【課題】半導体素子間での電気特性のばらつきが低減された半導体膜、それを備えた半導体装置及びそれらの作製方法の提供。
【解決手段】その作製方法は、基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁層上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜上に、膜厚が２００〜１０００ｎｍであり、且つ酸素を１０ａｔｏｍｉｃ％以下含み、且つ珪素に対する窒素の組成比が１．３以上１．５以下である窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜を透過する連続発振のレーザ光または繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ光を前記非晶質半導体膜に照射して前記非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化して、結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜を用いて半導体素子を形成することを特徴とするものであり、この方法により、直交する３面において結晶の面方位が一定の割合以上揃う結晶性半導体膜を形成することができ、その結果、隣接する半導体素子間での電気特性のばらつきが低減され、優れた特性を有する半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く結晶性のよいＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶基板、およびそのＧａＮ結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の製造方法は、昇華法により成長させたＡｌＮ種結晶の少なくとも一部で形成されているＡｌＮ種結晶基板３を用いて、ＨＶＰＥ法によりＧａＮ結晶４を成長させるＧａＮ結晶の製造方法であって、ＡｌＮ種結晶基板の反りの曲率半径が５ｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低欠陥単結晶領域Ｚの幅ｚが２０００μｍ〜１００００μｍの広い窒化物半導体基板を製造すること。
【解決手段】
下地基板Ｕの上に、幅が２０μｍ〜４００μｍの被覆部Ｓを一定ピッチ２０２０μｍ〜１０３００μｍで平行等間隔に持つマスクを形成し、反応炉にマスク付き下地基板Ｕを装入、加熱し、分圧が（１．５＋０．０００５ｐ）ｋＰａ〜（４＋０．０００５ｐ）ｋＰａであるようなＨＣｌと、分圧が（１５−０．０００９ｐ）〜（２６−０．００１７ｐ）ｋＰａであるようＮＨ_３を供給して反応させマスク付き下地基板Ｕの上にＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦１）を成長させ、被覆部Ｓに底を、露呈部Ｅの中間部に頂上を持つ平行のファセット面Ｆからなる複数の山谷構造を形成し、被覆部Ｓの直上部分は結晶欠陥集合領域Ｈに、露呈部Ｅの上ファセット面Ｆ直下は低欠陥単結晶領域Ｚとなるようにする。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に、同一工程で設けられた微小構造体と半導体素子とを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０１上の微小構造体となる領域に第１の犠牲層１０３、その上に構造層１０５が設けられる。また半導体素子となる領域には半導体層１０４を成膜する。構造層には金属を用いて結晶化された多結晶シリコンを用いる。この多結晶シリコンは一般的な多結晶シリコンと異なり結晶粒界で共有結合が途切れず破壊応力が高く構造層に好適となる。またこの多結晶シリコンは半導体層１０４としても使うことが可能で、微小構造体と半導体素子を同一基板上に設けることができる。続けて構造層の上には第２の犠牲層１０８が設けられ、半導体層の上には導電層等が設けられる。最終的には第１と第２の犠牲層は除去され、構造層の下方と上方に空間を有する微小構造体とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は形状不安定性を持つ薄膜デバイスであっても、製造や出荷の取り扱いを容易にする薄膜デバイスの供給体およびその製造方法を提供することを目的とする。
また本発明は柔軟性又は可撓性を有する基板上に被転写層を剥離転写する技術及び被転写層を柔軟性又は可撓性を有する基板上に剥離転写した後、被転写層上に表示装置を簡便に組み込む技術を提供することを目的とする。
また、本発明はこのような剥離転写技術を利用して薄膜素子を製造する方法及びそれにより製造される電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、被転写層が永久接着剤層を介して最終転写基板に接合し、仮固定用接着剤を介し支持基板に固定されている状態で、被転写層表面に表示装置を組み込む工程を備えたことを特徴とする製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 従来の２つのバッファ層を持つＡｌＮ系超格子バッファ層を持つ窒化物半導体素子においては、シリコン基板上に、表面が平滑で、しかも、クラックのない窒化物半導体を得ることは困難であった。
【解決手段】 Ａｌ_xＧａ_1-xＮから成る第１のバッファ層のＡｌ組成ｘおよびＡｌ_yＧａ_1-yＮから成る第２のバッファ層のＡｌ組成ｙを厳密に規定することにより、形成される窒化物半導体の表面の平坦性およびクラック発生の防止を両立する最適な条件を明らかにした。第１のバッファ層と第２のバッファ層との界面が平滑で、しかも、結晶性の良いＡｌＮ系超格子バッファ層を作製することができる。窒化物半導体を使用した信頼性の高い電子デバイス・光デバイス等を作成することができる。 （もっと読む）

