【課題】本発明は、補助基板上に緩和エピタキシャルベース層を得ることを含む、エピタキシャル成長のための基板の作製方法に関する。本発明の目的は、望ましい格子パラメータを有する材料が、異なる格子パラメータを有する別の材料の上で、より効率的に、熱力学的及び結晶学的に高い安定性を有してエピタキシャル成長することを可能にする基板を作ることにある。
【解決手段】この目的は、上記のタイプの方法であって、エピタキシャルベース層の少なくとも一部をキャリア基板上に移してベース基板を形成することと；エピタキシャルベース層の材料をキャリア基板上でさらに成長させることとをさらに含む方法により達成される。 （もっと読む）

接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）などの半導体素子を製造する方法が記載される。方法は、自己整合であり、素子のゲート又はソース／ドレイン領域を形成するために、再成長マスク物質を用いた、選択的エピタキシャル成長に関する。方法は、イオン注入の必要性を除去する。素子は、ＳｉＣなどのワイドギャップ半導体物質から形成される。再成長マスク物質は、ＴａＣである。素子は、放射線及び／または高温にさらされることを含む過酷な環境において使用される。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体デバイスのスイッチング速度等の性能を向上する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板の上に形成された絶縁膜であってシリコン基板に達する開口部を有する絶縁膜と、開口部に形成されたＧｅ結晶と、Ｇｅ結晶を核として成長された化合物半導体結晶であって絶縁膜の表面より凸に形成されたシード化合物半導体結晶と、シード化合物半導体結晶の特定面をシード面として、絶縁膜の上にラテラル成長されたラテラル成長化合物半導体層と、を備えた半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体デバイスの結晶成長用に適した、欠陥密度の小さい高品質のＧａＮ系結晶膜連続膜を備えた結晶基板を得る。
【解決手段】ＧａＮ系半導体デバイス形成用基板として用いる結晶基板において、表面がＣ面のサファイア基板１０１と、該サファイア基板１０１上に形成されたＧａＮバッファ層１０２と、該ＧａＮバッファ層１０２上に形成されたエピタキシャル成長ＧａＮ層１０３と、該エピタキシャル成長層１０３上に形成された、複数の開口部１０５を有するＳｉＯ₂膜１０４と、該ＳｉＯ₂膜１０４の開口部１０５にＧａＮ系化合物の選択再結晶化により形成された複数の島状ＧａＮ系結晶１１と、該島状ＧａＮ系結晶１１を核とするＧａＮ系結晶の成長により形成されたＧａＮ系結晶連続膜１２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の耐熱性が低く、かつ撓みやすい基板をベース基板に用いても、単結晶半導体層を精度良くベース基板に固定することを可能とする半導体基板製造装置を提供する。
【解決手段】接合層として機能する絶縁層が表面に設けられ、且つ表面から所定の深さの領域に脆化領域が設けられた単結晶半導体基板と、ベース基板と、の接合面を洗浄する洗浄部と、ベース基板及び単結晶半導体基板を貼り合わせ、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射して単結晶半導体基板を加熱し、損傷領域を劈開面として単結晶半導体基板を分離する電磁波照射部と、ベース基板に固定された単結晶半導体層を熱処理する熱処理部と、を有する半導体基板製造装置を用いて、ベース基板上に単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】元となる単結晶ＳｉＣ基板の結晶多形の如何にかかわらず、その表面を４Ｈ−ＳｉＣ単結晶に改質することが可能な気相技術を提供する。
【解決手段】結晶多形が３Ｃ、４Ｈ、又は６Ｈの何れかよりなる単結晶ＳｉＣ基板５を高真空環境において加熱して、当該単結晶ＳｉＣ基板の表面に炭化層５ａを形成させる。次に、炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に前記単結晶ＳｉＣ基板を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら加熱することで、前記炭化層５ａをシリコンと反応させてアモルファスＳｉＣ層５ｂを生成させる。また、前記嵌合容器に前記単結晶ＳｉＣ基板を収容した状態で上記と同様の条件で加熱することで、前記犠牲成長層のアモルファスＳｉＣの少なくとも一部を再結晶させて単結晶４Ｈ−ＳｉＣ層５ｃを生成させる。 （もっと読む）

【課題】特性を向上させた炭化シリコン膜（半導体膜）の製造方法を提供する。
【解決手段】第１シリコン膜Ｓ１上に炭素源ガスを供給することにより前記シリコン膜上に第１炭化シリコン膜３を形成する第１工程と、前記第１炭化シリコン膜上に、第２シリコン膜５を形成する第２工程と、前記第２シリコン膜上にレーザを照射する第３工程と、前記第３工程後の前記第１炭化シリコン膜上に炭素源ガスおよび珪素源ガスを供給することにより第２炭化シリコン膜を形成する第４工程と、を有する。かかる方法によれば、レーザ照射により、第１炭化シリコン膜３を改質でき、当該膜上に成長する第２炭化シリコン膜の特性が良好となる。 （もっと読む）

