【課題】ビームスポットの面積を飛躍的に広げ、結晶性の劣る領域の占める割合を低減することができるレーザ照射装置の提供を課題とする。また連続発振のレーザ光を用いつつ、スループットをも高めることができる、レーザ照射装置の提供を課題とする。さらに本発明は、該レーザ照射装置を用いたレーザ照射方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】高調波のパルス発振の第１のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第２のレーザ光を照射する。具体的に第１のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長（８９０ｎｍ以下程度）を有する。第１のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第２のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第２のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒成長の大きさ、方向性を均一化し、特性のばらつきを抑えることが可能な半導体装置の製造方法、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、絶縁表面を有する基板上に、非晶質のＳｉ膜を形成し、Ｓｉ膜の第１の領域及び第２の領域に、第１導電型の第１の不純物を注入し、第１のレーザー光を、第１の方向に走査してＳｉ膜上に照射することにより、Ｓｉ膜を溶融固化させて結晶化するとともに、第１の不純物を活性化し、第２の領域をマスクし、第１の領域に、第１の不純物より軽元素である第２導電型の第２の不純物を、第1の不純物より高濃度となるように注入し、第２の不純物を活性化する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜のパルスレーザ光を照射してアニールする際に、適正なパルスエネルギー密度を高くすることなく該パルスエネルギー密度のマージンを大きくすることを可能にする。
【解決手段】パルスレーザ光を出力するレーザ光源と、パルスレーザ光を整形して処理対象の半導体膜に導く光学系と、パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置するステージとを有し、前記半導体膜に照射される前記パルスレーザ光が、パルスエネルギー密度で最大高さの１０％から最大高さに至るまでの立ち上がり時間が３５ｎ秒以下、最大高さから最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間が８０ｎ秒以上であるものとすることで、結晶化などに適したパルスエネルギー密度を格別に大きくすることなく、そのマージン量を大きくして、良質なアニール処理をスループットを低下させることなく行う。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の成長方向を多結晶化すべき位置に応じて任意に調整することができ、その位置において、結晶粒の成長方向が一定の方向に揃った低温ポリシリコン膜を得る。
【解決手段】マスク３には、一方向に延びるレーザ光の遮光領域３１と透過領域３２とが、前記一方向に垂直の方向に隣接するように設けられている。このマスク３を介してマイクロレンズ５によりレーザ光をチャネル領域形成予定領域７に照射する。透過領域３２を透過したレーザ光が、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜に照射されてこの部分をアニールして多結晶化する。次に、マスク３を取り外して、予定領域７の全体にレーザ光を照射すると、既に多結晶化している領域は融点が上昇していて溶融せず、アモルファスのままの領域が溶融凝固して多結晶化する。 （もっと読む）

【課題】複数の波長のレーザ光をそれぞれにパルス幅を延ばした上で出射させることができるようにする。
【解決手段】基本波と共に第２高調波，第３高調波を含むレーザ光を、ダイクロイックミラー３１，３２によって波長毎のレーザ光Ｌ１〜Ｌ３に分離する。それぞれを、偏光ビームスプリッタ５１（Ｌ１）〜５１（Ｌ３）によってＰ偏光成分Ｌ１Ｐ〜Ｌ３ＰとＳ偏光成分Ｌ１Ｓ〜Ｌ３Ｓとに分離する。Ｓ偏光成分Ｌ１Ｓ〜Ｌ３Ｓを、一対の全反射ミラー４２（Ｌ１）〜４２（Ｌ３），４３（Ｌ１）〜４３（Ｌ３）によって、Ｐ偏光成分Ｌ１Ｐ〜Ｌ３Ｐに直交する方向に屈折させる。そして、Ｐ偏光成分Ｌ１Ｐ〜Ｌ３ＰとＳ偏光成分Ｌ１Ｓ〜Ｌ３Ｓとを、偏光ビームスプリッタ５２（Ｌ１）〜５２（Ｌ３）で波長毎に同一光軸上に合成する。更に、偏光成分を合成した波長毎のレーザ光Ｌ１〜Ｌ３を、ダイクロイックミラー３３，３４によって同一光軸上に合成して出力する。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザの照射によってシリコン薄膜を結晶化させる際に、均一な結晶化を達成する。
【解決手段】パルスレーザを出力するレーザ発振器と、前記パルスレーザを非晶質半導体に導く光学系と、前記パルスレーザを前記非晶質半導体に対し走査して照射するべく前記非晶質半導体を相対的に移動させる移動装置とを備え、前記レーザ発振器は、出力されるパルスレーザが時間的強度変化において１パルスに複数のピーク群を有し、該ピーク群のうち、最大高さを有する第１のピーク群と、その後に現れる第２のピーク群とが、ピーク強度値で（第２のピーク群）／（第１のピーク群）≦０．３５の関係を満たす製造装置とし、前記パルスレーザを非晶質半導体に照射して均一な特性を有する結晶質半導体を得る。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールに際し、レーザ出力の変動に拘わらず結晶化の均一性を確保する。
