【課題】トランジスタの役割に応じて能動層を構成する結晶シリコン層の結晶粒の粒径を
異ならせることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】このＥＬ装置１００（表示装置）は、金属層２１および基板１の表面上に形
成されるバッファ膜２２および２３と、金属層２１が形成されない領域上のバッファ膜２
３の表面上に形成される能動層２４を有する画素選択用トランジスタ７と、金属層２１が
形成される領域上のバッファ膜２３の表面上に形成される能動層２５を有する駆動電流制
御用トランジスタ８とを備え、駆動電流制御用トランジスタ８の能動層２５を構成する結
晶シリコン層５０（結晶シリコン領域５０ｂ）の結晶粒の平均粒径は、画素選択用トラン
ジスタ７の能動層２４を構成する結晶シリコン層５０（結晶シリコン領域５０ａ）の結晶
粒の平均粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製工程において、高調波のＣＷレーザを半導体膜上に相対的に走査させながら照射すると、走査方向に延びた長い結晶粒がいくつも形成される。このようにして形成された半導体膜は前記走査方向においては実質的に単結晶に近い特性のものとなるが、高調波のＣＷレーザの出力が小さくアニールの効率が悪い。
【解決手段】第２高調波に変換されたＣＷレーザと同時に基本波のＣＷレーザを半導体膜の同一部分に照射することで、出力の補助を行う。通常、基本波は１μｍあたりの波長域に入り、この波長域では半導体膜に対する吸収が低い。しかしながら、可視光線以下の高調波を基本波と同時に半導体膜に照射すると、高調波により溶かされた半導体膜に基本波はよく吸収されるため、アニールの効率が著しく上がる。 （もっと読む）

【課題】２ショット法においても位相シフタの位置合せのためのアライメント作業効率が高く、処理のスループットを向上させることができ、また、材質や厚みの異なる位相シフタを使用する処理においても後工程に使用する位置合せマークの寸法と形状の変化のない結晶化装置用位相シフタ、結晶化装置及び結晶化方法を提供する。
【解決手段】結晶化装置用位相シフタ５は光学部材５１，６１の固有の光学特性に応じて光学部材の各々を基準位置に対してそれぞれ位置合せするために、光学部材の各々に１対１に対応して設けられた第１のアライメントマーク8と、結晶化領域の各々に１対１に対応するようにレーザ光の照射により被処理基板上に転写され、該転写マークを用いて結晶化後の被処理基板を次工程以降の装置に対して位置合せするために、ホルダ５０Ａに設けられた第２のアライメントマーク51x,51yとを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び再現性良く、高性能poly-Si薄膜が形成可能な、微結晶化判定方法を提供する。
【解決手段】表面にa-Si膜が形成された基板１８に、線状に整形されたパルスレーザ光を、線状レーザ光の短軸方向に移動しながらスキャン照射して、複数のエネルギー密度で、照射領域１９を形成する。白色平面光源１５から、レーザ光の長軸方向に並行に平面光を入射し、その反射光をＣＣＤ受光素子で受光する。ＣＣＤ受光素子が受光した反射光を解析して、微結晶化しきい値を判定し、その判定した微結晶化しきい値に基づいて、本照射を行う際のパルスレーザ光のエネルギー密度を決定する。エネルギー密度の減少に伴って、結晶粒径データの周期性が崩れる状態に移行するときのエネルギー密度を、基板表面の微結晶化しきい値とする。 （もっと読む）

【課題】放射エネルギーを用いて基板を処理するのに好適な装置を提供すること。
【解決手段】本発明の装置は、レーザダイオードアレイのような放射エネルギーの少なくとも１つの線光源（１２）を含む。この装置はまた、線光源から放射エネルギーを受け取り、かつ、基板上に比較的均一な線像を形成するようにこのようなエネルギーを指向させるように位置付けられたアナモルフィック光学リレー（２２）を含む。この装置はまた、アナモルフィック光学リレーの焦点面に位置付けられた少なくとも１つのデリミッタアパーチャと、その後にある結像リレーとを含み、これにより、基板は、回路間のスクライブ線に位置付けられた隣接するストリップ間の境界によって、ストリップ状に露光され得る。コントローラおよび他の素子を用いて、光源出力と、線像に対する基板の位置および速度とを制御し、これにより、所望量の均一なドーズが基板上で達成され得る。 （もっと読む）

【課題】大型マザーガラスに対して、ムラのない均一なレーザアニール処理を行うことができるレーザアニール装置及びレーザアニール方法の提供。
【解決手段】可視光を連続発振する複数のレーザ発振器１０１と、複数のレーザ発振器に接続された複数の光ファイバー１０２であって、それぞれの光ファイバーの一端がそれぞれのレーザ発振器に接続されている光ファイバーと、複数の光ファイバーのそれぞれの他端が配置されるファイバーアレイ１０３と、ファイバーアレイ上に配置された光ファイバーの他端の射出面から射出されたレーザ光を、非晶質シリコン半導体膜が表面に堆積している基板１０５の照射面上にて線状に整形する光学系１０４と、線状ビームと基板とを相対的に走査する機構とを有してなる。このレーザアニール装置を用いて、基板上の非晶質シリコン半導体膜をレーザアニールして結晶質シリコン半導体膜を形成する。 （もっと読む）

