぼ平行であり、かつ、ほぼ等しい間隔だけ離間する結晶粒界を含む。チャネルエリアの形状は、複数の結晶粒界に実質的に垂直に配向する２つの対向する側部縁を有する非等角多角形を含み、多角形は、複数の結晶粒界に実質的に垂直に配向する２つの対向する側部縁を有する。多角形は、さらに、上側縁および下側縁を有する。上側および下側縁のそれぞれの少なくとも一部分は、結晶粒界に対してある傾斜角度で配向する。傾斜角度は、多角形によって覆われる結晶粒界の数が、結晶基板内のチャネルエリアのロケーションに無関係になるように選択される。 （もっと読む）

【課題】レーザ条件の変動あるいは装置異常による不良が連続して発生するのを防いで、レーザアニール工程での不良を防止し、高歩留まりに表示装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】局所的なレーザアニールにより帯状結晶シリコン領域を形成しつつ、並行してレーザを照射した領域の結晶状態および適正な帯状結晶領域の寸法を評価する。評価結果が基準を充たしていない場合にはレーザ条件を適正化するように制御装置に通信を送って、レーザ条件を適正化した後、次の領域をアニールする。あるいは、必要に応じて装置を緊急停止する。アニールと検査を継続して基板内の所望の領域のアニールが完了すると、基板を搬出する。 （もっと読む）

【課題】レーザ結晶化時に発生する結晶粒界の位置を制御することが可能なレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザ発振器１０１から射出したレーザ光を、位相シフトマスク１０３を介して長軸方向の強度分布を有するレーザ光へと変調し、シリンドリカルレンズ１０４及びレンズ１０５によって、絶縁基板上に設けられた非晶質半導体膜に転写し、レーザ光を走査して、非晶質半導体膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】高性能化を実現でき、かつ信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る薄膜トランジスタは、ゲート電極７と、ゲート電極７の下にゲート絶縁膜６を介して形成されたチャネル領域４ｃ、このチャネル領域４ｃを挟むソース領域４ａ及びドレイン領域４ｂを有する半導体層４と、ソース領域４ａ直上に形成されたソース側−導電薄膜５ａ、ドレイン領域４ｃ直上に形成されたドレイン側−導電薄膜５ｂを有する導電薄膜５とを備え、導電薄膜５のうちの少なくともドレイン側−導電薄膜５ｂは、チャネル領域４ｂ直上まで延在されている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置を構成する電気光学装置用基板のサイズを所望のサイズに形成する。
【解決手段】液晶装置１における画像表示面において、画像表示領域１０ａは、Ｘ方向及びＹ方向の夫々に沿って一定のピッチで配列された複数の画素ＰＸから構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａに重なる画素回路形成領域１０ｂのうち非素子形成領域４２５によって互いに隔てられた複数の素子形成領域４０１領域に、複数の画素ＰＸの夫々に対応するトランジスタ素子Ｔｒが形成されている。 （もっと読む）

【課題】しきい値制御された、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜にしきい値制御のための不純物元素をイオン注入法により添加し、その後、レーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。そして、微結晶半導体膜上にバッファ層を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】被対象物面上に所定サイズ且つ高密度なレーザパワー密度の矩形レーザスポットの提供。
【解決手段】 レーザ光を発光するレーザ光源のレーザパワーを制御する制御部と、レーザ光を透過するコア部１６及び該コア部１６を覆うクラッド部１７から成る光導波路部１と、該光導波路部１の出射端面１５から出射したレーザ光を所定形状のレーザスポットを形成するレンズ２とを備え、前記光導波路部１の出射端面１５が、一辺長を１μm〜２０μm、該一辺と直交する他辺長を１ｍｍ〜６０ｍｍとした矩形形状のコア部１６を有し、レーザ光源のレーザパワーを、前記コア部１６から出射するレーザスポットのパワー密度を０．１ｍＷ／μm^２以上となる値に設定する半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】ソース領域及びドレイン領域よりチャネル形成領域の膜厚が薄いＳ値の向上されたボトムゲート型薄膜トランジスタを簡単な工程で作製可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板の表面のチャネル形成領域に対応する箇所に島状導電膜を形成し該島状導電膜を絶縁膜で覆って凸部を形成する。形成された凸部を覆うアモルファス半導体膜を成膜した後、レーザ光を照射して半導体膜を溶融状態にして結晶化する。凸部上の溶融した半導体は凸部の両側に隣接する領域へと流れ、それによって凸部上に位置する半導体膜（チャネル形成領域）が薄膜化される。 （もっと読む）

【課題】特性が均一な微結晶半導体を有する半導体装置を効率良く提供することを課題とする。また、高品質な電子機器を効率良く提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、半導体層が完全溶融する光強度のパルスレーザー光を照射することにより、微結晶半導体領域を形成する。これにより、特性が均一な微結晶半導体領域を有する半導体装置を作製することができ、また、これを用いて、高品質な電子機器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を生産性よく作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜の表面からレーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。次に、結晶性が改善された微結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）