【解決手段】パルスレーザ光を非単結晶半導体膜であるシリコン膜に照射して前記非単結晶半導体膜を結晶化する半導体膜のレーザアニール装置において、第１ピークに最大ピーク高さを有するパルスレーザ光を出力するレーザ発振器１と、パルスレーザ光を非単結晶半導体膜に導く光学系４と、非単結晶半導体膜に照射されるパルスレーザ光のパルス波形における最大ピーク高さを測定する最大ピーク高さ測定部と、最大ピーク高さ測定部の測定結果を受けて、レーザ発振器１の発振条件の変化により変化するパルス波形において最大ピーク高さが所定の高さとなるように、レーザ発振器１から出力されるパルスレーザ光のレーザパルスエネルギーまたは可変減衰器２の減衰率を制御する制御部８を備える。 （もっと読む）

【課題】不完全結晶成長領域を含まない多結晶シリコンでゲート電極または遮光部材のような金属パターン上に位置する半導体層を形成することにより、駆動特性及び信頼性を向上させる薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを含む表示装置を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンで形成された半導体層１４２を含む薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層と基板１１０との間に前記半導体層と絶縁するように位置する金属パターンをさらに含み、前記半導体層の多結晶シリコンは、結晶成長方向と平行な結晶粒界を含み、表面における波状線の最大ピークと最小ピークとの間の距離として定義される表面粗度が１５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を半導体膜に照射する半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】発振器からレーザー光を発振させ、シリンドリカル凹レンズ及び第一のシリ
ンドリカル凸レンズを通過させることにより、レーザー光の断面の第一の方向に伸長させ
、第一のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向におけるエネルギー密度の分
布を均一にし、第二のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向と直交する第二
の方向におけるエネルギー密度の分布を均一にし、且つ第二の方向に伸長させ、第二のシ
リンドリカル凸レンズを通過させることにより、第一の方向に収束させ、第二のシリンド
リカル凸レンズを通過したレーザー光を、半導体膜に照射する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の方向とチャネル領域の方向とが直交しているトランジスタの性能を向上させるとともに、各トランジスタの特性のバラツキを少なくする。
【解決手段】本発明の結晶性半導体膜の形成方法は、基板１１上にアモルファスシリコン膜（非晶質半導体膜）１２を形成する工程と、第１のレーザ光２０ａおよび基板１１のうちの少なくとも一方を移動させながら、アモルファスシリコン膜１２に対して第１のレーザ光２０ａを照射し、その移動方向に沿って半導体膜の結晶を成長させてアモルファスシリコン膜１２から多結晶シリコン膜（結晶性半導体膜）１３を得る工程と、多結晶シリコン膜１３に対して、第１のレーザ光２０ａよりもエネルギー量の小さい第２のレーザ光３０ａを照射して、半導体膜の厚さ方向に対して結晶を成長させて、再結晶化後の多結晶シリコン膜（結晶性半導体膜）１４を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れた薄膜トランジスタを提供する。また半導体装置の作製において有
用な半導体薄膜を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部を除去して、活性層を
形成し、トップゲート型薄膜トランジスタまたはボトムゲート型薄膜トランジスタを作製
する。また、プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１
×１０^２１／ｃｍ^３で含む半導体膜を剥離層として用いた半導体装置を作製する。また、
プラズマＣＶＤ法により作製された希ガス元素を１×１０^２０／ｃｍ^３〜１×１０^２１／
ｃｍ^３で含む半導体膜をゲッタリングサイトとして用いた半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】基板をレーザ処理装置に搬入した後、基板を９０°回転させる際に、回転途中でガス雰囲気が乱れるのを防止する。
【解決手段】ガス噴射口（６）が基板（Ｐ）の第１辺（ｐ１）の中央部の近傍に位置するように基板（Ｐ）を搬入し（二点鎖線）、次に基板（Ｐ）の中心がガス噴射口（６）に近づくように基板（Ｐ）を直線移動し（実線）、次に基板（Ｐ）の中心を回転軸として基板（Ｐ）を９０°水平回転する。
【効果】回転途中にガス噴射口（６）の端部がシールカバー（８）の外へ出てしまうことがないから、ガスが逃げてガス雰囲気が乱れることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】被照射物内に厚さのばらつきが存在する場合であっても、被照射物に対してレーザ光の照射を均一に行うレーザ光の照射方法を提供する。
【解決手段】厚さのばらつきが存在する被照射物にレーザ光を照射する際に、オートフォーカス機構を用いることによって、被照射物の表面にレーザ光を集光するレンズと被照射物間との距離を一定に保ちながらレーザ光の照射を行う。特に、レーザ光に対して被照射物を被照射物の表面に形成されたビームスポットの第１の方向および第２の方向に相対的に移動させて、被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、第１の方向および第２の方向のいずれかの方向に移動させる前にオートフォーカス機構によってレンズと被照射物間との距離を制御する。 （もっと読む）