【課題】ステップバンチングにより劣化し得るＳｉＣ層の表面状態の改善と残留不純物濃度の抑制とを両立させることにより、特性の向上、特にキャリアの移動度の向上を達成しつつ、十分な信頼性を確保することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置であるＭＯＳＦＥＴの製造方法は、オフ角が４°以下の｛０００１｝面４Ｈ−ＳｉＣ基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ＳｉＣ基板上に、Ｃ／Ｓｉが１．２以上となる条件下で、ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる工程（Ｓ３０）と、ＳｉＣ層の主面上にファセットを形成する工程（Ｓ４０）と、当該主面を含むように、チャネル領域を形成する工程（Ｓ５０）〜（Ｓ６０）とを備え、チャネル領域を形成する工程（Ｓ５０）〜（Ｓ６０）では、上記ファセットがチャネル領域となるように、チャネル領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素からなる基板上に欠陥密度の低減された活性層が形成された炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、面方位{０００１}に対しオフ角が５０°以上６５°以下である、炭化ケイ素からなる基板２と、バッファ層２１と、活性層（エピタキシャル層３、ｐ型層４、およびｎ+領域５、６）とを備える。バッファ層２１は、基板２上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層は、バッファ層２１上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層におけるマイクロパイプ密度は基板２におけるマイクロパイプ密度より低い。また、活性層における、バーガーズベクトルの向きが[０００１]である転位の密度は、基板２における当該転位の密度より高い。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度のような電気的特性の優れた炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、面方位｛０００１｝に対しオフ角が５０°以上６５°以下である、炭化ケイ素からなる基板２と、半導体層（図１のｐ型層４）と絶縁膜（図１の酸化膜８）とを備える。半導体層（ｐ型層４）は基板２上に形成され、炭化ケイ素からなる。絶縁膜（酸化膜８）は、半導体層（ｐ型層４）の表面に接触するように形成されている。半導体層と絶縁膜との界面（チャネル領域と酸化膜８との界面）から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値が１×１０²¹ｃｍ^-3以上である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を基板とする半導体素子において、基板の欠陥密度に関わらず、炭化珪素エピタキシャル層の非極性面上において、電極/炭化珪素界面、あるいは酸化膜(絶縁膜)/炭化珪素界面の電気的特性と安定性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極とを有する半導体素子。前記半導体基板表面の前記ゲート絶縁膜との接合面は、巨視的には非極性面に平行であり、かつ微視的には非極性面と極性面からなり、前記極性面ではSi面またはC面のいずれか一方の面が優勢である。炭化珪素からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成される電極とを有する半導体素子。前記半導体基板表面の前記電極との接合面は、巨視的には非極性面に平行であり、かつ微視的には非極性面と極性面からなり、前記極性面ではSi面またはC面のいずれか一方の面が優勢である。 （もっと読む）

