【課題】焼結基体と半導体結晶層とが貼り合わせられた複合基板およびかかる複合基板に好適に用いられる複合基体を提供する。
【解決手段】本複合基体１は、焼結基体１０と、焼結基体１０上に配置された基体表面平坦化層１２と、を含み、基体表面平坦化層１２の表面のＲＭＳ粗さが１０ｎｍ以下である。本複合基板は、複合基体１と、複合基体１の基体表面平坦化層１２側に配置された半導体結晶層と、を含み、焼結基体１０の熱膨張係数と半導体結晶層の熱膨張係数との差が４．５×１０^-6Ｋ^-1以下である。 （もっと読む）

【課題】１３族窒化物からなる第１の基板と、セラミックスからなる第２の基板とを貼り合わせた複合基板につき、放熱性をよくすると共に製造時の製造時のプロセスを簡単にする。
【解決手段】セラミックスからなる第２の基板１２の表面１２ａに金属膜２３を形成し（ｃ）、この金属膜２３を介して１３族窒化物からなる第１の基板２１と第２の基板１２とを接合する（ｄ）。金属膜２３は一般に酸化膜と比べて熱伝導率が高いため、こうすることで酸化膜を介して第１の基板２１と第２の基板１２とを接合した場合と比べて放熱性のよい複合基板１０を得ることができる。また、酸化膜を用いないため外方拡散の工程が不要となり、プロセスが簡単になる。 （もっと読む）

【課題】表層に到達する転位の密度を、簡便かつ効果的に低減することができるＧａＮ系化合物半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の主面上に形成される緩衝層２０と、緩衝層２０上に形成されるＧａＮ系半導体単結晶の活性層３０とを備え、基板１０の主面に平行な任意の方向に屈曲する屈曲転位が活性層３０内における緩衝層２０と活性層３０との界面近傍に存在することを特徴とするＧａＮ系半導体基板。 （もっと読む）

【課題】支持基板上に高品質の窒化物半導体層が形成された複合基板、エピタキシャル基板、半導体デバイス及び複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複合基板は、支持基板と、窒化物半導体層と、支持基板と窒化物半導体層との間に設けられた接合層とを備える。窒化物半導体層の転位密度は、１×１０^８個／ｃｍ^２以下である。窒化物半導体層は、接合層側の第１面と、第１面とは反対側の第２面とを有している。第１面における転位密度と第２面における転位密度との差が１×１０^２個／ｃｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物の結晶体の基板を製造する際における剥離バッファー層をエッチングするための時間を短縮する方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板の上にバッファー層を形成するバッファー層形成工程Ｓ１と、バッファー層の上に、バッファー層の一部を覆うマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程Ｓ２と、バッファー層及びマスクパターンを覆うように、ＩＩＩ族窒化物の結晶体を成長させる成長工程Ｓ５と、マスクパターンの第１のエッチャントを用いてマスクパターンを選択的にエッチングすることにより、バッファー層の第２のエッチャントを供給するための経路を形成する経路形成工程Ｓ６と、経路を介して第２のエッチャントを供給してバッファー層を選択的にエッチングすることにより、結晶体を下地基板から分離する分離工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】歪み緩和バッファ層を設けることなく、結晶構造を有する半導体基板の表面に歪み半導体層を形成でき、したがって、簡単かつ低コストで歪み半導体基板を作製できる歪み半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】結晶構造を有する半導体基板の表面に絶縁膜を形成する（Ｓ１）。半導体基板の材料とは格子定数が異なる元素をその絶縁膜中にイオン注入する（Ｓ２）。その元素が絶縁膜中からはじき出されて半導体基板中に拡散して、その元素を要因とした歪みが半導体基板に生じるように熱処理を行う（Ｓ３）。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を５０℃以上の温度で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を７ｎｍ以上４５ｎｍ未満の平均層厚で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を１０００℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

半導体素子の作製方法は、各々が複数の層からなる複数の群を積層した状態で有する超格子を作製する工程を有して良い。複数の層からなる群の各々は、基礎となる半導体部分を画定する、複数の積層された基礎となる半導体分子層、及び隣接する基礎となる半導体部分の結晶格子の内部に束縛された少なくとも1の非半導体分子層を有して良い。当該方法はまた、その超格子が完全に形成される前に少なくとも1回のアニーリングを行う工程をも有して良い。
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【課題】 従来の窒化物半導体膜製造技術では、ＳｉＯ₂層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、ＳｉＯ₂層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ₂は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体構造は、第１の基板と、第１の基板上に成長し、同一材料からなる凹部及び凸部が形成された第１の窒化物半導体膜と、を有する第２の基板と、凹部及び凸部のうち、少なくとも凸部上面から形成された第２の窒化物半導体膜とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ層の厚さのバラツキの無いＳＯＩ基板及び該ＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にエピタキシャル剥離層を介してＡＬＥ成長でＳＯＩ層を形成し、ボデイウエーハを貼り付けた後、前記エピタキシャル剥離層を溶解除去することによって、全てがＡＬＥ成長で作成したＳＯＩ層を形成し、
ＳＯＩ層の厚さのバラツキの無いＳＯＩ基板とした。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＧｅ厚さとＧｅ比とひずみ緩和との相互依存を切り離すために格子工学が使用される、ＳｉＧｅオン・インシュレータ（ＳＧＯＩ）基板を製作する方法を提供することにある。
【解決手段】 この方法は、選択された平面内格子定数と、選択された厚さパラメータと、選択されたＧｅ含有量パラメータとを有するＳｉＧｅ合金層を有するＳｉＧｅオン・インシュレータ（ＳＧＯＩ）基板材料を提供するステップであって、選択された平面内格子定数が一定値を有し、他のパラメータ、すなわち、厚さまたはＧｅ含有量の一方または両方が調整可能な値を有するステップと、選択された平面内格子定数を維持しながら、他のパラメータの一方または両方を最終選択値に調整するステップとを含む。この調整は、どのパラメータが固定され、どのパラメータが調整可能であるかに応じて、薄型化プロセスまたは熱希釈プロセスのいずれかを使用して達成される。 （もっと読む）