【課題】薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明が提供する薄膜製造方法は、以下のステップを含む：オリジナル基板を提供する；エッチング停止薄膜層をオリジナル基板上に形成する；犠牲層をエッチング停止薄膜層上に形成する；気体イオンを注入し、イオン分布濃度ピーク層を形成し、有効転移薄膜層及び残留層を定義する；有効転移薄膜層及び残留層を分離する。犠牲層の厚度を制御することにより、有効転移薄膜層の厚度を効率的に制御することができる。また、有効転移薄膜層厚度を均一にし、ナノメートルオーダーの厚度を達成する。 （もっと読む）

【課題】限りある資源を有効活用しつつ、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を安全に提供することを課題の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面上に第１の不純物半導体層、第１の電極、及び絶縁層を形成し、絶縁層と支持基板を密着させて単結晶半導体基板と支持基板を貼り合わせた後、脆化層において単結晶半導体基板を分離させて第１の単結晶半導体層を有する積層体を形成し、第１の単結晶半導体層上に第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、固相成長により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層上に、第１の不純物半導体層とは逆の導電型の第２の不純物半導体層を形成し、第２の不純物半導体層上に第２の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂などの破損による形状不良や特性不良などの半導体装置の不良を低減することを目的の一とする。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程中においても上記不良を低減することで半導体装置の製造歩留まりを向上させることを目的の一とする。
【解決手段】一対の第１の耐衝撃層及び第２の耐衝撃層に挟持された半導体集積回路において、半導体集積回路と第２の耐衝撃層との間に衝撃拡散層を有する。外部ストレスに対する耐衝撃層と、その衝撃を拡散する衝撃拡散層とを設けることで、半導体集積回路の単位面積あたりに加えられる力を軽減し、半導体集積回路を保護する。衝撃拡散層は弾性率が低く、破断係数が高い方が好ましい。 （もっと読む）

【課題】量産に適した方法で半導体基板を提供することを目的の一とする。または、資源を有効に活用しつつ、優れた特性の半導体基板を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板にイオンを照射して単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、単結晶半導体基板上に絶縁層を形成し、絶縁層と支持基板を密着させて単結晶半導体基板と支持基板を貼り合わせ、損傷領域において単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１の単結晶半導体層を形成し、第１の単結晶半導体層上に第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に、第１の半導体層とは異なる条件により第２の半導体層を形成し、固相成長法により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し、Ｓ値において高性能な半導体素子を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再単結晶化し、結晶欠陥を修復する。次いで、ｎ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層にフォトマスクを用いてチャネルドープし、次いで該フォトマスクを用いて島状単結晶半導体層をエッチバックし、ｐ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層の膜厚より薄くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 半導体層欠損領域の修復の際に作業時間の増大を回避し、より効率的に修復を行うことができ、さらに単結晶半導体層の欠損領域に残存する異物を的確、有効に分離除去することにより、レーザ照射時における異物の残存等に伴うシリコン膜の破裂・消失を低減させることができる半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 その製造方法は、支持基板に単結晶半導体層を貼り合わせ、貼り合わせ後前記単結晶半導体層の欠損領域を欠損検知装置により検出し、検出後前記欠損領域にクラスターイオンビームを照射してゴミを分離除去し、次いで前記欠損領域及び前記単結晶半導体層上に非単結晶半導体層を形成し、形成後前記検出情報に基づいて前記欠損領域の非単結晶半導体層を結晶化し、その後平坦化処理することにより前記結晶化後に残存する非単結晶半導体層を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いたとしても単結晶半導体層の結晶欠陥が低減されたＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板に第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜を除去し、第１の酸化膜が除去された単結晶半導体基板の表面に対してレーザ光を照射し、単結晶半導体基板に第２の酸化膜を形成し、第２の酸化膜を介して単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、第２の酸化膜と半導体基板とが向かい合うように接着させ、熱処理を行うことにより、脆化領域において単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された半導体基板を得る。