【課題】連続発振型の半導体レーザ光を使用して、光エネルギーの損失を抑制し、短時間で安定した、効率のよい半導体材料の加熱方法及び加熱装置を提供するものである。
【解決手段】
半導体レーザ光１を、発熱層２に照射してこの発熱層２を発熱させ、この発熱層２と接する半導体材料４を熱処理する方法において、半導体レーザ光１を発熱層２上をスキャン操作を行わせ、半導体材料４を熱処理するに際し、半導体レーザ光１の折り返し操作が行われる部位Ｐに対応する発熱層２の表面に半導体レーザ光遮蔽板８を配置すると共に、半導体レーザ光遮蔽板８に於けるスキャンされる半導体レーザ光１と対向している端縁部９に沿ってテーパー部１０を設ける半導体材料の熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の強度分布を均一にする光学装置（ホモジナイザー）において、光の損失を低減する構造を提供する。
【解決手段】レーザー発振器からレーザー光を発振し、発振されたレーザー光を、第１のマルチシリンドリカルレンズに入射させ、第１のマルチシリンドリカルレンズを通過したレーザー光を、第２のマルチシリンドリカルレンズに入射させ、第２のマルチシリンドリカルレンズを通過したレーザー光を、収束レンズに入射させ、収束レンズを通過したレーザー光を、被照射物に照射し、第１のマルチシリンドリカルレンズと第２のマルチシリンドリカルレンズは、それぞれ凸シリンドリカルレンズと凹シリンドリカルレンズとが交互に配置され、凸シリンドリカルレンズと凹シリンドリカルレンズとの境界は、滑らかに連続し、第１のマルチシリンドリカルレンズと第２のマルチシリンドリカルレンズは、互いに直交しているレーザー照射方法。 （もっと読む）

【課題】現状では、製造プロセスにスピンコート法を用いる成膜方法が多く用いられている。今後、さらに基板が大型化すると、スピンコート法を用いる成膜方法では、大型の基板を回転させる機構が大規模となる点、材料液のロスおよび廃液量が多い点で大量生産
上、不利と考えられる。
【解決手段】本発明は、半導体装置の製造プロセスにおいて、液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザー光などで選択的に露光した後、現像することによって微細な配線パターンを実現する。本発明は、導体パターンを形成するプロセスにおいて、パターニング工程が短縮でき、材料の使用量の削減も図れるため大幅なコストダウン
が実現でき、大面積基板にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】レーザを照射して薄膜トランジスタに用いる微結晶薄膜を形成する工程において、結晶性の周期的な劣化を回避し、安定して均一性能の微結晶膜を形成することができる平面表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】連続発振レーザ光を非晶質シリコン膜表面に照射し、一定の速度でレーザを基板に対して相対的に走査しながら結晶化する際に、非晶質シリコン膜の一領域あたりへのレーザ照射時間が０．１ｍｓ以上となるように走査し、結晶化を行う。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体膜を簡便に得ることができる微結晶半導体膜の結晶化方法と、これを応用した薄膜トランジスタ、半導体装置、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に形成され、ソース領域となる第１非晶質領域４１、ドレイン領域となる第２非晶質領域４２、及び第１非晶質領域４１と第２非晶質領域４２との間に配置されたチャネル領域となる結晶性領域４３を有する半導体膜４と、半導体膜４上に結晶性領域４３と直接接触することなく形成され、ソース領域及びドレイン領域とそれぞれ電気的に接続されたソース電極８１及びドレイン電極８２と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体に注入された不純物を活性化するとともに該活性化によって表面性状を一様なものにして撮像素子などとして使用する際に、良好な特性を得る。
【解決手段】半導体にレーザを照射して半導体に注入された不純物を活性化する半導体基板の製造方法において、前記不純物が活性化される第１のエネルギー密度によって前記半導体に第１のレーザを照射した後、前記第１のエネルギー密度よりも低い第２のエネルギー密度によって前記半導体の前記第１のレーザ照射面上に第２のレーザを照射するので、第１のレーザ照射でレーザアニールすることによって充分な活性化を安定して行い、さらに第２のレーザ照射でレーザアニールすることで、第１のレーザ照射で生じた不規則な表面荒れを一様な荒れにする。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の厚みを適当な範囲に制御することによって、大きいドレイン電流を有するとともに、所望の電気的特性を備える半導体装置の製造方法、を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、５０ｎｍを超え１５０ｎｍ以下の厚みを有し、第１の層７ｍと第２の層７ｎとを有する半導体膜７を形成する工程を備える。半導体膜７を形成する工程時、第１の層７ｍに含まれる水素の割合は、第２の層７ｎに含まれる水素の割合よりも小さい。半導体装置の製造方法は、半導体膜７を熱処理することによって、半導体膜７に含まれる水素を低減する工程と、ゲート絶縁膜１７およびゲート電極２１を形成する工程と、半導体膜７にソース領域９およびドレイン領域１３を形成する工程と、半導体膜７を水素雰囲気中で熱処理することによって、半導体膜７に含まれる水素を０．５原子％以上１０原子％以下に設定する工程とを備える。 （もっと読む）