【課題】ガラス基板等の耐熱性の低いベース基板にバッファ層を介して、複数の単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】水素イオンを半導体基板に添加し、水素を多量に含んだ損傷領域と、バッファ層が形成された単結晶半導体基板を複数枚準備する。ベース基板に、この単結晶半導体基板を１枚または複数固定し、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射してベース基板上の単結晶半導体基板を損傷領域で分割する。単結晶半導体基板の固定と、電磁波の照射を繰り返して、ベース基板上に、必要な数の単結晶半導体基板が固定された半導体基板を作製する。さらに、この半導体基板の単結晶半導体層にレーザ光を照射して、溶融させ、再結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素からなる基板上に欠陥密度の低減された活性層が形成された炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、面方位{０００１}に対しオフ角が５０°以上６５°以下である、炭化ケイ素からなる基板２と、バッファ層２１と、活性層（エピタキシャル層３、ｐ型層４、およびｎ+領域５、６）とを備える。バッファ層２１は、基板２上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層は、バッファ層２１上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層におけるマイクロパイプ密度は基板２におけるマイクロパイプ密度より低い。また、活性層における、バーガーズベクトルの向きが[０００１]である転位の密度は、基板２における当該転位の密度より高い。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物半導体単結晶基板を簡易な方法で製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、エピタキシャル成長によって形成された第１のＧａＮ層１２１および第２のＧａＮ層１４１を層内で分離し、分離したＧａＮ層のうち表面状態のよい成長最表面側の第２のＧａＮ層１４１を種結晶として新たなＧａＮ層をエピタキシャル成長によって形成するという簡易な方法によって高品質なＧａＮ単結晶基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を基板とする半導体素子において、基板の欠陥密度に関わらず、炭化珪素エピタキシャル層の非極性面上において、電極/炭化珪素界面、あるいは酸化膜(絶縁膜)/炭化珪素界面の電気的特性と安定性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極とを有する半導体素子。前記半導体基板表面の前記ゲート絶縁膜との接合面は、巨視的には非極性面に平行であり、かつ微視的には非極性面と極性面からなり、前記極性面ではSi面またはC面のいずれか一方の面が優勢である。炭化珪素からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成される電極とを有する半導体素子。前記半導体基板表面の前記電極との接合面は、巨視的には非極性面に平行であり、かつ微視的には非極性面と極性面からなり、前記極性面ではSi面またはC面のいずれか一方の面が優勢である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層埋め込み型半導体の炭化珪素基板において、電子デバイス作製に不可避である低抵抗ｎ型不純物層を形成するための工業的な方法を提案すること。
【解決手段】絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板に、窒素イオン等の５属イオンを注入しn型不純物層を形成させ、次いで熱処理することからなるn型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法。熱処理は、好ましくは、１２００℃以上１４１０℃未満の温度範囲で、１分以上１０分未満の時間範囲で行われる。また、赤外線照射等の手段を用いて、昇温速度が１０℃／秒以上の急速加熱の条件下で行うのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】放熱性が極めて良好で、かつ、結晶性が良好なＧａＮ系材料を用いたデバイス、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法であって、シリコン基板６０の表面にダイヤモンド層６１を気相成長させるステップと、ダイヤモンド層６１の表面にＳＯＩ基板６２を圧着するステップと、ＳＯＩ基板６２を薄層化する薄層化ステップと、薄層化されたＳＯＩ基板６２上に、ＧａＮ層をエピタキシャル成長させるステップと、シリコン基板６０を除去するステップと、シリコン基板６０より熱伝導率の大きい材料をダイヤモンド層６１の裏面に圧着するステップとを含み、ＳＯＩ基板６２は、最表面層６２１とシリコン酸化層６２２とを有し、前記薄層化ステップにおいて、選択的にシリコン酸化層６２２までを除去し最表面層６２１のみを残してＳＯＩ基板６２を薄層化する。 （もっと読む）