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再結晶化し、結晶欠陥を修復する。再結晶化後の単結晶半導体層は深さ方向の濃度分布において、炭素濃度が極大を有する。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】複数の半導体集積回路が固着された繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有する。複数の半導体集積回路はそれぞれ構造体に形成された開口に設けられ、光電変換素子と、側面に段差を有し幅寸法は段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さい透光性基板と、透光性基板の他方の面に設けられた半導体素子層と、透光性基板の一方の面及び側面の一部を覆う有彩色の透光性樹脂層とを含む。複数の半導体集積回路において、有彩色の透光性樹脂層の色が異なる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いる場合においても優れた特性のＳＯＩ基板を提供することを目的の一とする。また、このようなＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面に、エピタキシャル成長法による単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層に第１の熱酸化処理を施して第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜の表面に対してイオンを照射することにより、単結晶半導体層にイオンを導入し、第１の酸化膜を介して、単結晶半導体層とベース基板を貼り合わせ、熱処理を施すことにより、イオンが導入された領域において単結晶半導体層を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層の一部を残存させ、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を施して第２の酸化膜を形成した後、該第２の酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定する。次いで、モニタ基板の複数の領域に対して互いに異なるエネルギー密度条件でレーザ光を照射し、レーザ光を照射後の単結晶半導体層のそれぞれの領域の炭素濃度及び水素濃度の深さ方向の濃度分布を測定し、炭素濃度が極大を有し、且つ水素濃度がショルダーピークを有するレーザ光の照射強度を最適なレーザ光の照射強度とする。モニタ基板を用いて検出した最適のエネルギー密度で、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、絶縁膜を介して単結晶半導体基板にイオンビームを照射することにより、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁膜上に接合層を形成し、接合層を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように、支持基板を貼り合わせ、熱処理を行うことにより、脆化領域に沿って単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された支持基板と単結晶半導体基板の一部とに分離し、単結晶半導体層に残存する脆化領域に対して第１のドライエッチング処理を行い、第１のエッチング処理が行われた単結晶半導体層の表面に対して、第２のドライエッチング処理を行い、単結晶半導体層に対してレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層の結晶欠陥が低減されたＳＯＩ基板の作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板と、単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層が設けられた半導体基板と、の表面に、ハロゲンを含有する酸化膜を形成することで、基板表面又は内部に存在する不純物を減少させる。また、半導体基板上に設けられた単結晶半導体層に、レーザ光を照射することで、単結晶半導体層の結晶性を向上させ、平坦性を回復する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層と支持基板との間に導電層を形成する半導体装置において、熱による支持基板の反り量の小さくする。また、同半導体装置の生産性の良い作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体層と支持基板との間に導電層が形成され、前記単結晶半導体層と前記導電層との間にゲート絶縁膜が形成された構造を有し、前記導電層と支持基板との間に、隙間が設けられる構成を有する。単結晶半導体基板に前記導電層を作製時、第一の絶縁層が単結晶半導体層と支持基板との間に形成されるが、前記導電層形成時に用いたレジスト上に成膜し、この上部の第一の絶縁層はレジストと共に除去することで、第一の絶縁層に凹部を設ける。前記凹部を有した状態で単結晶半導体基板と支持基板とを貼り合わせることで、前記隙間を有する構造とし、また貼りあわせ前の単結晶半導体基板表面平坦化は不要となる。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ極めて薄いバッファ層を用いて、工業的に安定でかつ低コストで、基板と格子定数の異なる良質の薄膜を形成した半導体基板を提供すること。