【課題】移動度の向上したＭＯＳトランジスタを提供する。
【解決手段】半導体装置に伸張性のチャネル領域を形成する工程を包含する。一形態において、製造の中間段階において半導体装置のアモルファス部分を覆う応力層を歪ませる工程を包含する。上記半導体装置はマスクされており、応力層の一部における歪みは緩和される。製造途中の半導体装置のアモルファス部分を再結晶化することによって、応力層からの歪みを基板に伝達する。歪みの少なくとも一部は、装置の製造工程の間、基板に残存する。その結果、完成した装置の性能を向上させることができる。他の形態において、伸張性の応力層は、上記装置の第１部分を覆うよう形成され、圧縮性の応力層は、上記装置の第２部分を覆うよう形成される。伸張性の応力層は、ＰＭＯＳ装置において圧縮性のチャネルを形成し、圧縮性の応力層は、ＮＭＯＳ装置において伸張性のチャネルを形成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロマシンを構成する微小構造体および半導体素子において、同一基板上に、同一工程で微小構造体と半導体素子を形成する作製方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上の微小構造体となる箇所に第１の犠牲層１０３を、その上に構造層１０５を成膜する。また半導体素子となる箇所には半導体層１０４を成膜する。構造層は結晶化を促進する金属を用いて熱結晶化またはレーザ結晶化された多結晶シリコンを用いる。この多結晶シリコンは一般的な多結晶シリコンと異なり結晶粒界で共有結合が途切れず破壊応力が高く構造層に好適となる。またこの多結晶シリコンは半導体層１０４としても使うことが可能で微小構造体と半導体素子を同一基板上に形成可能である。続けて構造層の上には第２の犠牲層１０８を成膜し、半導体層の上には半導体素子を形成する。最終的には第１と第２の犠牲層を除去し、構造層の下方と上方に空間を作り微小構造体とする。 （もっと読む）

【課題】作製費用を削減することができる半導体装置の作製方法、また、作製時間を短縮し、生産性を向上させることができる半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属を含む第１の層を形成する工程と、第１の層上に無機材料を含む第２の層を形成する工程と、第２の層上に薄膜トランジスタを含む第３の層を形成する工程と、第１の層、第２の層及び第３の層にレーザー光を照射して少なくとも第２の層と第３の層を除去する開口部を形成する工程と、第３の層の表面にフィルムを接着させる工程と、フィルムを用いて第１の層の内部又は第１の層と第２の層の間を境界として基板から第３の層を分離する工程とを含む半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】照射面上にレーザの干渉縞を生じさせることがなく、強度分布を均一にしてレーザビームを照射する。
【解決手段】レーザ発振器から出射したレーザビームはを回折光学素子により、強度分布が均一にされる。回折光学素子を通過したビームをスリットを通過させて、ビームの長軸方向の強度の弱い端部を遮断する。ビームを、投影レンズ及び集光レンズを通し、スリットの像を照射面に投影する。投影レンズは、スリットと照射面とが共役の関係になるように配置される。スリットによる回折を防ぎ、強度が均一なレーザを照射面に照射することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】実質的なチャネル長の長さを短くし、半導体装置を微細化することができる半導体装置及びその作製方法を提供する。また、実質的なチャネル長の長さを短くすることによってゲート容量を減少させることができ、半導体装置の高速動作及び高性能化を実現できる半導体装置及び、その作製方法を提供する。また、製造工程を簡略化することができる作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成されたる島状半導体膜と、島状半導体膜上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置であって、ゲート電極は高密度プラズマにより表面を酸化されることによって、スリミング化し、実質的なチャネル長を短くしている。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の照射により安定して効率よく結晶粒の位置とその大きさを制御した大粒径結晶を有する多結晶半導体膜を形成し、さらにその多結晶半導体膜を薄膜トランジスタのチャネル形成領域に用いることにより、高速動作可能な薄膜トランジスタを実現する。
【解決手段】 固体レーザの基本波の照射により多結晶半導体膜を形成する工程を含む半導体装置の作製方法であって、絶縁表面を有する基板上に下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に島状に基本波の吸収が可能な光吸収層を形成し、基本波の照射により前記島状の光吸収層を選択的に加熱することによって、半導体膜を所定の方向に結晶成長させて多結晶半導体膜を形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