【課題】 ガラスやプラスチックなどの単結晶でない基体上に単結晶半導体薄膜を形成することで、任意の基体上に十分に動作速度の速いトランジスタを作製することを可能とする。また、それにより任意の基体上に集積回路を形成することを可能にする。
【解決手段】 基体上に基体全面に渡って結晶方位が揃った配向中間層を形成し、その上にアモルファス状態もしくは多結晶状態の半導体薄膜を形成し、その半導体薄膜を適切な条件でアニールすることによって、基体全面に渡って結晶方位が揃った半導体薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体素子、ＳＯＳ（ｓｉｌｉｃｎ−ｏｎ−ｓａｐｐｈｉｒｅ）デバイス等を作製する際のエピタキシャル成長法に好適な均一なステップ−テラス構造を有するサファイア単結晶基板をその傾斜角度に関わらず効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】（０００１）面からの傾斜角度４が調整された主面を有し、かつ表面研磨されたサファイア単結晶基板を、不活性ガス雰囲気下、又は１０容量％以下の酸素分圧を有する酸素ガス及び不活性ガスからなる混合ガス雰囲気下に熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能な半導体素子、半導体素子の製造方法、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】半導体素子の基板が金属を主成分とするので、大面積の単結晶基板を安価に得ることができる。しかも、金属にはフレキシブル性があるため、例えば基板を曲げて使用することが可能である。これにより、スペースに応じて曲げて使用するなどの幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能な半導体素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】低コスト及び簡素な構成で、窒化物化合物半導体層と基板との間の直列抵抗を低減できる半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】半導体デバイスは、ｐ型シリコン基板１と、ｐ型シリコン基板１上に設けられ、シリコンに対してｐ型の不純物として機能する元素を含むバッファ層９と、バッファ層９上に設けられた窒化物化合物半導体層３と、窒化物化合物半導体層３上に設けられた第１の電極４と、ｐ型シリコン基板１下面に設けられた第２の電極８とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＡｓ層等の活性層を直接ＧａＡｓ等の基板上に形成した構造の化合物半導体積層体であって、信頼性が高く、かつ、バルク単結晶に対して電子移動度の低下が小さい化合物半導体積層体を提供すること。
【解決手段】本発明に係る化合物半導体積層体は、ＧａＡｓ基板上にＩｎＡｓ層を０．３μｍ以上と厚く形成し、そのＩｎＡｓ層上にＩｎＡｓ層と基板に平行方向の格子定数が等しく、基板に垂直方向の格子定数差が３％以内の化合物半導体保護層を形成することを特徴とする。すなわち、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｓｉのバルク単結晶板、またはそれらの薄膜基板上に、直にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ_ｙＳｂ_１−ｙ（０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦１）を活性層として、０．３μｍ以上３μｍ以下の厚さで形成する。この活性層には、導電性の小さな半導体層を保護層として直に形成する。 （もっと読む）

【課題】被照射物の位置合わせを行い、精度良くレーザビームを照射するレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。また、レーザビームの所望の照射位置に精密に照準を合わせる方法を用いて、信頼性の高いＴＦＴを作製する方法を提供する。
【解決手段】マーカー付き基板を、赤外光透過材料で形成されたステージ上に載置し、ステージ上に載置されたマーカー付き基板に設けられたマーカーを、赤外光を検知可能なカメラによって検出して、ステージの位置を制御し、レーザ発振器からレーザビームを射出し、レーザ発振器から射出されたレーザビームを光学系によって線状に加工し、ステージに載置されたマーカー付き基板に照射する。 （もっと読む）

【課題】本発明はより剥がれやすく、製造工程におけるコストをより低減可能な剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明の剥離方法は、基板上（１００）に剥離層（１２０）を介して存在する被剥離物（１４０）を上記基板から剥離する方法であって、上記剥離層（１２０）の全部又は一部をシリサイド層によって形成し、上記剥離層に光を照射して上記基板と上記被剥離物の間に剥離を生ぜしめることを特徴する。シリサイド層としては遷移金属シリサイドが望ましい。 （もっと読む）

