【課題】また、ＣＷレーザまたは擬似ＣＷレーザを用いてレーザアニールを行った場合、エキシマレーザを用いた場合に比べ生産性が悪く、更なる生産性の向上が必要である。
【解決手段】レーザ光を非線形光学素子に通すことなく基本波のままとし、高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を半導体薄膜に照射してレーザアニールを行うことを特徴とする。非線形光学素子を用いず、且つ、高調波に変換しないため、大きな出力を有するレーザ発振器をレーザアニール法に用いることが可能となる。従って、一度の走査で形成される大粒径結晶の領域の幅を拡大することができるため、格段に生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 大面積のガラス基板上に薄膜からなる集積回路を形成した後、基板から剥離を行い、接触、好ましくは非接触でデータの受信または送信が可能な微小なデバイスを大量に効率よく作製する方法を提供することを課題とする。特に薄膜からなる集積回路は、非常に薄いため、搬送時に飛んでしまう恐れがあり、取り扱いが難しかった。
【解決手段】
本発明は、分離層に対して少なくとも異なる２種類の方法を用いてダメージ（レーザ光照射によるダメージ、エッチングによるダメージ、または物理的手段によるダメージ）を複数回与えることにより、基板から被剥離層を効率よく剥離する。また、剥離後のデバイスに反りを持たせることによって、個々のデバイスの取り扱いを容易とする。 （もっと読む）

【課題】
結晶化と同時に触媒元素のゲッタリングを可能にし、熱処理行程を減少させることをことを課題とする。
【解決手段】
基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質半導体膜、１５族から選ばれた元素を含む半導体膜を形成する。非晶質半導体膜及び１５族から選ばれた元素を含む半導体膜を、島状非晶質半導体膜及び島状半導体膜からなる島状領域に形成し、島状領域上にソース電極又はドレイン電極を形成する。ソース電極又はドレイン電極をマスクとして、ソース電極又はドレイン電極に覆われていない島状半導体膜の除去、及び島状非晶質半導体膜の膜厚を減少させ、また一部を露出させる。島状非晶質半導体膜の露出した領域に、結晶化を助長する触媒元素を導入し、加熱により島状非晶質半導体膜の結晶化及び触媒元素のゲッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】
線状レーザの走査回数を減少させ、レーザアニールにかかる時間を短縮させ、半導体装置の作製工程、作製時間、作製にかかるコストを短縮させることを課題とする。
【解決手段】
本発明では、線状レーザビームの照射面に重なり合うように高温の気体を局所的に噴き付ける。線状レーザビームは、レーザ発振器から射出したレーザビームをレンズに入射することにより得られる。高温の気体は、気体圧縮ポンプで圧縮された気体をノズル型ヒータにより加熱することによって得られる。加熱された気体は、線状レーザビームの照射面に重ね合わせるように噴出する。 （もっと読む）

ゲルマニウム回路タイプの構造が促進される。一実施形態例では、多段階の成長およびアニール・プロセスを実施して、ヘテロエピタキシャルル・ゲルマニウムなどのゲルマニウム（Ｇｅ）含有材料を、シリコン（Ｓｉ）またはシリコン含有材料を含む基板上に成長させる。いくつかの応用例では、ゲルマニウム含有材料の上面に向かって貫通する欠陥が全体的に抑制されて、欠陥が全体的にシリコン／ゲルマニウム境界面付近に閉じ込められる。これらの手法は、ゲルマニウムＭＯＳコンデンサ、ｐＭＯＳＦＥＴ、およびオプトエレクトロニック・デバイスを含む、さまざまなデバイスに適用できる。
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【課題】絶縁体上歪み半導体（ＳＳＯＩ）基板を作製する方法が提供される。
【解決手段】この方法で、歪み半導体は、あらかじめ形成された絶縁体上半導体基板の絶縁体層の上に直接配置された５０ｎｍ未満の厚さを有する薄い半導体層である。本発明のＳＳＯＩ基板を形成する際に、ウエハボンディングは使用されない。 （もっと読む）

本発明は、窒化物半導体エピタキシャル層を成長させる方法に関し、第１の窒化物半導体エピタキシャル層の上に第２の窒化物半導体エピタキシャル層を第１の温度で成長させる第１の段階と、第２の窒化物半導体エピタキシャル層の上に第３の窒化物半導体エピタキシャル層を第２の温度で成長させる第２の段階と、第２の温度より高い第３の温度に昇温して第２の窒化物半導体エピタキシャル層から窒素を放出する第３の段階と、を含む窒化物半導体エピタキシャル層を成長させる方法を提供し、これにより基板の反りおよび格子欠陥密度を低減することができる。

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