【課題】複数台の光学ユニット毎のアニールのばらつきの影響を抑制できる半導体薄膜結晶化方法及び半導体薄膜結晶化装置を提供する。
【解決手段】ｎ（ｎは２以上の整数）の光学ユニット１３のそれぞれで、第１のレーザービームＬＢをＬ（Ｌは２以上の整数）本の第２のレーザービームＬＢｓに分岐して基板１４に照射して、当該基板上の非晶質シリコン薄膜を結晶化させる半導体薄膜結晶化方法は、前記基板上に形成される画素４３が第１のピッチａで離間し、前記Ｌ本の第２のレーザービームはａ×ｎ×ｍ（ｍは１以上の整数）で表される第２のピッチで離間する場合、前記第２のピッチ内に在って、前記ｎ台の光学ユニットのある一台から照射された第２のレーザービームによって照射されず、当該第２のレーザービームで照射された画素に隣接する画素を前記ある一台の光学ユニットとは別の一台の光学ユニットにより照射する。 （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｉ膜をポリシリコン膜に改質するアニーリング処理等のレーザ処理を迅速化することができ、タクトタイムの短縮が可能な処理装置を提供する。
【解決手段】複数本のシリンドリカルレンズ１２を有するシリンドリカルレンズアレイ２ａにより、例えば８個の平板状のレーザビーム４を整形し、これを基板１上のａ−Ｓｉ膜に照射する。そして、基板１をこの照射領域５のギャップＧで移動させて、細長い照射領域５をギャップＧで基板上に形成する。このギャップＧを画素ピッチとすることにより、画素領域において、画素トランジスタの形成予定領域のみを照射領域５とすることができる。 （もっと読む）

【課題】特別な装置或いは部材を新たに設けることなく、再アニールによる基板のクラック発生を防止するレーザーアニール装置を提供する。
【解決手段】レーザーアニール装置は、基板を載置するステージと、レーザー光を発振するレーザーヘッドと、発振されたレーザー光を基板の半導体層の上面に対して概ね垂直な主光軸に沿って集光させるｆθレンズとを備え、ステージには載置された基板の半導体層の平均膜厚に対して所定量だけ異なる膜厚を有して半導体層の端部に所定の幅を有して延在する領域に相当する部分に所定の断面形状を有する凹部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられたＯＬＥＤを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけられた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとして機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面を有するディスプレイを実現するものである。 （もっと読む）

【課題】１０μｍを超える長さをもつ直線状の結晶粒が整列した、結晶方位がほぼ２軸揃った結晶粒からなる半導体薄膜を形成し、高移動度でかつ特性の均一な半導体デバイスを提供することができる半導体薄膜の製造方法、半導体デバイスおよび半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】連続発振レーザー結晶化において、回折型レーザビームホモジナイザを用いることで、レーザースポットを直線状・矩形状にし、長い方向にほぼ均一なレーザー強度分布を形成する。このレーザースポットを、レーザースポットの短い方向に適切な間隔をおいて、２段以上並べる。この多段レーザースポットを、シリコン薄膜上に照射し、レーザースポットの短い方向に走査させて、シリコン薄膜を横方向結晶化（ラテラル結晶化）を行うことで、結晶方位がほぼ２軸揃った結晶粒からなる多結晶シリコン薄膜の形成を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ビームスポットの面積を飛躍的に広げ、結晶性の劣る領域の占める割合を低減することができるレーザ照射装置の提供を課題とする。また連続発振のレーザ光を用いつつ、スループットをも高めることができる、レーザ照射装置の提供を課題とする。さらに本発明は、該レーザ照射装置を用いたレーザ照射方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】高調波のパルス発振の第１のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第２のレーザ光を照射する。具体的に第１のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長（８９０ｎｍ以下程度）を有する。第１のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第２のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第２のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の結晶の不均一性を緩和し、薄膜トランジスタの動作特性を向上させることが可能な半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１０上に非晶質シリコン膜１５Ａおよび光熱変換層１６をこの順に形成する。光熱変換層１６を介して非晶質シリコン膜１５Ａに第１ビームＬ１を照射することにより非晶質シリコン膜１５Ａに高温過熱領域１１を形成する。同時に、第２ビームＬ２を照射することにより高温過熱領域１１の走査方向の前後に低温過熱領域１２（昇温領域１２Ａおよび徐冷領域１２Ｂ）を形成する。非晶質シリコン１５Ａでは、第１レーザＬ１の照射により結晶成長が始まり、第２レーザＬ２の照射により昇温、徐冷されるため、非晶質シリコン１５Ａの結晶化が緩やかに進行し、結晶粒径の不均一性が緩和される。 （もっと読む）