【課題】比較的安価な多結晶ＳｉＣ基板を母材基板として歪みが少なく大型で結晶性の良い単結晶ＳｉＣ基板を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ母材層２に所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み酸化物層４が形成されたＳＯＩ基板１に対し、表面Ｓｉ層３側からＰイオンを注入することにより、埋め込み酸化物層４をＰＳＧ層６に変成させて軟化点を低下させるＰイオン注入工程と、ＰＳＧ層６が形成されたＳＯＩ基板１を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して表面Ｓｉ層３をＳｉＣに変成させたのち冷却させて表面に単結晶ＳｉＣ層を形成するＳｉＣ形成工程とを行なう。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素エピタキシャル層中の基底面転位を減らすことができる炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】デバイスが作り込まれる炭化珪素エピタキシャル層（ドリフト層）と炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板との間に、 炭化珪素単結晶ウエハ中の基底面転位がエピタキシャル成長層中に伝播する際に貫通刃状転位に変換される変換効率の高い層（転位変換層）を、エピタキシャル成長によって設ける。この転位変換層のドナー濃度をドリフト層のドナー濃度よりも低く設定することにより、ドリフト層が単層であるよりも、より多くの基底面転位を貫通刃状転位に変換することができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性が極めて良好で、かつ、結晶性が良好なＧａＮ系材料を用いたデバイス、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法であって、シリコン基板６０の表面にダイヤモンド層６１を気相成長させるステップと、ダイヤモンド層６１の表面にＳＯＩ基板６２を圧着するステップと、ＳＯＩ基板６２を薄層化する薄層化ステップと、薄層化されたＳＯＩ基板６２上に、ＧａＮ層をエピタキシャル成長させるステップと、シリコン基板６０を除去するステップと、シリコン基板６０より熱伝導率の大きい材料をダイヤモンド層６１の裏面に圧着するステップとを含み、ＳＯＩ基板６２は、最表面層６２１とシリコン酸化層６２２とを有し、前記薄層化ステップにおいて、選択的にシリコン酸化層６２２までを除去し最表面層６２１のみを残してＳＯＩ基板６２を薄層化する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体単結晶層に残留するキャリアを抑制することによって、高速および高耐電圧デバイスに好適な窒化物半導体単結晶層を有する化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板１上に、Ｂ，Ａｌ，Ｖ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｃｕのうちの少なくともいずれか１種の不純物元素を１０¹⁴〜１０²¹／ｃｍ³含む、厚さ０．０５〜２μｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶バッファー層２と、Ｃ，Ｖ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｃｕのうちの少なくともいずれか１種の不純物元素を１０¹⁴〜１０²¹／ｃｍ³含む、厚さ０．０５〜５μｍのＧａＮ単結晶層３とが順次積層された構成とする。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウム錫混晶層の歪緩和を促進し、より大きな面内伸張歪を持つ伸張歪ゲルマニウム層を形成することができる多層膜構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置に好適な多層膜構造体１０の形成方法として、シリコン基板１１の上方にゲルマニウム層１２を形成する工程と、その上方にゲルマニウム錫混晶層１３を形成する工程と、その上方に伸張歪ゲルマニウム層１４を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に、半極性面である（１０-１ｍ）面（ｍ：自然数）の窒化物半導体膜が厚さ１μｍ以上で形成され、発光デバイスにも好適に用いることができる窒化物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１００）に対して、＜１００＞から＜１１０＞方向へのオフカット角度が１〜３５°であるＳｉ基板１上に、ＳｉＣまたはＢＰのいずれか１種以上からなるバッファー層２ａ（２ｂ）およびＡｌＮバッファー層３を介して、ＧａＮ（１０-１ｍ）、ＡｌＮ（１０-１ｍ）またはＩｎＮ（１０-１ｍ）からなる単結晶膜４、あるいはまた、ＧａＮ（１０-１ｍ）およびＡｌＮ（１０-１ｍ）の超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】より小さな表面凹凸をもつ半導体ヘテロ構造を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１の面内格子定数をもつ支持基板と、該支持基板上に形成されていて、上部に格子緩和状態おいて第２の面内格子定数をもつ緩衝構造と、および該緩衝構造上に形成された組成非傾斜層の多層積層とを備えた半導体ヘテロ構造に関するものである。表面凹凸の少ない、前記のタイプの半導体ヘテロ構造を提供することが本発明の目的である。前記の目的は、該組成非傾斜層が歪み層であり、かつ、該歪み層が前記第１および第２の格子定数の中間の第３の面内格子定数を格子緩和状態において有する半導体材料の、歪を有する平坦化層を少なくとも１つ含んで構成されることを特徴とする、前記のタイプのヘテロ構造によって達成される。 （もっと読む）

【課題】接合の前に最上層を有するドナー・ウェーハ基板上への熱負荷を軽減すること、および、にも拘らず接合の良好な結果を達成すること。
【解決手段】ドナー・ウェーハを作製するために、第１の面内格子定数を持つ第１の基板と、該第１の基板上に、上部が格子緩和状態で第２の面内格子定数を有する空間的に組成傾斜した緩衝層とを準備し、該組成傾斜した緩衝層上に、格子緩和状態で第３の面内格子定数を有する半導体材料の組成非傾斜層を形成し、該組成非傾斜層上に半導体材料の最上層を形成する。また、持ち運び用ウェーハを作製するために、第２の基板を準備し、該第２の基板上に絶縁層を形成し、ドナー・ウェーハを持ち運び用ウェーハに接合する。 （もっと読む）

本発明は、ハンドルウエハ（５）と、ハンドルウエハ（５）に結合する炭化ケイ素を含む層（４０）とを含む多層半導体ウエハの製造方法に関し、前記方法は、ａ）ハンドルウエハ（５）を提供するステップ；ｂ）ドナーウエハのドナー層（２）と残部（３）とを含み、ドナー層（２）が単結晶シリコンを含むものである、ドナーウエハ（１）を提供するステップ；ｅ）ハンドルウエハ（５）にドナーウエハ（１）のドナー層（２）を結合させるステップ、及びｆ）ハンドルウエハ（５）に結合したままのドナー層（２）を露出させるためにドナーウエハの残部（３）を除去するステップを含み、前記方法は、更にｃ）注入炭素を含む層（４）を作製するためにドナー層（２）に炭素イオンを注入するステップ、及びｄ）ドナー層（２）の少なくとも一部に炭化ケイ素ドナー層（４４）を形成するために注入炭素を含む層（４）を含むドナー層（２）を熱処理するステップを含むことを特徴とする。本発明はまた、ハンドルウエハ（５）と、ハンドルウエハ（５）に結合する炭化ケイ素ドナー層（４４）とを含む多層半導体ウエハに関し、ここで炭化ケイ素ドナー層（４４）は、Ｘ線回折によって決定されるように、双晶を含まず、更なる炭化ケイ素ポリタイプを含まない。
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