Fターム[5F152NP02]の内容
再結晶化技術 (53,633) | 基板と活性層の間の層(バッファ層、マスク等)の材料 (2,042) | 半導体 (836) | 4族 (386)
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Fターム[5F152NP02]に分類される特許
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応力のかかるシステムのための基板および当該基板上での結晶成長法
本発明は、核生成層(2)、多結晶性または多孔性緩衝層(4)、および支持体基板(6)を含む結晶成長用支持体を提供する。 (もっと読む)
半導体装置、および薄層歪緩和バッファ成長方法
本発明は、半導体基板を含み、その上部に少なくとも薄層歪緩和バッファを有し、本質的に3層のスタックから成っている半導体装置に関するものであり、その薄層歪緩和バッファは半導体装置のアクティブ部分でなく、さらに、薄層歪緩和バッファを形成する前記3層が本質的に一定のGe濃度を有することを特徴としている。前記3層は以下の通りである:Si1−xGexの第1エピタキシャル層、xはGe濃度である;前記第1エピタキシャル層上の、Si1−xGex:Cの第2エピタキシャル層、Cの量は少なくとも0.3%である;前記第2層上のSi1−xGexの第3エピタキシャル層。
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