一態様において、本開示は薄膜処理方法に関する。本方法は、第１の選択された方向に薄膜を進める間、第１レーザパルスと第２レーザパルスで薄膜の第１領域を照射し、各レーザパルスは成形ビームを供給し、薄膜を部分的に溶解するのに十分なフルエンスを持ち、第１領域は再凝固および結晶化して第１の結晶化領域を形成する。更に本方法は、第３レーザパルスと第４レーザパルスで薄膜の第２領域を照射し、各レーザパルスは形成ビームを供給し、薄膜を部分的に溶解するのに十分なフルエンスを持ち、第２領域は再凝固および結晶化して第２の結晶化領域を形成する。第１レーザパルスと第２レーザパルス間の時間間隔は、第１レーザパルスと第３レーザパルス間の時間間隔の半分未満である。 （もっと読む）

【課題】均一性の極めて高いアニール処理結果を実現しつつ、その場合であっても生産性が損なわれてしまうことなく高スループット化を実現できるようにする。
【解決手段】基板上に少なくとも非晶質シリコン膜１４と光吸収層１６とが積層されてなる多層構造体に対して、前記光吸収層１６の側から光を照射して当該光による局所加熱を行い、前記非晶質シリコン膜１４を微結晶シリコン膜または多結晶シリコン膜に改質するアニール処理工程を備え、前記アニール処理工程では、前記局所加熱にあたり同一走査ライン上に複数の光ビームを配置するとともに、前記光吸収層１６の熱伝導率をｋ、密度をρ、比熱をｃ、走査すべきライン長／走査速度をｔｐとした場合に、前記複数の光ビームを少なくとも間隔Ｌ＝２×｛ｋ・ｔｐ／（ρ・ｃ）｝^1/2だけ隔てて配置する。 （もっと読む）

【課題】強度測定器具の間の誤差やレーザ光学系の熱的不安定さに起因して生じるレーザ光学系の照射ビーム間の強度の偏差等を吸収して、均一性の極めて高いアニール処理結果を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置を構成する半導体層１４について、非晶質シリコン膜を微結晶シリコン膜または多結晶シリコン膜に改質する結晶化にあたり、当該結晶化を行うためのアニール処理工程として、プレアニール処理およびアニール処理といった、複数回のアニール処理を行う。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層と支持基板との接着不良を低減し、単結晶半導体層と支持基板との接着強度の高いＳＯＩ基板を製造する。
【解決手段】ソースガスを励起してプラズマを生成し、プラズマに含まれるイオン種を単結晶半導体基板の一方の面から添加して、単結晶半導体基板に損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の一方の面上に絶縁層を形成し、絶縁層を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように支持基板を密着させ、単結晶半導体基板を加熱することにより、損傷領域において、支持基板に接着された単結晶半導体層と単結晶半導体基板とに分離し、支持基板に接着された単結晶半導体層を押圧する。 （もっと読む）

【課題】レーザビームを往復させることによりスループットを高めると共に、往路と復路
との結晶性の差を確実に抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板のレーザビームが照射された既照射領域６１と未照射領域６２との光学
特性の変化、例えば透過光または反射光の強度の変化を、コントラストすなわち（（既照
射領域の光学特性）−（未照射領域の光学特性））／（（既照射領域の光学特性）＋（未
照射領域の光学特性）と定義する。コントラストを第１方向（往路）と第２方向（復路）
との各々について計測し、第１方向のコントラストと第２方向のコントラストとの差が所
定範囲内に収まるようにレーザビームの照射パワー、または、レーザビームと基板との相
対的な速度を変調する。改質された半導体膜において往路と復路との結晶性の差が確実に
抑えられ、ＴＦＴ特性差が小さくなり、表示装置の表示むらが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶化装置に関し、ＣＷ固体レーザを使用した場合でもスループットを高くすることができるようにすることを目的とする。
【解決手段】複数のレーザ源から出射するレーザビームを複数のサブビームに分割し、該サブビームＳＢを基板の非晶質半導体の選択された部分に照射して該半導体を結晶化させる構成とする。 （もっと読む）

【課題】
固体レーザ発振器を用い、アニール領域を接続して広い面積を均一に多結晶化する。
【解決手段】
固体レーザ光源から出射するレーザビームを複数本の均等なレーザビームに分割し、複数本のレーザビームの各々を均等な長尺状開口を有する複数のマスクの対応する１つに照射し、ａーＳｉ膜上の所定ピッチで配列された複数の加工位置に、それぞれＡＦを行って、複数のマスクの結像をそれぞれ照射し、ａーＳｉ膜を溶融させ、冷却期間に溶融したａーＳｉ膜をラテラル結晶成長させ、ａーＳｉ膜上で、複数のマスクの結像を短尺方向に１つのラテラル結晶成長幅未満移動して、ラテラル成長を繰り返し、ラテラル結晶をストライプ状に伸張させ、ａーＳｉ膜上で、複数のマスクの結像位置をマスクの長尺方向にずらし、前回成長したストライプ状ラテラル結晶に端部を重ねて、ストライプ状アニールを繰り返し、ストライプ状ラテラル結晶の幅を増加する。 （もっと読む）