【課題】コストを低減するとともに、基板の不良領域の分布に関わらず、基板の不良領域上に容易にフォトレジストパターンを形成することのできるフォトレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストパターン形成方法は、まず、基板１０を準備する。そして、基板１０の表面１０ａ上にマスク層２０を形成する。そして、マスク層２０上にフォトレジスト３０を形成する。そして、フォトレジスト３０に感光しない波長を有する第１の光源と、フォトレジスト３０に感光する波長を有する第２の光源とを有する光学顕微鏡を準備する。そして、第１の光源を用いて、フォトレジスト３０を介して基板１０の不良領域１１を検出する。そして、検出する工程で不良領域１１が検出されると、第２の光源に切り替えて不良領域１１上のフォトレジスト３０を感光させる。そして、感光させる工程で感光されていない領域のフォトレジスト３０を除去して、フォトレジストパターン３１を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶品質に優れ、かつクラックのないＡｌＮ系III族窒化物単結晶厚膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板上に、ＨＶＰＥ法によってＡｌＮ系III族窒化物厚膜を得る場合に、通常の成長条件で厚膜層の形成を行う第１の工程と、その時点で形成されている厚膜層を第１の工程における厚膜層の形成温度Ｔ１以上の高温状態Ｔ２で保持することを主目的とする第２の工程とを適宜のタイミングで切り替えつつ繰り返し行うようにする。これにより、それぞれの第１の工程において厚膜層に内在する歪を第２の工程で逐次に緩和させつつ厚膜層を形成することができる。厚膜層の形成後に面内方向に作用する引張応力を、あらかじめ緩和させた状態の厚膜層を形成することができるので、厚膜層におけるクラックの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の幅を制御することが可能な結晶性半導体膜の作製方法、さらには、特定の結晶構造を有し、且つ結晶粒の幅を制御することが可能な結晶性半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、非晶質半導体膜上に、キャップ膜を形成し、キャップ膜を透過する連続発振又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームが非晶質半導体膜に照射されるように走査して非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化する。このとき、レーザビームのビームスポットにおける長さ方向及び幅方向のエネルギー分布はガウス分布であり、非晶質半導体膜の一領域あたりにレーザビームを５マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下照射するようにレーザビームを走査する。 （もっと読む）

【課題】シリコン／ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）超格子温度センサをその製造方法とともに提供する。
【解決手段】上記製造方法では、第１のシリコン基板に能動ＣＭＯＳ素子を形成するとともに、第２のＳＯＩ（Si-on-insulator）基板上にＳｉＧｅ超格子構造を形成する。次に、第１の基板を第２の基板に貼り合わせて、貼り合わせ基板を形成する。そして、ＳｉＧｅ超格子構造とＣＭＯＳ素子とを接続する電気接続配線を形成し、ＳｉＧｅ超格子構造と貼り合わせ基板との間に空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスの整合性に優れており、基板と磁性半導体薄膜とが格子整合し、Ｔｃが３００Ｋ付近でバラツキが少ないＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族の磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法を提供する
【解決手段】加熱した基板上に緩衝層を形成した後に、該緩衝層上に磁性半導体層として遷移金属元素を添加したＺｎＳｎＡｓ_２をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】無線で通信可能な半導体装置を抄き込んだ用紙であり、半導体装置を内包する部分の凹凸が目立たなく、しかも厚さ１３０μｍ以下の薄い紙を実現する。
【解決手段】半導体装置１は回路部１２とアンテナ１１を具備し、回路部１２は薄膜トランジスタで構成される。回路部１２とアンテナ１１は製造時に使用した基板から分離され、可撓性基材１３と封止層１４とで挟まれ保護されている。半導体装置１は撓ませることが可能であり、半導体装置１自体の厚みは３０μｍ以下である。半導体装置１は紙２の抄紙工程で抄き込まれる。 （もっと読む）