異種基板から厚くエピタキシャル成長した窒化物薄膜をｉｎ ｓｉｔｕ分離することによる自立（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板を作製する方法が開示される。（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ薄膜の成長に適した基板が選択され、異種イオンが該基板に注入されて比較的急峻な濃度分布を形成する。（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ薄膜が該基板上に成膜され、該成膜された薄膜を降温して、熱膨張不整に関係した歪を導入すると、該薄膜は該基板から自然に分離する。
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【課題】
Ｇｅ元素を用いることなく、プロセス信頼性や結晶品質が高く、応力管理が容易な、歪みＳｉを利用した高移動度チャネルを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板の表面に、３００ｎｍ以下の段差ｄがついた絶縁膜１２，１４を形成し、絶縁膜１４の窓あけ部から横方向に延びて該絶縁膜１４を覆うように、８００℃以上の高温でＳｉ単結晶のエピタキシャル成長を行う。次に、ＣＭＰ研磨により絶縁膜１２をストッパとしてエピタキシャル層２２を研磨し、段差ｄと同じ厚みに制御されたＳｉ層を有するＳＯＩ領域を得る。該ＳＯＩ領域では、Ｓｉと絶縁膜の熱膨張率差と、成膜温度及び室温との温度差により残留応力２６が発生し、Ｓｉに引っ張り応力がかかって格子歪みが発生する。前記ＳＯＩ領域にＭＯＳ構造を形成することで、高移動度チャネルを有する歪みＳｉ−ＭＯＳＦＥＴが得られる。 （もっと読む）

【課題】歪みシリコン層における貫通転位密度の一層の低減化を図る歪みシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板上に格子不整合性のあるエピタキシャル層と歪みＳｉ層の構造を有し、前記シリコン基板の結晶表面が面方位（１００）面から結晶方位＜１００＞方向および＜０−１０＞方向に対して０．２°〜１°傾斜したオフカット面を用いる。 （もっと読む）

【課題】歪みシリコン層における貫通転位密度の一層の低減化を図る歪みシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板上に格子不整合性のあるエピタキシャル層と歪みＳｉ層の構造を有し、前記シリコン基板の結晶表面が面方位（１００）面から結晶方位＜１００＞方向および＜０−１０＞方向に対して０．０１°〜０．０５°傾斜したオフカット面を用いる。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。また、被剥離層の形成において、熱処理温度、基板の種類等の限定を受けない剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属層を形成し、前記金属層上に酸化物層を形成し、前記酸化物層上に被剥離層を形成し、前記被剥離層を前記金属層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において物理的手段により剥離する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えず、小さな面積の被剥離層だけでなく、大きな面積の被剥離層も歩留まりが良好な剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料を含む第１の層を形成する工程と、第１の層上に第２の材料を含む第２の層を形成する工程と、第２の層上に被剥離層を形成する工程と、加熱処理またはレーザー光の照射を行って、第２の層の圧縮応力を用いることにより、基板と被剥離層とを分離する工程とを含む。第１の材料は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ及びＰｔから選択された１つ又は複数である。第２の材料は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンである。 （もっと読む）

白熱灯および蛍光灯の代用品としての発光ダイオードなどのためにダイヤモンド基板上に窒化ガリウムデバイスを形成する。一つの実施形態として、少なくとも２つの方法でダイヤモンド上に窒化ガリウムダイオード（もしくは他のデバイス）を形成する。第１の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウムを成長させ、その窒化ガリウム層にデバイスを設けることを含んでいる。第２の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウム（デバイスもしくはフィルム）を接合し、接合した窒化ガリウム上にデバイスを設けることをともなっている。これらのデバイスは、白熱光や蛍光よりもかなり効率がよく、他の技術よりも光密度もしくはエネルギー密度がかなり高い。同様の方法および同様の構造により他の窒化ガリウム半導体デバイスをつくることができる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性が高く、製作コストを抑制した半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、チャネル形成領域となる島状半導体膜と、前記島状半導体膜の側面に接し、ソース領域又はドレイン領域となる半導体膜を有する半導体装置及びその作製方法に関する。チャネル形成領域となる島状半導体膜とソース領域又はドレイン領域となる半導体膜をドーピング装置を用いないで形成することにより、製造コストを抑制することができる。かつチャネル形成領域である島状半導体膜の側面にソース領域又はドレイン領域が接することにより、空乏層が膜厚方向だけでなく横方向に広がり、ドレイン電圧による電界が緩和されるため信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）