【課題】非単結晶半導体の結晶化を安全かつ高効率に行なうことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】円柱または円筒の形状の回転ステージを有するローラーと、エネルギービームを出射するエネルギービーム照射機構と、ローラーおよびエネルギービーム照射機構を収容するチャンバーと、ローラーとエネルギービームの光軸との相対的な位置関係を変化させるための照射位置移動機構とを備え、該回転ステージは、円柱または円筒の底面の中心を通り底面と垂直をなす回転軸を中心に回転可能であり、回転ステージの側面の少なくとも一部の領域に基板ステージが設けられ、照射位置移動機構は、上記側面に対してエネルギービームが螺旋状に走査されるように上記の位置関係を回転軸の方向に変化させる機構であり、チャンバーはエネルギービームを遮蔽する材質からなる、半導体製造装置に関する。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の所定領域を選択的にかつ効率的に高結晶化する。
【解決手段】レーザアニール装置１００は、単数又は複数のレーザ光発振源を備えてなり、非晶質半導体膜２０の所定領域Ａ１の近傍領域Ａｓｃに対して、第１のレーザ光Ｘを照射して該領域を結晶化させる第１のレーザ光源１２０と、第１のレーザ光源１２０のレーザ光発振源を兼ねていない単数又は複数のレーザ光発振源を備えてなり、非晶質半導体膜２０の第１のレーザ光Ｘが照射された領域Ａｓｃの少なくとも一部及び所定領域Ａ１に対して第２のレーザ光Ｙを照射し、第１のレーザ光Ｘの照射により生成された結晶ｓｃの少なくとも一部は融解させることなく、該結晶を起点として所定領域Ａ１に結晶を成長させる第２のレーザ光源１３０と、非晶質半導体膜２０に対して、第１のレーザ光Ｘ及び第２のレーザ光Ｙを同時に又は独立に相対走査する相対走査手段１５０とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】複数の照射光学系を用いて生産性を高めると共にレーザビームの強度ばらつきの影響を抑えることができる半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０を、三つの単一領域１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃおよび境界領域１２ＡＢ，１２ＢＣとに分ける。単一領域１１Ａに，１１Ｂ，１１Ｃにはそれぞれ異なる照射光学系によりレーザビームを照射する。境界領域１２ＡＢには、単一領域１１Ａ，１１Ｂの両方の照射光学系によりレーザビームを照射する。境界領域１２ＢＣには、単一領域１１Ｂ，１１Ｃの両方の照射光学系によりレーザビームを照射する。走査時間を短縮しつつ、レーザビームの強度ばらつきによる結晶粒径の差を緩和する。境界領域１２ＡＢ，１２ＢＣでは、一方の照射光学系によりレーザビームを照射する平行線パターンと、他方の照射光学系によりレーザビームを照射する平行線パターンとを混合した配置にする。 （もっと読む）

少なくとも１つの未完成表面に、レーザアニールプロセスを施すことを含むセミコンダクタ・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造のシステム、方法および製品。ＳＯＩ構造の製造には、さらに、ドナー半導体ウェハの注入表面にイオン注入プロセスを施して、ドナー半導体ウェハに剥離層を作成し、剥離層の注入表面を、絶縁基板に接合し、剥離層を、ドナー半導体ウェハから分離して、少なくとも１つの劈開面を露出し、少なくとも１つの劈開面に、レーザアニールプロセスを施す各工程を有してなる。
（もっと読む）

【課題】 ガラス等安価な基板上への高品質結晶性半導体膜の形成は、ＳＯＩ型薄膜トランジスタへの応用や薄膜太陽電池への応用で必要であり、しかし現在では特性的に単結晶薄膜に近い品質は得られてない。半導体膜中に多くの欠陥があるため、満足できるデバイスは得られていない。このため、容易に単結晶半導体膜を形成する技術の開発が望まれている。
【解決手段】非単結晶半導体膜に、マイクロレンズアレイを通して極度に集光された点状光もしくは線状光を照射して局所的に種結晶を生成する種結晶形成工程と、前記半導体膜全体に均一強度分布を持つ光を照射して前記種結晶を単結晶に成長させる結晶成長工程と、を含む半導体装置の製造方法 （もっと読む）

【課題】形状精度が良好な結晶粒を規則的に配列させることにより、精度良好な高いキャリア移動度を示す結晶領域を形成することが可能な半導体薄膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜３に対してレーザ光Ｌｈ（エネルギービーム）を所定速度で走査させながら連続照射することにより、半導体薄膜３をレーザ光Ｌｈの走査にともなって結晶化させる半導体薄膜３の結晶化方法において、レーザ光Ｌｈの照射径ｒ以下のピッチｐを保ってレーザ光Ｌｈを平行に走査させることで、レーザ光Ｌｈの走査方向ｙと異なる方向に帯状の結晶粒ｂを成長させる。 （もっと読む）