本開示は、基板表面上で継続的に前進する、長く狭いビーム形状のパルス照射を使用する、薄膜の結晶化のためのシステムおよび方法を説明する。本方法は、結晶化領域の質および性能の変動が減少された結晶化膜を提供する。一態様において、本方法は、第１の走査において、ｘ軸およびｙ軸を有する膜に、膜のｘ方向に複数の線状ビームレーザーパルスを継続的に照射して、第１のセットの照射領域を形成することと、該膜を、膜のｙ方向に、ある距離平行移動することであって、該距離が前記線状ビームの長さ未満である、平行移動することと、第２の走査において、膜の負のｘ方向に一連の線状ビームレーザーパルスを膜に継続的に照射して、第２のセットの照射領域を形成することと、を含み、第２のセットの照射領域のそれぞれが、第１のセットの照射領域の一部分と重複し、第１のセットおよび第２のセットの照射領域のそれぞれが、冷却時、１つ以上の結晶化領域を形成する。
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【課題】ガラス基板のような耐熱性の低い基板をベース基板として使用した場合にも、実用に耐えうるＳＯＩ基板の作製方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板の作製において、ボンド基板中に脆化層を形成する際の水素イオンドーズ量を、ボンド基板の分離下限となる水素イオンドーズ量より増加して脆化層を形成し、ベース基板に貼り合わせたボンド基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体膜が形成されたＳＯＩ基板を形成し、該単結晶半導体膜の表面にレーザ光を照射して作製する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再結晶化し、結晶欠陥を修復する。また、単結晶半導体層の結晶性を最良とするレーザ光のエネルギー密度をマイクロ波光導電減衰法によって検出する。 （もっと読む）

【課題】線状の結晶斑や輝度斑の発生を防止すること。
【解決手段】複数の半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｆから任意のレーザ出力値のレーザ光を発光する複数のドライバ４３Ａ〜４３Ｆを備え、複数のレーザ光源から発光される複数のレーザ光を導光板３４を介して出射することによって線状のレーザスポット４５を形成し、該レーザスポット４５を照射対象物に照射するレーザ照射装置であって、照射対象物を搭載する移動ステージを所定速度で移動させ且つ前記複数のドライバ４３Ａ〜４３Ｆにより半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｆ毎のレーザ出力値を単位時間当たりの総和を保ちながら時間経過に伴って変化させることにより、線状レーザスポットの長手方向のレーザ出力値の変位を表すレーザプロファイルを時間的に変化させながら線状レーザスポットを照射対象物に照射するもの。 （もっと読む）