【解決手段】基板１は、格子定数ｘを有するものである。第１の半導体層２は、基板１上に形成され、格子定数ｙを有し、少なくともＳｂを含んでいる。第２の半導体層３は、第１の半導体層２上に形成され、格子定数ｙからｚまで格子定数を段階的又は連続的に変化させものである。第３の半導体層４は、第２の半導体層３上に形成され、格子定数ｚを有するものある。これらの格子定数の関係は、ｘ＜ｚ＜ｙの関係を有している。基板１上に格子定数の異なる薄膜を形成する際に、まずＳｂを含む半導体を形成し、その上層に格子定数を変化させるためのバッファ層を形成することで、従来に比べ薄いバッファ層で結晶欠陥のない薄膜形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体層欠損領域の修復の際に作業時間の増大を回避し、より効率的に修復を行うことができる、貼り合わせ法により単結晶半導体層を設けた半導体基板の製造方法の提供。
【解決手段】その製造方法は、支持基板に単結晶半導体層を貼り合わせ、該単結晶半導体層の欠損領域である半導体層欠損領域を欠損検知装置１により検出し、該単結晶半導体層上及び半導体層欠損領域に非単結晶半導体層を形成し、欠損検知装置１により検出された半導体層欠損領域の位置情報２２に基づいて半導体層欠損領域の非単結晶半導体層を結晶化する、又は結晶性を高める処理を行い、その後平坦化処理することにより残存する非単結晶半導体層を除去する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体デバイスのスイッチング速度等の性能を向上する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板の上に形成された絶縁膜であってシリコン基板に達する開口部を有する絶縁膜と、開口部に形成されたＧｅ結晶と、Ｇｅ結晶を核として成長された化合物半導体結晶であって絶縁膜の表面より凸に形成されたシード化合物半導体結晶と、シード化合物半導体結晶の特定面をシード面として、絶縁膜の上にラテラル成長されたラテラル成長化合物半導体層と、を備えた半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体基板をベース基板に貼り合わせる場合であっても、貼り合わせ効率を向上すると共に、接合不良を抑制することを目的とする。
【解決手段】第１の基板支持台上に複数の半導体基板を設け、第２の基板支持台上にベース基板を設け、複数の半導体基板の表面とベース基板の表面が所定の間隔をもって対向するように、第１の基板支持台の上方に第２の基板支持台を配置し、複数の半導体基板又はベース基板を帯電させ、複数の半導体基板の表面とベース基板の表面の間隔を狭めることにより、ベース基板の表面に複数の半導体基板を接触させ、ベース基板の表面と複数の半導体基板の表面を接合させる。 （もっと読む）

半導体レーザー構造に回折格子プロファイルを形成する方法は、ウエハ基板、前記ウエハ基板上に配置されるエッチストップ層、前記エッチストップ層上に配置される回折格子層、前記回折格子層上に配置されるエッチングマスク層、および前記エッチングマスク層上に配置されるフォトレジスト層を備えた半導体ウエハを提供し、フォトレジスト回折格子パターンを形成し、乾式エッチングを通じて前記フォトレジスト回折格子パターンを前記回折格子層内に移し、前記フォトレジスト層を除去し、前記回折格子層を選択的にウェットエッチングして前記回折格子層に前記回折格子プロファイルを形成する、各工程を有してなる。前記エッチングマスクとエッチストップ層との間に前記回折格子層を配置することによって、前記選択的ウェットエッチング工程を調節する。本方法はまた、前記回折格子プロファイルを変更することなく選択的ウェットエッチングを通じて前記エッチングマスク層を除去し、上部クラッド層を再生して前記半導体レーザー構造を生産する工程も有してなる。
（もっと読む）

【課題】単結晶半導体層と半導体基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減し、貼り合わせ工程及び半導体装置製造工程においても十分な接着強度をもつＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】脆化層を形成する単結晶半導体基板側にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、該ハロゲンを含む絶縁膜に対してプラズマ処理を行い、ハロゲンを含む絶縁膜と半導体基板の一方の面とが向かい合うようにボンディング（接着）させ、熱処理を行うことにより、脆化層において単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、半導体基板に接着された単結晶半導体層に対して平坦化処理を行う。 （もっと読む）