【課題】従来の点状のプラズマジェットによる非晶質薄膜の結晶化に比べて、より短時間で、均一な多結晶薄膜を得ることができる非晶質薄膜の結晶化装置及び結晶化方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【解決手段】非晶質薄膜２０を形成した絶縁基板２１を、前記非晶質薄膜２０が上向きになるように載置するためのステージ３０と、前記非晶質薄膜２０と対向する位置に設けられ、内部４０ａに所定のプラズマ発生ガス５０を導入してプラズマジェットを発生し、前記非晶質薄膜２０に対して照射したプラズマ照射領域を上から取り囲むトンネル状の被覆部材４０と、該被覆部材４０の頂部外面に被覆部材４０の長手方向に線状に接触した状態で配設される上側電極６０と、前記絶縁基板２１の下方であって、かつ前記上側電極６０と対向して配設される下側電極７０と、高周波電源８０とを具える。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタを形成する領域のみ、アモルファスシリコン薄膜を結晶化させることができるレーザー結晶化法を提供する。
【解決手段】 基板１上に成膜したアモルファスシリコン薄膜２にレーザー光を照射して結晶化する結晶化法であって、アモルファスシリコン薄膜２の所望の局所領域に吸収剤層３を印刷する吸収剤印刷工程と、吸収剤層３への吸収があってアモルファスシリコン薄膜２への吸収が無い波長を有する半導体レーザー光Ｌを、前記局所領域を含むアモルファスシリコン薄膜４に向けて照射し、吸収剤層３を加熱することにより、アモルファスシリコン薄膜２の前記局所領域を結晶化させるレーザーアニール工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光強度分布を均一化したレーザアニール装置及びレーザアニール方法の提供。
【解決手段】レーザ光源となる複数の半導体レーザ素子１０の任意の半導体レーザ素子による発光を停止させて他の半導体レーザ素子による発光による一部停止プロファイルを複数取得し、この複数の一部停止プロファイルによる複数の光強度偏差を取得し、最小の光強度偏差を算出したときに発光した半導体レーザ素子群を選択し、該選択した半導体レーザ素子群のみを発光させることによって、光導波路１１を用いてレーザ光を案内する半導体レーザアニールにおいてもビームスポットの光強度分布を好適に均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン層を改質して多結晶シリコン層を形成するための手段として用いられるレーザアニール装置を用いる場合、レーザ光の干渉により、一部の領域が明るくなる。この状態でレーザアニールを行うと、一部の領域に対応する多結晶シリコン層の特性が線状の分布を持つ。そのため、肉眼で検出され易い線状の欠陥が発生するという課題がある。
【解決手段】レーザアニール装置の光学系内に、循環ポンプ２１１を用いて液体２１２中に粒子２１３を浮遊させ、循環させる光散乱装置２００を配置する。粒子２１３の存在により、レーザ光は散乱されるため、レーザ光の可干渉性を抑えると共に、時間の経過と共に粒子２１３を移動させることで、干渉縞が発生する位置を変え、視覚的に認識し易い線状欠陥の発生を抑えることを可能とするレーザアニール装置を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レーザーアニールによる半導体層の均一性を増大させる方法を提供する。
【解決手段】半導体層の構造を変化させるプロセスおよび装置に関し,次のプロセスステップを有する。すなわち、半導体層３０の少なくとも１つの領域を第１のレーザ光３５で照射するステップと、半導体層３０の少なくとも１つの領域を少なくとも１つの第２のレーザ光２７で照射するステップとを有し、第１のレーザ光３５を照射した後に第２のレーザ光２７を一時的に照射し、第１のレーザ光３５の放射強度は第２のレーザ光２７よりも低く、第１のレーザ光３５および第２のレーザ光２７は１つのレーザビーム２１から生成される。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を照射することにより単結晶半導体層の結晶性を回復させる場合であっても、レーザー光の照射時に酸素が取り込まれるのを抑制し、レーザー光の照射前後において、単結晶半導体層に含まれる酸素濃度を同等又は低減することを目的の一とする。
【解決手段】貼り合わせによりベース基板上に設けられた単結晶半導体層にレーザー光を照射して当該単結晶半導体層の結晶性を回復（再単結晶化）させる工程を有し、レーザー光の照射を還元性雰囲気下または不活性雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】バッファー膜、光熱変換膜を形成および除去する工程を経ることなく、ガラス基板上に形成した非晶質シリコン膜の所望の領域に直接、連続発振レーザ光を照射して微結晶シリコン膜に変換することにより、特性バラツキが小さく、特性の方向依存性のないトランジスタで構成された平面表示装置を製造する。
【解決手段】透明基板３１上に成膜した非晶質シリコン薄膜３３の所望の領域に、連続発振レーザ光を矩形状で均一なパワー密度分布を有するビームに整形し、連続発振レーザ光の照射時間（任意の点の通過時間）が０．５ミリ秒以上となる条件で定速走査しながらレーザ光３６を照射し、微結晶シリコン薄膜３４に変換する。このとき、照射するレーザ光の波長として、非晶質シリコンに対する浸透深さ（吸収係数の逆数）が非晶質シリコン膜の膜厚より大きく、かつ非晶質シリコンに対する吸収係数が結晶シリコンに対する吸収係数より大きい波長を選択する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を半導体膜に照射する半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】発振器からレーザー光を発振させ、シリンドリカル凹レンズ及び第一のシリンドリカル凸レンズを通過させることにより、レーザー光の断面の第一の方向に伸長させ、第一のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向におけるエネルギー密度の分布を均一にし、第二のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向と直交する第二の方向におけるエネルギー密度の分布を均一にし、且つ第二の方向に伸長させ、第二のシリンドリカル凸レンズを通過させることにより、第一の方向に収束させ、第二のシリンドリカル凸レンズを通過したレーザー光を、半導体膜に照射する。 （もっと読む）

【課題】基板が設置されたステージをＸ方向やＹ方向に移動させるレーザー照射装置は、基板が大型化した場合、比例してフットプリント（処理に必要とされる平面での面積）が格段に大きくなり、装置全体の巨大化を招く問題が生じてしまう。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】連続的に搬送される非結晶シリコン（アモルファスシリコン）に対して、フラッシュランプからの閃光照射によって、多結晶シリコン（ポリシリコン）を作製する光加熱装置及び作製方法を提供する。
【解決手段】連続的に搬送される被処理物に対して光を照射して加熱する光加熱装置であって、閃光を放射する棒状のフラッシュランプ３１、及びフラッシュランプ３１からの光を反射して集光する樋状の反射鏡３２を備えた閃光照射部３と、連続光を放射する棒状のランプ４１、及びランプ４１からの光を反射して集光する樋状の反射鏡４２とを備えた光照射部４とを備え、棒状のフラッシュランプ３１と棒状のランプ４１は、双方のランプの長手方向が平行となるように配置されると共に、双方のランプの長手方向が前記被処理物の搬送方向に対して直交するように配置されることを特徴とする光加熱装置である。 （もっと読む）